JPS6074232A - 撮像管用面板の製造方法 - Google Patents
撮像管用面板の製造方法Info
- Publication number
- JPS6074232A JPS6074232A JP18030883A JP18030883A JPS6074232A JP S6074232 A JPS6074232 A JP S6074232A JP 18030883 A JP18030883 A JP 18030883A JP 18030883 A JP18030883 A JP 18030883A JP S6074232 A JPS6074232 A JP S6074232A
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- Japan
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- film
- sic
- temperature
- pickup tube
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は坩管ノ１ラー撮像管、特にヒ素２セレン。
デルルからなるカルコゲナイド系光導電体をセンサとし
た３電極方式撮像管用面板を製造する方法に関するもの
である。
た３電極方式撮像管用面板を製造する方法に関するもの
である。
（従来技術とその問題点）
従来、カルコゲナイド系光導電体をセンサとした３電極
撮像管の面板ば第１図に示す如＜、′＃、導電体１．酸
化セリウム膜２．Ｃｒリーク抵抗ｇ ：３ 。
撮像管の面板ば第１図に示す如＜、′＃、導電体１．酸
化セリウム膜２．Ｃｒリーク抵抗ｇ ：３ 。
不ザ透明電極４．ツノラーフィルター伺ガラス基板５か
ら構成され−（いた。これらの中でＣｒ１）−り抵抗層
３は光導電体１に電界を均一に印加し、残像特性を向」
ニさせるために設けられたものである。
ら構成され−（いた。これらの中でＣｒ１）−り抵抗層
３は光導電体１に電界を均一に印加し、残像特性を向」
ニさせるために設けられたものである。
Ｃｒ ’）−り抵抗層３に要求される条１４１としでは
隣接した透明電極２，４間の抵抗／〕ζ１０（１ｋＱ〜
１０へ４（２の範囲になること、可視光領域（波長範囲
どして／１． ＯＯｎ ｍ〜７００ ｎ ｍ ）での透
１０率が９０係以上となることである。これらの茶汁を
満ずためのＣｒ１Ｊ−り抵抗層３の形成力法としては、
ガラス基板−１にストライブ状に加工された透明電極４
を有す面板上に金属ＣＩ′な真空中にて５〜１０ ｌ］
１１１のｌｌ７ｉｊ厚となイ）ように物理蒸着していた
。しかしＮ膜Ｃ，ｒの表面は酸化されて絶縁物に変りや
すく、シかも被蒸着面の状態と真空度等によってＣｒの
酸化される速度、（ミ１表面からの深さが異なるため、
相隣接する透明電極２，４間のリーク抵抗値の数値変動
が太きかった。また透明電極４の加工形状が悪い場合は
リーク抵抗層３を形成することができないこともあった
。特に面板内で局所的にリーク抵抗層値にバラツキが生
じた場合９画質劣化となり、撮像管の商品価値が無くな
る。このようなことから安定したリーク抵抗層を形成す
る方法の出現が待ち望まれていた。
隣接した透明電極２，４間の抵抗／〕ζ１０（１ｋＱ〜
１０へ４（２の範囲になること、可視光領域（波長範囲
どして／１． ＯＯｎ ｍ〜７００ ｎ ｍ ）での透
１０率が９０係以上となることである。これらの茶汁を
満ずためのＣｒ１Ｊ−り抵抗層３の形成力法としては、
ガラス基板−１にストライブ状に加工された透明電極４
を有す面板上に金属ＣＩ′な真空中にて５〜１０ ｌ］
１１１のｌｌ７ｉｊ厚となイ）ように物理蒸着していた
。しかしＮ膜Ｃ，ｒの表面は酸化されて絶縁物に変りや
すく、シかも被蒸着面の状態と真空度等によってＣｒの
酸化される速度、（ミ１表面からの深さが異なるため、
相隣接する透明電極２，４間のリーク抵抗値の数値変動
が太きかった。また透明電極４の加工形状が悪い場合は
リーク抵抗層３を形成することができないこともあった
。特に面板内で局所的にリーク抵抗層値にバラツキが生
じた場合９画質劣化となり、撮像管の商品価値が無くな
る。このようなことから安定したリーク抵抗層を形成す
る方法の出現が待ち望まれていた。
（目的）
この発明は以上述べた欠点を１１１１１決するために。
ＣＩリーク抵抗層に代る安定なＳ ｉＣ： １１膜’）
−り抵抗層を形成する方法を提供するものである。
−り抵抗層を形成する方法を提供するものである。
（実施例）
本発明はストライプ状に加工された透明電極を設けたガ
ラス面板上に、室温から１００℃の範囲でボスフィン（
円」３）ガスを１０〜２０Ｑ ｌ） ｐｍ ドープした
ＳｉＣ：ｌ−１膜を３０〜９０ｎｍの膜厚で形成し、リ
ーク抵抗層とするものである。われわれの実験によれば
、ＳｉＣ：Ｈ膜を形成する際にホスフィンガスを］、Ｏ
［）Ｉ）＋１１ドーピングした場合、リーク抵抗層の抵
抗イＷがほぼ］、ＯＭΩを示し＋ ２００ｐｐｍドープ
した場合。
ラス面板上に、室温から１００℃の範囲でボスフィン（
円」３）ガスを１０〜２０Ｑ ｌ） ｐｍ ドープした
ＳｉＣ：ｌ−１膜を３０〜９０ｎｍの膜厚で形成し、リ
ーク抵抗層とするものである。われわれの実験によれば
、ＳｉＣ：Ｈ膜を形成する際にホスフィンガスを］、Ｏ
［）Ｉ）＋１１ドーピングした場合、リーク抵抗層の抵
抗イＷがほぼ］、ＯＭΩを示し＋ ２００ｐｐｍドープ
した場合。
リーク抵抗層の抵抗値は所定の川ＱｋΩを示した。
また、ＳｉＣ： ｌ−１膜厚は３０ ｎ ＋ｎ 以下と
するとピンポールが多くて良質なリーク抵抗とはならず
、 ９Ｑ ＩＩ １１１以上にすると可視光領域の透過
率が９０係以１・と４１つ、リーク抵抗の委求東件を涌
さなくフ、ｃ、るのて゛。
するとピンポールが多くて良質なリーク抵抗とはならず
、 ９Ｑ ＩＩ １１１以上にすると可視光領域の透過
率が９０係以１・と４１つ、リーク抵抗の委求東件を涌
さなくフ、ｃ、るのて゛。
最適膜厚は３０〜９０ ｎ ｍとなった。Ｓｉｎ：ＩＩ
膜を形成する際の温度は、］ＯＯ℃以上に加熱１−ると
ガラス基板に伺着されているカラーフィルタが変色して
撮像管としての特性を劣化さぜる。このようなことから
、ホスフィンのドープ邦を１０〜２００９１） Ｉｌｌ
。
膜を形成する際の温度は、］ＯＯ℃以上に加熱１−ると
ガラス基板に伺着されているカラーフィルタが変色して
撮像管としての特性を劣化さぜる。このようなことから
、ホスフィンのドープ邦を１０〜２００９１） Ｉｌｌ
。
カラス面板読度を室温〜ｔｏｏ”ＣＪ＝’厚を３０〜９
Ｑ ｎｍの範囲としてＳｉＣ：ｌ（膜を形成することが
最適条件である。なお形成したリーク抵抗層は経時変化
も観抑１されず安定している。
Ｑ ｎｍの範囲としてＳｉＣ：ｌ（膜を形成することが
最適条件である。なお形成したリーク抵抗層は経時変化
も観抑１されず安定している。
以下本発明の詳細な説明する。第２図に示す如きカラー
フィルター伺ガラス基板５上に加工された透明電極４を
有す面板上にリーク抵抗層６を次のような方法で形成す
る。ポリノリコンをターゲットとするスパッタ装置の試
料台に当該面板を設置し、温度が室温から１００℃の範
囲になるように冷却水にて温度上昇を抑制する。このよ
うな状態でスパッター装置のベルジャ内を真空度１０−
４パスカルまで真空排気する。しかる後アルゴン（Ａ
ｒ）ガス３０ ｃ ｃ 、 ＰＩ−１３ガス５０１）
Ｉ） Ｉｌｌ を含有する水素ガス１Ｑｃｃをベルジャ
内に導入し、ガス圧をほぼ１パスカルとしてスパッター
リングを行なう。スパッタ出力にも依存するがスパック
−開始後はぼ５分で膜厚５Ｑ ｒｕｎのＳｉＣ： ｌ−
１膜６が面板」二に形成され。
フィルター伺ガラス基板５上に加工された透明電極４を
有す面板上にリーク抵抗層６を次のような方法で形成す
る。ポリノリコンをターゲットとするスパッタ装置の試
料台に当該面板を設置し、温度が室温から１００℃の範
囲になるように冷却水にて温度上昇を抑制する。このよ
うな状態でスパッター装置のベルジャ内を真空度１０−
４パスカルまで真空排気する。しかる後アルゴン（Ａ
ｒ）ガス３０ ｃ ｃ 、 ＰＩ−１３ガス５０１）
Ｉ） Ｉｌｌ を含有する水素ガス１Ｑｃｃをベルジャ
内に導入し、ガス圧をほぼ１パスカルとしてスパッター
リングを行なう。スパッタ出力にも依存するがスパック
−開始後はぼ５分で膜厚５Ｑ ｒｕｎのＳｉＣ： ｌ−
１膜６が面板」二に形成され。
この膜厚のリーク抵抗値はほぼ７ＭΩを示す。この面板
を用いてカルコゲナイド系光導電体１をセンサとした３
電極管を製作し、単管カラー撮像管特性を評価した結果
、従来のＣｒ１Ｊ−り抵抗層３と同等以上の画質を得る
ことができ、特にＣ「リーク抵抗層でしばしば発生した
局所的画質劣化は発生しなかった。
を用いてカルコゲナイド系光導電体１をセンサとした３
電極管を製作し、単管カラー撮像管特性を評価した結果
、従来のＣｒ１Ｊ−り抵抗層３と同等以上の画質を得る
ことができ、特にＣ「リーク抵抗層でしばしば発生した
局所的画質劣化は発生しなかった。
（効果）
本発明による撮像管用面板はＳｉＣ： ｌ−１膜を１７
−り抵抗層とずろことにより、面板製作工程での不良率
が格段と改良されて紋所的に有利に１７った。
−り抵抗層とずろことにより、面板製作工程での不良率
が格段と改良されて紋所的に有利に１７った。
また従来のＣｒ１Ｊ−り抵抗層は抵抗（ｉ４に経時変化
があったため１時間経過とともに抵抗測定化行う必要が
あったが、ｓｉＣ：１１層では初期抵抗植の測定のみで
十分であるため、製造工程上での測定の簡略化がＣきる
。
があったため１時間経過とともに抵抗測定化行う必要が
あったが、ｓｉＣ：１１層では初期抵抗植の測定のみで
十分であるため、製造工程上での測定の簡略化がＣきる
。
第１図は従来のＣ＋“リーク抵抗層を採用した面板の断
面図、第２図は本発明の実が鞄例のＳｉＣ：ＩＩＪＪψ
リーク抵抗層を採用した面板の断面図である。 １：カルコゲナイド系光導電体、２：酸化セリウム膜、
３：Ｃｒリーク砥抗層、４：１秀明′覗極。 ５：カラーフィルターイ」ガラス基板、６ ： ５１（
−’、 ：１−１１１１Ａリ一ク抵抗層。
面図、第２図は本発明の実が鞄例のＳｉＣ：ＩＩＪＪψ
リーク抵抗層を採用した面板の断面図である。 １：カルコゲナイド系光導電体、２：酸化セリウム膜、
３：Ｃｒリーク砥抗層、４：１秀明′覗極。 ５：カラーフィルターイ」ガラス基板、６ ： ５１（
−’、 ：１−１１１１Ａリ一ク抵抗層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 カラーフィルタイ用ガラス基板上にストライブ状に加工
された透明電極を有する面板を室温から１００℃の範囲
に保ち、当該面板上にｌＱ １）ｐｉｌｌから２０１ｊ
ｐｐｍホスフィンガスをドーピングしたｓｉｃ：ＩＩ（
水素化シリコンカーバイト）膜リーク抵抗層を３０旧η
から９０ ｎｍの膜厚範囲に堆積させる工程と。 」二記工程を経た面板上にカルコゲナイド系光導電体を
形成し７て３電極方式撮像管川面板とする工１￥とから
なることを特徴とする撮像管川面板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18030883A JPS6074232A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 撮像管用面板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18030883A JPS6074232A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 撮像管用面板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074232A true JPS6074232A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16080936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18030883A Pending JPS6074232A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 撮像管用面板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074232A (ja) |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18030883A patent/JPS6074232A/ja active Pending
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