JPS6068722A - Electronic device - Google Patents

Electronic device

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JPS6068722A
JPS6068722A JP58162831A JP16283183A JPS6068722A JP S6068722 A JPS6068722 A JP S6068722A JP 58162831 A JP58162831 A JP 58162831A JP 16283183 A JP16283183 A JP 16283183A JP S6068722 A JPS6068722 A JP S6068722A
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JP
Japan
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logic
output
circuit
semiconductor device
buffer
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JP58162831A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Nakamura
洋一 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS6068722A publication Critical patent/JPS6068722A/en
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/173Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
    • H03K19/1731Optimisation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To omit a customized work required due to a blown fuse by specifying the relation of connection between logical elements at the inside of a semiconductor device by means of connecting information stored in a built-in storage element so as to cope with the logical change. CONSTITUTION:FF9a, 9b are storage elements specifying the relation of connection, and since an output of an OR circuit 8a gives the same logical value as that of an output of a buffer 1a when an output of the FF9a is zero, it is equivalent that the buffer 1a and an AND circuit 2a are connected. Since an output of an OR circuit 8b is logical 1 at all times independently of the output value of a buffer 1b when the FF9b is logical 1, the AND circuit 2a acts like a simple buffer. When the FF9b outputs logical 1, it is regarded that the buffer 1b and the AND circuit 2a are not connected.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、任意の論理機能を実現するために、必要に
応じて内部の論理回路を自由に組換えることができる半
導体装置を用いた電子装置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an electronic device using a semiconductor device whose internal logic circuits can be freely recombined as necessary to realize an arbitrary logic function. It is related to.

〔従来技術〕[Prior art]

近年半導体技術は著しい進歩をとげ、大規模集積回路L
SIが多用されるようになったが、必要に応じて自由に
設計される、いわゆるランダム・ロジックのようにLS
I化に不適当な回路は依然として小規模な標準論理装置
、即ち881.Malを多数組合せて実現しておシ、実
装密度を向上させるための障害となっていた。
Semiconductor technology has made remarkable progress in recent years, and large-scale integrated circuits
SI has come to be widely used, but LS, which can be freely designed as needed, is similar to so-called random logic.
Circuits unsuitable for integration remain in small-scale standard logic devices, namely 881. This has been realized by combining a large number of Mals, which has been an obstacle to improving the packaging density.

従来、このLSIと881.MSIとのギャップを埋め
るものとして、FROM(プログラマブル・リードeオ
ンリ争メモリ)及びPLA(プログラマブル・ロジック
・アレイ)等のフユーズ型論理素子が用いられていた。
Conventionally, this LSI and 881. Fuse-type logic elements such as FROM (programmable read-only memory) and PLA (programmable logic array) have been used to fill the gap with MSI.

第1図及び第2図についてPLAの原理を説明する。第
1図において、1a。
The principle of PLA will be explained with reference to FIGS. 1 and 2. In FIG. 1, 1a.

1bはバッフ7.2けANDゲート、3a、3bけダイ
オード、4aけフユーズ、4bは溶断されているフユー
ズである。上記ダイオード6aと溶断されていないフユ
ーズ4aで結ばれているバッファ1aの出力と上記AN
Dゲート2の入力とけ互いに接続関係が成立している。
1b is a buffer 7.2 AND gate, 3a and 3b diodes, 4a fuse, and 4b is a blown fuse. The output of the buffer 1a connected to the diode 6a and the unblown fuse 4a and the AN
The inputs of the D gate 2 are connected to each other.

一方、ダイオード3bと溶断されているフユーズ4bで
結ばれているバッファ1bの出力とANDゲート20入
力とけ互いに接続関係が成立していない。
On the other hand, the output of the buffer 1b, which is connected to the diode 3b through the blown fuse 4b, and the input of the AND gate 20 are not connected to each other.

第2図において、2a、2bはANDゲート、5けCI
 I也グート、6a、6bはトランジスタ、7a &i
ミツユーズ7bは溶断されているフユーズである。Vc
cは電源電圧である。上記トランジスタ6aと溶断さt
l−てぃないフユーズ7aで結ばれているA N I)
ゲート2aの出力とORゲート5の入力とは互いに接続
関係が成立している。これに対し、トランジスタ6bと
溶断きれているフユーズ7bで結ばれているANDゲー
ト2bの出力とORゲート50入力とは互いに接続関係
が成立していない。
In Figure 2, 2a and 2b are AND gates, 5-digit CI
Iya Gut, 6a, 6b are transistors, 7a &i
Mitsuuse 7b is a fuse that has been fused. Vc
c is the power supply voltage. The transistor 6a and the fuse t
ANI connected by fuse 7a)
The output of the gate 2a and the input of the OR gate 5 are connected to each other. On the other hand, the output of the AND gate 2b and the input of the OR gate 50, which are connected to the transistor 6b by the blown fuse 7b, are not connected to each other.

前記1)L Aは、予め半導体装置内部に多数のAND
ゲートやOI’tゲート等の論理素子を配列しておき、
これらの入出力信号を第1図または第2図で示したよう
なフユーズ論理で互いに接続したものである。製造直後
のPLAはすべての接続点のフユーズは溶断されていな
い状態にある。PLAの使用者は、!持別な外部インタ
ーフェースを通じて内部のフユーズのうち特定のものだ
けを溶断し、求メル論理機能を実現する【こオLをカス
タマイズ作業という)。異なる論理を実現するには、異
なるフユーズを溶断する。
1) LA has a large number of ANDs inside the semiconductor device in advance.
Arrange logic elements such as gates and OI't gates,
These input/output signals are connected to each other using fuse logic as shown in FIG. 1 or 2. Immediately after manufacturing, the fuses at all connection points of the PLA are in an unblown state. PLA users are! Through a unique external interface, specific internal fuses are fused to realize the desired logic function (this process is called customization work). To achieve different logics, fuse different fuses.

上記【7た工うに、従来のフユーズ型論理装置はAND
ゲーグーORゲート等の論理素子間の接続関係を、フユ
ーズの有無によって規定しているため、フユーズ型論理
素子を用いて希望する論理回路を実現するには、先ずカ
スタマイズ作業が必要となる。このためには論理装置内
部のフユーズを溶断する専用の書込装置が必要であり、
フユーズ型論理装置の使用者はこの書込装置を購入する
か、フユーズ型論理装置の製造者にカスタマイズを依頼
するか、することになり、いずれにしても費用及び時間
が余分にかかるという欠点があり、また一旦カスタマイ
ズしてしまえば、論理の変更が不可能であるという欠点
があった。
According to the above [7], conventional fuse-type logic devices are AND
Since the connection relationships between logic elements such as game-OR gates are defined by the presence or absence of fuses, customization work is first required to realize a desired logic circuit using fuse-type logic elements. For this purpose, a dedicated writing device is required to blow out the fuse inside the logic device.
The user of the fuse-type logic device must either purchase this writing device or request customization from the manufacturer of the fuse-type logic device, but in either case, the disadvantage is that it requires extra cost and time. However, once customized, the logic cannot be changed.

〔以明の概要〕[Summary]

この発明は、上記した従来のものの欠点を除去するため
になされたもので、内部の論理素子間の接続関係をフユ
ーズの有無によって規定する代シに、内蔵された記憶素
子の記憶内容によって規定することができる半導体装置
を用−1この半導体装置の記憶素子に接続情報をh込む
手段を備えた電子装置を提供する゛ものである。
This invention was made in order to eliminate the drawbacks of the conventional devices described above, and instead of defining the connection relationships between internal logic elements by the presence or absence of fuses, it is defined by the storage contents of built-in storage elements. An object of the present invention is to provide an electronic device equipped with a means for inputting connection information into a memory element of the semiconductor device.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例を第6図乃至m 7 [+に
ついて説明する。図において、第1図または第2図と同
一符号は同一または相当部分を示す。第3図(4)にお
いて、8.a、8bけORゲート、9a。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with respect to m 7 [+ from FIG. 6. In the figures, the same reference numerals as in FIG. 1 or 2 indicate the same or corresponding parts. In FIG. 3 (4), 8. a, 8b OR gate, 9a.

9bは接続関係を記憶するフリップ書フロップである。Reference numeral 9b is a flip-flop that stores connection relationships.

但し、この7リツプ・フロップ9aの出力は論理“a″
でおシ、このときバッファ1aの出力とANDゲーグー
aの入力とは接続関係が成立している。このような場合
、ORゲート8aと7リツプ・フロップ9aから構成さ
れている接続点は第3図(川の交点10aのように、バ
ッファ1aの出力線とANDゲーグーaの入力線を交差
させ、丸印を付して表わすことにする。
However, the output of this 7 lip-flop 9a is logic "a"
At this time, a connection relationship is established between the output of the buffer 1a and the input of the AND game a. In such a case, the connection point consisting of the OR gate 8a and the 7-lip flop 9a is made by intersecting the output line of the buffer 1a and the input line of the AND gate a, as shown in FIG. I will represent it with a circle.

一方、フリップ−70ツブ9bの出力は論理“1”であ
シ、このときバッファ1bの出力とANDゲート2aの
入力とは接続関係が成立していない。このような場合、
ORゲート8bと7リツプ・フロップ9bから構成され
る接続点は第3図(+3)の交点10bのように無印で
表わすことにする。
On the other hand, the output of the flip-70 tube 9b is logic "1", and at this time there is no connection between the output of the buffer 1b and the input of the AND gate 2a. In such a case,
The connection point composed of the OR gate 8b and the seven lip-flops 9b will be shown without a mark, such as the intersection 10b in FIG. 3 (+3).

同様[して、第4図(A)において、12a、12bは
A N l)ゲート、13a 、13bは接続関係を記
憶するクリップ・フロップである。但し、フリップ−7
0ツブ13aの出力は論理“1″であシ、このときAN
Dゲーグーaの出力とORゲート1130入力とは接続
関係が成立している。このような場合、ANDゲート1
2aとフリップ・フロップ13alC,Cり構成されて
いる接続点は、第4図CB)の交点14aのように四角
印を付けて表わすことにする。。
Similarly, in FIG. 4(A), 12a and 12b are A N l) gates, and 13a and 13b are clip-flops that store connection relationships. However, flip-7
The output of the 0 knob 13a is logic "1", and at this time the AN
A connection relationship is established between the output of D game a and the input of OR gate 1130. In such a case, AND gate 1
2a and the flip-flops 13alC and C are represented by square marks, such as the intersection 14a in FIG. 4CB). .

これに対し、フリップ・フロップ13bの出力は論理“
U”であシ、このときANDゲート2bの出力とORゲ
ート11aの入力は接続関係が成立していない。このよ
うな場合、ANDゲート12bと7リツプ・70ツブ1
3bに工す構成される接続点は第4図(13)の交点1
4bのように無印で表わすことにする。
On the other hand, the output of the flip-flop 13b is a logic “
In this case, the output of the AND gate 2b and the input of the OR gate 11a are not connected.
The connection point constructed in 3b is the intersection 1 in Fig. 4 (13).
It will be expressed without a mark like 4b.

次に、第3図及び第4図の回路を用いて、任意の論理回
路を実現することができる半導体装置の一例を第5図に
示す。第5図では、各交点の接続関係を記憶するスリッ
プ・フロップだけを抜出し、単一のシフト・レジスタ1
5にまとめである。このシフ)−レジスタ15の各ビッ
トの出方は、番号の対応する交点へ接続されており、そ
れぞれ第6図(5)または第4図(4)に示した回路を
構成している。
Next, FIG. 5 shows an example of a semiconductor device that can realize an arbitrary logic circuit using the circuits shown in FIGS. 3 and 4. In Figure 5, only the slip-flops that memorize the connection relationships at each intersection are extracted, and a single shift register 1 is created.
5 is a summary. The output of each bit of this shift register 15 is connected to the intersection point corresponding to the number, and constitutes the circuit shown in FIG. 6 (5) or FIG. 4 (4), respectively.

このシフト・レジスタ15に対し、シフト入力端子16
とシフト・クロック端子17を用いて第5図に示すよう
なビット・パターンを入力すると、符号10a〜10h
で示す各交点では、論理“O″を出力しているビットに
対応する交点だけ接続関係を生じ、符号14a〜14h
で示す各交点では、論理゛1″を出力しているビットに
対応する交点だけ接続関係を生ずる。従って、第5図の
ビット・パターンの場合には、第6図の論理回路と等価
になる。上記シフト・レジスタ15に入力するビット・
パターンを変えることによシ、他の論理回路を実現する
ことができる。半導体装置に内蔵している論理素子の種
類及び数を多くすることにニジ、更に複雑な論理回路を
実現することができる。
For this shift register 15, a shift input terminal 16
When inputting a bit pattern as shown in FIG. 5 using the shift clock terminal 17, the bit patterns 10a to 10h
At each intersection indicated by , a connection relationship occurs only at the intersection corresponding to the bit outputting logic "O", and symbols 14a to 14h
At each intersection indicated by , a connection relationship occurs only at the intersection corresponding to the bit outputting logic ``1''. Therefore, in the case of the bit pattern in Figure 5, it is equivalent to the logic circuit in Figure 6. .Bit input to the shift register 15 above
By changing the pattern, other logic circuits can be realized. By increasing the types and number of logic elements built into a semiconductor device, more complex logic circuits can be realized.

次に上記第5図で説明した半導体装置を用いた電子装置
について説明する。符号19は上記した、内部論理を外
部から組換えることができる半導体装置、20はこの半
導体装置に書込むべき内部接続情報を記憶しているRO
M(IJ−ドーオンリ・メモリ)、21はこのRoM2
0に記憶されている内部接続情報から半導体装置19に
実際に朋込むシフト入カテータ及びシフト・クロックを
生成する書込回路、22は、これら全体を制御するマイ
クロ書プロセッサである。半導体装置19はこの電子装
置の他の論理回路26の一部として使用されておシ、そ
のため論理入力11〜In、論理出力01%Onで他の
論理回路と接続されている。
Next, an electronic device using the semiconductor device described in FIG. 5 above will be described. Reference numeral 19 is the above-described semiconductor device whose internal logic can be recombined from the outside, and 20 is an RO that stores internal connection information to be written in this semiconductor device.
M (IJ-do-only memory), 21 is this RoM2
A write circuit 22 which generates a shift input cutter and a shift clock which are actually read into the semiconductor device 19 from the internal connection information stored in 0 is a micro write processor that controls these as a whole. The semiconductor device 19 is used as a part of another logic circuit 26 of this electronic device, and is therefore connected to other logic circuits through logic inputs 11 to In and logic outputs 01% On.

次に、この電子装置の動作について説明する。Next, the operation of this electronic device will be explained.

先ず、この電子装置に電源が投入される等して初期動作
が始まったとき、マイクロ・プロセッサ22は他の論理
回路23が動作を始める前にROM20から接続情報を
読出いそれを書込回路21へ送る。この書込回路21は
、送られた接続情報に、例えば並列−直列変換等の適当
な処理を施すと共にシフト・クロックを発生させて、半
導体装置19に接続情報を書込む。書込み動作終了後、
マイクロ・プロセッサ22け他の論理回路26の動作を
開始させ、半導体装置19もその一部としての動作を開
始する。このようにして、雪1子装置全体も本来の目的
に沿った動作を開始する。
First, when the electronic device is powered on and starts its initial operation, the microprocessor 22 reads connection information from the ROM 20 and writes it to the write circuit 21 before other logic circuits 23 start operating. send to The write circuit 21 performs appropriate processing, such as parallel-to-serial conversion, on the sent connection information, generates a shift clock, and writes the connection information into the semiconductor device 19. After the write operation is completed,
The microprocessor 22 and other logic circuits 26 start operating, and the semiconductor device 19 also starts operating as a part thereof. In this way, the entire Yukichiko device also starts operating in accordance with its original purpose.

尚、上記実施例では、単一の半導体装置19を用いたが
、必要に応じて多数の半導体装置を用いることができる
。また、マイクロ・プロセッサ22げ半導体装置19に
内部接続情報を畳込むための専用に設ける必要はなく、
例えばこの電子装置全体の本来の目的の動作を制御する
ために設けられたマイクロ・プロセッサを初期動作のと
きだけ半導体装置19の内部接続情報書込み用に用いる
こともできる。また、ROM20も同様にして、内部接
続情報記憶専用である必要はなく、他のマイクロ・プロ
グラム等を同時に記憶させることができる。
Incidentally, in the above embodiment, a single semiconductor device 19 was used, but a large number of semiconductor devices can be used as necessary. Further, there is no need to provide a dedicated device for convolving internal connection information in the microprocessor 22 and the semiconductor device 19.
For example, a microprocessor provided to control the intended operation of the entire electronic device may be used to write internal connection information of the semiconductor device 19 only during initial operation. Similarly, the ROM 20 does not need to be dedicated to storing internal connection information, and other micro programs and the like can be stored at the same time.

また、上記半導体装置19の内部接続情報記憶用として
ROM20の代りに、磁気ディスク等の外部記憶装置を
用いてもよく、この場合(では初期動作のときに外部記
憶装置から接続情報全読出し、これを半導体装置19に
書込めばよい。
Further, an external storage device such as a magnetic disk may be used instead of the ROM 20 for storing internal connection information of the semiconductor device 19. In this case, all connection information is read from the external storage device during initial operation, and may be written into the semiconductor device 19.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上記したように、この発明はANDゲートまたけORゲ
ート等の複数の論理素子及びこれらの論理素子間の接続
関係を規定するスリップ・フロップまたはシフト ・レ
ジスタ等の記憶素子を備えた半導体装置と、該半導体装
置の接続情報を記憶したROM等の記憶装置と、この記
憶装置から接続情報を読出し、上記半導体装置に内蔵さ
れた上記の記憶素子に接続情報を書込む1込回路及びマ
イクロ・プロセッサ等の処理装置とを備えたものであり
、半導体装置内部の論理素子間の接続関係を従来の工う
なフユーズの有無の代9に1内蔵された記憶素子に記憶
されている接続情報により規定しており、しかもその接
続情報は、この半導体装置が使用されている電子装置の
初期動作めとき、記憶装置から自動的に半導体装置へ書
込まれるので、従来の工うにフユーズを溶断するカスタ
マイズ作業は不要となる。
As described above, the present invention provides a semiconductor device including a plurality of logic elements such as AND gates and OR gates, and a memory element such as a slip flop or shift register that defines the connection relationship between these logic elements; A storage device such as a ROM that stores connection information of the semiconductor device, a one-input circuit that reads connection information from this storage device, and writes the connection information to the storage element built in the semiconductor device, a microprocessor, etc. It is equipped with a processing device, and the connection relationships between logic elements inside the semiconductor device are defined by the connection information stored in the built-in memory element, instead of the conventional method of using or not using fuses. Moreover, the connection information is automatically written from the storage device to the semiconductor device during the initial operation of the electronic device in which this semiconductor device is used, so there is no need for the customization work of blowing out fuses as in the past. becomes.

既に他の目的でマイクロ会プロセッサやROMを内蔵し
ている電子装置においては、新たに付加する電子回路も
わずかですみ、接続情報の記録もマイクロ・プログラム
の記録と同時に行うことが可能なので、工程の増加にも
つながらず、安価で短期間に、要求される電子装置を実
現することができる。
For electronic equipment that already has a built-in microprocessor or ROM for other purposes, only a small amount of new electronic circuitry is required, and connection information can be recorded at the same time as the microprogram, so the process It is possible to realize the required electronic device at low cost and in a short period of time without causing an increase in the number of devices.

捷た、万−論理に変更が生じた場合にも、接続情報を変
更するだけで対処することができる。
Even if a change occurs in the logic, it can be dealt with simply by changing the connection information.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は従来の7ユーズ型論理素子のブロッ
ク結線図、第6図乃至第7図はこの発明の一実施例を示
すものであり、第6図乃至第5図は半導体装置のブロッ
ク結線図、第6図は第5図の等価回路図、第7図は電子
装置のブ【コック結線図である。 2 .2a 、2b 、2c 、2d :ANDゲート
、11 .11a、11b:ORゲート、13a 。 16b;7リツプΦフロツプ、15:シフト・レジスタ
、19:半導体装置、2o : aoM、21:書込回
路、22:マイクcffΦプロセッサ。 なお各図中同一符号は同一または相当部分を示すものと
する。 代理人 大 岩 増 雄 第 3図 14図 (A) (B) 蛤 5[!J 手続補正書(自発) 昭和 59年 ”JJ2211 、発明の名称 電 子 装 置 3、補正をする省 事r1−どの関係 ↑ニヤ許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁1」2番3号名 称
 (601)三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 4、代理人 明細書の「発明の詳細な説明」及び 1図面の簡単な説明Jの各欄。 6、補正の内容 (1)明細書第4頁第16行の1−〔以明の概要〕」を
1〔発明の概要〕」と補正ずろ。 +21FvjmiFF8頁第6 h(D l %7号1
9Li: J ’e r m 7図において符号19は
」と補正する。 (3)明細書第12頁第3行のI’13a、 13bj
を[9a。 9 b、 13a、 ]、3bJと補正する。 以 上
1 and 2 are block wiring diagrams of a conventional 7-use type logic element, FIGS. 6 and 7 show an embodiment of the present invention, and FIGS. 6 and 5 show a semiconductor device. 6 is an equivalent circuit diagram of FIG. 5, and FIG. 7 is a block diagram of the electronic device. 2. 2a, 2b, 2c, 2d: AND gate, 11. 11a, 11b: OR gate, 13a. 16b; 7-lip Φflop; 15: shift register; 19: semiconductor device; 2o: aoM; 21: writing circuit; 22: microphone cffΦ processor. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Agent Masuo Oiwa Figure 3 Figure 14 (A) (B) Clam 5 [! J Procedural Amendment (Voluntary) 1980 "JJ2211, Name of invention Electronic device 3, Ministry of affairs r1 to be amended - Which relationship ↑ Near patent applicant address 2-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo" 2-3 Name (601) Mitsubishi Electric Co., Ltd. Representative Hitoshi Katayama Part 4, "Detailed Description of the Invention" and 1 Brief Description J of Drawings in the agent's specification. 6. Contents of the amendment (1) On page 4, line 16 of the specification, 1-[Summary of the invention]” should be amended to 1 [Summary of the invention]. +21FvjmiFF8 page 6 h (D l %7 No. 1
9Li: J'er m 7 In the figure, the code 19 is corrected as ". (3) I'13a, 13bj on page 12, line 3 of the specification
[9a. 9b, 13a, ], 3bJ. that's all

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 複数の論理素子及びそれらの論理素子間の接続関係を規
定する記憶素子を備えた半導体装置と、該半導体装置の
接続情報を記憶した記憶装置と、この記憶装置から接続
情報を読出し、上記半導体装置に内蔵された上記の記憶
素子に接続情報を書込む処理装置とを備えたことを特徴
とする電子装置。
A semiconductor device including a plurality of logic elements and a memory element that defines connection relationships between the logic elements, a memory device that stores connection information of the semiconductor device, and a memory device that reads the connection information from the memory device, An electronic device comprising: a processing device for writing connection information into the above-mentioned memory element built into the electronic device.
JP58162831A 1983-09-05 1983-09-05 Electronic device Pending JPS6068722A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61280120A (en) * 1985-06-04 1986-12-10 ジリンクス・インコ−ポレイテツド Configurable logic array
JPS6478023A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Fujitsu Ltd Programmable logic device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61280120A (en) * 1985-06-04 1986-12-10 ジリンクス・インコ−ポレイテツド Configurable logic array
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