JPS6064488A - Semiconductor laser and manufacture thereof - Google Patents
Semiconductor laser and manufacture thereofInfo
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- JPS6064488A JPS6064488A JP17380683A JP17380683A JPS6064488A JP S6064488 A JPS6064488 A JP S6064488A JP 17380683 A JP17380683 A JP 17380683A JP 17380683 A JP17380683 A JP 17380683A JP S6064488 A JPS6064488 A JP S6064488A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、１】（またはｎ）−ＧａＡｓ基板上に１）（
または１１）−Δ１ｘＧｎ、−ｘＡｓ層（ｆｊＳｌクラ
ッド層という）と、ノンＶ−ブまたはｐまたは盲＋−Ａ
ｌｙＧｕ、ｙＡｓ層（活性層という）と、ｎ（またはｐ
、） −ＡＩｚＧａ＋−ｚＡＳ層（第２２ラツｙ層とい
う）とを形成してなるストライプ形導体レーザおよびそ
の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a structure in which 1)(
or 11) -Δ1xGn, -xAs layer (referred to as fjSl cladding layer) and non-V-b or p or blind +-A
lyGu, yAs layer (referred to as active layer), n (or p
, ) -AIzGa+-zAS layer (referred to as a 22nd lazy layer) and a method for manufacturing the same.
第１図は、従来例の半導体レーザの発光面方向から見た
構造断面図である。ｆｆＮ図において、符号１は１）（
またはｎ ） −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２は１）（また
は１１）−ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓｌ（第１クラッド層と
いう）、３（土／ンドープまた（土ｐ主ｔコ（土ｎ −
Ａ ｌ ｙ Ｇ ａ 、−ｙ Ａ ｓ層（活性層という
ただしｙ＜ｘ、ｙ＜ｚ）、４は、１】（またはｐ）−Ａ
ＩｚＧａ、ｚＡｓ層（第２クラッド層という）、５は１
１”（主たはｐ”）−ＧａＡｓＪ［，６はＴｉ層、７は
Ａｕ層、８はＡｕＧｅＪＩである。このような半導体レ
ーザでは、連続発振動作時にはスペクトル的にシングル
モードで発振するが高速変調時のみならずレーザ光の戻
り丸が変化する場合には前記シングルモードではレーザ
発振しない場合がある。これを解決するものとして従来
から例えば分布帰還型、分布反射型、二重共振器型等の
半導体レーザが開発されている。しかしながら、これら
従来のものではいずれも構造が複雑であるために量産に
は不向きであり、かつ製造コストも高くつという欠点が
あった。FIG. 1 is a structural sectional view of a conventional semiconductor laser as viewed from the direction of the light emitting surface. In the ffN diagram, the code 1 is 1)(
or n ) -G a As substrate, 2 is 1) (or 11) - Al
A ly Ga , -y As layer (active layer where y<x, y<z), 4 is 1] (or p) -A
IzGa, zAs layer (referred to as second cladding layer), 5 is 1
1" (mainly or p")-GaAsJ[, 6 is a Ti layer, 7 is an Au layer, and 8 is AuGeJI. Such a semiconductor laser oscillates spectrally in a single mode during continuous wave operation, but may not oscillate in the single mode not only during high-speed modulation but also when the return circle of the laser beam changes. To solve this problem, semiconductor lasers such as distributed feedback type, distributed reflection type, and double resonator type have been developed. However, all of these conventional devices have complicated structures, making them unsuitable for mass production, and have the disadvantage of high manufacturing costs.
本発明は、簡単な構造で量産に適し、製造コストを低減
しその上、縦モードの安定性を良くすることを目的とす
る。An object of the present invention is to have a simple structure suitable for mass production, to reduce manufacturing costs, and to improve longitudinal mode stability.
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。この実施例は屈折率導波型半導体レーザに適用し
て説明する。第２図はこの実施例の構造断面図であり、
第１図と対応する部分には同一の符号を付す。第２図に
おいて符号１は１）（またはｎ）−ＧａＡｓ基板、２は
ρ（またはｎ）−ＡＩｘＧａ。Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings. This embodiment will be explained by applying it to a refractive index guided semiconductor laser. FIG. 2 is a structural sectional view of this embodiment,
Components corresponding to those in FIG. 1 are given the same reference numerals. In FIG. 2, reference numeral 1 indicates a 1) (or n)-GaAs substrate, and 2 indicates a ρ (or n)-AIxGa.
−ｚＡＳ層（ｌクラッド層という）、３はノンドープま
たはＩノまたはｎ −Ａ １ｙ（ｉａ＋−ｙＡｓ層（活
性層とνｔうただしｙ＜ｘ、 ｙ＜ｚ）、４は第２クラ
７Ｆ層である。この第２クラッド層４は該第２クラ・ノ
ド層４と同伝導型で１１（または＋＋）−Ａｌｚ’Ｇａ
１−ｚ’Ａｒ、１４１と１１（またはｐ ） −Ａ ｌ
ｚ ” Ｇ ａ １−７． ” Ａ Ｓ層４２とのＩ
ｌｌ Ｆ： １１ （または１＋）−Ａｌｙ’Ｇａ＋−
ｙ’ＡｓＪ［４３（ただしｙ’＜ｚ’、 Ｉ ＜ ＺＩ
Ｉ、ｙ＜ｙ’＞を形成してなる。このｈ（またはｐ＞
−Ａｌｙ″Ｇａ、−ｙ’ ＡｓＨ２４３は、光導波層で
あり、この光導波層４３は前記活性層３との＋ｔＶｌ隔
を互いに光学的に作用しあうとともに１１１１記光導波
Ｊｉ／ｉ ４３が動作電流によりレーザ発振を起こさな
い間隔に設定される。したがって、この実施例によれば
２つの光共振器３，４３を有することになる。両名３．
４３は・＼きかい而が同一・のため同じ共振器長りを有
するが屈折率ｎｌ、ｎ２が異なることになる。ここで７
アプリ・ベロー反射型半導体レーザの縦モードについて
説１り目−る。縦モードとは波長よりも非常に長い共振
器長を有するレーザ発振器では異なる多数の波長の波が
共振可能になるが、このモードのことを縦モードといい
、軸モードともいう。したがって、縦モードにおいては
多数の波長の波が存在するがスペクトル的にシングルモ
ードとはこれらの波から１つだけの波が選択されている
モードである。各波長の差（縦モード間隔）をΔλとす
ると、この縦モード間隔は次式であられされることが知
られている。-zAS layer (referred to as l cladding layer), 3 is non-doped or I or n-A 1y (ia+-yAs layer (with active layer and νt y<x, y<z), 4 is second cladding layer). This second cladding layer 4 has the same conductivity type as the second cladding layer 4 and is made of 11 (or ++)-Alz'Ga.
1-z'Ar, 141 and 11 (or p) -A l
z ” G a 1-7. ” I with the A S layer 42
ll F: 11 (or 1+)-Aly'Ga+-
y'AsJ[43 (where y'<z', I<ZI
I, y<y'> is formed. This h (or p>
-Aly''Ga, -y' AsH243 is an optical waveguide layer, and this optical waveguide layer 43 optically acts on the +tVl distance with the active layer 3, and the 1111 optical waveguide Ji/i 43 operates. The interval is set so that the current does not cause laser oscillation. Therefore, according to this embodiment, there are two optical resonators 3 and 43. Both 3.
43 has the same resonator length, but the refractive indices nl and n2 are different. here 7
The first theory about the longitudinal mode of an appliquor bellows reflection type semiconductor laser. What is a longitudinal mode? A laser oscillator with a resonator length that is much longer than the wavelength can resonate waves of many different wavelengths, and this mode is called a longitudinal mode, also called an axial mode. Therefore, in a longitudinal mode, there are waves of many wavelengths, but a spectrally single mode is a mode in which only one wave is selected from these waves. It is known that if the difference between wavelengths (longitudinal mode spacing) is Δλ, this longitudinal mode spacing can be expressed by the following equation.
Δλ＝λ２Δ「Ｉｌ／２ｎＬ［１−（＾／ ｎ ） （
ｄ ｎ ／ ｄλ）］ここで、１ｏは次数、＋１は屈折
率、λは波長である。Δλ=λ2Δ"Il/2nL[1-(^/n) (
d n /dλ)] where 1o is the order, +1 is the refractive index, and λ is the wavelength.
このように縦モード間隔ｌ隔があられされるので活性層
３と先導波層４３とは屈折率が異なることがら両者の縦
モード間隔は異なるが、両者が互いに光とにより他の近
接した縦モードへ飛ぼうとしても該縦モードでは先導波
層４３とは共振できないため該活性層３の縦モードはこ
の先導波層４３のそれにロックされることになる。こう
してこの実施例の半導体レーザでは縦モードの安定化が
計れる。Since the longitudinal mode spacing is set at l intervals in this way, the active layer 3 and the leading wave layer 43 have different refractive indexes, so the longitudinal mode spacing between the two is different, but both of them are different from other adjacent longitudinal modes due to light. Even if the active layer 3 tries to fly to the leading wave layer 43, the longitudinal mode cannot resonate with the leading wave layer 43, so the longitudinal mode of the active layer 3 is locked to that of the leading wave layer 43. In this way, the semiconductor laser of this embodiment can stabilize the longitudinal mode.
第３図は他の実施例の構造断面図であり、第１図と対応
する部分には同一の符号を付す。この実施例において注
［ｊすべきは゛第１クラッド層２か該第１クラッド層２
と同伝導型でｐ（またはｎ）−Ａｌｘ’Ｇａ、ｘ’Ａｓ
ｆｉ ２１と１）（またはｎ） −Ａ ｌｘ” （ｉａ
ｌ−ｘ’’Ａｓ層２２と層間２ｐ（またはｎ）ｉ＼ｌ
ｙ’Ｑａｌ−”ｌ’ＡｓＪＦ）２３（ただし ｌ ＜
ｘｌ、 １ ＜ Ｘｌ ＋、ｙ＜ｙ’）を形成して構成
されていることともに、前記Ａｌｙ’（ｊａ、−ｙ’Ａ
ｓ層２３（光導波層２３という）と１＋’＋ｉ記活性層
との間隔を互いに光学的に作用しあうとともに前記光導
波層２３が動作電流によりレーザ発振を起こさない間隔
に設′、Ｊｌされていることである。この実施例の場合
も」―述と同様にして縦モードの安定化を計ることがで
べろ。FIG. 3 is a structural sectional view of another embodiment, and parts corresponding to those in FIG. 1 are given the same reference numerals. Note that in this embodiment, the first cladding layer 2 or the first cladding layer 2 should be
p (or n)-Alx'Ga, x'As with the same conductivity type as
fi 21 and 1) (or n) −A lx” (ia
l-x'' As layer 22 and interlayer 2p (or n) i\l
y'Qal-"l'AsJF)23 (where l <
xl, 1 < Xl +, y <y', and the above Aly'(ja, -y'A
The spacing between the s layer 23 (referred to as the optical waveguide layer 23) and the 1+'+i active layer is set to such a distance that they interact optically with each other and that the optical waveguide layer 23 does not cause laser oscillation due to the operating current. That is what we are doing. In the case of this embodiment as well, the stabilization of the longitudinal mode can be achieved in the same manner as described above.
以」二のように本発明によれは第１層クラ７Ｆ層を該第
１クランド層と同伝導型で＋＋ （またはｎ ） −Ａ
ｌｘ’Ｇａ、、−ｘ’Ａｓ層と１）（またはｎ）−Ａｌ
ｘ”’Ｇａ１−ｘ”Ａｓ層との間に＋＋（またはｏ）−
Ａｌｙ’Ｇａ、−ｙ’ＡｓＪｆ７ｉ（ただしｙｌ ＜
×＋、ｙｌ ＜ Ｘｌ １、ｙ＜ｙ’）を形成して構成
するかまたは前記第２クラッド層を該第２クラッド層と
同伝導型でｎ（または１））−Ａｌｚ’Ｇａ＋−ｚ’Ａ
Ｊ！ｉとｎ（または＋１）−Ａｌｚ”（ｉａｌ−ｚ”Ａ
ｓ層との間に１１（またはｐ ） −＋１（またはｐ）
−Ａｌｙ’（ｉａＩ−ｙ’）＼Ｓ層（ただし、 Ｉ ＜
Ｚｌ、 ｌ ＜ Ｚｌ ｌ、ｙ＜ｙ’）を形成して構
成し、前記Ａｌｙ’Ｇａ＋−ｙ’Ａｓ層（先導波層とい
う）と前記活性層との間隔を互いに光学的に作用しあう
とともに前記先導波層が動作電流によりレーザ発振を起
こさない間隔に設定したので、活性層が温度変化戻り光
の変化による影響などにより他の縦モードへ飛ぼうとし
ても該縦モードでは光導波層とは共振できないため該活
性層の縦モードはこの先導波層のそれにロックされるこ
とになり、該縦モードの安定化が計れる。As described in "2" below, according to the present invention, the first cron layer 7F is of the same conductivity type as the first cron layer and is made of ++ (or n) -A.
lx'Ga, -x'As layer and 1) (or n)-Al
++(or o)- between x”'Ga1-x”As layer
Aly'Ga, -y'AsJf7i (where yl <
×+, yl < A
J! i and n (or +1)-Alz"(ial-z"A
11 (or p ) −+1 (or p ) between the s layer
-Aly'(iaI-y')\S layer (where I <
Zl, l<Zl l, y<y'), and the distance between the Aly'Ga+-y'As layer (referred to as a leading wave layer) and the active layer is adjusted so that they interact optically with each other and Since the spacing between the leading waveguide layers is set so that the operating current does not cause laser oscillation, even if the active layer tries to jump to another longitudinal mode due to changes in temperature or changes in returned light, the optical waveguide layer will not be able to operate in that longitudinal mode. Since resonance is not possible, the longitudinal mode of the active layer is locked to that of the leading wave layer, thereby stabilizing the longitudinal mode.
第１図は従来例の構造断面図、ｆｆ１２図および第３図
は本発明の各実施例の構造断面図である。
１、、、ｐ（またはｎ ） −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２
．、、ｐ（またはｎ） −Ａ １ｘＧａＩ−ｘＡｓＪｌ
（第１クラッド層）、３゜０．７ンドーブまたはｐまた
はｎ −Ａ １ｙＧａ＋−ｙＡｓ層（活性層）、４．”
、 、 ｎ（または＋１） −Ａ １ｚＧａ＋−ｚＡＳ
層（ｌクラッド層）、５．、、ｎ”（または１）＋）−
ＧａＡｓ層、６１０．Ｔｉｆｆ１．７．、、Ａｕ層、８
゜、、ＡｕＧｅ層、２４．０．ｐ（またはｎ）−Ａｌｘ
’（ｉａｌ−ｘ’Ａｓ層、２２．、、＋＋（またはｎ）
−Ａｌｘ”Ｇａ１−Ｘ”ＡＳＪＦ！、２３．、、＋＋（
またはｎ） −Ａ ｌｙ’ Ｇａ、−ｙ’Ａｓ層（光導
波層）、４１．、、ｎ（またはｐ）−Ａｌｚ’Ｇａ＋−
ｚ’ ＡｓＪＩ、４２ 、 、 、 ｎ（またはｐ）−
Ａｌｚ”Ｇａ１−ｚ”ＡＪ、４３．、、ｎ（または＋１
） −Ａ ｌｙ’ （ｉａ＋４’Ａｓ層（光導波層）
出願人 ローム株式会社
代理人 弁理士 岡田和秀
第１図
第２図
第３図FIG. 1 is a structural sectional view of a conventional example, and FIG. ff12 and FIG. 3 are structural sectional views of each embodiment of the present invention. 1, p (or n)-GaAs substrate, 2
．． ,, p (or n) -A 1xGaI-xAsJl
(first cladding layer), 3°0.7 dove or p or n-A 1yGa+-yAs layer (active layer), 4. ”
, , n (or +1) -A 1zGa+-zAS
layer (l cladding layer), 5. ,,n”(or 1)+)−
GaAs layer, 610. Tiff1.7. ,,Au layer,8
°, AuGe layer, 24.0. p(or n)-Alx
'(ial-x'As layer, 22., ++ (or n)
-Alx”Ga1-X”ASJF! , 23. ,,++(
or n) -A ly' Ga, -y'As layer (optical waveguide layer), 41. ,, n (or p)-Alz'Ga+-
z' AsJI, 42 , , n (or p)-
Alz”Ga1-z”AJ, 43. ,,n(or +1
) -A ly'(ia+4'As layer (optical waveguide layer) Applicant: ROHM Co., Ltd. Representative Patent attorney: Kazuhide Okada Figure 1 Figure 2 Figure 3
Claims (2)
またはｎ）−Δ１ｘＧａ、−ｘＡｓ層（第１クラッド層
という）と、ノンドープまたはρまたはｎ−ＡｌｙＧａ
＋−ｙＡｓ層（活性層という）と、１１（ますこはｌ）
） −Ａ ｌ＋、ＧａＩ−ｚＡｓ層（第２クラッド層と
いう）とが形成されるストライプ形の半導体レーザにお
いて、前記第１クラッド層を該第１クランド層と同伝導
型でｐ（またはｎ） −Ａ ｌｘ’Ｇａ＋−ｘ’Ａｓ層
とｐ（また１土ｎ）−Ａｌｘ”Ｇａ１−ｘ”Ａｓ層との
開１ユｍｌまたはｎ）−ＡＩｙ’Ｇａ＋−ｙ’Ａｓ層（
ただし ｌ ＜ ｘｌ、 ｌ ＜ ｘｌ ｌ、ｙ＜ｙ’
）を形成して構成するかまたは前記第２クラッド層を該
第２クラッド層と同伝導型でｎ（またはｐ）＝Ａｌｚ’
Ｇａ＋−ｚ’Ａｓ層とｎ（またはｐ）−Ａｌｚ”Ｇａ１
−ｚ”Ａｓ層との間にｎ（またはｐ）−Ａｌｙ’Ｇａ＋
−ｙ’Ａｓ層（ただし ＋ ＜ ２１、ｙ′＜ｚｌ゛、
ｙ＜ｙ’）を形成して構成し、前記Ａ ｌｙ’ Ｇａｔ
−ｙ’Ａｓ層（先導波層という）と前記活性層との間隔
を互いに光学的に作用しあうとともに前記光導波層が動
作電流によりレーザ発振を起こさないｒ、ｎ隔に設定し
てなる半導体レーザ。(1) p(,1- or n)-GnAS substrate 1)(
or n) -Δ1xGa, -xAs layer (referred to as first cladding layer) and non-doped or ρ or n-AlyGa
+-yAs layer (referred to as active layer) and 11 (Masukoha l)
) -Al+, GaI-zAs layer (referred to as a second cladding layer) is formed in a stripe-shaped semiconductor laser, in which the first cladding layer is of the same conductivity type as the first cladding layer and p (or n) - The difference between the Alx'Ga+-x'As layer and the p(Alx"Ga1-x"As layer) or n)-AIy'Ga+-y'As layer (
However, l < xl, l < xl l, y <y'
), or the second cladding layer is of the same conductivity type as the second cladding layer and n (or p) = Alz'
Ga+-z'As layer and n (or p)-Alz"Ga1
-z” between n (or p)-Aly'Ga+
-y'As layer (where + < 21, y'< zl゛,
y<y'), and the A ly' Gat
- A semiconductor in which the spacing between the y'As layer (referred to as a leading wave layer) and the active layer is set to an r, n spacing so that they interact optically with each other and the optical waveguide layer does not cause laser oscillation due to an operating current. laser.
）−ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層（第１クラッド層という）
と、ノンドープまたはＩ）またはｎ −Ａ １ｙＧａ１
−ｙＡｓ層（活性層という）と、■（またはｐ）−Ａｌ
ｚＧａ＋−ｚＡｓ層（第２クラッド層という）とを形成
してストライプ形の半導体レーザを製造する方法におい
て、前記第１クラッド層を該第１クラッド層と同伝導型
で１）（またはｎ） −Ａ ｌｘ’ Ｇａｔ−ｘ’ Ａ
ｓ層とｐ（またはｎ）−Ａｌｘ’’Ｇａ１−ｘ”Ａｓ層
との間にｐ（またはｏ ） −Ａ ｌ ｙ ’ Ｇ ａ
ｌ−ｙ’Ａｓ層（ただし ｌ ＜ Ｘ１１． ｌ ＜
×＋、’ｌ、ｙ＜ｙ”）を形成して構成するかまたは
前記ｔｔＳ２クラッド層を該第２クラッド層と同伝導型
で１１（またはｐ）−Ａ ＋２’ Ｇａ１−Ｚ’ＡＪと
ｎ（またはｐ）−Ａｌｚ”Ｇａｔ−ｚ”Ａｓ層との間に
ｎ（またはｐ） −Ａ ｌｙ’ Ｇａ１−ｙ’ Ａｓ層
（ただしｙ′＜ｚ’、ｙ”＜ｚ゛、ｙ＜ｙ’）を形成し
て構成し、前記ＡＩｙ’Ｇａ＋−ｙ’Ａｓ層（先導波層
という）と前記活性層との間隔を互いに光学的に作用し
あうとともに前記先導波層が動作電流によりレーザ発振
を起こさない間隔に設定することにより半導体レーザな
製造する方法。(2) P (or n) on p (or n)-GaAs substrate
)-AlxGal-xAs layer (referred to as first cladding layer)
and non-doped or I) or n-A 1yGa1
-yAs layer (referred to as active layer) and ■ (or p)-Al
In the method of manufacturing a striped semiconductor laser by forming a zGa+-zAs layer (referred to as a second cladding layer), the first cladding layer is of the same conductivity type as the first cladding layer and is 1) (or n) - A lx'Gat-x' A
p(or o)-Aly' Ga between the s layer and the p(or n)-Alx''Ga1-x''As layer
l-y'As layer (where l < X11. l <
×+, 'l, y<y''), or the ttS2 cladding layer is of the same conductivity type as the second cladding layer and 11 (or p)-A +2'Ga1-Z'AJ and n (or p)-Alz"Gat-z" As layer between n (or p)-A ly'Ga1-y' As layer (y'<z', y"<z゛, y<y' ), and the distance between the AIy'Ga+-y'As layer (referred to as a leading wave layer) and the active layer is controlled so that they optically interact with each other, and the leading wave layer causes laser oscillation by an operating current. A method of manufacturing semiconductor lasers by setting intervals that do not cause
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17380683A JPS6064488A (en) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | Semiconductor laser and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17380683A JPS6064488A (en) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | Semiconductor laser and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064488A true JPS6064488A (en) | 1985-04-13 |
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ID=15967504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17380683A Pending JPS6064488A (en) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | Semiconductor laser and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064488A (en) |
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| JPS5245296A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductive phototransmission pass and semiconductor emission devic e used it |
| JPS55157281A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
| JPS5743487A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 | Nec Corp | Semiconductor laser |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP17380683A patent/JPS6064488A/en active Pending
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