JPS606086B2 - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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JPS606086B2
JPS606086B2 JP50124640A JP12464075A JPS606086B2 JP S606086 B2 JPS606086 B2 JP S606086B2 JP 50124640 A JP50124640 A JP 50124640A JP 12464075 A JP12464075 A JP 12464075A JP S606086 B2 JPS606086 B2 JP S606086B2
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JP
Japan
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ion implantation
holder
ion
chamber
wafer
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JP50124640A
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JPS5248471A (en
Inventor
耕自 松田
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NITSUSHIN HAIBORUTEEJI KK
Original Assignee
NITSUSHIN HAIBORUTEEJI KK
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明はイオン注入装置に関する。
例えば半導体の製造にイオン注入装置を用いる場合、す
なわとウェハーにイオンを選択的に注入して種々の半導
体装置を製造する場合は、得ようとする半導体装置に応
じて或いは注入しようとするイオンに応じて注入条件を
変更する必要がある。
典型的な例として不純物濃度の層の厚みは、その層の種
類に応じて決定されるが、この厚みは例えばイオンの加
速エネルギーを変更することによって決定される。従来
では、このような注入条件の変更は外部装置の操作盤を
装置運転者が操作することによって行なっているので、
注入条件の変更の都度、操作しなければならない不便が
あるし、又謀操作も起り得るといった欠点がある。この
発明は、被注入体をイオン注入室に搬入する過程でイオ
ン注入条件を自動的に検知することを目的としている。
この発明を図面にもとづいて説明すると、イオン注入室
1は搬送装置2と搬出装置3との間にあって搬送装置2
によって送られてきたイオン未注入のウェハー4はこの
注入室1内において注入管5内を通ってきたイオンビー
ム6が投射注入される。
7は偏向コイルを示す。
搬送装置2には未注入のウヱハ−4を収納する収納室8
が連なっており、ここからのゥェハー4が1個ずつ搬送
臭9によって搬送装置2内に搬送される。搬送装置2は
ウェハーを気密的に搬送する。そのための図の例では気
密的に移動するピストン10内に搬送室11を設け、こ
の搬送室11内に収納室8内のウェハーが搬送具9によ
って搬送される。12は真空ポンプ搬送装置2内、特に
搬送室11内を真空にする。
ピストン10の上昇により搬送室11が搬入室13と注
入室1との間に達すると、搬入榛14が駆動され、ゥェ
ハーを注入室1内に溝状の通路15を通って搬入される
。そして所定の位置で停止され、ここでイオン注入が行
なわれる。注入を終了したウェハーは更に通路15を通
って搬出装置3内に送られる。搬出装置3は搬入装置2
とほぼ同じ構成とされてあり、搬出路16から搬出され
る。以上がウェハーのイオン注入のためめの搬送出の概
略説明である。
ウェハー4は普通第2図に示すようにホルダ21に保持
されている。したがつて上述のウヱハーの搬送出は実際
はこのホルダ21の搬送出によって行なわれる。そして
この発明にしたがい、ホルダ21にこのホルダ211こ
保持されるウェハーィオン注入条件を記録する。そして
この記録は収納室8とイオン注入室1とを結ぶ任意の個
所に設置された読取装置によって読みとられる。図の実
施例は前記記録はコード‘こよって行なう場合を示し、
又その読取は光電装層によって行なう場合を示す。その
ためにホルダ21の所定位置に位置的にコード化された
孔22を設ける。この孔22によるコード‘まそのホル
ダ21に保持されたウェハーへのイオン注入条件を示す
もので「例えば不純物濃度の厚みを決定するイオンの加
速ェネルギ(又は加速電圧)を表わすものとする。もち
ろんホルダ21の他の位置に他の注入条件を表わす記録
をほどこしてもよい。読取装置23は光源24と光源素
子25によって構成される。
図の例では謙取装置23は収納室8と搬送装置2とを結
ぶ通路26‘こ配置されている。ホルダ21の一方の面
に光源24が、又他の表面に光電素子25が相対するよ
うにホルダ21は搬送される。ホルダ21が通路26を
通るとき、各孔22が光電素子25によって検出される
。光電素子25の出力は外部装置の操作機27へ送られ
、ここでコードが解読され、その条件にしたがってイオ
ン注入装置が自動的に制御される。例えば前記コードが
イオン加速装置の加速電圧を記録してあるものとすれば
、読取られた結果によって加速装置の電源装置が自動的
に制御されて、その加速電圧を発するようにする。加速
装置がコッククロフト式の高電圧発生装置であるときは
「 コンデンサの充轟々圧を変更することによって加速
電圧が変更されるので、コンデンサの充電用変成器の1
次コイルのタップをモータその他によって、前記記録値
にしたがって自動的に切換えるようにすればよい。ホル
ダ21の記録は、孔22によるほかに磁気記録した磁気
テープを貼りつけてもよい。
この場合の謙取は磁気再生へッド‘こよって行なう。そ
のほかに打刻によるマークを付し、これを光学的に検出
するようにしてもよい。記録手段及び謙取手段は任意で
ある。以上説明したように、この発明によれば、被注入
体のホルダに注入条件を記録しておくことにより、その
議取りにしたがって自動的に注入条件を選定することが
でき、誤9翼定並びに条件選定の作業が不用となる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す断面図、第2図は要部の
拡大斜視図である。 貴・・・イオン注入室「 4・・・被イオン注入体「
21…ホルダ、22…記録用の孔「 23…読取装置。 弟z図崇′図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 被イオン注入体を保持するホルダにその被イオン注
    入体にイオンを注入する注入条件を記録し、前記被イオ
    ン注入体を保持したホルダをイオン注入室に搬送する途
    中に前記記録を読取る読取装置を設け、前記読取装置に
    よる読取によってイオン注入条件を自動的に選定するイ
    オン注入装置。
JP50124640A 1975-10-16 1975-10-16 イオン注入装置 Expired JPS606086B2 (ja)

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JPS5248471A JPS5248471A (en) 1977-04-18
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6376194U (ja) * 1986-11-07 1988-05-20

Families Citing this family (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62201765U (ja) * 1987-05-21 1987-12-23
JPH0722453U (ja) * 1993-09-28 1995-04-21 住友重機械工業株式会社 荷電粒子ビーム照射装置

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JPS4834352A (ja) * 1971-09-07 1973-05-18
JPS4914102A (ja) * 1972-05-16 1974-02-07

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