JPS60264396A - 分子線エピタキシ炉の加熱装置 - Google Patents
分子線エピタキシ炉の加熱装置Info
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- JPS60264396A JPS60264396A JP60030663A JP3066385A JPS60264396A JP S60264396 A JPS60264396 A JP S60264396A JP 60030663 A JP60030663 A JP 60030663A JP 3066385 A JP3066385 A JP 3066385A JP S60264396 A JPS60264396 A JP S60264396A
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- heating device
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
- C30B23/066—Heating of the material to be evaporated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造技術の分野で、分子線エピタキ
シ炉中に成長する材料を配置した噴射セルを加熱するた
めの装置に関するものである。特に、この発明によれば
、主要炉の真空系から分離された真空系をもつ噴射セル
のための置換可能な加熱装置が与えられる・ 〔開示の概要〕 この発明によれば、金属ビームエピタキシ炉において、
噴射セルの内部を加熱するための加熱装置が開示される
。この加熱装置は、一端を真空系に連結し、他端をエピ
タキシ炉内に延長した外側の円筒形のスリーブを備えて
いる。さらに、この外側の円筒形のスリーブとは同軸的
に内側のスリーブが設けられ、この内側のスリーブの一
端は外側のスリーブの他端により覆われる。内側のスリ
ーブは、外側の円筒形のスリーブの一部分に沿つて延長
され、以て内側の真空チェンバが形成される・そして、
外側の円筒形のスリーブと内側のスリーブの間圧は加熱
素子が配置され、この内側のスリーブは、半導体物質が
汚染物を含むことなく加熱素子から噴射されてゆくよ５
に、真空チェンバの内側と、るつぼ内に収められた半導
体物質とを加熱するはたらきをもつ。
シ炉中に成長する材料を配置した噴射セルを加熱するた
めの装置に関するものである。特に、この発明によれば
、主要炉の真空系から分離された真空系をもつ噴射セル
のための置換可能な加熱装置が与えられる・ 〔開示の概要〕 この発明によれば、金属ビームエピタキシ炉において、
噴射セルの内部を加熱するための加熱装置が開示される
。この加熱装置は、一端を真空系に連結し、他端をエピ
タキシ炉内に延長した外側の円筒形のスリーブを備えて
いる。さらに、この外側の円筒形のスリーブとは同軸的
に内側のスリーブが設けられ、この内側のスリーブの一
端は外側のスリーブの他端により覆われる。内側のスリ
ーブは、外側の円筒形のスリーブの一部分に沿つて延長
され、以て内側の真空チェンバが形成される・そして、
外側の円筒形のスリーブと内側のスリーブの間圧は加熱
素子が配置され、この内側のスリーブは、半導体物質が
汚染物を含むことなく加熱素子から噴射されてゆくよ５
に、真空チェンバの内側と、るつぼ内に収められた半導
体物質とを加熱するはたらきをもつ。
従来、半導体結晶のエピタキシャル層を成長するための
分子線エピタキシ技術が知られている。
分子線エピタキシ技術が知られている。
真空エピタキシ技術においては、真空システム中で基板
の表面に物質を蒸着することによって基板上に結晶物質
の薄膜が付着される。真空エピタキシ・プロセスは加熱
された基板を含む高真空中で実施される。また、付着す
べき物質を加熱するための噴射用オーブンが設けられて
いる。その付着￥：：′ すべき物質は、噴射セルオー
ブン中の穴を通って原子を噴出する。そしてこの物質の
噴出流はオープンの温度及びオープンの穴の大きさによ
って制（５） 御することができる。
の表面に物質を蒸着することによって基板上に結晶物質
の薄膜が付着される。真空エピタキシ・プロセスは加熱
された基板を含む高真空中で実施される。また、付着す
べき物質を加熱するための噴射用オーブンが設けられて
いる。その付着￥：：′ すべき物質は、噴射セルオー
ブン中の穴を通って原子を噴出する。そしてこの物質の
噴出流はオープンの温度及びオープンの穴の大きさによ
って制（５） 御することができる。
さて、高品質の半導体結晶からなるエピタキシャル層を
得るためには、基板の真空環境が汚染物のないように維
持されなくてはならない。どころが、従来においては、
噴出用オーブンの加熱素子が汚染源となっていた。噴出
用オーブンは、Ｊｌｌｉ型的には、噴出すべき物質の原
料を含むるつぼをとり囲むワイヤあるいはメツシュを有
している。−！た、電流を流すための素子を互いに分離
するために絶縁体も設けられている。そこで、絶縁体と
噴出用オーブンの耐火金属の間に反応が生じ、これもま
た別の汚染源となる。実験によれば、噴出すべき半導体
物質の原子の１０７分の１程度の汚染物でさえ、出来上
がった結晶構造に観察可能な影響を及ぼすことが分かつ
ている。
得るためには、基板の真空環境が汚染物のないように維
持されなくてはならない。どころが、従来においては、
噴出用オーブンの加熱素子が汚染源となっていた。噴出
用オーブンは、Ｊｌｌｉ型的には、噴出すべき物質の原
料を含むるつぼをとり囲むワイヤあるいはメツシュを有
している。−！た、電流を流すための素子を互いに分離
するために絶縁体も設けられている。そこで、絶縁体と
噴出用オーブンの耐火金属の間に反応が生じ、これもま
た別の汚染源となる。実験によれば、噴出すべき半導体
物質の原子の１０７分の１程度の汚染物でさえ、出来上
がった結晶構造に観察可能な影響を及ぼすことが分かつ
ている。
この発明の目的は、分子線エピタキシ炉中の汚染物の発
生を防止することができるような加熱装置を提供するこ
とにある。
生を防止することができるような加熱装置を提供するこ
とにある。
（４）
〔問題点を解決するための手段〕
この発明によれば、分子線エピタキシ炉の噴出セル中に
挿入するための置換可能な加熱装置が与えられる。この
加熱装置はその一端に、噴出すべき物質を収めたるつぼ
を支持するための筐体を備えている。加熱素子用のチェ
ンバはるつぼ用の筐体の外側に形成され、その筐体とは
遮蔽されている。この加熱素子用のチェンバには、分子
線エピタキシ炉の真空系とは別の真空系が接続される。
挿入するための置換可能な加熱装置が与えられる。この
加熱装置はその一端に、噴出すべき物質を収めたるつぼ
を支持するための筐体を備えている。加熱素子用のチェ
ンバはるつぼ用の筐体の外側に形成され、その筐体とは
遮蔽されている。この加熱素子用のチェンバには、分子
線エピタキシ炉の真空系とは別の真空系が接続される。
そして、加熱素子用チェンバ内の加熱素子は、この別の
真空系のもとに置かれ、分子線エピタキシ炉の内部から
は分離される。加熱素子に加えられた電流は、加熱素子
用チェンバと、内方のるつぼ用チェンバ内に置かれてい
るるつぼとを加熱するためのエネルギーを与える。
真空系のもとに置かれ、分子線エピタキシ炉の内部から
は分離される。加熱素子に加えられた電流は、加熱素子
用チェンバと、内方のるつぼ用チェンバ内に置かれてい
るるつぼとを加熱するためのエネルギーを与える。
この発明の好ましい実施例においては、加熱装置は一端
をフランジで限定した円筒形の筐体を備えている・そし
て、噴出用セルに挿入されたときは、このフランジが、
分子線エピタキシ炉の外側（５） にある噴出用セルの接合用フラッジ７に接合する。ま・
た、円筒状の筐体の他方の端は分子線エピタキシ炉内に
延出する。上記円筒状の筐体の他端には、基板上に噴出
すべき物質を収めるるつぼを支持するためのるつぼ用の
筐体が内方に設けられている。るつぼ用の筐体の一端は
上記円筒状筐体の他端と同じ長さに延長されており、円
筒状筐体によって密閉されている。るつぼ用の筐体のも
う一方の端は壁部材により閉じられている。すなわち、
るつぼの筐体と、円筒状の筐体とはエピタキシ炉から遮
蔽される、加熱素子の仕切りを規定する。
をフランジで限定した円筒形の筐体を備えている・そし
て、噴出用セルに挿入されたときは、このフランジが、
分子線エピタキシ炉の外側（５） にある噴出用セルの接合用フラッジ７に接合する。ま・
た、円筒状の筐体の他方の端は分子線エピタキシ炉内に
延出する。上記円筒状の筐体の他端には、基板上に噴出
すべき物質を収めるるつぼを支持するためのるつぼ用の
筐体が内方に設けられている。るつぼ用の筐体の一端は
上記円筒状筐体の他端と同じ長さに延長されており、円
筒状筐体によって密閉されている。るつぼ用の筐体のも
う一方の端は壁部材により閉じられている。すなわち、
るつぼの筐体と、円筒状の筐体とはエピタキシ炉から遮
蔽される、加熱素子の仕切りを規定する。
好適な実施例に係る加熱素子は真空分離バルブを介して
分子線エピタキシ炉の噴出セル内に導入することができ
る。この分離バルブには蛇腹体が接続される。そして、
噴出セルとエピタキシ炉とを真空系に設定するために、
排気用ポートを有する蛇腹体に第１の連結体が接続され
る。加熱装置のフランジ部材は第１の連結体上で対応す
るフランジに締めつけ固定される・ 本発明の好適な実施例を以てすれば、フランジ部月中の
第２の排気用ボートを介して加熱装置に第２の真空系を
設定することが可能である。こうして加熱装置はエピタ
キシ炉から分離された第２の真空系に維持設定されるの
で、エピタキシ炉を、加熱素子の汚染物から保護するこ
とができる。
分子線エピタキシ炉の噴出セル内に導入することができ
る。この分離バルブには蛇腹体が接続される。そして、
噴出セルとエピタキシ炉とを真空系に設定するために、
排気用ポートを有する蛇腹体に第１の連結体が接続され
る。加熱装置のフランジ部材は第１の連結体上で対応す
るフランジに締めつけ固定される・ 本発明の好適な実施例を以てすれば、フランジ部月中の
第２の排気用ボートを介して加熱装置に第２の真空系を
設定することが可能である。こうして加熱装置はエピタ
キシ炉から分離された第２の真空系に維持設定されるの
で、エピタキシ炉を、加熱素子の汚染物から保護するこ
とができる。
第１図は、本発明の好適な実施例の加熱装置を利用する
分子線エピタキシ炉の図である。この分子線エピタキシ
炉には高真空チェンバ５が設けられており、そのチェン
バ５内には、基板６が噴出される物質を受けとめる位置
に収納配置されている□基板乙の支持台７は手動操作つ
まみ８に接続され、支持台７は、手動操作つまみ８によ
って、第１及び第２の噴出セル１０及び１１との相対的
な位置を調節される。同、支持台７の両面には、例えば
タンタルのような耐火性の物質からなる冷Ｊｌ 加用の
囲い板７が配置されている。また、排気ポ１０ ンプ１３は炉内を１０ ｔｏｒｒ以下に保つために設け
られている。
分子線エピタキシ炉の図である。この分子線エピタキシ
炉には高真空チェンバ５が設けられており、そのチェン
バ５内には、基板６が噴出される物質を受けとめる位置
に収納配置されている□基板乙の支持台７は手動操作つ
まみ８に接続され、支持台７は、手動操作つまみ８によ
って、第１及び第２の噴出セル１０及び１１との相対的
な位置を調節される。同、支持台７の両面には、例えば
タンタルのような耐火性の物質からなる冷Ｊｌ 加用の
囲い板７が配置されている。また、排気ポ１０ ンプ１３は炉内を１０ ｔｏｒｒ以下に保つために設け
られている。
（７）
噴出セル１０．１１には、るつぼを加熱するための装置
２０と、基板６上にエビタギシャル層を形成するだめの
物質を収めたるつぼ１４．１５とが挿入されている。噴
出セル１０．１１は高真空チェンバ５内で冷却用囲い板
１６により囲まれている。岡、一般的には、噴出セル１
０，１１の端部には穴が形成され、その穴は、噴出セル
からの半導体原子の噴出を制御するために適宜閉じられ
るのであるが、ここでは便宜上それらの図示は省略する
・噴出セル１０．１１の他方の端部は、穴５ａ、５ｂを
介して高真空チェンバ５中に連通している。
２０と、基板６上にエビタギシャル層を形成するだめの
物質を収めたるつぼ１４．１５とが挿入されている。噴
出セル１０．１１は高真空チェンバ５内で冷却用囲い板
１６により囲まれている。岡、一般的には、噴出セル１
０，１１の端部には穴が形成され、その穴は、噴出セル
からの半導体原子の噴出を制御するために適宜閉じられ
るのであるが、ここでは便宜上それらの図示は省略する
・噴出セル１０．１１の他方の端部は、穴５ａ、５ｂを
介して高真空チェンバ５中に連通している。
噴出セル１１の端部にはフランジ１１ａが形成され、そ
のフランジ１１ａは排気用バルブ１７のフランジ１７ａ
ｌｌ′＋７接続されている。排気用バルブ１７Ｖ、は蛇
腹体１８が接続されている。さらに、蛇腹体１８の他端
にはＴ型連結体１９が接続されている。噴出セル１０の
加熱装置２０は、Ｔ型連結体１９のフランジ１９ａ上の
取付は孔と整合する取付は孔をもつフランジ２０ａを有
している。
のフランジ１１ａは排気用バルブ１７のフランジ１７ａ
ｌｌ′＋７接続されている。排気用バルブ１７Ｖ、は蛇
腹体１８が接続されている。さらに、蛇腹体１８の他端
にはＴ型連結体１９が接続されている。噴出セル１０の
加熱装置２０は、Ｔ型連結体１９のフランジ１９ａ上の
取付は孔と整合する取付は孔をもつフランジ２０ａを有
している。
（８）
第２のＴ型連結体２１は、第１のフランジ２１ａを介し
て加熱装置２０のフランジ２０ａに接続されている。そ
して、上記第１のフランジ２０ａと対向する第２のフラ
ンジ２１ｂが、フランジ２２ａをもつ加熱素子２２を受
容する。加熱装置２０は第３のフランジ２１ｃにより真
空系に接続される。この真空系は、フランジ１９ｅを介
してＴ型連結体１９に接続される高真空系とは離隔され
分離されている。
て加熱装置２０のフランジ２０ａに接続されている。そ
して、上記第１のフランジ２０ａと対向する第２のフラ
ンジ２１ｂが、フランジ２２ａをもつ加熱素子２２を受
容する。加熱装置２０は第３のフランジ２１ｃにより真
空系に接続される。この真空系は、フランジ１９ｅを介
してＴ型連結体１９に接続される高真空系とは離隔され
分離されている。
第２図は、加熱装置２０をより明確に示すための断面図
である。第２図においては、取付は用孔１９ｄを形成し
たフランジ１９ｂをもつＴ型連結体１９が、フランジ２
０ａの取付は孔２０ｄと整合することが見てとれよう。
である。第２図においては、取付は用孔１９ｄを形成し
たフランジ１９ｂをもつＴ型連結体１９が、フランジ２
０ａの取付は孔２０ｄと整合することが見てとれよう。
加熱装置２０は円筒状の筐体２０ａを備えており、この
筐体２０ａは好適にはその一端にるつぼ挿入用のチェン
バ１４ａをもつ高純度のタンタルのチューブである。チ
ェンバ１４ａもまた高純度のタンタルのチューブであり
、加熱装置の筐体の端部で壁端面１４ｂと密閉用リング
１４ｃとに気密に溶着されている。
筐体２０ａは好適にはその一端にるつぼ挿入用のチェン
バ１４ａをもつ高純度のタンタルのチューブである。チ
ェンバ１４ａもまた高純度のタンタルのチューブであり
、加熱装置の筐体の端部で壁端面１４ｂと密閉用リング
１４ｃとに気密に溶着されている。
壁端面１４ｂと密閉用リング１４ｃもまた高純度のタン
タルから成っている。電気的加熱素子２２はるつぼ挿入
用のチェンバ１４ａと同軸的且つ加熱装置の筺体２３の
内方に配置されている。そして加熱素子２２はフランジ
２２ａ上に支持されて一′−る。
タルから成っている。電気的加熱素子２２はるつぼ挿入
用のチェンバ１４ａと同軸的且つ加熱装置の筺体２３の
内方に配置されている。そして加熱素子２２はフランジ
２２ａ上に支持されて一′−る。
加熱装置用の筐体２６は、その一端をフランジ２０ａに
より固定されている。フランジ２０ａもまた、整合孔２
０ｄに沿って、筐体２３と密閉された接合部を形成する
ように継ぎ溶着されている。
より固定されている。フランジ２０ａもまた、整合孔２
０ｄに沿って、筐体２３と密閉された接合部を形成する
ように継ぎ溶着されている。
フランジ２０ａは複数の取付は孔２０ｄを有している。
そして、Ｔ型連結体１９と蛇腹体１８とパルプ１７とに
加熱装置２３が挿入されたときに、るつぼ挿入用のチェ
ンバ１４ａが噴出セル１１中に位置することになる。フ
ランジ２０ａの増刊は孔２０ｄは、適当な締め付は具を
挿入すべく取付は孔１９ｄと整合している。
加熱装置２３が挿入されたときに、るつぼ挿入用のチェ
ンバ１４ａが噴出セル１１中に位置することになる。フ
ランジ２０ａの増刊は孔２０ｄは、適当な締め付は具を
挿入すべく取付は孔１９ｄと整合している。
フランジ２０ａは、タップであけた孔２０ｃをもつ、よ
り小さい直径の第２のフランジ２０ｂを有している。孔
２Ｄｃは締め付は具２４を挿入するだめのものであり、
この締め付は具２４によりＴ型連結具２１のフランジ２
１ａ（第１図）が孔２０ｃを介してより小さいフランジ
２０ｂＫ締めつげ固定される。このとき適当な密閉部材
２７により、フランジ間の接合部が一層気密に保たれる
。
り小さい直径の第２のフランジ２０ｂを有している。孔
２Ｄｃは締め付は具２４を挿入するだめのものであり、
この締め付は具２４によりＴ型連結具２１のフランジ２
１ａ（第１図）が孔２０ｃを介してより小さいフランジ
２０ｂＫ締めつげ固定される。このとき適当な密閉部材
２７により、フランジ間の接合部が一層気密に保たれる
。
フランジ２０ａ及び２０ｂは、加熱用素子２２の通路と
なる中心の貫通孔２０ｅを有している０この貫通孔２０
ｅは、フランジ２１ｅと、るつぼ挿入用チェンバ１４ａ
と加熱装置の筐体２３とにより形成された加熱素子用の
仕切りとの間に連続的な真空チェンバを形成する。
なる中心の貫通孔２０ｅを有している０この貫通孔２０
ｅは、フランジ２１ｅと、るつぼ挿入用チェンバ１４ａ
と加熱装置の筐体２３とにより形成された加熱素子用の
仕切りとの間に連続的な真空チェンバを形成する。
加熱素子２２は適当な締め付は具２５によりフランジ２
１ｂに支持される。また、るつぼ挿入用のチェンバ１４
ａの近傍で加熱素子２２に熱発生用の電流を与えるため
に、ケーブル２８を介して外部の電源２９に電気的接続
がはかられる。
１ｂに支持される。また、るつぼ挿入用のチェンバ１４
ａの近傍で加熱素子２２に熱発生用の電流を与えるため
に、ケーブル２８を介して外部の電源２９に電気的接続
がはかられる。
、ｆ
（１１）
〔作用〕
第２図の構成を用いると、加熱装置の筐体２３の内部に
は、Ｔ型連結体２１のフランジ２ｉｃを介して分離され
た個別の真空系が接続される。従って、るつぼ用のチェ
ンバ１４ａ内に配置されたつるぼけ、加熱素子２２によ
って加熱されるが、加熱素子２２によって発散されるい
かなる噴出物からも遮蔽される。また、加熱素子２２は
、締め付は具２５とフランジ２２ａとを取り外すことに
より交換できる。そして、噴出セル１１に対する真空は
、Ｔ型連結体１９のフランジ１９ｃに接続したＵ１気源
によって維持される。さらに、筐体２３の端部がバルブ
１７から解放すると、蛇腹１８を引きのばすことにより
、加熱装置！２０全体を取り外すことができる。このと
き、バルブ１７が噴出セル１１の気密漏れを防止するこ
とになる。そしてフランジ２０ａとフランジ１９ｅを分
離させると、加熱装置２０全体が取り外される。同、Ｔ
型連結体１９のフランジ１９ｃ上の真空を維持する間は
、（１２） チェンバ１４ａにるつぼ１４を挿入したまま、加熱装置
２０の端部がバルブ１７に挿入される〇一方、噴出セル
１０もまた加熱装置２０を有している。噴出セル１０は
、密閉用のノ（ルブ１７や蛇腹体１Ｂや第１のＴ型連結
体１９を用いることなく、Ｔ型連結体２１に接続されて
いる。この噴出セル１０は専ら、真空チェンバ５によっ
て与えられた真空に依存している。そして、噴出セル１
１の場合と同様に、連結体２１からフランジ２２ａを取
り外すことにより、加熱素子２２を交換することができ
る。しかし、この場合は、チェンノ（５内の真空を損う
ことなく加熱装置２０全体を取り外すことはできない０ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、加熱装置をもつ分子
線エピタキシャル炉において、エピタキシャル炉の真空
系と加熱装置の真空系とを個別に設けたので、加熱装置
から発生する汚染物が基板上に形成されるエピタキシャ
ル層に混入することがなくなり、エピタキシャル層の品
質を向上することができるという効果がある。
は、Ｔ型連結体２１のフランジ２ｉｃを介して分離され
た個別の真空系が接続される。従って、るつぼ用のチェ
ンバ１４ａ内に配置されたつるぼけ、加熱素子２２によ
って加熱されるが、加熱素子２２によって発散されるい
かなる噴出物からも遮蔽される。また、加熱素子２２は
、締め付は具２５とフランジ２２ａとを取り外すことに
より交換できる。そして、噴出セル１１に対する真空は
、Ｔ型連結体１９のフランジ１９ｃに接続したＵ１気源
によって維持される。さらに、筐体２３の端部がバルブ
１７から解放すると、蛇腹１８を引きのばすことにより
、加熱装置！２０全体を取り外すことができる。このと
き、バルブ１７が噴出セル１１の気密漏れを防止するこ
とになる。そしてフランジ２０ａとフランジ１９ｅを分
離させると、加熱装置２０全体が取り外される。同、Ｔ
型連結体１９のフランジ１９ｃ上の真空を維持する間は
、（１２） チェンバ１４ａにるつぼ１４を挿入したまま、加熱装置
２０の端部がバルブ１７に挿入される〇一方、噴出セル
１０もまた加熱装置２０を有している。噴出セル１０は
、密閉用のノ（ルブ１７や蛇腹体１Ｂや第１のＴ型連結
体１９を用いることなく、Ｔ型連結体２１に接続されて
いる。この噴出セル１０は専ら、真空チェンバ５によっ
て与えられた真空に依存している。そして、噴出セル１
１の場合と同様に、連結体２１からフランジ２２ａを取
り外すことにより、加熱素子２２を交換することができ
る。しかし、この場合は、チェンノ（５内の真空を損う
ことなく加熱装置２０全体を取り外すことはできない０ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、加熱装置をもつ分子
線エピタキシャル炉において、エピタキシャル炉の真空
系と加熱装置の真空系とを個別に設けたので、加熱装置
から発生する汚染物が基板上に形成されるエピタキシャ
ル層に混入することがなくなり、エピタキシャル層の品
質を向上することができるという効果がある。
第１図は、本発明に係る分子線エピタキシ炉の図、
第２図は、第１図のエピタキシ炉で使用される加熱装置
の断面図である・ ５・・・・真空チェンバ、６・・・・基板、１０．１１
・・・・噴出セル、２３・・・・筐体、１４ａ・・・・
包囲部、２２・・・・加熱手段。 出願人 イン久−カショカル・ビジネス・マシーンズ・
コー剖ル仁クヨン代理人 弁理士 岡 １） 次 生 （外１名）
の断面図である・ ５・・・・真空チェンバ、６・・・・基板、１０．１１
・・・・噴出セル、２３・・・・筐体、１４ａ・・・・
包囲部、２２・・・・加熱手段。 出願人 イン久−カショカル・ビジネス・マシーンズ・
コー剖ル仁クヨン代理人 弁理士 岡 １） 次 生 （外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空チェンバ内に基板を配置し、該基板上にエピタキシ
ャル成長させるべき物質を加熱することにより、上記基
板に向かって分子線を噴射させるようにした分子線エピ
タキシ炉において、（ａ） 上記真空チェンバ内に配置
されたエピタキシャル成長させるべき物質を部分的に包
囲するための包囲部を有し、上記真空チェンバとは気密
に遮蔽された筐体と、 （ｂ） 上記筐体から排気するための排気手段と、（ｅ
） 上記エピタキシャル成長させるべき物質を加熱する
ために、上記筐体内の上記包囲部に近接して配置された
加熱手段、 とを具備する分子線エピタキシャル炉の加熱装置Ｏ
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/619,106 US4518846A (en) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | Heater assembly for molecular beam epitaxy furnace |
| US619106 | 2000-07-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264396A true JPS60264396A (ja) | 1985-12-27 |
| JPH0357073B2 JPH0357073B2 (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=24480479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60030663A Granted JPS60264396A (ja) | 1984-06-11 | 1985-02-20 | 分子線エピタキシ炉の加熱装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4518846A (ja) |
| EP (1) | EP0170800B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60264396A (ja) |
| DE (1) | DE3560644D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1984
- 1984-06-11 US US06/619,106 patent/US4518846A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60030663A patent/JPS60264396A/ja active Granted
- 1985-05-17 DE DE8585106037T patent/DE3560644D1/de not_active Expired
- 1985-05-17 EP EP85106037A patent/EP0170800B1/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5394872A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | Fixing supporter for molecule beam evaporation source cell |
| JPS5714436U (ja) * | 1980-06-30 | 1982-01-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4518846A (en) | 1985-05-21 |
| EP0170800A1 (en) | 1986-02-12 |
| JPH0357073B2 (ja) | 1991-08-30 |
| EP0170800B1 (en) | 1987-09-16 |
| DE3560644D1 (en) | 1987-10-22 |
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