JPS6024267A - アルミ製熱交換器の製造法 - Google Patents
アルミ製熱交換器の製造法Info
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- JPS6024267A JPS6024267A JP13063683A JP13063683A JPS6024267A JP S6024267 A JPS6024267 A JP S6024267A JP 13063683 A JP13063683 A JP 13063683A JP 13063683 A JP13063683 A JP 13063683A JP S6024267 A JPS6024267 A JP S6024267A
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- flux
- brazing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
- B23K1/0012—Brazing heat exchangers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルミ製熱交換器の製造法に関するもので、特
に熱交用チューブの組成を制限するど共にＺｎ析出処理
方法を改善することによりアルミ製熱交換器の耐食性を
向上ゼしめたものである。
に熱交用チューブの組成を制限するど共にＺｎ析出処理
方法を改善することによりアルミ製熱交換器の耐食性を
向上ゼしめたものである。
一般にアルミ製熱交換器、例えば自動車用熱交換器は、
第１図に示すように純へで又は八（−Ｍｎ合金からなる
扁平多孔の押出チューブ（１）を第２図に示すように蛇
行状に成形し、チューブ（１）間にコルゲート状フィン
（２）を取付け、フラックスろう付は法、真空ろう付は
法、不活性ガスろう（−ＩＩ）法ににり接合して造られ
ている。フラックスろう付は法では、チューブに７ラツ
クスから７０の析出拡散が起り、これが犠牲陽性となっ
てデユープの孔食を防止して全面腐食となるため、孔食
がチューブを貫通するまでには相当の時間がかかる。し
かしながら高価なフラックスを使用するためコスト高と
なるばかりか、残留フラックスは腐食の原因となるため
洗浄を必要とし、その廃液処理が問題になっている。
第１図に示すように純へで又は八（−Ｍｎ合金からなる
扁平多孔の押出チューブ（１）を第２図に示すように蛇
行状に成形し、チューブ（１）間にコルゲート状フィン
（２）を取付け、フラックスろう付は法、真空ろう付は
法、不活性ガスろう（−ＩＩ）法ににり接合して造られ
ている。フラックスろう付は法では、チューブに７ラツ
クスから７０の析出拡散が起り、これが犠牲陽性となっ
てデユープの孔食を防止して全面腐食となるため、孔食
がチューブを貫通するまでには相当の時間がかかる。し
かしながら高価なフラックスを使用するためコスト高と
なるばかりか、残留フラックスは腐食の原因となるため
洗浄を必要とし、その廃液処理が問題になっている。
最近洗浄処理を必要としない真空ろう付は法や不活性ガ
スろう付は法が開発され、広く用いられるようになった
。しかしながら真空ろう付は法や不活性ガスろう付は法
では、Ｚｎの析出拡散現象が起らないため、厳しい腐食
環境では孔食を起し、短時間でチューブを貫通する欠点
がある。これを改善するため、不活性ガスろう付は法に
おいて、チューブ表面に予めＺｎ回換メッキ（ジンター
−１〜処理）を施し、これをろうイ」り時に拡散させる
方法が提案されている。また不活１１１ガスろうイ（口
」法では、弗化物系フラックス、例えばＫＦ−ＡｆＦ３
、テＩ・ラフルオｎアルミン酸カリウム（１〈Ａ、ｅＦ
÷）、ヘキサフル；ｌ ｒ：ｌアルミン酸カリウム（Ｋ
３ΔｆＦｅ）＜ｒどの混合物を少量用いても残漬を取り
除く必要がイ１いどころから前記Ｚｎｆｔｆｆ換メッキ
と（Ｊｌ用してろう４０）が行なわれるＪ：うに＜’Ｅ
つ ｌこ 。
スろう付は法が開発され、広く用いられるようになった
。しかしながら真空ろう付は法や不活性ガスろう付は法
では、Ｚｎの析出拡散現象が起らないため、厳しい腐食
環境では孔食を起し、短時間でチューブを貫通する欠点
がある。これを改善するため、不活性ガスろう付は法に
おいて、チューブ表面に予めＺｎ回換メッキ（ジンター
−１〜処理）を施し、これをろうイ」り時に拡散させる
方法が提案されている。また不活１１１ガスろうイ（口
」法では、弗化物系フラックス、例えばＫＦ−ＡｆＦ３
、テＩ・ラフルオｎアルミン酸カリウム（１〈Ａ、ｅＦ
÷）、ヘキサフル；ｌ ｒ：ｌアルミン酸カリウム（Ｋ
３ΔｆＦｅ）＜ｒどの混合物を少量用いても残漬を取り
除く必要がイ１いどころから前記Ｚｎｆｔｆｆ換メッキ
と（Ｊｌ用してろう４０）が行なわれるＪ：うに＜’Ｅ
つ ｌこ 。
しかるニ１ｌｉＡ 、ｅ （Ｊ Ｉ ８１１００．１２
００．１０５０）やＡ ｆ−Ｍｎ含金（ＪｒＳ３００３
．３２０３）からなルチューブにＺｌＩＦ７換メツ４：
を行なうと、７ｎ析出量のバラツキが大きく、７ｎ析出
量の調整が困難なため、実操業には適用できなかった。
００．１０５０）やＡ ｆ−Ｍｎ含金（ＪｒＳ３００３
．３２０３）からなルチューブにＺｌＩＦ７換メツ４：
を行なうと、７ｎ析出量のバラツキが大きく、７ｎ析出
量の調整が困難なため、実操業には適用できなかった。
これを改善するため、ヂコーブ表面を苛（’Ｉソーダで
エツチングする方法や溶剤で１１＋２脂Ｊる方法が試ら
れたが、苛性ソーダでエツチングづると７ｎ析出間が５
１１／ｍ２以下ど少なく、必要な析出量（１０ａ／ｍ、
２前後）を析出させようとすると、フィン等の異常析出
を起し、また溶剤で脱脂すると、１０ｏ／ｍ２前後の析
出が得られるも、析出量のバラツキが大きく、これが管
理できない欠点があった。又ジンク−１・処理の方法に
おいても、１回の化学処理では、亜鉛の析出量がバラツ
キ不安定となる傾向があった。
エツチングする方法や溶剤で１１＋２脂Ｊる方法が試ら
れたが、苛性ソーダでエツチングづると７ｎ析出間が５
１１／ｍ２以下ど少なく、必要な析出量（１０ａ／ｍ、
２前後）を析出させようとすると、フィン等の異常析出
を起し、また溶剤で脱脂すると、１０ｏ／ｍ２前後の析
出が得られるも、析出量のバラツキが大きく、これが管
理できない欠点があった。又ジンク−１・処理の方法に
おいても、１回の化学処理では、亜鉛の析出量がバラツ
キ不安定となる傾向があった。
本発明はこれに鑑み純へ（、ＡＪ！−Ｍｎ合金等の素材
について、ジンケート処理、亜鉛の化学メッキ処理を行
ない、７ｎ析出量のバラツキとその原因を調査し、バラ
ツキの原因が素材の微量不純物や添加元素の聞及び７ｎ
析出処理方法にあることを知見し、更に検討の結果７ｎ
の析出量を安定化させて耐食４！１を改善したアルミ製
熱交換器の製造法を開発したもので、Ｆｅ０８１５〜０
．５ｗｔ％（以下ｗｔ％を単に％と略記） 、ＣＯ０１
００５〜０．０２％、残部純度９９．３〜９９．７％の
純Ａ（と不可避的不純物からなる押出チコーブの表面に
２〜４回の化学処理にＪ：す、７ｎを５〜１５０／ｍ２
析出サセタ後、アルミフィンと組合せてフラックスを塗
布し、ＡＺ−Ｓ＋系ろう材を用い、不活性ガス雰囲気中
においてろう例４−Ｊ ′？Ｉることを特徴と１−るも
のである。
について、ジンケート処理、亜鉛の化学メッキ処理を行
ない、７ｎ析出量のバラツキとその原因を調査し、バラ
ツキの原因が素材の微量不純物や添加元素の聞及び７ｎ
析出処理方法にあることを知見し、更に検討の結果７ｎ
の析出量を安定化させて耐食４！１を改善したアルミ製
熱交換器の製造法を開発したもので、Ｆｅ０８１５〜０
．５ｗｔ％（以下ｗｔ％を単に％と略記） 、ＣＯ０１
００５〜０．０２％、残部純度９９．３〜９９．７％の
純Ａ（と不可避的不純物からなる押出チコーブの表面に
２〜４回の化学処理にＪ：す、７ｎを５〜１５０／ｍ２
析出サセタ後、アルミフィンと組合せてフラックスを塗
布し、ＡＺ−Ｓ＋系ろう材を用い、不活性ガス雰囲気中
においてろう例４−Ｊ ′？Ｉることを特徴と１−るも
のである。
即ら本５１１１Ｉ］ １％等は紬Ａ 、ｅ ヤ’Δ、ｅ
−Ｍ ｎ合金のｚｒ＋＋ｖ換メツ１におＩＪる７ｎ析
出吊のバラツキについて、その原因を調査した結果、特
にＭｎ。
−Ｍ ｎ合金のｚｒ＋＋ｖ換メツ１におＩＪる７ｎ析
出吊のバラツキについて、その原因を調査した結果、特
にＭｎ。
Ｆｅ 、 Ｃ１１の影響が大きく、Ｍｎを添加するとｚ
ｎの析出量が低下し、１］標の１０ｏ／ｍ２を析出させ
るためには処理時間を倍以−にとする必要がある。一方
処理時間を長くり゛るとフィンなどの異常析出の原因ど
なり、Δ、ｅ−Ｍｎ合金はＺｎ置換メッキに適さない。
ｎの析出量が低下し、１］標の１０ｏ／ｍ２を析出させ
るためには処理時間を倍以−にとする必要がある。一方
処理時間を長くり゛るとフィンなどの異常析出の原因ど
なり、Δ、ｅ−Ｍｎ合金はＺｎ置換メッキに適さない。
Ｊ：Ｉこ純へ（の中でも微量のＦｅ及びＣｕの影響が特
に大きく、通常純ＡＪはＪＩＳ規格にＪ：り不純物の上
限が規定されているが、実際に市販されている純Ａ（の
成分は第１表のごとくかなりのバラツキがあり、このよ
うな材料を用いてＺｎ置換メッキを行なうと、Ｚｎ析出
量に大きなバラツキを生じ、実験室的には７ｎ析出石を
ある程度制御することが可能でも、実操業では非常に困
ガであることを知見１〕だ。
に大きく、通常純ＡＪはＪＩＳ規格にＪ：り不純物の上
限が規定されているが、実際に市販されている純Ａ（の
成分は第１表のごとくかなりのバラツキがあり、このよ
うな材料を用いてＺｎ置換メッキを行なうと、Ｚｎ析出
量に大きなバラツキを生じ、実験室的には７ｎ析出石を
ある程度制御することが可能でも、実操業では非常に困
ガであることを知見１〕だ。
５−
またＺｎ析出処理は表面の微妙な変化にＪ：つでＺｎ析
出量ど均一性にバラツギが生じ、これを安定化させるた
めには、２〜４回繰返し処Ｊ！１！する方法が有効であ
ることが、１″）かった。
出量ど均一性にバラツギが生じ、これを安定化させるた
めには、２〜４回繰返し処Ｊ！１！する方法が有効であ
ることが、１″）かった。
これ等の知見に基き、更に検問を１口ねた結東、押出チ
ューブの組成をＦ ｅ Ｏ，１５〜０．５％、Ｃｌｌ０
，００５〜０．０２％、残部純１１９９．３〜９９．７
％の純△（と不可避的不純物からへる組成どし、Ｚｒ＋
ＦＪ換メッキ処理を２〜４回繰返しで１０±５ｏ／ｍ２
の均一なＺｎ析出を１１ｔたしので、これにアルミフィ
ンを組合−Ｕてフラックスを塗布し、Ａｆ−８ｉろう材
を用い、不活性ガス雰囲気中においてろうイー１けする
ことにＪ：り耐食１１１の優れたアルミ製熱交換器を得
たものである。
ューブの組成をＦ ｅ Ｏ，１５〜０．５％、Ｃｌｌ０
，００５〜０．０２％、残部純１１９９．３〜９９．７
％の純△（と不可避的不純物からへる組成どし、Ｚｒ＋
ＦＪ換メッキ処理を２〜４回繰返しで１０±５ｏ／ｍ２
の均一なＺｎ析出を１１ｔたしので、これにアルミフィ
ンを組合−Ｕてフラックスを塗布し、Ａｆ−８ｉろう材
を用い、不活性ガス雰囲気中においてろうイー１けする
ことにＪ：り耐食１１１の優れたアルミ製熱交換器を得
たものである。
本発明において押出チューブの組成を」二記の如く限定
したのは下記の理由による一ｂのである。
したのは下記の理由による一ｂのである。
Ｆｅ含右量を０．１５−０．５％、Ｃ１１含有船を０．
００５〜０．０２％としたのは、Ｆｅ又はＣｕの何れか
が下限未満では７１１析出昂のバラツキが大ぎくなり、
かつフィン等の異常析出を起し易く、上限を越えると７
０析出和が少なく、析出量を１０±５（Ｊ ／ｍ２とす
ることが回動となり、ろう付けにより十分な７ｎ拡散状
態が１ｑられず、孔食を完全に防１１−することができ
ないためである。
００５〜０．０２％としたのは、Ｆｅ又はＣｕの何れか
が下限未満では７１１析出昂のバラツキが大ぎくなり、
かつフィン等の異常析出を起し易く、上限を越えると７
０析出和が少なく、析出量を１０±５（Ｊ ／ｍ２とす
ることが回動となり、ろう付けにより十分な７ｎ拡散状
態が１ｑられず、孔食を完全に防１１−することができ
ないためである。
また八（純度を９９．３〜９９．７％としたのは、９９
．３％未満では７ｎ析出量が少なく、９９．７％を越え
るどＺｎ析出量のバラツキが大きくなり、かつフィン等
の異常析出を起し易くなるためである。高純Δ（中に含
まれる不可避的不純物としてのＳｉは０．１５％以下に
制限することが望ましい。又Ｍｎ、ＭＯ、Ｚｎ 、Ｃｒ
、Ｔｉ等はそれぞれ０．０１％以下に制限づることが
望ましい。
．３％未満では７ｎ析出量が少なく、９９．７％を越え
るどＺｎ析出量のバラツキが大きくなり、かつフィン等
の異常析出を起し易くなるためである。高純Δ（中に含
まれる不可避的不純物としてのＳｉは０．１５％以下に
制限することが望ましい。又Ｍｎ、ＭＯ、Ｚｎ 、Ｃｒ
、Ｔｉ等はそれぞれ０．０１％以下に制限づることが
望ましい。
以」：の組成からなる押出チューブの表面に、化学的処
理によるＺｎの析出処理を２〜４回繰返すのは、Ｚｎの
析出の均一性を改善すると共にＺｎの析出量を安定化さ
せ、ろう付は時のＺｎ拡散効率を向上させるためで、１
回の処理では７ｎ析出の均一性が悪く、ろう付は時のＺ
ｎの拡散効率が劣り、４回を越えてＺｎ析出処理しても
、上記効果は飽和し、７ｎ析出を１５０ ／ｒｒｔ２以
下で均一に析出させることが困勤となり、コストも土性
するためである。７ｎ析出処理は２回〜４回の処理によ
って５〜１５ｇ／ｍ２ 、望ましくは７〜１３ｇ／Ｔｒ
Ｌ２析出さｌ！′るもので、Ｚ ｎ析出量が５（Ｊ／１
ｎ２未満ではろう付ＩＪ後に必葭な犠！ｌｉ陽極効果が
得られず、析出量が１！’ｉ（１／ｍ、２を越えるとＺ
ｎｉ！度が高くなってＺｎ拡散層の溶出が♀くなり、犠
１ｒ１−陽極効果が低下する。Ｚｎ析出処理としては化
学メッキ法や電気メツキ法があるが、アルカリｆ１亜鉛
酸ソーダににるジンケート処理を用いることが望ましく
、処理に際してはチューブ表面を溶剤のみで脱脂処理す
ればにい。
理によるＺｎの析出処理を２〜４回繰返すのは、Ｚｎの
析出の均一性を改善すると共にＺｎの析出量を安定化さ
せ、ろう付は時のＺｎ拡散効率を向上させるためで、１
回の処理では７ｎ析出の均一性が悪く、ろう付は時のＺ
ｎの拡散効率が劣り、４回を越えてＺｎ析出処理しても
、上記効果は飽和し、７ｎ析出を１５０ ／ｒｒｔ２以
下で均一に析出させることが困勤となり、コストも土性
するためである。７ｎ析出処理は２回〜４回の処理によ
って５〜１５ｇ／ｍ２ 、望ましくは７〜１３ｇ／Ｔｒ
Ｌ２析出さｌ！′るもので、Ｚ ｎ析出量が５（Ｊ／１
ｎ２未満ではろう付ＩＪ後に必葭な犠！ｌｉ陽極効果が
得られず、析出量が１！’ｉ（１／ｍ、２を越えるとＺ
ｎｉ！度が高くなってＺｎ拡散層の溶出が♀くなり、犠
１ｒ１−陽極効果が低下する。Ｚｎ析出処理としては化
学メッキ法や電気メツキ法があるが、アルカリｆ１亜鉛
酸ソーダににるジンケート処理を用いることが望ましく
、処理に際してはチューブ表面を溶剤のみで脱脂処理す
ればにい。
このｊ；うにして７ ｎを析出処理した押出チューブに
フィンを組合せ、イの表面にフラックスを塗布しＡＺ−
Ｓｔ系ろう材を用いて不活性ガス雰囲気中で５８０〜６
２０℃の混用に加熱してろう付けするか又はＺｎ析出処
理した押出チューブにＡｆ−３ｉ系ろう材をクラッドし
たプレージングシートからなるフィンを組合せ、その表
面にフラックスを塗布して不活性ガス雰囲気中で５８０
〜６２０℃の一〇一 温度に加熱してろう付けするものである。
フィンを組合せ、イの表面にフラックスを塗布しＡＺ−
Ｓｔ系ろう材を用いて不活性ガス雰囲気中で５８０〜６
２０℃の混用に加熱してろう付けするか又はＺｎ析出処
理した押出チューブにＡｆ−３ｉ系ろう材をクラッドし
たプレージングシートからなるフィンを組合せ、その表
面にフラックスを塗布して不活性ガス雰囲気中で５８０
〜６２０℃の一〇一 温度に加熱してろう付けするものである。
不活性ガスとしてはＡｒ１Ｎ２等のガスが用いられるが
、ガスのコストを考えるとＮ２ガスが最も望ましい。フ
ラックスの塗布量は２０ｏ／ｍ２以下どすることが望ま
しく、これ以上塗布するど残漬フラックスの熱交換器へ
の付着が顕著となり、外観上好ましくないばかりか、コ
ルゲートフィン間で目詰りを起し、放熱性を低下しフラ
ックスの使用ｍの増加は製造コストを高める原因となる
。
、ガスのコストを考えるとＮ２ガスが最も望ましい。フ
ラックスの塗布量は２０ｏ／ｍ２以下どすることが望ま
しく、これ以上塗布するど残漬フラックスの熱交換器へ
の付着が顕著となり、外観上好ましくないばかりか、コ
ルゲートフィン間で目詰りを起し、放熱性を低下しフラ
ックスの使用ｍの増加は製造コストを高める原因となる
。
なお、本発明法に使用するフラックスは、塩化物系又は
弗化物系が適用されるが、フラックスの除去、洗浄が不
要な弗化物系がコスト或いは公害の点で望ましい。
弗化物系が適用されるが、フラックスの除去、洗浄が不
要な弗化物系がコスト或いは公害の点で望ましい。
弗化物系フラックスとしては特公昭５５−２６９４９に
開示されているごとく、フッ化カリウム（ＫＦ）とフッ
化アルミニウム（ＡＪ２Ｆ３）の混合物で、望ましくは
これ等の錯体であるテトラフルオロアルミン酸カリウム
（ＫＡｆＦ＋ ）とへキサフルオロアルミン酸カリウム
（Ｋ３ ＡＪ！Ｆｓ ）の混合物であり、通常水性スラ
リーの形で塗布する。この１０− ような混合物を１［するために１まＩＩ：確４ｆ比率で
八（Ｆ３どＫ「を溶融１〕、この１１４合物を冷却して
適当な粒径に粉（１９シ、これを水中に薄いスラリーの
形で懸濁する。粒径は通常１００メツシコ以下、望まし
くは１５０メツシコ以下、更に好ましくは２００メツシ
コ以下どする。Ｊ、ｌこＫ Ａ Ｉ Ｆ＋とに３ＡｆＦ
日を別々に製造し、これ舌を所定の比率で混合してもに
い。またこれ等に水を加えてスラリーとする際、必要に
応じて少（１の界面活性剤を加えるとよい。
開示されているごとく、フッ化カリウム（ＫＦ）とフッ
化アルミニウム（ＡＪ２Ｆ３）の混合物で、望ましくは
これ等の錯体であるテトラフルオロアルミン酸カリウム
（ＫＡｆＦ＋ ）とへキサフルオロアルミン酸カリウム
（Ｋ３ ＡＪ！Ｆｓ ）の混合物であり、通常水性スラ
リーの形で塗布する。この１０− ような混合物を１［するために１まＩＩ：確４ｆ比率で
八（Ｆ３どＫ「を溶融１〕、この１１４合物を冷却して
適当な粒径に粉（１９シ、これを水中に薄いスラリーの
形で懸濁する。粒径は通常１００メツシコ以下、望まし
くは１５０メツシコ以下、更に好ましくは２００メツシ
コ以下どする。Ｊ、ｌこＫ Ａ Ｉ Ｆ＋とに３ＡｆＦ
日を別々に製造し、これ舌を所定の比率で混合してもに
い。またこれ等に水を加えてスラリーとする際、必要に
応じて少（１の界面活性剤を加えるとよい。
以下本発明を実施例について詳細に説明する。
実施例（１）
第２表に示す組成のΔ柔を溶製し、金型に鋳造して直径
１８ｏｍｍ、長ざ４００ ｍｍのビレットとし、これを
５５０℃の温度に加熱し、５００℃の温度で押出加工し
て第１図に示す肉厚１．Ｏｎｔｍ、巾３０ｍｍｚ高５ｍ
ｍの多孔押出デユープを作成した。これ等のデユープを
第２図に示ずように蛇行状に曲げ、トリクレンで脱脂し
後、液が内部に入らないようにデユープの孔をテープで
密閉し、先ずＺｎ ０５０１１Ｊ ／Ｊ！、Ｎ ａ ０
１１３７０ｇ／ ｆ！からなる液温２５℃のジンケート
処理液中に２分間浸漬処理し、次に同じ組成と温度のジ
ンケート処理液中に５分間浸漬処理し、チュー１表面に
Ｚｎを析出させた。
１８ｏｍｍ、長ざ４００ ｍｍのビレットとし、これを
５５０℃の温度に加熱し、５００℃の温度で押出加工し
て第１図に示す肉厚１．Ｏｎｔｍ、巾３０ｍｍｚ高５ｍ
ｍの多孔押出デユープを作成した。これ等のデユープを
第２図に示ずように蛇行状に曲げ、トリクレンで脱脂し
後、液が内部に入らないようにデユープの孔をテープで
密閉し、先ずＺｎ ０５０１１Ｊ ／Ｊ！、Ｎ ａ ０
１１３７０ｇ／ ｆ！からなる液温２５℃のジンケート
処理液中に２分間浸漬処理し、次に同じ組成と温度のジ
ンケート処理液中に５分間浸漬処理し、チュー１表面に
Ｚｎを析出させた。
これ等について７ｎ析出量を調べると共に、３００３相
当の芯Ｈに４３４３相当のろう材を接合したプレージン
グシートからなる厚さ０．１６＃ｌｌＩ＋のコルゲート
フィンを第２図に示すように組合せ、これを冶具で固定
してＫＦ４５％、／ｌ’Ｆ３５５％からなる約１５０メ
ツシユの７ラツクスを懸濁させた水溶液中に浸漬し、乾
燥したのち、これをＮＺガス雰囲気中６００℃の温度で
５分間加熱してろう付けし、テスト］アーを作製した。
当の芯Ｈに４３４３相当のろう材を接合したプレージン
グシートからなる厚さ０．１６＃ｌｌＩ＋のコルゲート
フィンを第２図に示すように組合せ、これを冶具で固定
してＫＦ４５％、／ｌ’Ｆ３５５％からなる約１５０メ
ツシユの７ラツクスを懸濁させた水溶液中に浸漬し、乾
燥したのち、これをＮＺガス雰囲気中６００℃の温度で
５分間加熱してろう付けし、テスト］アーを作製した。
これについてキャス試験と乾湿交互試験を行なって最大
孔食深さを測定した。これ等の結果を第２表に併記した
。
孔食深さを測定した。これ等の結果を第２表に併記した
。
ｌｎ析出量は室温の１０％Ｉ−Ｉ Ｎ Ｏ３溶液中に１
分間浸漬しｒＺｎを溶出し、その前後の重量よりめた。
分間浸漬しｒＺｎを溶出し、その前後の重量よりめた。
またキャス試験は７２０時間行ない、乾湿交互試験は５
％ＮａＣ，ｅ溶液中に１０分間浸漬した後、５０℃の温
度で５０分間乾燥することを１サイクルとして１ｏｏｏ
法イクシイクルた。
％ＮａＣ，ｅ溶液中に１０分間浸漬した後、５０℃の温
度で５０分間乾燥することを１サイクルとして１ｏｏｏ
法イクシイクルた。
１３−
２−への寸ｕ”＋ ｃｏ トの■言＝８♀； ＝第２表
から明らか１．’ｃ にうに本発明法（Ｎ ｏ、 １〜
Ｎｏ、７）は何れもＺｎ析出量が８〜ｂ範囲内にあり、
何れ−しろうイ・Ｈノ後の耐孔食性が優れていることが
判る。
から明らか１．’ｃ にうに本発明法（Ｎ ｏ、 １〜
Ｎｏ、７）は何れもＺｎ析出量が８〜ｂ範囲内にあり、
何れ−しろうイ・Ｈノ後の耐孔食性が優れていることが
判る。
これに対しΔ（純度の高い比較法Ｎｏ、８、Ｆｅ含有量
の少ない比較法Ｎｏ、１０、Ｃｕ含有吊の少イ【い比較
法１２では何れｂ７ｎ析出串が増大し、フクレ等の異常
析出により、ろう１１口）時の加熱ににる７ｎ拡散が十
分に奇ｊｊ−１！ず、耐孔食１１１が悪くなっている。
の少ない比較法Ｎｏ、１０、Ｃｕ含有吊の少イ【い比較
法１２では何れｂ７ｎ析出串が増大し、フクレ等の異常
析出により、ろう１１口）時の加熱ににる７ｎ拡散が十
分に奇ｊｊ−１！ず、耐孔食１１１が悪くなっている。
またΔ（純１ｖの低い比較法Ｎ００９、Ｆｅ含有量の多
い比較法ＮＯ，１１、ＣＩ＋含有量の多い比較法Ｎ Ｏ
，１３、更に１１００相当を用いた従来法ＮＯ，１４，
３００３相当を用いた従来法Ｎ００１５では何れも７ｎ
の析出量が減少し、ろうトロｔ ４Ｇの耐孔食性が悪い
ことが判る。
い比較法ＮＯ，１１、ＣＩ＋含有量の多い比較法Ｎ Ｏ
，１３、更に１１００相当を用いた従来法ＮＯ，１４，
３００３相当を用いた従来法Ｎ００１５では何れも７ｎ
の析出量が減少し、ろうトロｔ ４Ｇの耐孔食性が悪い
ことが判る。
実施例（２）
ＦｅＯ，３％、Ｃ１１０，００８％、Ａｆ純度９９．６
％の組成からなる押出チコーブ（肉厚０．８ｍ）を実施
例（１）と同様にして造り、第２図に示すにうに蛇行状
に曲げ、トリクレンで脱脂した後、液が内部に入らない
ようにチューブの孔をテープで密閉し、第３表に示すジ
ンケート処理を行なってｌｎを析出量しめた。これ等に
ついてＺｎの析出量と析出状態を調べると共に、実施例
（１）と同様のプレージングシートからなる厚さ０．１
６ｍのコルゲートフィンを第２図に示すように組合せ、
冶具で固定して約１５０メツシユのＫＡＪ！Ｆ＋フラッ
クス水溶液中に浸漬させ、乾燥させたのち、これを実施
例（１）と同様にしてろう付けし、実施例（１）と同様
の耐食試験を行なった。これ等の結果を第３表に併記し
た。
％の組成からなる押出チコーブ（肉厚０．８ｍ）を実施
例（１）と同様にして造り、第２図に示すにうに蛇行状
に曲げ、トリクレンで脱脂した後、液が内部に入らない
ようにチューブの孔をテープで密閉し、第３表に示すジ
ンケート処理を行なってｌｎを析出量しめた。これ等に
ついてＺｎの析出量と析出状態を調べると共に、実施例
（１）と同様のプレージングシートからなる厚さ０．１
６ｍのコルゲートフィンを第２図に示すように組合せ、
冶具で固定して約１５０メツシユのＫＡＪ！Ｆ＋フラッ
クス水溶液中に浸漬させ、乾燥させたのち、これを実施
例（１）と同様にしてろう付けし、実施例（１）と同様
の耐食試験を行なった。これ等の結果を第３表に併記し
た。
尚ジンケート処理における第１段目は７ｎ０５０（Ｊ／
１２、Ｎ ａ ＯＨ３７００／ １２からなる液温２５
℃の液中で１〜２分間処理し、第２段〜第４段目はＺｎ
０５０（１／柔、Ｎ ａ Ｏｌ−１３７０！］／ Ｒか
らなる液温２５℃の液中で合計３〜１０分間処理した。
１２、Ｎ ａ ＯＨ３７００／ １２からなる液温２５
℃の液中で１〜２分間処理し、第２段〜第４段目はＺｎ
０５０（１／柔、Ｎ ａ Ｏｌ−１３７０！］／ Ｒか
らなる液温２５℃の液中で合計３〜１０分間処理した。
またＺｎ析出状態において析出が均一で良好なものをＯ
印、やや不均一なものをΔ印、不均一なもの（異常析出
したもの）をＸ印で示した。
印、やや不均一なものをΔ印、不均一なもの（異常析出
したもの）をＸ印で示した。
廿
ヨ
Ｗ額○○○（１）ＯＯ○〈×
Ｎ≦
２ 旨≧繋＝８真芳起葛
鮒 ば ＝
（
第３表から明らかなようにジンケート処理を２〜４回繰
返した本発明法Ｎｏ、１６〜Ｎ ｏ、２１では何れもＺ
ｎ析出量が７〜１３ｏ／ｍ２の範囲内にあり、析出状態
も均一で犠牲陽極作用が十分に発揮され、耐孔食性が優
れていることが判る。
返した本発明法Ｎｏ、１６〜Ｎ ｏ、２１では何れもＺ
ｎ析出量が７〜１３ｏ／ｍ２の範囲内にあり、析出状態
も均一で犠牲陽極作用が十分に発揮され、耐孔食性が優
れていることが判る。
これに対し、１回のジンケート処理による比較法Ｎ ０
０２２〜Ｎ Ｏ，２４ではＺｎ析出量が少なかったり、
Ｚｎの析出状態も不均一になり易く拡散効率のバラツキ
が大きくなり、耐孔食性のバラツキも大きいことが判る
。
０２２〜Ｎ Ｏ，２４ではＺｎ析出量が少なかったり、
Ｚｎの析出状態も不均一になり易く拡散効率のバラツキ
が大きくなり、耐孔食性のバラツキも大きいことが判る
。
実施例（３）
１：ｅｏ、２５％、ＣＬｌｏ、０１％、Ａ（純度９９．
５％の組成からなる押出チューブ（肉厚１．０ｍｍ）を
造り、実施例（１）と同様のＺｎ析出処理により１３ｇ
／７ＦＬ２の７０を析出せしめ、これを水洗後、実施例
（１）と同様のプレージングシートからなる厚さ０．１
６ＩｎＩＲのコルゲートフィンと組合せ、冶具で固定し
、ＫＡｆＦ令とに３ＡｆＦｓの混合物［ＫＦ／ＡＪ２Ｆ
３ （重量比）４５：５５］からなる２００メツシユ以
下の微粉末を懸濁させた水性スラリー中に浸１８− 潰し、フラックスを塗布し、乾燥ざμたの１５ Ｎ ｚ
ガス雰囲気中６００℃の温度に加熱してろうイー目ノを
行なってコンデンサ−を作Ｈｔノだ。
５％の組成からなる押出チューブ（肉厚１．０ｍｍ）を
造り、実施例（１）と同様のＺｎ析出処理により１３ｇ
／７ＦＬ２の７０を析出せしめ、これを水洗後、実施例
（１）と同様のプレージングシートからなる厚さ０．１
６ＩｎＩＲのコルゲートフィンと組合せ、冶具で固定し
、ＫＡｆＦ令とに３ＡｆＦｓの混合物［ＫＦ／ＡＪ２Ｆ
３ （重量比）４５：５５］からなる２００メツシユ以
下の微粉末を懸濁させた水性スラリー中に浸１８− 潰し、フラックスを塗布し、乾燥ざμたの１５ Ｎ ｚ
ガス雰囲気中６００℃の温度に加熱してろうイー目ノを
行なってコンデンサ−を作Ｈｔノだ。
このコンデンＩす−のチューブについＸ線マイクロアナ
ライザーを用い（７ｎの１１１、改状態を調べた。
ライザーを用い（７ｎの１１１、改状態を調べた。
その結果を第４表に承り一６尚拡散状態はランダムに５
個所について行４に−）た。
個所について行４に−）た。
第 ４ 表
試験個所 表面Ｚ １１濃度 ７ｎ拡散層の深さく％）
（μＴｒＬ） Δ ５．１ ９２ ３ ４．７ ９７ Ｃ４，７９２ Ｄ ４，６ ９２ Ｅ ４，７ ９Ｇ 第４表から明らかなように本発明方法によればチューブ
表面にＺｎが均一に析出し、ろう付【プにより、はぼ均
一なＺｎ拡散が得られることがわかる。
（μＴｒＬ） Δ ５．１ ９２ ３ ４．７ ９７ Ｃ４，７９２ Ｄ ４，６ ９２ Ｅ ４，７ ９Ｇ 第４表から明らかなように本発明方法によればチューブ
表面にＺｎが均一に析出し、ろう付【プにより、はぼ均
一なＺｎ拡散が得られることがわかる。
また前）４１の如く作製した本発明による］ンデンザー
ど比較のため、亜鉛の析出処理を全く行なわなかったこ
とを除いて同様に作製した比較コンデンサーについてキ
ャス試験ＬＩＩＳＨ８８８１）を１２００時間行なった
。その結束本発明により製造したコンデンサーデユープ
はキャス試験による１２００時間後も、はとんど孔食が
認められなかったのに。
ど比較のため、亜鉛の析出処理を全く行なわなかったこ
とを除いて同様に作製した比較コンデンサーについてキ
ャス試験ＬＩＩＳＨ８８８１）を１２００時間行なった
。その結束本発明により製造したコンデンサーデユープ
はキャス試験による１２００時間後も、はとんど孔食が
認められなかったのに。
対し、７ｎ置換メツキを全く施さないコンデンサーのチ
ューブは６００時間で孔食が貫通した。
ューブは６００時間で孔食が貫通した。
このように本発明によれば、チューブ組成を制限すると
と共にジンケート処理を２〜４回に分けて行なうことに
より７ｎ析出量を１０±５０ ／ｍ２の範囲内に又析出
状態も均一に十分管理することが可能となり、その後の
ろう付けにより犠牲陽極となる７ｎ拡散層を形成し、ろ
う付は後の耐孔食性を著しく向上し、熱交換器としての
耐用年数を向上し得る顕著な効果を奏するものである。
と共にジンケート処理を２〜４回に分けて行なうことに
より７ｎ析出量を１０±５０ ／ｍ２の範囲内に又析出
状態も均一に十分管理することが可能となり、その後の
ろう付けにより犠牲陽極となる７ｎ拡散層を形成し、ろ
う付は後の耐孔食性を著しく向上し、熱交換器としての
耐用年数を向上し得る顕著な効果を奏するものである。
第１図はＡＩ２製熱交換用チューブの一例を示す斜視図
、第２図はＡ（装態交換器のコアーの一例を示す斜視図
。 １、チューブ ２、フィン ２１− 第１図 第２図
、第２図はＡ（装態交換器のコアーの一例を示す斜視図
。 １、チューブ ２、フィン ２１− 第１図 第２図
Claims (1)
- （１） Ｆ ｅ ００１５〜０．５ｗ’＋％、Ｃｕ Ｏ
，００５〜０．０２ｗｔ％、残部純度９９．３〜９９．
７ＷＩ％の純Ａ（と不可避的不純物からなる押出チュー
ブの表面に２〜４回の化学処理により７ｎを５−１５０
／１ｎ、２析出させた後、アルミフィンと組合せてフラ
ックスを塗布し、Ａｆ−８ｔ系ろう材を用い、不活性ガ
ス雰囲気中においてろう付けすることを特徴とするアル
ミ製熱交換器の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13063683A JPS6024267A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | アルミ製熱交換器の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13063683A JPS6024267A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | アルミ製熱交換器の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024267A true JPS6024267A (ja) | 1985-02-06 |
| JPH0459077B2 JPH0459077B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=15038986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13063683A Granted JPS6024267A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | アルミ製熱交換器の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024267A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62217653A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0270397A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-09 | Kobe Steel Ltd | 不活性ガス雰囲気ろう付用アルミニウム又はアルミニウム合金部材 |
| WO2004044258A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Showa Denko K.K. | Aluminum pipe and process for producing same |
| JP2004176178A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-24 | Showa Denko Kk | アルミニウム管およびその製造方法 |
| US7196929B1 (en) * | 1997-07-29 | 2007-03-27 | Micron Technology Inc | Method for operating a memory device having an amorphous silicon carbide gate insulator |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583987A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-10 | Nippon Radiator Co Ltd | アルミニウム製熱交換器コアの製造方法 |
| JPS6021176A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Furukawa Alum Co Ltd | アルミ製熱交換器の製造法 |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP13063683A patent/JPS6024267A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583987A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-10 | Nippon Radiator Co Ltd | アルミニウム製熱交換器コアの製造方法 |
| JPS6021176A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Furukawa Alum Co Ltd | アルミ製熱交換器の製造法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62217653A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| US7196929B1 (en) * | 1997-07-29 | 2007-03-27 | Micron Technology Inc | Method for operating a memory device having an amorphous silicon carbide gate insulator |
| WO2004044258A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Showa Denko K.K. | Aluminum pipe and process for producing same |
| JP2004176178A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-24 | Showa Denko Kk | アルミニウム管およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459077B2 (ja) | 1992-09-21 |
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