JPS60215769A - 密封被覆方法 - Google Patents

密封被覆方法

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JPS60215769A JP60040983A JP4098385A JPS60215769A JP S60215769 A JPS60215769 A JP S60215769A JP 60040983 A JP60040983 A JP 60040983A JP 4098385 A JP4098385 A JP 4098385A JP S60215769 A JPS60215769 A JP S60215769A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は基体表面上に密封性被覆の蒸着（ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）を行なう方法に関する。
従来の技術とその問題点 多くの電子装置、電子光学装置及び光学装置は水分の存
在により有害な影響を受ける。しかし複雑な３次元構成
に水分障壁を設けるのは困難であり、何らかの形の気相
蒸着方法が必要となる。しかし従来の方法で無機耐熱性
材料を蒸着させるには基体の湿度を７００℃以上にする
必要があり、この温度では多くの装置が破壊される。従
来のプラズマ利用蒸着方法では相当に低い温度、典型的
には３５０℃程度で良質の耐熱性薄層を設けることがで
きる。しかしかかる温度でも多くの場合高すぎる。かか
る方法において基体温度を下げるなら表面被覆の水分障
壁性能は不適当なものとなる。
従来の被覆には、被覆とそれが設けられる表面との間に
熱的な不適合があるという問題があった。
極端な場合には被覆に亀裂が生じ基体表面への接着性が
失われる。
本発明の目的はこれらの欠点を減少又は解決することに
ある。　− 問題点を解決するための手段 本願と同一の出願人による英国公開特許出願第２１０５
７２９Ａ号には、１リットル当り少なくとも数ｋＷのパ
ワー密度を生じさせるプラズマパルスにより平均パワー
が低い強力無線周波数パルスプラズマに基体表面を曝す
ことからなる感熱基体材料の表面処理方法が記載されて
いる。
本発明によれば、基体表面上にこの表面と相容性を有す
る材料からなる第１の被覆を蒸着し、上記第１の被覆上
に第２の材料からなる第２の被覆を第１の材料と第２の
材料とが徐々に交代すように蒸着し、上記の被覆責パル
ス状無線周波数プラズマから蒸着する、基体表面の密封
被覆方法が提供される。
本発明によればまた、パルス状無線周波数プラズマから
第１の酸化物層、第２の炭化物又は窒化物層及び第３の
有機物ポリマー層を順次蒸着する基体表面の密封被覆方
法が提供される。
また本発明においては、大略電気部品又は光ファイバ等
の基体の表面にパルスプラズマ蒸着による薄層被覆が設
けられる。薄層は基体と相容性を有する下層と、密封を
行なう上層とからなり、層の間では徐々に移行がなされ
る。
パルスプラズマ法を用いると、基体表面を熱しすぎるこ
となく基体表面上に撥水性複合被覆が形成される。基体
と相容性を有する下側被覆から別の表面被覆へ徐々に移
行させることにより基体と被覆の不適合の問題は解決さ
れる。
実施例 図面を参照するに、表面に被覆を設けようとする部材１
０は真空室１１内に置かれる。室１１中の部材１０が置
かれる部分は、パルス状無線周波数発生器１３に接続さ
れたコイル１２により囲まれている。発生＠１３のパワ
ー出力値は重要ではないが、所望の表面蒸着を起こすに
充分でなければならない。そのためには６０ｋＷの発生
器が適当である。室はポンプ１５へ連なる排気口１４か
ら排気され、入口管１７を介して吸込マニホルド１６か
らガス又は蒸気を供給される。
使用時部材１０は室１１内へ挿入され、次いで室１１は
排気口１４から排気される。部材が外部導線である場合
には表面処理を行なう前にマスキングクリップ（図示せ
ず）を取付けてマスキングしてもよい。次いで入口・１
７を介して清浄化ガス混合体が入れられ、以後の薄層蒸
着のため、清浄で活性化された部材表面が得られるよう
プラズマを開始させるため発生器が稼動されるのが有利
である。清浄化ガスはフッ素、酸素、水素又はそれらの
混合物であり、好ましくはヘリウムが添加される。
酸化物／炭化物／有機物Ｉｌｌ構成を設けるため室１１
は再び排気され、部材表面上に酸化物薄層のパルスプラ
ズマ蒸着を行なうよう酸素と四塩化チタン又はケイ素等
との混合物が入れられる。金ワイヤ等、幾つかの金属被
覆方式では酸化物層の下で金属的結合を促すよう強度に
還元された酸化物を蒸着するのが好ましい。
注入混合ガスを窒素、アンモニア又は炭化水素及び揮発
性のホウ素、ケイ素または遷移金属化合物へ徐々に変化
させることにより、部材１０上に窒化物又は炭化物の密
封層が蒸着される。密封層の次には最後の有機物層が設
けられる。最後の層は成型材に使用される樹脂系と類似
の薄層構成をなすよう選択されたモノマーガスから蒸着
されるのが好ましい。モノマーは、装置が後にカプセル
封じされる成型材に結合するエポキシ又は水酸基等の反
応基を有してもよい。
モノマーの特性的な構造を蒸着された有機物薄層中で保
存するためラジカルの分解が最小限となるようプラズマ
パルスは非常に短くなければならない。
被覆された部材が次いで成型プラスチック材にカプセル
封じされる場合には別の密封被覆が設けられてもよい。
そのために被覆の系列は、表面エツチング及び活性化か
ら始め次いで徐々に変化する境界を有する一連の層へ続
くよう略逆転される。
有機物薄層が蒸着され、次いでパルス幅を増大させつつ
炭化ケイ素等の有機物層及び次いでフルオロカーボン等
の疎水性最上層が形成される。
別の応用例としては炭化ケイ素／窒化ケイ素薄層構成が
、プラスチック又はガラス基体表面上等に蒸着される。
この蒸着を行なうため窒素、アセチレン等の炭化水素及
びシランの混合物が使用される。混合物の組成は、下層
では炭化ケイ素が主となり上層では窒化ケイ素が主とな
るよう蒸着期間中に変化される。かかる構成は例えば光
ファイバに適用される。被覆を行なう前に窒素／アセチ
レン混合物からの蒸着により炭素の薄いプリコートを表
面に設けてもよい。
漸変表面反覆の形成を以下の例により説明する。
例ル クサン（ＬＥＸＡＮ）ポリカーボネート基体は、２０ｍ
ｔｏｒｒの同体積アセチレン／窒素混合物のパルスプラ
ズマに１分間曝されて炭素表面プリコートが設けられた
。次いでプリコートされた基体に次の系列を用いて漸変
性の炭化ケイ素／窒化ケイ素被覆が設けられた。
８．５　３０　Ｎ２／１０　Ｃ？２／４５ｉＨ４２７，
８３０Ｎ２１５　Ｃ？２７Ｂ−、岬、　５１５　３０　
Ｎ２／Ｉ　Ｃ，Ｎ２／Ｉ０５ｉ）ｆ、　５発生器の公称
出力は５５ｋＷであった。パルス幅は２５０μｓｅｃで
あり繰返し周波数は５Ｈ７であった。蒸着されたファイ
リングは基体に強固に接着しており水分に暉らされた際
にもクラッキングの徴候が見られなかった。比較のため
２０１ｔＯｒｒの１０５ｉｎ４／３０　Ｎ２／７９　Ａ
ｒ　の混合物から同様の厚さ蒸着された窒化ケイ素のみ
の仕上げは、重大なりランキングを示し水分に曝らされ
ると接着性が失われた。
例２ レフサン基体上に次の系列を用いて炭素／炭化シリコン
Ｓ層が蒸゛着された。
２０　Ｈｅ　１分 ２０　Ｓｉ／Ｈｅ　１分 ２０　１０　ＣＨ４／ｉｏ　５ｉＨ４２０分発生器の出
力は５５ｋＷであり、パルス幅１００μｓｅｃであり、
繰返し周波数は５Ｈ２である。やはり高品質の耐水ファ
イバが得られた。
これらの例により本発明の有効性が証明される。
上記説明された方法は広範囲の部材に利用可能であるが
、特に半導体及び電子工学装置の表面保護又はパッシベ
ーションに利用される。それらはまたファイバ光装置上
に保護被覆を設けるのに利用される。
【図面の簡単な説明】
図はパルスプラズマ蒸着装置の概略図である。 １０・・・部材、１１・・・室、１２・・・コイル、１
３・・・パルス状無線周波数発振器、１４・・・排気口
、１５・・・ポンプ、１６・・・吸込マニホルド、１７
・・・入口。 特許出願人　スタンダード　テレフオンスアンド　ケー
ブルス　パブリック 第１頁の続き ０発　明　者　サレツシュ　ミシュリ　イギリス国うル
　オージャ　７幡地 エセツクス　バーロー　カーターズ　メッド手続補正口 昭和６０年３月２８日 昭和６０年　特許願　第４０９８３号 ２、発明の名称 密封被覆方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　イギリス国　ロンドン　ダブリューシー２７−
ル１デイーニー　ストランド　１９０番地名　称　スタ
ンダード　テレフォンズ　アンド　ケーブルスパブリッ
ク　リミテッド　カンパニー 代表者　マーク　チャールズ　デニス （国籍　イギリス国） ４、代理人 住　所　〒１０２　東京都千代田区麹町５丁目７番地５
、補正命令の日付 自発補正 ６、補正の対象 図面。 ７、補正の内容 図面の浄書（内容に変更なし）を別紙の通り補充する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基体の表面上に該表面と相容性を有する材料から
    なる第１の被覆を蒸着し、該第１の被覆上に第２の材料
    からなる第２の被覆を、第１の材料と第２の材料とが徐
    々に交代するように蒸着することを特徴とし、該被覆を
    パルス状無線周波数プラズマから蒸着する、基体表面の
    密封被覆方法。　・ ■　該第１の被覆は炭化ケイ素からなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項記載の密封被覆方法。 ■　該第２の被覆は窒化ケイ素であることを特徴とする
    特許請求の範囲第２項記載の密封被覆方法。 ＠）該被覆は窒素、アセチレン及びシランの混合ガスか
    ら蒸着されることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
    載の密封被覆方法。 ６）該基体には炭素のプリコートが設けられること・を
    特徴とする特許請求の範囲第４項記載の密封被覆方法。 （Ｂ）　パルス幅は１００μｓｅｃ乃至２５０μｓｅｃ
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の密
    封被覆方法。 ■　該基体は光ファイバからなることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の密封被覆方法。 ■　特許請求の範囲第７項記載の密封被覆方法により処
    理された光ファイバ。 ■）パルス状無線周波数プラズマから第１の酸化物層、
    第２の炭化物又は窒化物層及び第３の有機物ポリマー層
    を順次蒸着することを特徴とする、基体表面の密封被覆
    方法。
JP60040983A 1984-03-03 1985-03-01 密封被覆方法 Granted JPS60215769A (ja)

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GB8405649 1984-03-03

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JPH0512433B2 JPH0512433B2 (ja) 1993-02-18

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EP (1) EP0154482B1 (ja)
JP (1) JPS60215769A (ja)
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