JPS60201639A - ウエハ−検査装置 - Google Patents
ウエハ−検査装置Info
- Publication number
- JPS60201639A JPS60201639A JP5990884A JP5990884A JPS60201639A JP S60201639 A JPS60201639 A JP S60201639A JP 5990884 A JP5990884 A JP 5990884A JP 5990884 A JP5990884 A JP 5990884A JP S60201639 A JPS60201639 A JP S60201639A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafers
- semiconductor
- carrier
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は、半導体ウェハーの検査装置に係り、半導体ウ
ェハーキャリヤーに収納されている半導体ウェハーを取
り出すことな（、光学検査管を用いて半導体ウェハーの
表面を検査する装置に関する。
ェハーキャリヤーに収納されている半導体ウェハーを取
り出すことな（、光学検査管を用いて半導体ウェハーの
表面を検査する装置に関する。
（ｂ） 技術の背景
近年、半導体ウェハーの高性能化のため、防塵には一段
と厳しい配慮が成されている。
と厳しい配慮が成されている。
特に半導体ウェハーの製造工程における取扱の良否は半
導体ウェハー表面の品質に大きく影響するため、可能な
限り半導体ウェハーに直接接触することなく製造工程を
進めることが望ましい。
導体ウェハー表面の品質に大きく影響するため、可能な
限り半導体ウェハーに直接接触することなく製造工程を
進めることが望ましい。
然しなから、半導体ウェハーは複雑な製造工程によって
製作されるため、多くの工程で検査が必要とされ、その
度に半導体ウェハーキャリヤーに収納されている半導体
ウェハーを取り出して検査をしているが、このような煩
雑な検査工程によって、半導体ウェハー表面に異物が付
着し、不良が発生する原因となっているためこれの改善
が要望されている。
製作されるため、多くの工程で検査が必要とされ、その
度に半導体ウェハーキャリヤーに収納されている半導体
ウェハーを取り出して検査をしているが、このような煩
雑な検査工程によって、半導体ウェハー表面に異物が付
着し、不良が発生する原因となっているためこれの改善
が要望されている。
（Ｃ１従来技術と問題点
従来の半導体ウェハーの検査方法の概要を説明すると、
半導体ウェハーキャリヤーと呼ばれる半導体ウェハーを
複数枚だけ収納する容器があり、この半導体ウェハーキ
ャリヤーには、半導体ウェハーの一枚づつを一定の間隙
を保って保持するための溝があり、通常１個の半導体ウ
ェハーキャリヤーには２５枚の半導体ウェハーが収納さ
れている。
半導体ウェハーキャリヤーと呼ばれる半導体ウェハーを
複数枚だけ収納する容器があり、この半導体ウェハーキ
ャリヤーには、半導体ウェハーの一枚づつを一定の間隙
を保って保持するための溝があり、通常１個の半導体ウ
ェハーキャリヤーには２５枚の半導体ウェハーが収納さ
れている。
製造工程では、半導体ウェハーはこの半導体つエバーキ
ャリヤーによって搬送されるが、多種類の習造工程にお
いて、特にフォトリソグラフィーやエツチング等の主要
製造工程の完了後に、半導体ウェハーを検査する工程が
あり、此の際に半導体ウェハーキャリヤーから半導体ウ
ェハーを取り出して検査するが、半導体ウェハーを取り
出す手段として、従来はピンセット等で半導体ウェハー
を取り出し、それを光学顕微鏡の場所まで半導体ウェハ
ーを移動させて表面の検査をしていた。
ャリヤーによって搬送されるが、多種類の習造工程にお
いて、特にフォトリソグラフィーやエツチング等の主要
製造工程の完了後に、半導体ウェハーを検査する工程が
あり、此の際に半導体ウェハーキャリヤーから半導体ウ
ェハーを取り出して検査するが、半導体ウェハーを取り
出す手段として、従来はピンセット等で半導体ウェハー
を取り出し、それを光学顕微鏡の場所まで半導体ウェハ
ーを移動させて表面の検査をしていた。
検査時間は、対象物にもよるが一枚当たり２分程度であ
り、作業効率の点でも不利であった。
り、作業効率の点でも不利であった。
又、半導体ウェハーを半導体ウェハーキャリヤーから引
き出す際に、隣のウェハーに接触して表面ち傷をつけた
り、半導体ウェハーと半導体ウェハーキャリヤーの部分
の接触により、シリコン片が発生し、半導体ウェハーの
表面に付着して歩留り低下の原因となっている。
き出す際に、隣のウェハーに接触して表面ち傷をつけた
り、半導体ウェハーと半導体ウェハーキャリヤーの部分
の接触により、シリコン片が発生し、半導体ウェハーの
表面に付着して歩留り低下の原因となっている。
（ｄ） 発明の目的
本発明は、上記従来の欠点に鑑み、半導体ウェハーキャ
リヤーに収納された半導体ウェハーを一枚毎に取り出す
ことなく、半導体ウェハーの表面を検査する検査管を半
導体ウニバーキャリヤー内に挿入して、半導体ウェハー
の表面の検査方法を提供することを目的とする。
リヤーに収納された半導体ウェハーを一枚毎に取り出す
ことなく、半導体ウェハーの表面を検査する検査管を半
導体ウニバーキャリヤー内に挿入して、半導体ウェハー
の表面の検査方法を提供することを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
この目的は本発明によれば、複数枚のウェハーを収納し
たキャリヤーに光学検査管が挿入されて、該ウェハーを
キャリヤーに収納した状態でウェハーの検査がなされる
ことを特徴とするウェハー検査装置を提供することによ
って達成できる。
たキャリヤーに光学検査管が挿入されて、該ウェハーを
キャリヤーに収納した状態でウェハーの検査がなされる
ことを特徴とするウェハー検査装置を提供することによ
って達成できる。
（ｆｌ 発明の実施例
第１図は本発明の実施例である。
第１図において、１は複数の半導体ウェハーを収納する
半導体ウェハーキャリヤーであり、２は半導体ウェハー
で、通常−個のウェハーキャリヤーに２５枚の半導体ウ
ェハーが収納されていて、各半導体ウェハーの間隙は約
４．７ｍｍである。
半導体ウェハーキャリヤーであり、２は半導体ウェハー
で、通常−個のウェハーキャリヤーに２５枚の半導体ウ
ェハーが収納されていて、各半導体ウェハーの間隙は約
４．７ｍｍである。
３は図は半導体ウェハーの表面を検査する光学検査管で
、半導体ウェハーキャリヤーに収納されている半導体ウ
ェハーを、それぞれの間隔である４ 、 ７ｍｍの空間
を利用して、光学検査管をその間隙に挿入して、半導体
ウェハー面上をＸ−Ｙ方向に走査しながら検査を行う。
、半導体ウェハーキャリヤーに収納されている半導体ウ
ェハーを、それぞれの間隔である４ 、 ７ｍｍの空間
を利用して、光学検査管をその間隙に挿入して、半導体
ウェハー面上をＸ−Ｙ方向に走査しながら検査を行う。
第２図は光学検査管の模式図である。
１１は光学検査管の円筒管であり、操作が容易なように
光学検査管の先端部１２の開口直径は約１ｎｕ＋＋程度
がよく、この先端部が半導体ウェハーに対向している。
光学検査管の先端部１２の開口直径は約１ｎｕ＋＋程度
がよく、この先端部が半導体ウェハーに対向している。
１３は反射鏡であって半導体ウェハーの面の映像を直角
方向に転換させ、この像を対物レンズ１４と対眼レンズ
１５に入光させてイメージセンサ１６により拡大して表
面の検査を行うものである。
方向に転換させ、この像を対物レンズ１４と対眼レンズ
１５に入光させてイメージセンサ１６により拡大して表
面の検査を行うものである。
又、光学検査に反射鏡を用いずに、直接光学ファイバー
を使用することもできる。
を使用することもできる。
一般に検査直径が１ｍｍ程度であるので、半導体ウェハ
ーの全面を検査するためには、走査の必要があるため、
この光学検査管はＸ−Ｙ方向の走査盤に固定すると良い
。
ーの全面を検査するためには、走査の必要があるため、
この光学検査管はＸ−Ｙ方向の走査盤に固定すると良い
。
このような操作をされる光学検査管は、狭い空間を走査
して使用されるため、可撓性であれば取扱面で有利であ
るため、光学検査管の内部に光ファイバー１８を使用し
て光路を形成し、この先端部１２で半導体ウェハー面を
正確に走査が可能のようにＸ−Ｙステージ１７によって
走査ができるようにする。
して使用されるため、可撓性であれば取扱面で有利であ
るため、光学検査管の内部に光ファイバー１８を使用し
て光路を形成し、この先端部１２で半導体ウェハー面を
正確に走査が可能のようにＸ−Ｙステージ１７によって
走査ができるようにする。
第３図は自動操作にした場合の検査装置の一例であるが
、Ｘ−Ｙステージにそれぞれ駆動源２１と２２を設け、
一方イメージセンザの出力が表面検査信号回路２３に入
力されて、この両者の信号が制御回路２４に接続されて
全体が制御されるようにしたものである。
、Ｘ−Ｙステージにそれぞれ駆動源２１と２２を設け、
一方イメージセンザの出力が表面検査信号回路２３に入
力されて、この両者の信号が制御回路２４に接続されて
全体が制御されるようにしたものである。
このような方法によって、半導体うエバーは検査時に、
その都度取り出されることな（完全な表面検査が可能と
なり、これによって半導体ウェハーは異物が付着するこ
となく製造工程における不良が減少すると共に検査時間
の改善にも効果がある。
その都度取り出されることな（完全な表面検査が可能と
なり、これによって半導体ウェハーは異物が付着するこ
となく製造工程における不良が減少すると共に検査時間
の改善にも効果がある。
（ｇｌ 発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明の光学検査装置を採
用することにより、半導体ウェハーの清浄化と不良率の
低減に供し得るという効果大なるものがある。
用することにより、半導体ウェハーの清浄化と不良率の
低減に供し得るという効果大なるものがある。
第１図は本発明の検査装置の模式図、第２図は光学検査
管の模式図、第３図は自動操作にした場合の検査装置の
ブロック図である。 図において、１半導体ウェハーキャリヤー、２は半導体
ウェハー、３は光学検査管、１１は円筒管、１２ば光学
検査管の先端部、１３は反射鏡、１４は対物レンズ、１
５は対眼レンズ、１６はイメージセンサ−１１７はＸ−
Ｙステージ、２１．２２は駆動源、２３は表面検査信号
回路、２４は制御回路である。 第１図 第２図
管の模式図、第３図は自動操作にした場合の検査装置の
ブロック図である。 図において、１半導体ウェハーキャリヤー、２は半導体
ウェハー、３は光学検査管、１１は円筒管、１２ば光学
検査管の先端部、１３は反射鏡、１４は対物レンズ、１
５は対眼レンズ、１６はイメージセンサ−１１７はＸ−
Ｙステージ、２１．２２は駆動源、２３は表面検査信号
回路、２４は制御回路である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 複数枚のウェハーを収納したキャリヤーに光学検査管が
挿入されて、該ウェハーをキャリヤーに収納した状態で
ウェハーの検査がなされることを特徴とするウェハー検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5990884A JPS60201639A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | ウエハ−検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5990884A JPS60201639A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | ウエハ−検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201639A true JPS60201639A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13126689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5990884A Pending JPS60201639A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | ウエハ−検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201639A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100837125B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2008-06-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 형상측정기 |
| KR100860246B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2008-09-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 캐리어 형상 측정기 |
| WO2009107741A1 (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 日本電気株式会社 | 半導体検査装置、半導体ウェハの位置合わせ方法、及び半導体ウェハの検査方法 |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP5990884A patent/JPS60201639A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100837125B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2008-06-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 형상측정기 |
| KR100860246B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2008-09-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 캐리어 형상 측정기 |
| KR100872755B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2008-12-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 캐리어 형상 측정기 |
| WO2009107741A1 (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 日本電気株式会社 | 半導体検査装置、半導体ウェハの位置合わせ方法、及び半導体ウェハの検査方法 |
| US8570056B2 (en) | 2008-02-28 | 2013-10-29 | Nec Corporation | Semiconductor inspection apparatus, semiconductor wafer positioning method, and semiconductor wafer inspection method |
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