JPS60193291A - High frequency heater - Google Patents

High frequency heater

Info

Publication number
JPS60193291A
JPS60193291A JP4850384A JP4850384A JPS60193291A JP S60193291 A JPS60193291 A JP S60193291A JP 4850384 A JP4850384 A JP 4850384A JP 4850384 A JP4850384 A JP 4850384A JP S60193291 A JPS60193291 A JP S60193291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
high frequency
radiating element
heating chamber
frequency
microstrip antenna
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4850384A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
泰 出口
宮崎 好文
柴田 芳隆
井上 雅善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP4850384A priority Critical patent/JPS60193291A/en
Publication of JPS60193291A publication Critical patent/JPS60193291A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (/D 産業上の利用分野 本発明は高周波加熱装置に関し、加熱室内に均一な電界
を作るための新規なる構造を提供せんとするものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (/D Field of Industrial Application) The present invention relates to a high-frequency heating device, and aims to provide a novel structure for creating a uniform electric field within a heating chamber.

(ロ)従来技術 一般に高周波加熱装置、所謂電子レンジにおいて、加熱
室への高周波の給電は高周波供給手段、例えばマグネト
ロンから発振された高周波を導波管を介して行われてい
る。しかしながら斯る給電方法では加熱室内に均一な電
界分布を作ることができないため、加熱室に載置された
被加熱物に焼はムラが生じる。そこで周知のスタラ等の
電波攪拌装置を備えた電子レンジ(特公昭59−445
5号公報)及び複数の給電口を有した電子レンジ(実開
昭5S−28198号公報)等が研究、開発されている
(B) Prior Art In general, in high-frequency heating devices, so-called microwave ovens, high-frequency power is supplied to the heating chamber by oscillating high-frequency waves from a high-frequency supply means, such as a magnetron, through a waveguide. However, with such a power supply method, it is not possible to create a uniform electric field distribution within the heating chamber, so that the object to be heated placed in the heating chamber is baked unevenly. Therefore, a microwave oven equipped with a radio stirring device such as the well-known Stara (Special Publication Publication No. 59-445)
5) and a microwave oven having a plurality of power feed ports (Japanese Utility Model Application Publication No. 5S-28198), etc., have been researched and developed.

しかし乍ら、前者の電子レンジでは加熱室内にスタラ等
の電波攪拌装置を装着せねばならず加熱室内の有効空間
が減少するという問題が生じ、また後者の電子レンジで
は給電口を複数設けるために導波管を分岐する必要がめ
るため、導波管占有空間が広が力電子レンジが加熱室の
大きさに比べて相対的に大型となる。
However, the former type of microwave oven requires a radio stirring device such as a stirrer to be installed inside the heating chamber, which reduces the effective space inside the heating chamber, and the latter type of microwave oven requires multiple power supply ports to be installed. Since it is necessary to branch the waveguide, the space occupied by the waveguide increases, and the microwave oven becomes relatively large compared to the size of the heating chamber.

(ハ)発明の目的 本発明の目的は、加熱室内の有効空間が広く、更に加熱
室内の電界分布が均一となる新規な高周波加熱装置を提
供するものである。
(c) Object of the Invention An object of the present invention is to provide a novel high-frequency heating device that has a large effective space within the heating chamber and has a uniform electric field distribution within the heating chamber.

に)発明の構成 本発明の高周波加熱装置は、加熱室、該加熱室に配設さ
れると共に高周波放射素子を有するマイクロストリップ
アンテナ、該アンテナの放射素子よシ上記加熱室内に高
周波を供給する高周波発振器からなることを特徴とする
B) Structure of the Invention The high-frequency heating device of the present invention comprises: a heating chamber; a microstrip antenna disposed in the heating chamber and having a high-frequency radiating element; It is characterized by consisting of an oscillator.

(ホ)実 施 例 本発明の特徴は、高周波発振器から発振された高周波を
、放射素子が形成でれたマイクロストリップアンテナを
用いて加熱室に供給することである。第1図A及びBd
、斯るマイクロストリップアンテナ(1)の第1の形態
を示し、(2)は誘電体からなる基板、(3バ3〕・・
・は導体からなる矩形状の高周波放射素子、(4)は該
放射素子を連結する伝送線、(5)は放射素子(3)へ
の高周波供給口となる供給線であり、これら放射素子(
3)、伝送線(4)及び供給線(5)は、所定形状で基
板(2)の−主面に形成されている。
(E) Embodiment A feature of the present invention is that high frequency waves oscillated from a high frequency oscillator are supplied to the heating chamber using a microstrip antenna in which a radiating element is formed. Figure 1 A and Bd
, shows the first form of such a microstrip antenna (1), (2) is a substrate made of a dielectric material, (3 bars 3)...
・ is a rectangular high-frequency radiating element made of a conductor, (4) is a transmission line connecting the radiating element, (5) is a supply line serving as a high-frequency supply port to the radiating element (3), and these radiating elements (
3) The transmission line (4) and the supply line (5) are formed in a predetermined shape on the -main surface of the substrate (2).

(6)は基板(2)の他主面の全面に形成された導体か
らなる接地導体である。
(6) is a ground conductor formed on the entire other main surface of the substrate (2).

而して、各放射素子(3)は予定の周波数の高周波に対
する共振器となるような形状を呈しておシ、従って供給
線(5)より供給される高周波は、各放射素子f3Jか
ら図中矢印方向へ指向性よく放射される。
Each radiating element (3) has a shape that acts as a resonator for high frequency waves at a predetermined frequency. Therefore, the high frequency wave supplied from the supply line (5) is transmitted from each radiating element f3J to the direction shown in the figure. Emitted with good directionality in the direction of the arrow.

本発明は、斯る指向性を有する高周波を用いて被加熱物
の加熱を行なわんとするものでメジ、纂2図及び第3図
は本発明の一実施例を示す。11Gは加熱室であり、該
加熱室の天面中央付近には、マイクロストリップアンテ
ナ(1)がその接地導体(6)を上記天面に対向せしめ
るように配設されている。
The present invention aims to heat an object to be heated using high frequency waves having such directivity. Figures 2 and 3 show one embodiment of the present invention. 11G is a heating chamber, and a microstrip antenna (1) is arranged near the center of the top surface of the heating chamber so that its ground conductor (6) faces the top surface.

Uは導波管、(1zは該導波管の内部に配置された導体
からなる台形状のりッジである。マイクロストリップア
ンテナ(1)は、導波管1υ及びリッジα2Vcよって
挟持固定され、従って接地導体(6)は導波管aυと、
また供給線(5)はリッジ醤と夫々電気的に接続されて
いる。(13は導波管Uυに高周波を供給する高周波発
生器でめるマグネトロン、(14は鮫マグネトロン及び
その駆動回路(図示せず)等が配される電装室でめる。
U is a waveguide, (1z is a trapezoidal ridge made of a conductor placed inside the waveguide. The microstrip antenna (1) is clamped and fixed by the waveguide 1υ and the ridge α2Vc, Therefore, the ground conductor (6) is connected to the waveguide aυ,
Further, the supply lines (5) are electrically connected to the ridge sauce, respectively. (13 is a magnetron containing a high frequency generator that supplies high frequency waves to the waveguide Uυ, (14 is an electrical equipment room where a shark magnetron and its drive circuit (not shown), etc. are arranged.

而して、マグネトロン(131cて発生せしめられる2
450MHzの高周波は、導波管aυを介して供給線(
5)に伝達され、更に放射素子(3) K供給される。
Therefore, the magnetron (2 generated by 131c)
The high frequency of 450MHz is transmitted via the waveguide aυ to the supply line (
5) and is further supplied to a radiating element (3).

そして、放射素子(3)が加熱室[1ff内に高周波を
放射することによって、加熱室頭内に載置される被加熱
物が加熱される。なお、リッジa2はマイクロストリッ
プアンテナ(1)と導波管LDとのインピーダンス整合
を良好になすものである。
Then, the radiation element (3) radiates high frequency waves into the heating chamber [1ff], thereby heating the object placed in the head of the heating chamber. Note that the ridge a2 provides good impedance matching between the microstrip antenna (1) and the waveguide LD.

以下、マイクロストリップアンテナ(1)の具体例につ
いて第4図を参照して説明する。基板(2)は厚さh=
1.58n、幅W o = 56.0 ” s誘電率ξ
r=2.5のテフロン板でるる。接地導体(6)は基板
(2)の裏面側の全面に積層形成された銅膜であり、放
射素子(3)、伝送線(4)及び供給線(5)は基板(
2)の表面側に積層形成された銅膜をエツチング除去す
ることにより形成される。
A specific example of the microstrip antenna (1) will be described below with reference to FIG. The substrate (2) has a thickness h=
1.58n, width W o = 56.0”s dielectric constant ξ
Teflon plate with r=2.5. The grounding conductor (6) is a copper film laminated over the entire back side of the substrate (2), and the radiating element (3), transmission line (4) and supply line (5) are connected to the substrate (2).
2) is formed by etching away the copper film laminated on the surface side.

まず、放射素子(3)について説明する。このような矩
形状放射素子(3)VCツイテ、IEEE TRANS
ACTIONS ON ANTENNA AND PR
OPAGATIONOVoL、AP −30NQ2 M
ARCH,1982に!れは、放射素子(3)の幅Wは
、 が理想でるる。ここで、λ0は放射素子(3)に供給さ
れる高周波波長であり、本実施例では12.2mでめる
。従って、幅Wは46.2ffとなる。また、放射素子
(3)の長さLは、 の時、周波数fに対して共振器となり、高周波を放射す
る。ただし、 Cは光速 でるる。従って、本実施例における長さLは38゜04
ffとなる。
First, the radiating element (3) will be explained. Such a rectangular radiating element (3) VC Twitter, IEEE TRANS
ACTIONS ON ANTENNA AND PR
OPAGATIONNOVoL, AP-30NQ2 M
ARCH, 1982! In this case, the ideal width W of the radiating element (3) is as follows. Here, λ0 is the high frequency wavelength supplied to the radiating element (3), which is 12.2 m in this example. Therefore, the width W is 46.2ff. Further, when the length L of the radiating element (3) is, it becomes a resonator for the frequency f and radiates a high frequency. However, C travels at the speed of light. Therefore, the length L in this example is 38°04
ff.

ところで、本発明はマイクロストリップアンテナ(1)
を使用した加熱器であり、基板(2)は温度上昇し、そ
の誘電率が減少する。従って、本実施例では、斯る誘電
率の減少を考慮して放射素子(3)の形状を幅W= 5
 a O”s長さL=37.95g−とすることによっ
て、2450MHzの周波数に対する共振を得てhる。
By the way, the present invention is a microstrip antenna (1)
The temperature of the substrate (2) increases and its dielectric constant decreases. Therefore, in this example, the shape of the radiating element (3) is changed to a width W=5 in consideration of such a decrease in dielectric constant.
By setting the length L=37.95g-, resonance for the frequency of 2450MHz is obtained.

伝送線(4)は、各放射素子(3)の間で高周波の反射
を生せしめることなく高周波を伝搬させるものであり、
高周波波長の1/、の長さにする必要がある。ここで、
マイクロストリップアンテナ(1)を伝搬すると、高周
波の波長λSは、λ0/u1となり、また上述の如く誘
電率ξrの減少を考慮して、本実施例では、伝送線(4
)は、長さ40.9鱈、幅5.1絹としている。
The transmission line (4) propagates high frequencies without causing reflection of high frequencies between each radiating element (3),
It is necessary to make the length 1/ of the high frequency wavelength. here,
When propagating through the microstrip antenna (1), the wavelength λS of the high frequency becomes λ0/u1, and considering the decrease in the dielectric constant ξr as described above, in this embodiment, the transmission line (4
) has a length of 40.9 cod and a width of 5.1 silk.

供給線(5)はマグネトロン03により発振された高周
波を、導波管αυ及びリッジ(121を介して受信し、
放射素子(3)VC伝搬させるものである。(第3図)
供給線(5)は、その幅が広すぎると、放射素子(3)
の電波放射に悪影響を及ぼし、また狭いと高周波の伝搬
効率が悪化すると共に、供給線(5)から電気力線が外
部へ漏洩し、スパークを生じ、供給線(5)が溶断する
虞れがある。
The supply line (5) receives the high frequency wave oscillated by the magnetron 03 via the waveguide αυ and the ridge (121),
Radiating element (3) is for propagating VC. (Figure 3)
If the supply line (5) is too wide, the radiating element (3)
If it is narrow, the propagation efficiency of high frequency waves will deteriorate, and there is a risk that electric lines of force will leak from the supply line (5) to the outside, causing sparks and causing the supply line (5) to melt. be.

本発明者らに依れば、供給線(5)の幅Wは、放射素子
[3Jの幅Wの1/2以下ならば放射素子(3)の電波
放射効率を悪化せしめないことを実験的に見い出してい
る。更に、幅Wは12fi以上であれば、400Wの高
周波供給によってスパークは生じない。従って、本実施
例において、供給線の幅Wは、15tIとしている。ま
た、供給線(5)の長さlは0゜7λy〜1.2λ2の
範囲で放射素子(3)の高周波放射効率は良好である。
According to the inventors, it has been experimentally determined that the radio wave radiation efficiency of the radiating element (3) will not deteriorate if the width W of the supply line (5) is 1/2 or less of the width W of the radiating element [3J]. It has been found that Furthermore, if the width W is 12fi or more, no spark will be generated by the high frequency supply of 400W. Therefore, in this embodiment, the width W of the supply line is 15tI. Further, when the length l of the supply line (5) is in the range of 0°7λy to 1.2λ2, the high frequency radiation efficiency of the radiating element (3) is good.

なお、A2は基板(2)内における高周波の波長でるる
Note that A2 is the wavelength of the high frequency within the substrate (2).

第5図は、本実施例加熱装置及び従来の電子し/ジの加
熱特性を示す。斯る加熱特性は、200m1の水をと一
カに入れ、加熱時間に対する水温変化を示すもので、実
線a及びbは本実施例のもので、aFi第2第2中B中
点にビー力を配置した一合、bVi同図中のす、avc
ビーカを配置した場合を表わす。また、破線は従来の電
子レンジのものである。この図から明らかな如く、本実
施例の加熱装置は、従来の電子レンジの場合とほとんど
変わらない効率で加熱を行なうことができる〇第6図は
、本実施例の加熱装置に用いられる第2の形態のマイク
ロストリップアンテナ12G’に示している。斯るマイ
クロストリップアンテナ■は、誘電体からなる基板c2
υが略正方形の基部C21&)と該基部から突出した突
出部(21b)とからなる。放射素子(2り122+・
・・は基部(21L)の表面に伝送線(ハ)に連結され
た状態で形成され、また供給線(24Iは突出部(21
b)の表面に形成されている。
FIG. 5 shows the heating characteristics of the heating device of this embodiment and the conventional electronic heater. Such heating characteristics show the change in water temperature with respect to heating time when 200 ml of water is put in a pot.The solid lines a and b are for this example, and the bee force is at the midpoint of aFi 2nd 2nd middle B. , bVi in the same figure, avc
This shows the case where a beaker is placed. Moreover, the broken line is that of a conventional microwave oven. As is clear from this figure, the heating device of this embodiment can perform heating with almost the same efficiency as that of a conventional microwave oven. A microstrip antenna 12G' having the form shown in FIG. Such a microstrip antenna ■ has a substrate c2 made of a dielectric material.
υ consists of a substantially square base C21&) and a protrusion (21b) protruding from the base. Radiating element (2 122+・
... is formed on the surface of the base (21L) in a state connected to the transmission line (C), and the supply line (24I) is formed on the surface of the base (21L), and the supply line (24I is connected to the protrusion (21L)).
b) is formed on the surface.

斯るマイクロストリップアンテナ!20)でハ、基部(
21a)ic対する位置に集中的に高周波が放射される
こととなり、集中加熱を行なうことができる0 このように、マイクロストリップアンテナはそが の形状に制限はなく、自由に決定することがで朴(へ)
発明の効果 本発明は、加熱室内にマイクロストリップアンテナを配
設し、斯るアンテナにて高周波を放射せしめるよI)に
構成したもので、従来のようにスタン等の電波攪拌装置
を除去することができ、加熱室内の有効空間を広く且つ
加熱ムラを解消することが可能でるる。
Such a microstrip antenna! 20) and the base (
21a) High frequency waves are concentratedly radiated to the position relative to the IC, and concentrated heating can be performed. In this way, there is no restriction on the shape of the microstrip antenna, and it can be freely determined. (fart)
Effects of the Invention The present invention is configured as shown in I) in which a microstrip antenna is disposed within a heating chamber and high frequency waves are radiated from the antenna, and a radio wave agitation device such as a stun as in the prior art is removed. This makes it possible to widen the effective space within the heating chamber and eliminate uneven heating.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図は本発明の実施例を示し、第1図A、B及びff14
[Ni BHマイクロストリップアンテナの第1の形態
を示す上面図と断面図、第2図A%Bは高周波加熱装置
を示す側面断面図及び上面断面図、第3図A1Bは第2
図の要部を示す側面断面図及び上面断面図、第5図は加
熱特性を示す特性図、第6図はマイクロストリップアン
テナの第2の形態を示す上面図である。 (1)(4)・・・マイクロストリップアンテナ、(2
)Qυ・・・基板、(3)(支)・・・放射素子、+4
3(23+・・・伝送線、(5)(2)・・・供給線、
 II(1・・・加熱室、l]3・・・マグネトロン。 出願人三洋電機株式会社 代理人弁理士佐 野 静 夫 第2図 第3図
The figures show embodiments of the invention, and FIGS. 1A, B and ff14
[A top view and a sectional view showing the first form of the Ni BH microstrip antenna, FIG. 2 A%B is a side sectional view and a top sectional view showing the high frequency heating device, and FIG.
FIG. 5 is a characteristic diagram showing heating characteristics, and FIG. 6 is a top view showing a second form of the microstrip antenna. (1)(4)...Microstrip antenna, (2
)Qυ...Substrate, (3) (support)...Radiating element, +4
3 (23+...transmission line, (5)(2)...supply line,
II (1...Heating chamber, l]3...Magnetron. Applicant Sanyo Electric Co., Ltd. Patent attorney Shizuo Sano Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) 加熱室、該加熱室に配設されると共に高周波放
射素子を有するマイクロストリップアンテナ、該アンテ
ナの放射素子より上記加熱室内に高周波を供給する高周
波発振器からなることを特徴とする高周波加熱装置。
(1) A high-frequency heating device comprising a heating chamber, a microstrip antenna disposed in the heating chamber and having a high-frequency radiating element, and a high-frequency oscillator that supplies high-frequency waves into the heating chamber from the radiating element of the antenna. .
JP4850384A 1984-03-13 1984-03-13 High frequency heater Pending JPS60193291A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4850384A JPS60193291A (en) 1984-03-13 1984-03-13 High frequency heater

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4850384A JPS60193291A (en) 1984-03-13 1984-03-13 High frequency heater

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60193291A true JPS60193291A (en) 1985-10-01

Family

ID=12805181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4850384A Pending JPS60193291A (en) 1984-03-13 1984-03-13 High frequency heater

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60193291A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0315134U (en) * 1989-06-22 1991-02-15

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5276751A (en) * 1975-11-07 1977-06-28 Philips Nv Microwave furnace
JPS5840796A (en) * 1981-09-02 1983-03-09 三洋電機株式会社 Electronic range

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5276751A (en) * 1975-11-07 1977-06-28 Philips Nv Microwave furnace
JPS5840796A (en) * 1981-09-02 1983-03-09 三洋電機株式会社 Electronic range

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0315134U (en) * 1989-06-22 1991-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4571473A (en) Microwave applicator for frozen ground
JPH0878931A (en) Antenna unit
KR890004467A (en) Slot antenna
GB1573112A (en) Microwave oven
EP0085110A1 (en) High frequency heater
JP3064875B2 (en) High frequency heating equipment
JPS60193291A (en) High frequency heater
US3761938A (en) Ferrite dipole antenna radiator
JP7230802B2 (en) Microwave processor
JP2001016027A (en) Laminated aperture surface antenna
JPH02113702A (en) Microstrip line
JP4966649B2 (en) Microwave heating device
US3382501A (en) Elliptically or circularly polarized antenna
SU1665422A1 (en) Sheet radiating element of phase array
JPH10135727A (en) Coaxial resonance slot antenna
JP2007006197A (en) Antenna unit and electronic equipment
JPS60262387A (en) High frequency heater
JPS5840796A (en) Electronic range
JP2004023545A (en) Phase shifter
JP3243001B2 (en) Traveling waveform antenna
KR102141136B1 (en) High frequency band heating loop antenna and oven using the same
JP2003059639A (en) High frequency heater device
JPS61294789A (en) High frequency heater
JPS6359234B2 (en)
JPH0461471B2 (en)