JPS60182217A - Signal input circuit - Google Patents

Signal input circuit

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JPS60182217A
JPS60182217A JP59035941A JP3594184A JPS60182217A JP S60182217 A JPS60182217 A JP S60182217A JP 59035941 A JP59035941 A JP 59035941A JP 3594184 A JP3594184 A JP 3594184A JP S60182217 A JPS60182217 A JP S60182217A
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signal
circuit
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internal node
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Tetsuya Iizuka
飯塚 哲哉
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/096Synchronous circuits, i.e. using clock signals
    • H03K19/0963Synchronous circuits, i.e. using clock signals using transistors of complementary type

Abstract

PURPOSE:To prevent an output signal from being changed in a state change between the active and inactive states by disconnecting an inner node and an output node before a switch means inserted to a power voltage supply path is turned off. CONSTITUTION:When a selection signal changes from L to H, a transfer gate 30 is turned off before a signal CE1' is changed, the internal node 3 is disconnected from the output node 23 of an inverter 20. A signal Out of the node 3 after the disconnection is set to the original level by a latch signal of a latch circuit 5. Then the signal CE1' changes from L to H and an MOSFET24 is turned off. Even when a selection signal changes from H to L, the gate 30 is turned on before the signal CE1' is changed. Then the signal CE1' changes from H to L, the FET24 is turned on, and a signal of the node 23 corresponds to a signal in response to the input signal In. When the level of the signal at the node 23 and of the circuit 5 is the same, the level of the output Out is unchanged.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は集積回路、特に活性状態と非活性状態の2通
シの状態にされる集積回路の入力段に設けられる信号入
力回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an integrated circuit, and particularly to a signal input circuit provided at an input stage of an integrated circuit that is placed in two states, an active state and an inactive state.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

集積回路の入力段に設けられる信号入力回路としては、
従来第1図に示すようなものが良く知られている。この
第1図の信号入力回路は0M08回路を用いた集積回路
に用いられているものであり、回路の活性および非活性
状態を制御する選択信号CEに応じて信号入力回路10
の動作が制御される。すなわち、入力端子1に供給され
る入力信号Inは、それぞれ2個のPチャネルMO8F
ET 11 、12およびNチャネルMO8FET13
.14からなる佃°号入力回路10を介してインバータ
2に供給されている。このインバータ2の出力信号Ou
媚郡部ノードに供給されており、さらにこの内部ノード
3の信号Outは内部回路たとえば信号変化検出回路(
STD ) 4に供給されている。この信号変化検出回
路4は上記内部ノード3の信号Outの変化を検出して
パルス信号φを発生するものであシ、この信号φによっ
て他の内部回路の動作が制御されている。
As a signal input circuit provided at the input stage of an integrated circuit,
Conventionally, the one shown in FIG. 1 is well known. The signal input circuit shown in FIG. 1 is used in an integrated circuit using a 0M08 circuit, and the signal input circuit 10 is activated in response to a selection signal CE that controls the active and inactive states of the circuit.
operation is controlled. That is, the input signal In supplied to input terminal 1 is input to each of the two P-channel MO8Fs.
ET 11, 12 and N-channel MO8FET 13
.. The signal is supplied to the inverter 2 via a program code input circuit 10 consisting of 14 circuits. The output signal Ou of this inverter 2
Furthermore, the signal Out of this internal node 3 is supplied to the internal circuit, such as a signal change detection circuit (
STD) 4. This signal change detection circuit 4 detects a change in the signal Out at the internal node 3 and generates a pulse signal φ, and the operation of other internal circuits is controlled by this signal φ.

この回路において、いま選択信号CEが′L”にされ、
内部回路が活性化されているとき、信号入力回路10で
は、信号CFによりPチャネルMO8F’ET 11が
オン状態にされかつNチャネルMO8FET J 4が
オフ状態にされる。このため、信号入力回路10は単な
るインバータとして作用し、入力信号Inを反転する。
In this circuit, the selection signal CE is now set to 'L',
When the internal circuit is activated, in the signal input circuit 10, the P-channel MO8F'ET 11 is turned on and the N-channel MO8FET J4 is turned off by the signal CF. Therefore, the signal input circuit 10 acts as a mere inverter and inverts the input signal In.

このとき、入力信号Inに応じて内部ノード3の信号O
utが変化し、これによシ信号検出回路4がパルス信号
φを発生しかつ他の内部回路が制御される。
At this time, the signal O of the internal node 3 corresponds to the input signal In.
ut changes, which causes the signal detection circuit 4 to generate a pulse signal φ and other internal circuits to be controlled.

一方、信号CEが′H”にされ、内部回路が非活性化さ
れているとき、信号入力回路りでは信号CEによってP
チャネルMO8FET 11がオフ状態にされ、これに
よって電源電圧Vccの供給経路が遮断され、かつ信号
CEによってNチャネルMO8FET 14がオン状態
にされ、これによって信号入力回路すの出力ノード15
の信号が″L’にされる。このとき、入力信号Inは内
部ノード3から切9離され、信号変化検出回路4を含む
内部回路は全く動作せず、従って低消費電力化が達成さ
れる。
On the other hand, when the signal CE is set to 'H' and the internal circuit is inactivated, the signal input circuit is
The channel MO8FET 11 is turned off, thereby cutting off the supply path of the power supply voltage Vcc, and the N-channel MO8FET 14 is turned on by the signal CE, thereby causing the output node 15 of the signal input circuit
is set to "L". At this time, the input signal In is disconnected from the internal node 3, and the internal circuits including the signal change detection circuit 4 do not operate at all, thus achieving low power consumption. .

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

第1図回路において、信号CEが“L”にされていると
きには入力信号Inに応じて内部ノード3の信号Out
が変化するため、信号入力回路10、信号変化検出回路
4を始めとする他の内部回路で電力が消費されることは
止むを得ない。
In the circuit shown in FIG. 1, when the signal CE is set to "L", the signal Out of the internal node 3 corresponds to the input signal In.
As a result, power is inevitably consumed in other internal circuits including the signal input circuit 10 and the signal change detection circuit 4.

ところが、信号dが“L″から“H#に変化する際に、
仮に入力信号Inが′″L#であると、信号入力回路1
0の出力ノード15の信号は″H1から″L”に変化し
、内部ノード3の信号も″H”から′L″に変化する。
However, when the signal d changes from “L” to “H#”,
If the input signal In is ``L#'', the signal input circuit 1
The signal at the 0 output node 15 changes from "H1" to "L", and the signal at the internal node 3 also changes from "H" to "L".

すると、内部ノード3の信号Outや、4ルス信号φに
よって駆動される内部回路の消費電力が増加し、低消費
電力化の妨げとなる。そして特に問題なのは信号iがな
だらかに“L”から“H#に変化する場合である。信号
面の傾きが比較的小さいと、信号dが″L”と′″H#
の中間レベルでNチャネ5− ルMO8FET 14がオン状態になシ、出力ノード1
5の信号が1L#に落ちる。すると、信号変化検出回路
4や内部ノード3の信号Outによって駆動される内部
回路に電流が流れ、電源ライン特にVllの供給ライン
(アースライン)にノイズが乗F>、Vanの供給ライ
ンがわずかに浮いてしまうことがある。すると、信号C
Eの中間レベルが実効的に1L”のレベルとなJll、
NチャネルMO8FET 14がオフ状態に反転して出
力ノード15の信号が1H”に戻り、これによって再度
、信号変化検出回路4や内部回路に電流が流れる。信号
CEのレベルは順次上シ続けているので、信号CEは再
び@H”とみなされて出力ノード15の信号はまた@″
L”に落ち、また信号変化検出回路4や内部回路に電流
が流れる。このようなことは、非活性時にバッテリーに
よって電力を供給するいわゆるバッテリーバックアップ
システムなどでは極めて大きな問題となっている。
Then, the power consumption of the internal circuit driven by the signal Out of the internal node 3 and the 4th pulse signal φ increases, which becomes an obstacle to reducing power consumption. A particular problem is when the signal i changes smoothly from "L" to "H#".If the slope of the signal plane is relatively small, the signal d changes from "L" to "H#".
N-channel MO8FET 14 is not on at the intermediate level of output node 1.
5 signal falls to 1L#. Then, a current flows in the signal change detection circuit 4 and the internal circuit driven by the signal Out of the internal node 3, and noise is multiplied in the power supply line, especially the Vll supply line (earth line), and the Van supply line slightly increases. Sometimes it floats. Then, signal C
If the intermediate level of E is effectively the level of 1L,
The N-channel MO8FET 14 is inverted to the OFF state, and the signal at the output node 15 returns to 1H'', which causes current to flow through the signal change detection circuit 4 and the internal circuit again.The level of the signal CE continues to rise sequentially. Therefore, the signal CE is again regarded as @H" and the signal at the output node 15 is again @"
This causes a current to flow through the signal change detection circuit 4 and internal circuits. This is an extremely serious problem in so-called battery backup systems that supply power from a battery when inactive.

6− 〔発明の目的〕 この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その目的とするところは、活性状態から非活性状
態に移行する際もしくはその反対の状態に移行する際に
、出力信号が変化することがない信号入力回路を提供す
ることにある。
6- [Object of the Invention] This invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to provide a method for changing the state from an active state to an inactive state or vice versa. The object of the present invention is to provide a signal input circuit in which the output signal does not change.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

上記目的を達成するためこの発明にあっては、入力信号
を受ける第1のr−)回路と、この第1のゲート回路の
電源電圧供給経路に介在され活性、非活性を選択する第
1の制御信号に応じて導通制御されるトランジスタと、
上記第1のダート回路の出力ノードと内部ノードとの間
に挿入され第2の制御信号によって制御される第2のダ
ート回路と、内部ノードの信号をラッチするラッチ回路
と、上記トランジスタが導通状態にされているときには
上記第2のダート回路を活性状態にし、トランジスタが
非導通状態にされているときには第2のダート回路を非
活性状態にし、しかも上記トランジスタが導通状態から
非導通状態にされる際にこのトランジスタが非導通状態
となる前に鎖2のデート回路を活性状態から非活性状態
にするような関係を保つように上記第1.第2の制御信
号を発生する制御信号発生回路とを具備した信号入力回
路が提供されている。
In order to achieve the above object, the present invention includes a first r-) circuit which receives an input signal, and a first r-) circuit which is interposed in the power supply voltage supply path of the first gate circuit and which selects activation or inactivation. a transistor whose conduction is controlled according to a control signal;
a second dart circuit inserted between the output node of the first dart circuit and the internal node and controlled by a second control signal; a latch circuit that latches a signal at the internal node; and a transistor in a conductive state. When the transistor is in the non-conducting state, the second dirt circuit is activated, and when the transistor is in the non-conducting state, the second dirt circuit is inactive, and the transistor is changed from the conducting state to the non-conducting state. In order to maintain a relationship such that the date circuit of chain 2 changes from the active state to the inactive state before this transistor becomes non-conductive. A signal input circuit is provided that includes a control signal generation circuit that generates a second control signal.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。第
2図はこの発明の信号入力回路の一実施例による構成を
示す回路図である。入力端子1に供給される入力信号I
nはインバータL!に供給される。このインバータUは
、PチャネルMO8FET j JおよびNチャネルM
O8FET 22を電源電圧Vac印加点とアース点と
の間に直列挿入して構成されておシ、上記MO8FET
 2 J 。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the signal input circuit of the present invention. Input signal I supplied to input terminal 1
n is inverter L! supplied to This inverter U consists of P-channel MO8FET j J and N-channel M
It is constructed by inserting O8FET 22 in series between the power supply voltage Vac application point and the ground point, and the above MO8FET
2 J.

22のダートに並列的に入力される上記入力信号!ユに
応じた信号を、その直列接続点である出力ノード23か
ら出力する。さらに上記インバータ20のPチャネルM
O8FET 21と電圧Vcc印加点との間にはPチャ
ネルMO8FET 、? (が挿入されておシ、このM
OSFET 24のダートには制御信号CE1が供給さ
れている。上記インバータ20の出力ノード23と内部
ノード3との間には、PチャネルMO8FET 31お
よびNチャネルMO8FET32を並列接続して構成さ
れているトランスフアf−ト30が挿入されている。こ
のトランスファグートリ内のPチャネルMO8IT 3
1のダートには制御信号CE2が、NチャネルMO8F
ET32のダートにはこれと相補な関係の制御信号CE
2がそれぞれ供給されている。また、上記内部ノード3
には、この内部ノード3の信号Outをラッチしそのラ
ッチ信号を再び内部ノード3に供給するラッチ回路5が
接続されている。さらに第2図において40は上記信号
CE1 、 CF2゜iを発生する制御信号発生回路で
あシ、直列接続されている6個のインバータ41〜46
は、この回路の活性、非活性を選択する選択信号iから
上記制御信号量を形成するためのものであり、直列接続
されている2個のインバータ9− 47.48は、上記信号Cから上記制御信号CE2およ
び偶を形成するためのものである。
The above input signal is input in parallel to 22 darts! A signal corresponding to Y is output from the output node 23, which is the series connection point. Furthermore, the P channel M of the inverter 20
A P-channel MO8FET is connected between the O8FET 21 and the voltage Vcc application point. (is inserted, this M
A control signal CE1 is supplied to the dart of OSFET 24. A transfer circuit 30 is inserted between the output node 23 of the inverter 20 and the internal node 3, and is constructed by connecting a P-channel MO8FET 31 and an N-channel MO8FET 32 in parallel. P channel MO8IT 3 in this transfer tree
Control signal CE2 is applied to dart No. 1, and N channel MO8F
The dart of ET32 has a control signal CE that is complementary to this.
2 are supplied respectively. In addition, the above internal node 3
A latch circuit 5 is connected to which latches the signal Out of the internal node 3 and supplies the latch signal to the internal node 3 again. Furthermore, in FIG. 2, 40 is a control signal generation circuit that generates the above-mentioned signals CE1 and CF2゜i, and includes six inverters 41 to 46 connected in series.
is for forming the above-mentioned control signal amount from the selection signal i that selects activation or inactivation of this circuit, and the two inverters 9-47 and 48 connected in series This is for forming the control signal CE2 and the signal.

上記構成でなる信号入力回路において、予め選択信号C
Eが”L”にされている場合、インノ9−夕46の出力
信号として得られる制御信号i1は1L′に、インバー
タ47の出力信号として得られる制御信号CE2は1H
”に、インノ々−タ48の出力信号として得られる制御
信号CE2は″L2にそれぞれされている。したがって
、上記制御信号cg1により制御されるMO8FET2
4はオン状態にされ、インバータ20は入力信号Inを
反転して出力ノード23に供給する。
In the signal input circuit having the above configuration, the selection signal C
When E is set to "L", the control signal i1 obtained as the output signal of the inverter 46 becomes 1L', and the control signal CE2 obtained as the output signal of the inverter 47 becomes 1H.
``, the control signal CE2 obtained as the output signal of the inverter 48 is set to ``L2,'' respectively. Therefore, MO8FET2 controlled by the above control signal cg1
4 is turned on, and the inverter 20 inverts the input signal In and supplies it to the output node 23.

一方、上記制御信号CE2 * CF2によ多制御され
るトランスファゲート30もオン状態にされ、上記イン
バータ20の出力ノード23の信号がこのトランスファ
ゲート30を介して内部ノード3に供給される。そして
この内部ノード3の信号Outはう、子回路5でラッチ
される。また、上記とは逆に、予め選択信号CEが@H
”にされている場合には制御信号CE1 、 CF2 
、 CF2はそ10− れぞれ“H”、′L”、″H’にされている。
On the other hand, the transfer gate 30 controlled by the control signal CE2*CF2 is also turned on, and the signal at the output node 23 of the inverter 20 is supplied to the internal node 3 via the transfer gate 30. The signal Out of this internal node 3 is then latched by the child circuit 5. Also, contrary to the above, if the selection signal CE is @H
”, the control signals CE1, CF2
, CF2 are set to "H", 'L', and 'H', respectively.

したがってこのとき、MOSFET 24およびトラン
スファゲート30はオフ状態にされ、内部ノード3の信
号Outはラッチ回路5のラッチ信号によって元のレベ
ルに保持されている。
Therefore, at this time, MOSFET 24 and transfer gate 30 are turned off, and signal Out at internal node 3 is held at its original level by the latch signal of latch circuit 5.

次に選択信号CEがL#の状態からなだらかに′H”に
変化したとする。信号CFが“L″から′H”に向って
変化する場合には、信号CE1が変化するよシも先に信
号CE2がH#から@L#に変化しかつ信号CE2が”
L”からH#に変化する。これによシ、トランスファダ
ート30がオフ状態にされて、内部ノード3はインパー
タリの出力ノード23から切り離される。切シ離された
後の内部ノード3の信号Outはラッチ回路5のラッチ
信号によって元のレベルに設定される。この後、信号C
E1が1L”から1H”に変化してMOSFET x 
4がオフ状態にされ、インパータリの低消費電力化が行
なわれる。そして上We MOSFET 24がオフ状
態にされるとき、インバータLAの出力ノード23け内
部ノード3から既に切シ離されているので、内部ノード
3の信号Outは上記出力ノード23の信号によらずラ
ッチ回路5によって一定に保持される。
Next, assume that the selection signal CE changes smoothly from the L# state to 'H'.When the signal CF changes from 'L' to 'H', the signal CE1 changes first. , the signal CE2 changes from H# to @L# and the signal CE2 changes from "
The transfer dart 30 is turned off and the internal node 3 is disconnected from the output node 23 of the internal node 23.The signal Out of the internal node 3 after being disconnected is is set to the original level by the latch signal of the latch circuit 5. After that, the signal C
E1 changes from 1L" to 1H" and MOSFET x
4 is turned off, and the power consumption of the internal circuitry is reduced. When the upper We MOSFET 24 is turned off, the output node 23 of the inverter LA has already been disconnected from the internal node 3, so the signal Out at the internal node 3 is latched regardless of the signal at the output node 23. It is held constant by circuit 5.

次に選択信号CFが” H″′の状胛からなだらかに″
L”に変化したとする。この場合にも信号CE1が変化
するよりも先に信号CE2が′L#から“H”に変化し
かつ信号CE2が“H”から”L”に変化する。これに
より、いままでオフ状態にされていたトランスファゲー
ト30がオン状態にされる。この後、信号CE1が1H
”からL”に変化してMOSFET 24がオン状態に
され、出力ノード23の信号は入力信号Inに応じたも
のにされる。このとき、出力ノード23の信号がラッチ
回路5のラッチ信号と異なるレベルに変化していれば内
部ノード3の信号Outは当然変化するが、両信号のレ
ベルが同じであればOutのレベルは変化しない。
Next, the selection signal CF gradually changes from the "H" state to "
In this case, too, the signal CE2 changes from 'L#' to "H" before the signal CE1 changes, and the signal CE2 changes from "H" to "L". As a result, the transfer gate 30 that has been in the off state is turned on.After this, the signal CE1 becomes 1H.
The MOSFET 24 is turned on by changing from "to L", and the signal at the output node 23 is made to correspond to the input signal In. At this time, if the signal at the output node 23 changes to a different level from the latch signal of the latch circuit 5, the signal Out at the internal node 3 naturally changes, but if the levels of both signals are the same, the level of Out changes. do not.

このように上記実施例回路によれば、入力信号Inを受
けるインバータ20の電源電圧供給にMOSFET 2
4を介在させ、このMOSFET 24を選択信号面に
応じてオフ状態にする前に、インパータリの出力ノード
23と内部ノード3との間に挿入されたトランスファグ
ートリをオフ状態にして内部ノード3を出力ノード23
から切り離し、切り離した後は内部ノード3の信号01
1 tのレベル設定をラッチ回路5で行表うようにした
ので、活性状態から非活性状態に移行する際もしくはそ
の反対の状態に移行する際の出力信号の変化を防ぐこと
ができる。このため、内部ノード3の信号Outによっ
て動作が制御される内部回路に無駄な電流が流れないの
で低消費電力化が達成でき、パッテリパックア、デなど
の応用が容易となる。
In this way, according to the above embodiment circuit, the MOSFET 2 is used to supply the power supply voltage to the inverter 20 that receives the input signal In.
4, and before turning off this MOSFET 24 according to the selected signal plane, the transfer gate inserted between the output node 23 of the indirection and the internal node 3 is turned off, and the internal node 3 is turned off. Output node 23
After disconnecting, signal 01 of internal node 3
Since the level setting of 1t is performed by the latch circuit 5, it is possible to prevent the output signal from changing when transitioning from an active state to an inactive state or vice versa. Therefore, no wasteful current flows through the internal circuit whose operation is controlled by the signal Out of the internal node 3, so that low power consumption can be achieved, and applications such as battery packs and devices can be facilitated.

第3図はこの発明の他の実施例による構成を示す回路図
である。この実施例回路が前記第2図のものと異なって
いるところは、インパータリの出力ノード23とアース
点との間に、前記制御信号CE1がf−)に入力される
NチャネルMO8FET 25が接続されている点と、
インバータ20の出力ノード23と内部ノード3との間
13− に前記トランスファグートリの代シにダート回路−SO
が挿入されている点にある。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration according to another embodiment of the present invention. The difference between this embodiment circuit and the one in FIG. 2 is that an N-channel MO8FET 25 to which the control signal CE1 is input to f-) is connected between the output node 23 of the indirection and the ground point. and
A dirt circuit -SO is connected between the output node 23 of the inverter 20 and the internal node 3 in place of the transfer gate.
It is at the point where is inserted.

上記ダート回路旦は、PチャネルMO8F’ET51お
よびNチャネルMO8FET 52を電源電圧vcc印
加点とアース点との間に直列挿入して構成されているイ
ンバーター5B−と、このインバータ53のPチャネル
MO8F’ET 51と電圧■。。印加点との間に挿入
されダートに前記制御信号CE2が供給されるPチャネ
ルMO8FET 54とから構成されている。
The above-mentioned dirt circuit includes an inverter 5B-, which is configured by inserting a P-channel MO8F'ET51 and an N-channel MO8FET 52 in series between the power supply voltage vcc application point and the ground point, and the P-channel MO8F' of this inverter 53. ET 51 and voltage ■. . A P-channel MO8FET 54 is inserted between the control signal CE2 and the voltage application point and is supplied with the control signal CE2.

この実施例回路において、信号CE1が”L”から″H
1に変化するとき、MOSFET 2 aはオフ状態、
MOSFET 25はオン状態となシ、インバータ20
の出力ノード23の信号は入力信号Inにかかわらず@
L′にされる。これによってr−・ト回路50内のPチ
ャネルMO8FET 5 Jがオン状態にされるが、出
力ノード23の信号が@L”にされる前に信号CE2に
よってf−)回路5゜内のもう1つのPチャネルMO8
FET 5 aがオフ状態にされているので、内部ノー
ド3の信号Outのレベルは変化しない。
In this embodiment circuit, the signal CE1 changes from "L" to "H".
When it changes to 1, MOSFET 2a is in the off state,
MOSFET 25 is in the on state, inverter 20
The signal at the output node 23 of is @ regardless of the input signal In.
It is set to L'. As a result, the P-channel MO8FET 5J in the r-.circuit 50 is turned on, but before the signal at the output node 23 is brought to @L'', the other MO8FET in the f-) circuit 50 is turned on by the signal CE2. Two P-channel MO8
Since FET 5a is turned off, the level of signal Out at internal node 3 does not change.

14− 一方、何月CElが′H#から′L#に変化するとき、
MOSFET 25がオフ状態に、MOSFET 24
がオン状態にされ、インバータはが活性化される。また
信号CE2はCElよりも先に′H”から′L”に変化
し、インバータ辷が予め活性化されているので、入力信
号Inに応じた出力ノード23の信号がラッチ回路5の
ラッチ信号と異なるレベルに変化していれば内部ノード
3の信−@Outは当然変化するが、両レベルが同じで
あればOutのレベルは変化しない。
14- On the other hand, when CEL changes from 'H# to 'L#,
MOSFET 25 is in the off state, MOSFET 24
is turned on and the inverter is activated. Further, the signal CE2 changes from 'H' to 'L' before CEl, and the inverter is activated in advance, so that the signal at the output node 23 corresponding to the input signal In becomes the latch signal of the latch circuit 5. If they change to different levels, the signal -@Out of the internal node 3 naturally changes, but if both levels are the same, the level of Out does not change.

第4図は上記各実施例回路で用いられるラッチ回路5の
1つの具体的構成を示す回路図である。この回路はVc
c印加点とアース点との間に直列挿入されたPチャネル
MO8FET 61 、62それぞれとNチャネルMO
8FET 63 、64それぞれとからなる2個のイン
バータ辷、すを用いたフリップフロッゾ回路である。こ
のラッチ回路では、出力端子が内部ノード3に接続され
ている方のインバータ辷の内部ノード3に対する電流供
給能力を、第2図の実施例回路におけるトランスファダ
ートuのそれよシも、あるいは第3図の実施例回路にお
けるff−)回路Uのそれよりも小さく設定する必要が
ある。その理由は、インバータ辷の活性時に、出力ノー
ド23の信号に応じて内部ノード3の信号Outを自由
に設定する必要があるからである。
FIG. 4 is a circuit diagram showing one specific configuration of the latch circuit 5 used in each of the above embodiment circuits. This circuit is Vc
c P-channel MO8FETs 61 and 62 inserted in series between the application point and the ground point, respectively, and the N-channel MO
This is a flip frozzo circuit using two inverters each consisting of 8FETs 63 and 64. In this latch circuit, the current supply capability to the internal node 3 of the inverter whose output terminal is connected to the internal node 3 is different from that of the transfer dart u in the embodiment circuit of FIG. It is necessary to set it smaller than that of the ff-) circuit U in the example circuit shown in the figure. The reason for this is that when the inverter is active, it is necessary to freely set the signal Out at the internal node 3 according to the signal at the output node 23.

第5図はラッチ回路5の他の具体的構成を示す回路図で
ある。この回路は、vcc印加点とアース点との間にP
チャネルMO8FET 71および2つのNチャネルM
O8FET 72 、73を直列挿入してなる第1の直
列回路74と、この直列回路LJ内のMOSFET 7
 J 、 72の直列接続点75とvcc印加点との間
に接続されるPチャネルMO8FET 76と、voe
印加点とアース点との間にPチャネルMO8FET 7
7および2つのNチャネルMO8F’ET 78 、7
9を直列挿入して々る第2の直列回路80とから構成さ
れ、上記MO8FET 71 。
FIG. 5 is a circuit diagram showing another specific configuration of the latch circuit 5. This circuit has P between the vcc application point and the ground point.
Channel MO8FET 71 and two N-channel M
A first series circuit 74 formed by inserting O8FETs 72 and 73 in series, and a MOSFET 7 in this series circuit LJ.
P-channel MO8FET 76 connected between the series connection point 75 of J, 72 and the vcc application point, and the voe
P-channel MO8FET 7 between application point and ground point
7 and two N-channel MO8F'ET 78,7
9 inserted in series, and a second series circuit 80 in which MO8FET 71 is inserted in series.

72のダートには前記内部ノード3の信号Outが供給
され、MOSFET 73 、76のダートには前記制
御信号CE2が供給され、上記MO8F’ET 77 
The signal Out of the internal node 3 is supplied to the dart of MOSFET 72, the control signal CE2 is supplied to the dart of MOSFET 73 and 76, and the MO8F'ET 77 is supplied with the control signal CE2.
.

78のダートには上記第1の直列回路74内の直列接続
点75の信号が供給され、上記MO8FET79のr−
トには前記制御信号CE1が供給され、第2の直列回路
り内のMOSFET 77 、78の直列接続点81の
信号は内部ノード3に供給されている。
The signal at the series connection point 75 in the first series circuit 74 is supplied to the dart 78, and the r-
The control signal CE1 is supplied to the internal node 3, and the signal at the series connection point 81 of the MOSFETs 77 and 78 in the second series circuit is supplied to the internal node 3.

このような構成のラッチ回路は、前記制御信号CE1 
e CF2が″L”にされ、前記インバータ20等が活
性化されているとき、MOSFET 76がオン状態に
され、第1の直列回路ユ内の直列接続点75の信号は内
部ノード3の信号Outにかかわらず′H”にされる。
The latch circuit having such a configuration has the control signal CE1
e When CF2 is set to "L" and the inverter 20 etc. are activated, the MOSFET 76 is turned on, and the signal at the series connection point 75 in the first series circuit unit becomes the signal Out at the internal node 3. It is set to 'H' regardless of the condition.

したがって、第2の直列回路80内のPチャネルMO8
FKT 77はオフ状態にされる。このとき、信号CE
1によj5NチャネルMO8FET 79もオフ状態に
されているので、このラッチ回路の出力端となる第2の
直列回路LJ内の直列接続点8ノは浮遊状態となる。
Therefore, the P-channel MO8 in the second series circuit 80
FKT 77 is turned off. At this time, the signal CE
1, the j5N channel MO8FET 79 is also turned off, so the series connection point 8 in the second series circuit LJ, which is the output end of this latch circuit, is in a floating state.

したがって、この場合に内部ノード3の信号Outは第
2図中もしくは第3図中のインバータ20によって自由
に設定される。次に信号CEl17− が“L”から″H#に変化するよりも先に信号量が”L
″から“L″に変化し、MOSFET 73がオン状態
、MOSFET 76がオフ状態にされ、第1の直列回
路7(によってその直列接続点75の信号が内部ノード
3の信号Outに応じてレベル設定される。その後、信
号CE1が1H”にされることによってMOSFET 
79がオン状態にされ、これによシ、第1.第2の直列
回路74.80によってラッチ状態に入る。
Therefore, in this case, the signal Out of the internal node 3 can be freely set by the inverter 20 in FIG. 2 or 3. Next, before the signal CEl17- changes from “L” to “H#”, the signal amount changes to “L”.
” to “L”, MOSFET 73 is turned on, MOSFET 76 is turned off, and the level of the signal at the series connection point 75 of the first series circuit 7 is set according to the signal Out of the internal node 3. Then, by setting the signal CE1 to 1H", the MOSFET
79 is turned on, which causes the first. A latched state is entered by the second series circuit 74.80.

ないので、第4図の場合のような電流供給能力の設定は
不用である。
Therefore, there is no need to set the current supply capacity as in the case of FIG.

寿お、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
種々の変形が可能であることはいうまでもない。たとえ
ば第2図の実施例回路において、トランス7アグー)J
(7をオフ状態にしかつインバータ20を非活性化した
後に、始めトランスフアダー)Jl)をオン状態にし次
にインバータ辷を活性化する場合について説明し18− たが、これは始めにインパータリを活性化し次にトラン
スフアダートリをオン状態にするように制御してもよい
It goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and that various modifications can be made. For example, in the embodiment circuit shown in FIG.
(After turning off the transfer adder 7 and deactivating the inverter 20, first turn on the transfer adder) and then activate the inverter. control may be performed so that the transfer adapter is turned on and then the transfer adapter is turned on.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、活性状態から非
活性状態に移行する際もしくはその反対の状態に移行す
る際に、出力信号が変化することがない信号入力回路を
提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a signal input circuit in which the output signal does not change when transitioning from an active state to an inactive state or vice versa.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の信号入力回路の回路図、第2図はこの発
明の一実施例の回路図、第3図はこの発明の他の実施例
の回路図、第4図および第5図はそれぞれ第2図、第3
図回路で用いられるラッチ回路を具体的に示す回路図で
ある。 1・・・入力端子、3・・・内部ノード、5・・・ラッ
チ回路、20・・・インバータ、23・・・出力ノード
、24・・・PチャネルMO8FET、 J O・・・
トランスファゲート、40・・・制御信号発生回路、5
0・・・ダート回路。 19− 第3図 第4図 第5図 しヒ2 VSS Vss
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional signal input circuit, FIG. 2 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are Figures 2 and 3 respectively
FIG. 2 is a circuit diagram specifically showing a latch circuit used in the circuit shown in FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Input terminal, 3... Internal node, 5... Latch circuit, 20... Inverter, 23... Output node, 24... P channel MO8FET, J O...
Transfer gate, 40... control signal generation circuit, 5
0...Dirt circuit. 19- Figure 3 Figure 4 Figure 5 2 VSS Vss

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)入力信号が与えられこの入力信号に応じた信号を
出力ノードから出力する第1のダート手段と、上記第1
のダート手段の出力ノードの信号が与えられる内部ノー
ドと、上記第1のダート手段の電源電圧供給経路に介在
され第1の制御信号に応じてスイッチ制御される第1の
スイッチ手段と、上記第1のダート手段の出力ノードと
上記内部ノードとの間に挿入され第2の制御信号によっ
て制御される第2のダート手段と、上記内部ノードの信
号を保持しその保持信号を上記内部ノードに供給するラ
ッチ回路と、第1の制御信号によシ上記第1のスイッチ
手段が導通状態から非導通状態にされる際に第1のスイ
、チ手段が非導通状態となる前に上記第2のダート手段
を活性状態から非活性状態にするような関係を保つよう
に上記第1.第2の制御信号を発生する制御信号発生手
段とを具備したことを特徴とする信号入力回路。
(1) a first dart means that is supplied with an input signal and outputs a signal corresponding to the input signal from an output node;
an internal node to which the signal of the output node of the dart means is applied; a first switch means interposed in the power supply voltage supply path of the first dart means and switch-controlled in accordance with a first control signal; a second dart means inserted between the output node of the first dart means and the internal node and controlled by a second control signal; and a second dart means that holds the signal of the internal node and supplies the held signal to the internal node. a latch circuit that operates when the first switch means is changed from a conductive state to a non-conductive state by a first control signal; The above-mentioned 1. A signal input circuit comprising: control signal generating means for generating a second control signal.
(2)前記第2のダート手段がトランスファダートで構
成されている特許請求の範囲第1項に記載の信号入力回
路。
(2) The signal input circuit according to claim 1, wherein the second dart means is constituted by a transfer dart.
(3)前記第2のダート手段が、インバータと、このイ
ンバータの電源電圧供給経路に介在され前記第2の制御
信号によって導通制御される第2のスイッチ手段とで構
成されている特許請求の範囲第1項に記載の信号入力回
路。
(3) The second dart means is comprised of an inverter and a second switch means that is interposed in the power supply voltage supply path of the inverter and whose conduction is controlled by the second control signal. The signal input circuit according to item 1.
(4)前記ラッチ回路の前記内部ノードに対する電流供
給能力が、前記第2のダート手段のそれよシも小さく設
定されている特許請求の範囲第1項に記載の信号入力回
路。
(4) The signal input circuit according to claim 1, wherein the current supply capacity of the latch circuit to the internal node is set to be smaller than that of the second dart means.
(5)前記う、子回路は、前記第1の制御信号が非活性
状態にされるときに前記内部ノードの信号を保持するよ
うに構成されている特許請求の範囲第1項に記載の信号
入力回路。
(5) The signal according to claim 1, wherein the child circuit is configured to hold the signal of the internal node when the first control signal is inactivated. input circuit.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01200719A (en) * 1988-02-03 1989-08-11 Hitachi Ltd Digital circuit
JPH01272229A (en) * 1987-07-24 1989-10-31 Nec Corp Cmos input circuit

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JPS5034434A (en) * 1973-07-30 1975-04-02

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