JPS60106137A - 半導体ウエ−ハの表面異物除去装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハの表面異物除去装置Info
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- JPS60106137A JPS60106137A JP21533483A JP21533483A JPS60106137A JP S60106137 A JPS60106137 A JP S60106137A JP 21533483 A JP21533483 A JP 21533483A JP 21533483 A JP21533483 A JP 21533483A JP S60106137 A JPS60106137 A JP S60106137A
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- Japan
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- wafer
- semiconductor wafer
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、回転するブラシによる、半導体ウェーハの
表面異物除去装置に関する０ 〔従来技術〕 従来のこの種の異物除去装置は、第１図及び第２図に正
面図及び平面図で示すようになっていた０（１）は表面
が清掃される半導体ウェーハＳ（以下「ウェーハ」と称
する）、（２）はこのウェーッ・（１）を上面に吸着し
回転する回転支持台、（３）はウェーッ・（１）の上方
に平行に配置され毛先が上面に接し異物を除去する円部
状のブラシで、電動機等の駆動回転装置（図示は略す）
からの回転軸（４）に支持されていて回転される。（５
）は純水をウェーッ・（１）上面に噴射するノズルであ
る。 、 上記従来の装置による異物除去は、次のようにしていた
。ウェーッー（１）を回転支持台（２）上に吸着し回転
する。ノズル（５）から純水をウェー／−（１）の上面
に中心付近に噴射し、ブラシ（３）の毛先をウェー７・
（１）の上面に接し回転し、表面の異物を除去する。
表面異物除去装置に関する０ 〔従来技術〕 従来のこの種の異物除去装置は、第１図及び第２図に正
面図及び平面図で示すようになっていた０（１）は表面
が清掃される半導体ウェーハＳ（以下「ウェーハ」と称
する）、（２）はこのウェーッ・（１）を上面に吸着し
回転する回転支持台、（３）はウェーッ・（１）の上方
に平行に配置され毛先が上面に接し異物を除去する円部
状のブラシで、電動機等の駆動回転装置（図示は略す）
からの回転軸（４）に支持されていて回転される。（５
）は純水をウェーッ・（１）上面に噴射するノズルであ
る。 、 上記従来の装置による異物除去は、次のようにしていた
。ウェーッー（１）を回転支持台（２）上に吸着し回転
する。ノズル（５）から純水をウェー／−（１）の上面
に中心付近に噴射し、ブラシ（３）の毛先をウェー７・
（１）の上面に接し回転し、表面の異物を除去する。
従来の装置では、ウェーッ・（１）の外円周端面に付光
した、ウェーハのかけらや治工具から移ったごみ等の異
物を完全に除去することができなかった。
した、ウェーハのかけらや治工具から移ったごみ等の異
物を完全に除去することができなかった。
この発明は、上記従来装置の欠点をなくするためになさ
れたもので、ウェーハの外円周端面に接触する第２のブ
ラシを付加し、外円周端面の清掃もできるようにした、
半濁体ウェーハの表面異物除去装置を提供することを目
的としている。
れたもので、ウェーハの外円周端面に接触する第２のブ
ラシを付加し、外円周端面の清掃もできるようにした、
半濁体ウェーハの表面異物除去装置を提供することを目
的としている。
第３図はこの発明の一実施例による表面異物除去装置の
平面図であシ、（１）〜（４）は上記従来装置と同一の
ものである。ウェーハ（１）の上面に接触する第１のブ
ラシ（３）に対し、ウェーハ（１）の外円周端面に接触
する第２のブラシ（２１）を配設付加している。（２２
）は称動機等の駆動回転装置（図示は略す）からの支持
軸で円筒状のブラシ（２１）を支持していて回転させる
。（３３）は純水を供給するノズル装置で、一方のノズ
ル（２３ａ）と他方のノズル（２３ｂ）とに二またに分
岐されている。ノズル（２３ａ）からは純水をウェーハ
（１）上面の中心付近に噴射し、ノズル（２３ｂ）から
は純水をウェーハ（１）の外円周端面にブラシ（２１）
付近に噴射する。
平面図であシ、（１）〜（４）は上記従来装置と同一の
ものである。ウェーハ（１）の上面に接触する第１のブ
ラシ（３）に対し、ウェーハ（１）の外円周端面に接触
する第２のブラシ（２１）を配設付加している。（２２
）は称動機等の駆動回転装置（図示は略す）からの支持
軸で円筒状のブラシ（２１）を支持していて回転させる
。（３３）は純水を供給するノズル装置で、一方のノズ
ル（２３ａ）と他方のノズル（２３ｂ）とに二またに分
岐されている。ノズル（２３ａ）からは純水をウェーハ
（１）上面の中心付近に噴射し、ノズル（２３ｂ）から
は純水をウェーハ（１）の外円周端面にブラシ（２１）
付近に噴射する。
上記一実施例の装置による異物除去は、次のようにする
。回転支持台（２）上にウェーハ（１）を吸着し回転す
る。ノズル（２３ａ）から純水をウェーハ（１）上面の
中心付近に噴射し、ノズル（２３ｂ）から純水をウェー
ハ（１）の外円周端面にブラシ（２１）付近に噴射し、
ブラシ（３）及びブラシ（２１）を回転させる。
。回転支持台（２）上にウェーハ（１）を吸着し回転す
る。ノズル（２３ａ）から純水をウェーハ（１）上面の
中心付近に噴射し、ノズル（２３ｂ）から純水をウェー
ハ（１）の外円周端面にブラシ（２１）付近に噴射し、
ブラシ（３）及びブラシ（２１）を回転させる。
こうして、ウェーハ（１）の上面及び外円周端面の異物
を除去する。
を除去する。
々お）上記第２のブラシ（２１）はウェー／−（１）の
回転に対し直交するように回転させたが、場合によシ回
転させなくてもよく、毛先がウェーハ（１）の外円周端
面に適度に接触していれはよい。
回転に対し直交するように回転させたが、場合によシ回
転させなくてもよく、毛先がウェーハ（１）の外円周端
面に適度に接触していれはよい。
また、上記実施例では洗浄液として純水を用いたが、他
の稗の洗浄液であってもよい。
の稗の洗浄液であってもよい。
以上のように、この発明によれば、ウェーハの上面に接
し回転する第１のブラシの外に、ウェーハの外円周端面
に接触する第２のブラシを付加し、洗浄液をウェーハの
外円周端面に噴射するようにしたので、ウェーハの表面
の清掃時にウェーハの外円周端面の清掃ができ、異物除
去が完全に行え、ウェーハの歩留りを向上することがで
きる。
し回転する第１のブラシの外に、ウェーハの外円周端面
に接触する第２のブラシを付加し、洗浄液をウェーハの
外円周端面に噴射するようにしたので、ウェーハの表面
の清掃時にウェーハの外円周端面の清掃ができ、異物除
去が完全に行え、ウェーハの歩留りを向上することがで
きる。
第１図及び第２図は従来のウェーハの表面異物除去装置
の正面図及び平面図、第３１図はこの発明の一実施例に
よるウェーハの表面異物除去装置の平面図である。 １・・・半消体ウェーハ、２・・・回転支持台、３・・
・第１のブラシ、４・・・回転軸、２１・・・第２のブ
ラシ、２２・・・支持軸、２３・・・ノズル装置、２３
ａ・・・一方ノノスル、２３ｂ・・・他方のノズル。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１頁の続き ０発 明 者 星 子 芳 寛 伊丹市瑞原４丁目内 ０発 明 者 和 気 節 雄 伊丹市瑞原４丁目１番
地 三菱電機株式会社北伊丹製作所１番地 三菱電機株
式会社北伊丹製作所手続補正書（自発） 昭和５７年グ月７７日 特許庁長官殿 ・、儂 １−＋メ １、事件の表示 特願昭 ５８−２１５５！ｓ４夛２、
発明の名称 半導体ウェーハの表面異物除去装置 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６、 補正の内容 明細書第３ページ第１６行の「３３Ｊを「２３」に補正
する。 以上
の正面図及び平面図、第３１図はこの発明の一実施例に
よるウェーハの表面異物除去装置の平面図である。 １・・・半消体ウェーハ、２・・・回転支持台、３・・
・第１のブラシ、４・・・回転軸、２１・・・第２のブ
ラシ、２２・・・支持軸、２３・・・ノズル装置、２３
ａ・・・一方ノノスル、２３ｂ・・・他方のノズル。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１頁の続き ０発 明 者 星 子 芳 寛 伊丹市瑞原４丁目内 ０発 明 者 和 気 節 雄 伊丹市瑞原４丁目１番
地 三菱電機株式会社北伊丹製作所１番地 三菱電機株
式会社北伊丹製作所手続補正書（自発） 昭和５７年グ月７７日 特許庁長官殿 ・、儂 １−＋メ １、事件の表示 特願昭 ５８−２１５５！ｓ４夛２、
発明の名称 半導体ウェーハの表面異物除去装置 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６、 補正の内容 明細書第３ページ第１６行の「３３Ｊを「２３」に補正
する。 以上
Claims (2)
- （１）上面に半導体ウェーハを吸着し回転する回転支持
台、円筒状をなし回転軸に支持されてあシ、上記半導体
ウェーハの上方に平行に配置され毛先が半導体ウェーハ
上面に接触していて回転される第１のブラシ、円筒状を
なし支持軸に支持されてアシ、毛先が上記半導体ウェー
ハの外円周端面に接触する第２のブラシ、洗浄液を上記
半導体ウェーハの上面の中心付近に噴射する一方のノズ
ル、及び洗浄液を半導体ウェーハの外円周端面に上記第
２のブラシ付近に噴射する他方のノズルを備えた半導体
ウェーハの表面異物除去装置。 - （２）第２のブラシは支持軸によシ回転されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェーハの
表面異物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21533483A JPS60106137A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 半導体ウエ−ハの表面異物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21533483A JPS60106137A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 半導体ウエ−ハの表面異物除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106137A true JPS60106137A (ja) | 1985-06-11 |
Family
ID=16670572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21533483A Pending JPS60106137A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 半導体ウエ−ハの表面異物除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106137A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62259447A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Nec Kyushu Ltd | ブラシスクラバ−装置 |
| JPH0817771A (ja) * | 1994-07-04 | 1996-01-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ブラシ洗浄装置及びワーク洗浄システム |
| JP2019534160A (ja) * | 2016-11-08 | 2019-11-28 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスシートをクリーニングするための方法、装置、およびアセンブリ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5371565A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Reticule washing equipment |
| JPS552650A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-10 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | Heterocyclic benzamide compound and its preparation |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP21533483A patent/JPS60106137A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5371565A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Reticule washing equipment |
| JPS552650A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-10 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | Heterocyclic benzamide compound and its preparation |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62259447A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Nec Kyushu Ltd | ブラシスクラバ−装置 |
| JPH0817771A (ja) * | 1994-07-04 | 1996-01-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ブラシ洗浄装置及びワーク洗浄システム |
| JP2019534160A (ja) * | 2016-11-08 | 2019-11-28 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスシートをクリーニングするための方法、装置、およびアセンブリ |
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