JPS5946083A - 周期構造を有する半導体レ−ザの製法 - Google Patents
周期構造を有する半導体レ−ザの製法Info
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- JPS5946083A JPS5946083A JP15735582A JP15735582A JPS5946083A JP S5946083 A JPS5946083 A JP S5946083A JP 15735582 A JP15735582 A JP 15735582A JP 15735582 A JP15735582 A JP 15735582A JP S5946083 A JPS5946083 A JP S5946083A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、分布帰ｊヱ形半導体し−リ゛、分子ｌｉ反Ｑ
１形半導体レーザ等の、内部に周１ｙ］構造をイｊｉＪ
る半導体レーク゛の製法の改良に関Ｊる。
１形半導体レーザ等の、内部に周１ｙ］構造をイｊｉＪ
る半導体レーク゛の製法の改良に関Ｊる。
このような、半導体レーク°は、内部に周期（す１造を
イｊするので、高速の変調動作時に、１３い−Ｃ（，１
、内部に周期構造を有しない半導体レーＩＪ” に比し
、安定な発振波長と、安定な発振［−ドどで、レーザ発
振を得ることができる、という特徴を右Ｊる。
イｊするので、高速の変調動作時に、１３い−Ｃ（，１
、内部に周期構造を有しない半導体レーＩＪ” に比し
、安定な発振波長と、安定な発振［−ドどで、レーザ発
振を得ることができる、という特徴を右Ｊる。
ところで、上述したような、周期４１４造を右づる半導
体レーザは、予定の周期で凹凸を繰返している凹凸面を
右する半導体１ｆｌ （半導体基板を含む）上に、ぞの
半導体層と（ま異むろ組成の他の半導体層が形成されて
いることで、内部に周期Ｊ７，７造を有するのが普通で
ある。
体レーザは、予定の周期で凹凸を繰返している凹凸面を
右する半導体１ｆｌ （半導体基板を含む）上に、ぞの
半導体層と（ま異むろ組成の他の半導体層が形成されて
いることで、内部に周期Ｊ７，７造を有するのが普通で
ある。
このような、周期１７！造を右りる半導体レーザ゛の、
従来の製法は、第１の半導体層を形成する工程と、次に
その第１の半導体層に対りるエツヂング処理ににって、
第１の半導体層から、予定の周期で凹凸を繰返している
凹凸面を右ゴる第２の＋′ｒｒｒ （ｈ Ｉ＋’？ｉを
形成りるＴ−稈と、次に、その凹凸面を（−ｉりる第２
の半導１ホ層１（４二、第２の半導体層ど（，１責イｊ
る組成の、他の第３３の゛１′導体層を、液相」ピラ１
−シｔ・形成Ｉ（法によ）（１１シ成！する］−稈とを
・′？／（７でいるのがＨｌ（Ｈ通（°ル）る、。
従来の製法は、第１の半導体層を形成する工程と、次に
その第１の半導体層に対りるエツヂング処理ににって、
第１の半導体層から、予定の周期で凹凸を繰返している
凹凸面を右ゴる第２の＋′ｒｒｒ （ｈ Ｉ＋’？ｉを
形成りるＴ−稈と、次に、その凹凸面を（−ｉりる第２
の半導１ホ層１（４二、第２の半導体層ど（，１責イｊ
る組成の、他の第３３の゛１′導体層を、液相」ピラ１
−シｔ・形成Ｉ（法によ）（１１シ成！する］−稈とを
・′？／（７でいるのがＨｌ（Ｈ通（°ル）る、。
然しく、がｌ）、（′、のよう＋９ｊ製γ）、の１ん１
合、第２の゛１テ導イホハηを形成りる■二稈後、次の
二１稈Ｃ１第３の半導体層を形成りるどきに、−そのと
きの熱にＪ、−）で、第２の’ｌ’ ３９体層に右りる
凹凸面が変形づる。Ｊ：た、第２の半導体層の表面部か
、第３の゛１′−導体層を形成づる融液にヌル１〜バツ
／／１ＪることにＪ、つ（、第２の半導体層の凹凸面が
変形Ｍる１゜ 従っ（、−１述した従来の製法にＪ、る揚台、周期描ｊ
告をイ１づる半導体レーザを、所期の特性を１−分琵揮
りるｂのとしく一１胃迄りるのが困７１１ ’（”あ−
）た１゜ Ｊ、つ（、本発明は、１−述した欠点のない、新規な、
周期横范を＜−ｒ−ｄる半導体レー１１’の製法を１７
＋）、 ：りＵんどづるらのＣある１、第１図Ａ−Ｇは
、本発明にＪ、る周期ＩＩ’： 造を右する半導体レー
ザの製法の実施例を示し、予め第１図Ａに承り−ように
、例えばＮ型のｌ ｎ ｌ−’でなる半導体基（反１を
用意づる。
合、第２の゛１テ導イホハηを形成りる■二稈後、次の
二１稈Ｃ１第３の半導体層を形成りるどきに、−そのと
きの熱にＪ、−）で、第２の’ｌ’ ３９体層に右りる
凹凸面が変形づる。Ｊ：た、第２の半導体層の表面部か
、第３の゛１′−導体層を形成づる融液にヌル１〜バツ
／／１ＪることにＪ、つ（、第２の半導体層の凹凸面が
変形Ｍる１゜ 従っ（、−１述した従来の製法にＪ、る揚台、周期描ｊ
告をイ１づる半導体レーザを、所期の特性を１−分琵揮
りるｂのとしく一１胃迄りるのが困７１１ ’（”あ−
）た１゜ Ｊ、つ（、本発明は、１−述した欠点のない、新規な、
周期横范を＜−ｒ−ｄる半導体レー１１’の製法を１７
＋）、 ：りＵんどづるらのＣある１、第１図Ａ−Ｇは
、本発明にＪ、る周期ＩＩ’： 造を右する半導体レー
ザの製法の実施例を示し、予め第１図Ａに承り−ように
、例えばＮ型のｌ ｎ ｌ−’でなる半導体基（反１を
用意づる。
然しＣ１その半導体基板１上に、第１図１３に示１よう
に、Ｎ型の例えばｌ ｎ ｌ−）でなるバッファ層どし
−Ｃの半導体層２ど、例えばＧｉｌ ｌ Ｉ）Ａｓｐ系
でなる活性層どじでの半導体層３ど、Ｉ）型であり、打
つ半導体層３どは異なる組成を右すると共に、クラッド
層どして作用する例えばｌ ｎ ｐでなる半導体層４ど
を、それ自体は公知の液相エピタキシトル成長法によっ
て、形成りる。
に、Ｎ型の例えばｌ ｎ ｌ−）でなるバッファ層どし
−Ｃの半導体層２ど、例えばＧｉｌ ｌ Ｉ）Ａｓｐ系
でなる活性層どじでの半導体層３ど、Ｉ）型であり、打
つ半導体層３どは異なる組成を右すると共に、クラッド
層どして作用する例えばｌ ｎ ｐでなる半導体層４ど
を、それ自体は公知の液相エピタキシトル成長法によっ
て、形成りる。
次に、第１図Ｃで示りＪ、うに、°半導体層４上に、予
定の周期λで順次配列された、例えばフッ１１〜レジメ
１−でなる多数のスｌ〜ライブ状マスク層５を、それ自
体は公知のフＡトリソグラフィ法にＪ：って形成Ｊる。
定の周期λで順次配列された、例えばフッ１１〜レジメ
１−でなる多数のスｌ〜ライブ状マスク層５を、それ自
体は公知のフＡトリソグラフィ法にＪ：って形成Ｊる。
次に、多数のス１へライブ状マスク層５をマス・りとづ
る、半導体層４に対Ｊ−る、それ自体は公知の］ニッｆ
ング処理にＪ、っＣ１第１図［〕に承りよう（こ、’ｆ
ｊ！ｌ休１体°く１から、１述し）ご周期λで順次配
列されｌＪ、多数のストライブ状半導体層Ｇを形成りる
。
る、半導体層４に対Ｊ−る、それ自体は公知の］ニッｆ
ング処理にＪ、っＣ１第１図［〕に承りよう（こ、’ｆ
ｊ！ｌ休１体°く１から、１述し）ご周期λで順次配
列されｌＪ、多数のストライブ状半導体層Ｇを形成りる
。
次に、上述した多数のストライ／状７スク層５を除去し
Ｃから、多数のスｌ−ライーｌ状゛Ｉ′、導体層６をン
スクどりる、半導体層３１に対りる、例えば半導体層４
と同じＧａ ＩｎＡｓＰ系の未飽和融液を用いた、メル
トバック処理にＪ、−）で、第１図口に承りように、１
層導体層３から、１−ｉ７ｉ；しＩＪ周朋λＣ凹凸を繰
返しＣいる凹凸面７をイｊりる゛１−導体層ε３を形成
づる。
Ｃから、多数のスｌ−ライーｌ状゛Ｉ′、導体層６をン
スクどりる、半導体層３１に対りる、例えば半導体層４
と同じＧａ ＩｎＡｓＰ系の未飽和融液を用いた、メル
トバック処理にＪ、−）で、第１図口に承りように、１
層導体層３から、１−ｉ７ｉ；しＩＪ周朋λＣ凹凸を繰
返しＣいる凹凸面７をイｊりる゛１−導体層ε３を形成
づる。
次に、凹凸面７をイ１りる半導体層Ｊｉ ＋に、第１図
１−に示りＪ、うに、液相１ビター１−ン１ノル成艮法
にＪ、っ（、多数のストライブ状半導体層（３を埋設し
く、ｐ ３（１，Ｉ Ｃあり、Ｊｌ、一つ半うワ体層３
どは胃なる組成を右りする例えば１ｌｌｐｒ＜ｊる９９
７１〜層としくの半導体層０を形成し、統い（、”ｌ’
導体Ｐ；＝ｊ Ｏ＋に、同様に液相−１ビタ゛１シトル
成長〃、によ）Ｕ、１）つ１りの例えばＧａ１ｎ△Ｓ［
−）系く・なる、電４セイ」用層どしての半導体層１０
を形成りる。
１−に示りＪ、うに、液相１ビター１−ン１ノル成艮法
にＪ、っ（、多数のストライブ状半導体層（３を埋設し
く、ｐ ３（１，Ｉ Ｃあり、Ｊｌ、一つ半うワ体層３
どは胃なる組成を右りする例えば１ｌｌｐｒ＜ｊる９９
７１〜層としくの半導体層０を形成し、統い（、”ｌ’
導体Ｐ；＝ｊ Ｏ＋に、同様に液相−１ビタ゛１シトル
成長〃、によ）Ｕ、１）つ１りの例えばＧａ１ｎ△Ｓ［
−）系く・なる、電４セイ」用層どしての半導体層１０
を形成りる。
次に、半導体基板１の半導体層２側とは反対側の面上、
及び半導体層１０の半導体層９側どは反対側の面上に、
第１図Ｇに示り−ように、それ自体は公知の方法によっ
て、電極層１１、及び１２を、Ａ−ミックに接触して形
成覆る。
及び半導体層１０の半導体層９側どは反対側の面上に、
第１図Ｇに示り−ように、それ自体は公知の方法によっ
て、電極層１１、及び１２を、Ａ−ミックに接触して形
成覆る。
以上のようにして、周期構造をイラづ゛る半導体レーク
゛の一例を得る。
゛の一例を得る。
以上が、本発明による、周期＋１１’ｉ ３吉を何する
半導体レー１１の製法の一例である。
半導体レー１１の製法の一例である。
このにうな、本発明による、周期４，１．Ｌ 造を右り
−る半導１小レー１１の製法にＪ、って１７られだ、周
期４１４造を右づる半導体レーザによれば、Ｎ型の半導
体基板１土に、半導体層２によるＮ型のバッフ１層と、
半導体層８による凹凸面を右ザる活性層と、ストライブ
状半導体層６及び半導体層９どによるＰ型のクラッド層
と、半導体層１０にＪ、るＰ型の電極付用層とが、それ
等の順に積層され、そして、半導体基板１、及び半導体
層１０（、二Ｊ、る電４４ｊ （：Ｊ用層に、でれそれ
電極Ｆ４１１、及び１２がＡ−ミックにｌ！Ｉ＝１され
Ｃいる（１１１成を右する。
−る半導１小レー１１の製法にＪ、って１７られだ、周
期４１４造を右づる半導体レーザによれば、Ｎ型の半導
体基板１土に、半導体層２によるＮ型のバッフ１層と、
半導体層８による凹凸面を右ザる活性層と、ストライブ
状半導体層６及び半導体層９どによるＰ型のクラッド層
と、半導体層１０にＪ、るＰ型の電極付用層とが、それ
等の順に積層され、そして、半導体基板１、及び半導体
層１０（、二Ｊ、る電４４ｊ （：Ｊ用層に、でれそれ
電極Ｆ４１１、及び１２がＡ−ミックにｌ！Ｉ＝１され
Ｃいる（１１１成を右する。
従−）て、本発明にＪ、る、周期構造を（ｊ ？ｌる半
導体レーザ゛の製法に、］、）で百られろ、川明（吊ｊ
市４石りる丁）ｊす（木し−リ゛にＪ、れは′、゛１′
力体層Ｅ３に右りる凹凸面７が、周期（１４ｊ告を（１
１１成じ（いる。
導体レーザ゛の製法に、］、）で百られろ、川明（吊ｊ
市４石りる丁）ｊす（木し−リ゛にＪ、れは′、゛１′
力体層Ｅ３に右りる凹凸面７が、周期（１４ｊ告を（１
１１成じ（いる。
従つ（、訂細説明（Ｊ省略（するが、従来の、内部に周
期構ｊ貨を右りる半導体１ノーリ゛の場合と同様の、周
期構造を右りる１２）９体し−リ゛とし−（の機能が得
られることは、明らかである。
期構ｊ貨を右りる半導体１ノーリ゛の場合と同様の、周
期構造を右りる１２）９体し−リ゛とし−（の機能が得
られることは、明らかである。
ところで、このＪ、うな、周期４１′４造をイ］Ｃノる
半導体レーク゛どし乙の１幾能の得られる、周期１７／
、造を４ｉりる゛１′導体レーザを製造りるｌ、二めの
、本発明にＪ、る、周期構造を付りる半導体１ノーリ゛
の製法は、第１の半導体）−３１−に、該第１の゛１′
−導体層３どは異なる組成の第２の半導体層／Ｉを形成
４る１−稈ど、ての第２の半導体層４から、γ定の周期
で順次配列された多数のス１ヘライブ状十台悸層（３を
形成づる−［稈と、多数のストライブ状半導体ＦｉＧを
マスクどりる、第１の半導ＩＡ 図３に対Ｊ゛る、ヌル
１〜バツク処理によって、第１の半導体層ｉ３から、上
述した周期で凹凸を繰返している凹凸面７をイｊする第
３の半導体層８を形成刃る工程と、第３の半う９体層ε
３」−に、多数のストライブ状半導ｌＡ層（３を埋設し
て、第３の半導体層８どは異なる組成の第４の半導体Ｉ
ｉ？ｉ９を形成りる工程とを含むという：製法である。
半導体レーク゛どし乙の１幾能の得られる、周期１７／
、造を４ｉりる゛１′導体レーザを製造りるｌ、二めの
、本発明にＪ、る、周期構造を付りる半導体１ノーリ゛
の製法は、第１の半導体）−３１−に、該第１の゛１′
−導体層３どは異なる組成の第２の半導体層／Ｉを形成
４る１−稈ど、ての第２の半導体層４から、γ定の周期
で順次配列された多数のス１ヘライブ状十台悸層（３を
形成づる−［稈と、多数のストライブ状半導体ＦｉＧを
マスクどりる、第１の半導ＩＡ 図３に対Ｊ゛る、ヌル
１〜バツク処理によって、第１の半導体層ｉ３から、上
述した周期で凹凸を繰返している凹凸面７をイｊする第
３の半導体層８を形成刃る工程と、第３の半う９体層ε
３」−に、多数のストライブ状半導ｌＡ層（３を埋設し
て、第３の半導体層８どは異なる組成の第４の半導体Ｉ
ｉ？ｉ９を形成りる工程とを含むという：製法である。
このような、本発明による、周期Ｊ１４ 造をイＩＪる
半導体レーザの製法にＪ、れば、第３３の半導体層８を
形成する工程後、イの第３３の半）９体層３３上に、第
４の半導体Ｆ１９を形成づ−るとさ、−てれが、第３の
半導体層８上に、多数のストライブ状半導体層６が形成
され−（いる状°態（′なされるので、第４の半導体層
９を形成りるとさの熱によって、第３の半導体層８に右
り゛る凹凸面７が、不必要に変形したりしない。
半導体レーザの製法にＪ、れば、第３３の半導体層８を
形成する工程後、イの第３３の半）９体層３３上に、第
４の半導体Ｆ１９を形成づ−るとさ、−てれが、第３の
半導体層８上に、多数のストライブ状半導体層６が形成
され−（いる状°態（′なされるので、第４の半導体層
９を形成りるとさの熱によって、第３の半導体層８に右
り゛る凹凸面７が、不必要に変形したりしない。
また、上述した本発明にＪ：る、周期（１り造をイＩＪ
る半導体レー１１の製法にＪ、れば、第３の半導体Ｆｉ
８の表面部が、第４の半導体層９を形成づる融液にメル
トバックづるとしくも、第３の半導体層ε３−１−に、
多数のス１〜ライー１状’ｌ’ ＜＋体層６が形成され
ηいる状態で、第４の゛１′導体層９が形成されるのＣ
１第３の半導体層８（こｔＪ・する凹凸面７が、不必要
に変形したりしｈい３゜さらに、十；ｉｌｉ ｔ、 ｔ
Ｊ、本発明にＪ、る、周期（１へ）青を右りろコ１′導
体レーザの製法によれば、凹凸面７をイー１りる′１′
導体層８を形成りる１−稈が、融液を用いたメルトバッ
ク処理による］程℃′あるの（゛、ぞの一工程に引続い
Ｃ半導体層９及び１０を順次形成りる［稈を採ることが
（゛きる、。
る半導体レー１１の製法にＪ、れば、第３の半導体Ｆｉ
８の表面部が、第４の半導体層９を形成づる融液にメル
トバックづるとしくも、第３の半導体層ε３−１−に、
多数のス１〜ライー１状’ｌ’ ＜＋体層６が形成され
ηいる状態で、第４の゛１′導体層９が形成されるのＣ
１第３の半導体層８（こｔＪ・する凹凸面７が、不必要
に変形したりしｈい３゜さらに、十；ｉｌｉ ｔ、 ｔ
Ｊ、本発明にＪ、る、周期（１へ）青を右りろコ１′導
体レーザの製法によれば、凹凸面７をイー１りる′１′
導体層８を形成りる１−稈が、融液を用いたメルトバッ
ク処理による］程℃′あるの（゛、ぞの一工程に引続い
Ｃ半導体層９及び１０を順次形成りる［稈を採ることが
（゛きる、。
このため、ρ故のスト）、イブ状！１′３ｊネ体層６を
形成りる］稈のＩＱ、凹凸面７を右りるｌ’ ；、＋＋
＋体層８を形成りる工程、１、での間ひ、半導体層３３
０表面が外気に■されるとしても、凹凸面７をイ：Ｊり
る半導（ＡＩｌ／ｉ８が、外気の影響を受（〕（いイ己
１、良Ｏｒな表面状態を石りるもの、とじで形成さｌｌ
る。。
形成りる］稈のＩＱ、凹凸面７を右りるｌ’ ；、＋＋
＋体層８を形成りる工程、１、での間ひ、半導体層３３
０表面が外気に■されるとしても、凹凸面７をイ：Ｊり
る半導（ＡＩｌ／ｉ８が、外気の影響を受（〕（いイ己
１、良Ｏｒな表面状態を石りるもの、とじで形成さｌｌ
る。。
従・）Ｃ１１−述した、本発明にＪ、る、川明（１４造
を右りる゛１′尊捧レーリ゛の製法に、」、れば、１八
１１す口Ｒ造を右する半導体レーザ゛を、所期のｆ１↑
１を−１−分発揮するものとして、容易に製造づること
か−Ｃ・きる、という１）ｊ徴を右づる。
を右りる゛１′尊捧レーリ゛の製法に、」、れば、１八
１１す口Ｒ造を右する半導体レーザ゛を、所期のｆ１↑
１を−１−分発揮するものとして、容易に製造づること
か−Ｃ・きる、という１）ｊ徴を右づる。
また、」二連した、本発明にｊ、る、周期ｉｆ’： 漬
を右Ｊる半導体レーザの製法の実施例によれば、周期構
造が、活性層としての半導体層８に、直接施され−Ｃい
るので、上述した特性がＪ、す、発揮される、という１
）徴も右りる。
を右Ｊる半導体レーザの製法の実施例によれば、周期構
造が、活性層としての半導体層８に、直接施され−Ｃい
るので、上述した特性がＪ、す、発揮される、という１
）徴も右りる。
なＪ３、上）ホにおいては、本発明を、埋込形Ｃない、
周期（１４ｊ査を右Ｊる半導体レーク゛の製法に適用し
た場合の一例について）ホべたが、本発明を、周期１ｉ
’＋ ｍを右り−る埋込形の半導体レーク゛の製法に）
商用することもできるしのである。
周期（１４ｊ査を右Ｊる半導体レーク゛の製法に適用し
た場合の一例について）ホべたが、本発明を、周期１ｉ
’＋ ｍを右り−る埋込形の半導体レーク゛の製法に）
商用することもできるしのである。
第２図〜第７図は、周期（１１１造を右づる埋込形の半
導体レー晋アの製法に、本発明を適用した場合の、本発
明に」、る、周期構造を右りる半導体レーザの製法の一
例を示づ。
導体レー晋アの製法に、本発明を適用した場合の、本発
明に」、る、周期構造を右りる半導体レーザの製法の一
例を示づ。
第２図へ・第７図において、第１図Ａ−Ｇとの対応部分
には同一符号を付す。
には同一符号を付す。
第２図Δ〜Ｃに示Ｊように、第１図Ｆで上述したど同様
の構成を、第１図Ａへ−ｒ ”ｃ”１達したと同様の工
程を採って得る。
の構成を、第１図Ａへ−ｒ ”ｃ”１達したと同様の工
程を採って得る。
次に、第３３図Δへ・Ｃに示ｃノように、半導体層１０
−１−に、フＡ１ヘレジス１へ′Ｃ″なるス１−ラーｒ
ブ状マスク層２１を、それ自体は公知のｈ法＋、；：：
ｊ、−）で形成りる。
−１−に、フＡ１ヘレジス１へ′Ｃ″なるス１−ラーｒ
ブ状マスク層２１を、それ自体は公知のｈ法＋、；：：
ｊ、−）で形成りる。
次に、ス１〜ライブ状マスク層２１をマスクどづる、半
導ＩＡ層２．８．６．９及び１０ ｈ’： （れ等の順
に積層されている積層体２２に対りる、それ自体は公知
のエツヂング処理により、第４図Δへ・Ｃに示す、Ｊ、
うに、積層体２１から、ス１〜う、イブ私信図体２３３
を形成りる、。
導ＩＡ層２．８．６．９及び１０ ｈ’： （れ等の順
に積層されている積層体２２に対りる、それ自体は公知
のエツヂング処理により、第４図Δへ・Ｃに示す、Ｊ、
うに、積層体２１から、ス１〜う、イブ私信図体２３３
を形成りる、。
次に、１（導体基板１十に、第し５図△・〜・０にＣに
示づように、［〕型の例えばｌ１１）（なる溜部２４ど
、Ｎ型の例えばｌ ｎ ｆ〕でなる溜部２５どが、それ
らの順に積層されＣなる構成の埋込用層２Ｇを、ス１〜
ライブ°状積層休２３の側面に連接して形成１ノる。こ
の場合、埋込用層２６を、その溜部２／Ｉど、溜部２５
どの間の界面が半導体層９のＪＮさ内にｎるように、ま
た、１面が半導体層１０ ｑ） 、１面ど略、ノン１？
ｉｌ の而（、イする１ ）（形成覆る。
示づように、［〕型の例えばｌ１１）（なる溜部２４ど
、Ｎ型の例えばｌ ｎ ｆ〕でなる溜部２５どが、それ
らの順に積層されＣなる構成の埋込用層２Ｇを、ス１〜
ライブ°状積層休２３の側面に連接して形成１ノる。こ
の場合、埋込用層２６を、その溜部２／Ｉど、溜部２５
どの間の界面が半導体層９のＪＮさ内にｎるように、ま
た、１面が半導体層１０ ｑ） 、１面ど略、ノン１？
ｉｌ の而（、イする１ ）（形成覆る。
次に、第（３図に示りＪ、・’＞ ｔ−、’ｌ’セ゛ロ
本４４１１ビ１（ツノ半導体層２側とは反対側の而１（
７、宙ｆ Ｉ＋１．を層１１を形成し、また、ストシｒ
ノ状（１′１層１ホ：）；）ノ４０・埋込用Ｆｔ ２６
十に延長しくいろ電（船Ｒ・′’Ｉ ２． （２ｊ１３
成し、然る１（、必要に応じ（、電（う１層′１２を、
′スフどりる］ツＪング処理（１，１す、 ）“ノの端
面に、ノア７ブリベ１１−の反０４而どなら４己ハ土・
）（。
本４４１１ビ１（ツノ半導体層２側とは反対側の而１（
７、宙ｆ Ｉ＋１．を層１１を形成し、また、ストシｒ
ノ状（１′１層１ホ：）；）ノ４０・埋込用Ｆｔ ２６
十に延長しくいろ電（船Ｒ・′’Ｉ ２． （２ｊ１３
成し、然る１（、必要に応じ（、電（う１層′１２を、
′スフどりる］ツＪング処理（１，１す、 ）“ノの端
面に、ノア７ブリベ１１−の反０４而どなら４己ハ土・
）（。
傾斜面２７を形成りる。。
１ス１のｊ、）にしで、周囲１ｆ”ｌ ｊ’Ｈ！、＜）
イトノろ゛１′パ２１１、レーク゛の他の例を胃る。
イトノろ゛１′パ２１１、レーク゛の他の例を胃る。
以」が、本発明に、１．る、周囲（１１１恥ろイトｊイ
：ン゛１′導体し−・す”の製θ、の曲の例（あるが、
（Ｔ ＋／’） 、Ｊ）な製法によつ（ｂ、訂１１１び
１明は省略（１ろか、第１図Δへ−Ｇｒ−１述（］ｉ、
゛、本発明（に、」、る周囲！ｌ”’ｌ Ｊ”’をイｊ
りる半導体レーク゛の製ｄ１の１易合と同（、Ｙの、優
れた特徴を、埋込形ぐある。’ 、＋、 ｉ： 、、ｌ
、り甲 組上−ドのレーク”発イへが１シＩら杓イ１ど
い−Ｊ １．’＋ ｉ’ｉＱ ｌ・１１１１え （、イ
１ リ る 。
：ン゛１′導体し−・す”の製θ、の曲の例（あるが、
（Ｔ ＋／’） 、Ｊ）な製法によつ（ｂ、訂１１１び
１明は省略（１ろか、第１図Δへ−Ｇｒ−１述（］ｉ、
゛、本発明（に、」、る周囲！ｌ”’ｌ Ｊ”’をイｊ
りる半導体レーク゛の製ｄ１の１易合と同（、Ｙの、優
れた特徴を、埋込形ぐある。’ 、＋、 ｉ： 、、ｌ
、り甲 組上−ドのレーク”発イへが１シＩら杓イ１ど
い−Ｊ １．’＋ ｉ’ｉＱ ｌ・１１１１え （、イ
１ リ る 。
２ｒお、１）小にＪ３いでは、活性層としての半導体層
に、直接周期構造をイｊＩ！シめた揚台に−）き述べた
が、訂細説明は省略Ｊるが、ガイド層どしＣの？１′導
イ木１ｉＦｉ、クラット′層どしくの゛１′力１木層に
、周期構造を有せしめた構成どりること６できるｂのＣ
゛ある１゜ また、１−述した構成にｄ３い’ｉｌ−、ガ、イド層と
しくの）１′導体層２が、クラッド層に代えたことを除
いては、上述したと同様の構成にも、本発明を適用づる
ことができるものＣある。
に、直接周期構造をイｊＩ！シめた揚台に−）き述べた
が、訂細説明は省略Ｊるが、ガイド層どしＣの？１′導
イ木１ｉＦｉ、クラット′層どしくの゛１′力１木層に
、周期構造を有せしめた構成どりること６できるｂのＣ
゛ある１゜ また、１−述した構成にｄ３い’ｉｌ−、ガ、イド層と
しくの）１′導体層２が、クラッド層に代えたことを除
いては、上述したと同様の構成にも、本発明を適用づる
ことができるものＣある。
さらに、７Ｌ述した埋込用層２６を、絶縁化された半導
体層Ｊ：たは絶縁層に代えた構成に１）、本発明を適用
することもできるしの（゛ある。
体層Ｊ：たは絶縁層に代えた構成に１）、本発明を適用
することもできるしの（゛ある。
勿論、」−述した構成において、ｒ’ ｑ’＋をＮ型、
Ｎ型を１〕型と読み代えた構成と覆ること（Ｊて゛きる
ものである。
Ｎ型を１〕型と読み代えた構成と覆ること（Ｊて゛きる
ものである。
その他、本発明のｆｉ’ｉ神を脱りることｔ１シに、種
々の変へ１１変更をなし得るであろう。
々の変へ１１変更をなし得るであろう。
第１図へ−Ｇは、本発明にＪ、る周期構造を有づる半導
体レーク゛の製法の １’／ＩＩる７１−１・」、順次
の二［程における路線的…ｉ面図（（１リイ）、。 第２図、第３′３図、第１図、１１５図、第０回続び第
７図は、本発明（Ｊ。１、る周期構造４イ］づる゛１′
１′導−リ゛の製法の他の例を示・１、順次の１稈にお
１ノる路線図（゛、Δは平面図、口はでの１１Ｂ線上の
断面図、（：はＣ’、−（：線Ｉの断面図ある１゜１・
・・・・・・・・・・・・・・半導ＩＡ ！＋’、 １
１ｇ２・・・・・・・・・・・・・・・ガイドに弓−し
くのＩ’ ＨＩＩＩ１１本Ｆ１３・・・・・・・・・・
・・・・・活性層と１７（の゛１′４１１本＋ｆ・’ｉ
１１・・・・・・・・・・・・・・パ１′導体層１５・
・・・・・・・・・・・・・・多数のスト−ｉ −（’
ｆ状、′スク層 ６ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ 多 数
の ス １・ −ノ （ｆ’４人 １′ 々 （４
一層 ７・・・・・・・・・・・・・・・凹凸面Ｅ３・・・・
・・・・・・・・・・・凹凸面７るｒｌりろｒ−１ｊ’
ｌ Ｆ＋ ＋！し （の １′ ン？１１１木 Ｉ！′
？ｉ９・・・・・・・・・・・・・・・クラットＫ−ｊ
と］−１での下々１．；・１０・・・・・・・・・・・
・・・・電４ｆｉ（＝１川用としくの゛１′導体層 １１．１２・・・・・・電１！ｉ層 ２１・・・・・・・・・・・・・・・ストライブ状ンス
イ７層２２・・・・・・・・・・・・・・・積層体２３
３・・・・・・・・・・・・・・・ストう・ｒｊ状積層
１本２Ｇ・・・・・・・・・・・・・・・埋込用層出願
人 ＩＪ木電（１１電話公ン１ 第１図 第１ 図 第２図 ？ ； 第：３図 ― 第４図 誓 第５図 ？ 第６図 ９ 二 第７Ｎ ■ 手 糸売 ン… ■、−出 昭和５７汗１ミ酎’Ｊｌ ２０日 特許庁長官 若 杉 和 人 殿１、事件の
表、ｊ＼ 昭和１１７年１１弓′（願第１５７３５
５号２、発明の名称 周期構）ろを右づる半導体レーリ゛の製法３、特許出願
人 小（’ｌどの関係 特許出願人 住 所 〒１００ 東京都千代１．ｌＪ Ｉス内幸町
１丁目１搦６月 名 称 （４２２） ［：、ｌ木電信電話公ン１代表省
真 藤 ↑１１ ４、代理人 箋ち 一１！、、Ｍ ミ ロ、？＋ｌｉ正の勾象 明細本の発明の詳細な説明
（１）明細出中、第５頁８？）［半導（水層４ど同し１
とあるを削除りる。 （２）仝、第１１頁１３行［−に０−Ｉどあるを削除す
る。。 （３）仝、第１２貞３行１第６図１と（ｌりるを１第６
図△−ＣＪど訂正づる。 く／Ｉ）仝、第１２頁７行［−必要に応じ−（，１どあ
るを［必要に応じ−Ｃ第７図△・−１・Ｃ（Ｊ示Ｉ Ｊ
、 ）に、１ど訂正する３゜ （５）仝、第１２頁１９？ｊｌレーリ゛介１．ｉ ］、
’ ＋ｌりるを［レーリ゛発振−１と８１１丁Ｊる。 （６）図面の全文を添イー１の通り補１１する。 以 ｌ 第１図 第２図 ！ 第３図 口 第４図 Ｉ 第５図 ！ 第６図 ！ 第７図 ■
体レーク゛の製法の １’／ＩＩる７１−１・」、順次
の二［程における路線的…ｉ面図（（１リイ）、。 第２図、第３′３図、第１図、１１５図、第０回続び第
７図は、本発明（Ｊ。１、る周期構造４イ］づる゛１′
１′導−リ゛の製法の他の例を示・１、順次の１稈にお
１ノる路線図（゛、Δは平面図、口はでの１１Ｂ線上の
断面図、（：はＣ’、−（：線Ｉの断面図ある１゜１・
・・・・・・・・・・・・・・半導ＩＡ ！＋’、 １
１ｇ２・・・・・・・・・・・・・・・ガイドに弓−し
くのＩ’ ＨＩＩＩ１１本Ｆ１３・・・・・・・・・・
・・・・・活性層と１７（の゛１′４１１本＋ｆ・’ｉ
１１・・・・・・・・・・・・・・パ１′導体層１５・
・・・・・・・・・・・・・・多数のスト−ｉ −（’
ｆ状、′スク層 ６ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ 多 数
の ス １・ −ノ （ｆ’４人 １′ 々 （４
一層 ７・・・・・・・・・・・・・・・凹凸面Ｅ３・・・・
・・・・・・・・・・・凹凸面７るｒｌりろｒ−１ｊ’
ｌ Ｆ＋ ＋！し （の １′ ン？１１１木 Ｉ！′
？ｉ９・・・・・・・・・・・・・・・クラットＫ−ｊ
と］−１での下々１．；・１０・・・・・・・・・・・
・・・・電４ｆｉ（＝１川用としくの゛１′導体層 １１．１２・・・・・・電１！ｉ層 ２１・・・・・・・・・・・・・・・ストライブ状ンス
イ７層２２・・・・・・・・・・・・・・・積層体２３
３・・・・・・・・・・・・・・・ストう・ｒｊ状積層
１本２Ｇ・・・・・・・・・・・・・・・埋込用層出願
人 ＩＪ木電（１１電話公ン１ 第１図 第１ 図 第２図 ？ ； 第：３図 ― 第４図 誓 第５図 ？ 第６図 ９ 二 第７Ｎ ■ 手 糸売 ン… ■、−出 昭和５７汗１ミ酎’Ｊｌ ２０日 特許庁長官 若 杉 和 人 殿１、事件の
表、ｊ＼ 昭和１１７年１１弓′（願第１５７３５
５号２、発明の名称 周期構）ろを右づる半導体レーリ゛の製法３、特許出願
人 小（’ｌどの関係 特許出願人 住 所 〒１００ 東京都千代１．ｌＪ Ｉス内幸町
１丁目１搦６月 名 称 （４２２） ［：、ｌ木電信電話公ン１代表省
真 藤 ↑１１ ４、代理人 箋ち 一１！、、Ｍ ミ ロ、？＋ｌｉ正の勾象 明細本の発明の詳細な説明
（１）明細出中、第５頁８？）［半導（水層４ど同し１
とあるを削除りる。 （２）仝、第１１頁１３行［−に０−Ｉどあるを削除す
る。。 （３）仝、第１２貞３行１第６図１と（ｌりるを１第６
図△−ＣＪど訂正づる。 く／Ｉ）仝、第１２頁７行［−必要に応じ−（，１どあ
るを［必要に応じ−Ｃ第７図△・−１・Ｃ（Ｊ示Ｉ Ｊ
、 ）に、１ど訂正する３゜ （５）仝、第１２頁１９？ｊｌレーリ゛介１．ｉ ］、
’ ＋ｌりるを［レーリ゛発振−１と８１１丁Ｊる。 （６）図面の全文を添イー１の通り補１１する。 以 ｌ 第１図 第２図 ！ 第３図 口 第４図 Ｉ 第５図 ！ 第６図 ！ 第７図 ■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の半２９体層上に、該第１の半）９体層と（，１異
なる組成の第２の半）９体層を形成りる１稈と、該第２
の？１′１体層から、予定の周期Ｃ順次配列された多数
のス１−ラｒブ状」′導体層を形成ｃＪる工程と、 −１−記多数のス］−ライブ状２１′導体層をマスクと
する、−１記第１の半導体層（、ニス・ｊりる、ヌルド
パツク処理（こよつ（−、−１，間第′１の上台１木心
７かＩ）、１−記周期で凹凸を繰返しくいる凹凸面をイ
トする第３の゛１′１体層を形成覆る一１稈と、上記第
３の半導体層上に、上記多数のストノイゾ状丁シ０体層
を埋設しＣ１第３の１導体層とは異なる組成の第４の半
導体層を形成づる−「稈どを含むことを特徴どりる周期
（１４込ωイＨｉＪる１′導 イ木 １） − リ゛
の ’ＪＩＪ ン人 、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15735582A JPS5946083A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 周期構造を有する半導体レ−ザの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15735582A JPS5946083A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 周期構造を有する半導体レ−ザの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946083A true JPS5946083A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15647857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15735582A Pending JPS5946083A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 周期構造を有する半導体レ−ザの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946083A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4716132A (en) * | 1986-01-14 | 1987-12-29 | Sony Corporation | Method of manufacturing a distributed feedback type semiconductor device |
| JPH02189837A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-07-25 | Merlin Gerin | 磁気引外し装置 |
| US5023198A (en) * | 1990-02-28 | 1991-06-11 | At&T Bell Laboratories | Method for fabricating self-stabilized semiconductor gratings |
| US5274660A (en) * | 1991-09-20 | 1993-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of making it |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51105282A (en) * | 1975-03-12 | 1976-09-17 | Matsushita Electronics Corp | Handotaisochino seizohoho |
| JPS51114067A (en) * | 1975-04-01 | 1976-10-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga1-xas base |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP15735582A patent/JPS5946083A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51105282A (en) * | 1975-03-12 | 1976-09-17 | Matsushita Electronics Corp | Handotaisochino seizohoho |
| JPS51114067A (en) * | 1975-04-01 | 1976-10-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga1-xas base |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4716132A (en) * | 1986-01-14 | 1987-12-29 | Sony Corporation | Method of manufacturing a distributed feedback type semiconductor device |
| JPH02189837A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-07-25 | Merlin Gerin | 磁気引外し装置 |
| US5023198A (en) * | 1990-02-28 | 1991-06-11 | At&T Bell Laboratories | Method for fabricating self-stabilized semiconductor gratings |
| US5274660A (en) * | 1991-09-20 | 1993-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of making it |
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