JPS5940369B2 - １．２ジクロルエタンの精製法 - Google Patents
１．２ジクロルエタンの精製法Info
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- JPS5940369B2 JPS5940369B2 JP55039591A JP3959180A JPS5940369B2 JP S5940369 B2 JPS5940369 B2 JP S5940369B2 JP 55039591 A JP55039591 A JP 55039591A JP 3959180 A JP3959180 A JP 3959180A JP S5940369 B2 JPS5940369 B2 JP S5940369B2
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- carbon tetrachloride
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/38—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C17/383—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by distillation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＥＤＣの精製法に関するものである。
更に詳しくはオキシＥＤＣ及びダイレクトＥＤＣ並びに
未分解ＥＤＣを蒸留塔を用いて精製する方法の改良に関
するものである。（従来の技術） 現在塩化ビニルモノマー（以下ＶＣＭと略記する）の工
業的製造法は、精製ＥＤＣを熱分解する方法が主流で、
熱分解に供する原料ＥＤＣには、オキシＥＤＣ、ダイレ
クトＥＤＣ及び未分解ＥＤＣを精製して使用するプロセ
スである。
未分解ＥＤＣを蒸留塔を用いて精製する方法の改良に関
するものである。（従来の技術） 現在塩化ビニルモノマー（以下ＶＣＭと略記する）の工
業的製造法は、精製ＥＤＣを熱分解する方法が主流で、
熱分解に供する原料ＥＤＣには、オキシＥＤＣ、ダイレ
クトＥＤＣ及び未分解ＥＤＣを精製して使用するプロセ
スである。
オキシＥＤＣ中にはエチルクロライド、シスージクロル
エチレン、クロラール、四塩化炭素及びトリクロルエチ
レン等の低沸点物（沸点８３．７℃／７６０ｍｍＨｇ以
下）と１・１・２−トリクロルエタン、テトラクロルエ
タン等の高沸点物（沸点８３．７℃／ ７６０ｍｍＨｇ
以上）を不純物として含有している。一方、ダイレクト
ＥＤＣ中にはエチルクロライド、１・１−ジクロルエタ
ン及びクロロホルム等の低沸点物と１・１・２−トリク
ロルエタン、テトラクロルエタン等の高沸点物を不純物
として含有している。同じく未分解ＥＤＣ中にもエチル
クロライド、クロロプレン及びクロロホルム等の低沸点
物とモノクロルベンゼン等の高沸点物を不純物として含
有している。これら３種類の粗ＥＤＣを問題なく熱分解
し、通常品質のＶＣＭを得るに必要な程度まで工業的に
精製する方法としては蒸留塔が用いられる。
エチレン、クロラール、四塩化炭素及びトリクロルエチ
レン等の低沸点物（沸点８３．７℃／７６０ｍｍＨｇ以
下）と１・１・２−トリクロルエタン、テトラクロルエ
タン等の高沸点物（沸点８３．７℃／ ７６０ｍｍＨｇ
以上）を不純物として含有している。一方、ダイレクト
ＥＤＣ中にはエチルクロライド、１・１−ジクロルエタ
ン及びクロロホルム等の低沸点物と１・１・２−トリク
ロルエタン、テトラクロルエタン等の高沸点物を不純物
として含有している。同じく未分解ＥＤＣ中にもエチル
クロライド、クロロプレン及びクロロホルム等の低沸点
物とモノクロルベンゼン等の高沸点物を不純物として含
有している。これら３種類の粗ＥＤＣを問題なく熱分解
し、通常品質のＶＣＭを得るに必要な程度まで工業的に
精製する方法としては蒸留塔が用いられる。
一般的には、ＥＤＣより低沸点である不純物を除去する
いわゆる低沸点塔及びＥＤＣより高沸点である不純物を
除去する高沸点塔を順次使用して精製する。従来の精製
法では、通常低沸点物を除去するには、先述した３種類
の粗ＥＤＣを適当な方法、場所で混合した後、低沸点塔
のある適当な一つの段に供給し、塔頂から低沸点物を留
出させる方式である。低沸点塔では、塔底から缶出回収
する粗ＥＤＣ中に低沸点物を全く含有しないか、含有し
てもその量がＶＣＭを得る熱分解工程で支障のない、具
体的には熱分解速度を抑制せず、かつ反応管の閉塞を引
き起さない程度、例えば数百再廂以下まで小さく保つ必
要がある。
いわゆる低沸点塔及びＥＤＣより高沸点である不純物を
除去する高沸点塔を順次使用して精製する。従来の精製
法では、通常低沸点物を除去するには、先述した３種類
の粗ＥＤＣを適当な方法、場所で混合した後、低沸点塔
のある適当な一つの段に供給し、塔頂から低沸点物を留
出させる方式である。低沸点塔では、塔底から缶出回収
する粗ＥＤＣ中に低沸点物を全く含有しないか、含有し
てもその量がＶＣＭを得る熱分解工程で支障のない、具
体的には熱分解速度を抑制せず、かつ反応管の閉塞を引
き起さない程度、例えば数百再廂以下まで小さく保つ必
要がある。
ここでオキシＥＤＣに含有しているＥＤＣの熱分解触媒
として有効な四塩化炭素をＥＤＣとともに缶出液として
回収すれば、精製ＥＤＣ中に含有させることができるの
で、ＥＤＣの熱分解を行なう際に比較的低い温度で熱分
解できる。しかし、従来の一段供給の蒸留法では、蒸気
供給量を増やさないで四塩化炭素を精製ＥＤＣ中に含有
させようとすると他の低沸点物の濃度も増加するという
欠点があつた。
として有効な四塩化炭素をＥＤＣとともに缶出液として
回収すれば、精製ＥＤＣ中に含有させることができるの
で、ＥＤＣの熱分解を行なう際に比較的低い温度で熱分
解できる。しかし、従来の一段供給の蒸留法では、蒸気
供給量を増やさないで四塩化炭素を精製ＥＤＣ中に含有
させようとすると他の低沸点物の濃度も増加するという
欠点があつた。
又ＥＤＣ中の低沸点物の濃度を小さくしようとすれば、
四塩化炭素も低沸点物とともに留出除去される欠点があ
る。そこで蒸気供給量を増大し、精製ＥＤＣ中の低沸点
物濃度を小さく保持したまま、四塩化炭素濃度を高めよ
うとするとユーテイリテイコストのアツプを招くばかり
でなく低沸点塔の操作条件の僅かな変化によつても四塩
化炭素の濃度が大きく変化するため、このＥＤＣを熱分
解してＶＣＭを製造する際に分解率が安定しないという
結果を招いた。（発明が解決しようとする問題点）本発
明者等は、この様な欠点を招くことなく１塔の低沸点塔
でオキシＥＤＣｌダイレクトＥＤＣ及び未分解ＥＤＣの
３種類の粗ＥＤＣ中の低沸点物を塔頂へ除去し、ＥＤＣ
を缶出液中に回収する蒸留方法について検討を進めた結
果、本発明に到達したのである。
四塩化炭素も低沸点物とともに留出除去される欠点があ
る。そこで蒸気供給量を増大し、精製ＥＤＣ中の低沸点
物濃度を小さく保持したまま、四塩化炭素濃度を高めよ
うとするとユーテイリテイコストのアツプを招くばかり
でなく低沸点塔の操作条件の僅かな変化によつても四塩
化炭素の濃度が大きく変化するため、このＥＤＣを熱分
解してＶＣＭを製造する際に分解率が安定しないという
結果を招いた。（発明が解決しようとする問題点）本発
明者等は、この様な欠点を招くことなく１塔の低沸点塔
でオキシＥＤＣｌダイレクトＥＤＣ及び未分解ＥＤＣの
３種類の粗ＥＤＣ中の低沸点物を塔頂へ除去し、ＥＤＣ
を缶出液中に回収する蒸留方法について検討を進めた結
果、本発明に到達したのである。
（問題点を解決するための手段）
即ち本発明は、オキシＥＤＣをダイレクトＥＤＣ及び／
または未分解粗ＥＤＣと共に蒸留法によつて精製するに
あたり、オキシＥＤＣ単独又はオキシＥＤＣを主体とす
る他の粗ＥＤＣとの混合ＥＤＣを、ダイレクトＥＤＣ及
び／または未分解ＥＤＣ、又はこれらを主体とするオキ
シＥＤＣとの混合物の蒸留塔への供給段よりも少くとも
１０段上段に供給し、粗ＥＤＣ全供給量の２０％以下で
、上段の粗ＥＤＣ供給量の１０％以上の蒸気量を供給し
て蒸留し、ＥＤＣを缶出液中に回収することを特徴とす
る、少量の蒸気量で精製ＥＤＣを製造する省エネルギー
的なＥＤＣの精製法である。
または未分解粗ＥＤＣと共に蒸留法によつて精製するに
あたり、オキシＥＤＣ単独又はオキシＥＤＣを主体とす
る他の粗ＥＤＣとの混合ＥＤＣを、ダイレクトＥＤＣ及
び／または未分解ＥＤＣ、又はこれらを主体とするオキ
シＥＤＣとの混合物の蒸留塔への供給段よりも少くとも
１０段上段に供給し、粗ＥＤＣ全供給量の２０％以下で
、上段の粗ＥＤＣ供給量の１０％以上の蒸気量を供給し
て蒸留し、ＥＤＣを缶出液中に回収することを特徴とす
る、少量の蒸気量で精製ＥＤＣを製造する省エネルギー
的なＥＤＣの精製法である。
本発明によれば、従来の粗ＥＤＣの供給法に比べ、少量
の蒸気量で同量の粗ＥＤＣを処理し、品質的に優るとも
劣らない精製ＥＤＣを得ることができる。
の蒸気量で同量の粗ＥＤＣを処理し、品質的に優るとも
劣らない精製ＥＤＣを得ることができる。
この場合使用する蒸気量は、処理する粗ＥＤＣ量の２０
％以下であり、かつ少くとも上段に供給する粗ＥＤＣ量
の１０％以上であることが必要である。この場合効果的
に実施すれば蒸気量は従来法の１／３ですむ。従来法に
これと同じレベルの蒸気量を使用した場合、精製ＥＤＣ
中の低沸成分は数千Ｐｐｍに達し熱分解に供しうる実用
的なＥＤＣが得られない。さらに精製ＥＤＣ中の低沸点
物濃度を低く保持したまま缶出液中の四塩化炭素量を、
ＥＤＣ熱分解触媒として実用上有効な濃度３０００〜５
０００ｐｐｍに、希望すれば３０００ｐｐｍ以下、ある
いは５０００ｐｐｍ以上の実質的にあらゆる濃度で安定
的に維持することが出来る。このように、蒸留における
省エネルギー効果だけでも工業上極めて有効であるが、
その上、従来の供給方法では充分制御できなかつた缶出
液中の四塩化炭素濃度を希望する濃度で安定的に操作で
きる点で一層すぐれた産業上の有用性を示す。本発明の
実施の一態様について、以下詳細に説明する。四塩化炭
素を含有しているオキシ粗ＥＤＣを低沸塔々頂よりもい
くらか低い位置の段に供給し、同時にダイレクト粗ＥＤ
Ｃおよび／または未分解ＥＤＣをオキシＥＤＣの供給段
よりも更に低い位置に供給する。
％以下であり、かつ少くとも上段に供給する粗ＥＤＣ量
の１０％以上であることが必要である。この場合効果的
に実施すれば蒸気量は従来法の１／３ですむ。従来法に
これと同じレベルの蒸気量を使用した場合、精製ＥＤＣ
中の低沸成分は数千Ｐｐｍに達し熱分解に供しうる実用
的なＥＤＣが得られない。さらに精製ＥＤＣ中の低沸点
物濃度を低く保持したまま缶出液中の四塩化炭素量を、
ＥＤＣ熱分解触媒として実用上有効な濃度３０００〜５
０００ｐｐｍに、希望すれば３０００ｐｐｍ以下、ある
いは５０００ｐｐｍ以上の実質的にあらゆる濃度で安定
的に維持することが出来る。このように、蒸留における
省エネルギー効果だけでも工業上極めて有効であるが、
その上、従来の供給方法では充分制御できなかつた缶出
液中の四塩化炭素濃度を希望する濃度で安定的に操作で
きる点で一層すぐれた産業上の有用性を示す。本発明の
実施の一態様について、以下詳細に説明する。四塩化炭
素を含有しているオキシ粗ＥＤＣを低沸塔々頂よりもい
くらか低い位置の段に供給し、同時にダイレクト粗ＥＤ
Ｃおよび／または未分解ＥＤＣをオキシＥＤＣの供給段
よりも更に低い位置に供給する。
当初、未分解ＥＤＣ中には四塩化炭素が殆んど含有され
ていないためオキシ粗ＥＤＣ中に含有する四塩化炭素の
大部分を精製ＥＤＣ中に含有させても、その濃度は比較
的小さい。しかし、一旦精製ＥＤＣ中に含有させた四塩
化炭素は、ＥＤＣの熱分解工程で殆んどそのまま未分解
粗ＥＤＣ中に残存するため低沸塔に再び循環供給され、
しだいに濃縮されていく。かくして、精製ＥＤＣ中の四
塩化炭素濃度は外部から全く添加しなくても希望する濃
度まで高めることができる。この時点での未分解ＥＤＣ
中の四塩化炭素濃度はオキシＥＤＣ中の四塩化炭素の濃
度よりも高くなつている。そこで四塩化炭素の回収に際
しては濃度の高い未分解ＥＤＣからの回収率を濃度の相
対的に小さいオキシＥＤＣからの回収率よりも高くする
ことが効率良く、かつ安定的に回収するためのポイント
となる。また、低沸点物濃度の高いオキシＥＤＣからの
低沸点物の除去率を低沸点物濃度の低い未分解ＥＤＣ及
びダイレクトＥＤＣからの低沸点物の除去率よりも高く
することが効率良く低沸点物を除去するためのポイント
となる。四塩化炭素の回収率並びに低沸点物の除去率は
塔内の降下液量対上昇ガス量の比で決まるので、本発明
の方法によれば、上段にオキシＥＤＣを供給することに
よつてガス／液の比を高め低沸点物の除去率を上げるこ
とができ、下段にダイレクトＥＤＣおよび／または未分
解ＥＤＣを供給することによつてガス／液の比を下げ四
塩化炭素の回収率を上げることができる。本発明をより
効果的に実施するためには、上段と下段との間の段数、
塔頂から上段までの段数および下段から塔底までの段数
とも１０段以上あることが望ましい。しかし、この値は
本発明方法を限定するものではない。また本発明をより
効果的に実施するためには、ＶＣＭ製造プラントから製
造されるオキシＥＤＣの全量を上位段に供給し、未分解
ＥＤＣの全量を中位段に供給し、ダイレクトＥＤＣの全
量を下位段に供給することが望ましいが、実際の操作に
おいては３種類のＥＤＣを完全に区別して３段で供給す
る必要はなく、オキシＥＤＣを主体とする、これと他の
粗ＥＤＣ即ちダイレクトＥＤＣおよび／または未分解Ｅ
ＤＣとの混合ＥＤＣと、オキシＥＤＣ以外の他の粗ＥＤ
Ｃを主体とするこれら３つの粗ＥＤＣの混合ＥＤＣの少
なくとも２つの混合ＥＤＣを作り、前者を後者の供給段
よりも上段に供給することにより、それ相応の蒸気が節
減でき、四塩化炭素も容易に精製ＥＤＣ中に含有せしめ
ることができる。通常のバランスプロセスによるＶＣＭ
製造プラントに於てはオキシＥＤＣｌ未分解ＥＤＣ及び
ダイレクトＥＤＣの比率は精製ＥＤＣの熱分解率が５０
％に保たれる時、概ね１：２：１となる。
ていないためオキシ粗ＥＤＣ中に含有する四塩化炭素の
大部分を精製ＥＤＣ中に含有させても、その濃度は比較
的小さい。しかし、一旦精製ＥＤＣ中に含有させた四塩
化炭素は、ＥＤＣの熱分解工程で殆んどそのまま未分解
粗ＥＤＣ中に残存するため低沸塔に再び循環供給され、
しだいに濃縮されていく。かくして、精製ＥＤＣ中の四
塩化炭素濃度は外部から全く添加しなくても希望する濃
度まで高めることができる。この時点での未分解ＥＤＣ
中の四塩化炭素濃度はオキシＥＤＣ中の四塩化炭素の濃
度よりも高くなつている。そこで四塩化炭素の回収に際
しては濃度の高い未分解ＥＤＣからの回収率を濃度の相
対的に小さいオキシＥＤＣからの回収率よりも高くする
ことが効率良く、かつ安定的に回収するためのポイント
となる。また、低沸点物濃度の高いオキシＥＤＣからの
低沸点物の除去率を低沸点物濃度の低い未分解ＥＤＣ及
びダイレクトＥＤＣからの低沸点物の除去率よりも高く
することが効率良く低沸点物を除去するためのポイント
となる。四塩化炭素の回収率並びに低沸点物の除去率は
塔内の降下液量対上昇ガス量の比で決まるので、本発明
の方法によれば、上段にオキシＥＤＣを供給することに
よつてガス／液の比を高め低沸点物の除去率を上げるこ
とができ、下段にダイレクトＥＤＣおよび／または未分
解ＥＤＣを供給することによつてガス／液の比を下げ四
塩化炭素の回収率を上げることができる。本発明をより
効果的に実施するためには、上段と下段との間の段数、
塔頂から上段までの段数および下段から塔底までの段数
とも１０段以上あることが望ましい。しかし、この値は
本発明方法を限定するものではない。また本発明をより
効果的に実施するためには、ＶＣＭ製造プラントから製
造されるオキシＥＤＣの全量を上位段に供給し、未分解
ＥＤＣの全量を中位段に供給し、ダイレクトＥＤＣの全
量を下位段に供給することが望ましいが、実際の操作に
おいては３種類のＥＤＣを完全に区別して３段で供給す
る必要はなく、オキシＥＤＣを主体とする、これと他の
粗ＥＤＣ即ちダイレクトＥＤＣおよび／または未分解Ｅ
ＤＣとの混合ＥＤＣと、オキシＥＤＣ以外の他の粗ＥＤ
Ｃを主体とするこれら３つの粗ＥＤＣの混合ＥＤＣの少
なくとも２つの混合ＥＤＣを作り、前者を後者の供給段
よりも上段に供給することにより、それ相応の蒸気が節
減でき、四塩化炭素も容易に精製ＥＤＣ中に含有せしめ
ることができる。通常のバランスプロセスによるＶＣＭ
製造プラントに於てはオキシＥＤＣｌ未分解ＥＤＣ及び
ダイレクトＥＤＣの比率は精製ＥＤＣの熱分解率が５０
％に保たれる時、概ね１：２：１となる。
（発明の効果）ここで本発明の方法を最も効果的に実施
すれば、低沸塔への蒸気供給量は供給する全粗ＥＤＣ量
の５〜１０％、従来法の約１／３に減少でき大幅な省エ
ネルギーが達成できると同時に、高沸塔を経て得られる
精製ＥＤＣ中の四塩化炭素の濃度を１０００〜５０００
モルＰｐｍの任意な値でコントロールすることができる
。
すれば、低沸塔への蒸気供給量は供給する全粗ＥＤＣ量
の５〜１０％、従来法の約１／３に減少でき大幅な省エ
ネルギーが達成できると同時に、高沸塔を経て得られる
精製ＥＤＣ中の四塩化炭素の濃度を１０００〜５０００
モルＰｐｍの任意な値でコントロールすることができる
。
更に必要であれば、もつと高濃度にすることも、或は実
質的に四塩化炭素を缶出液中に回収しないような操作も
可能である。これは低沸塔々頂液中の低沸点物濃度の調
整により制御できるもので、通常は蒸留塔濃縮部の適当
な特定段の温度を代用特性として用いる。また本発明は
、従来技術に較べ蒸留塔の断面積及び冷却器並びにリボ
イラーの伝熱面積を１／３に出来るため建設費の削減が
可能となる。本発明を実施するために新設した蒸留塔へ
のＥＤＣ供給設備の費用が本発明の経済性に与える影響
はほとんどない。かくの如く本発明は経済的なＥＤＣの
精製法を与えるのみならず、建設費の削減が可能となり
、運転操作が簡単で、かつ工業的にも容易に実施できる
極めて有利な方法である。（実施例と比較例） 次に、実施例をあげて本発明を説明する。
質的に四塩化炭素を缶出液中に回収しないような操作も
可能である。これは低沸塔々頂液中の低沸点物濃度の調
整により制御できるもので、通常は蒸留塔濃縮部の適当
な特定段の温度を代用特性として用いる。また本発明は
、従来技術に較べ蒸留塔の断面積及び冷却器並びにリボ
イラーの伝熱面積を１／３に出来るため建設費の削減が
可能となる。本発明を実施するために新設した蒸留塔へ
のＥＤＣ供給設備の費用が本発明の経済性に与える影響
はほとんどない。かくの如く本発明は経済的なＥＤＣの
精製法を与えるのみならず、建設費の削減が可能となり
、運転操作が簡単で、かつ工業的にも容易に実施できる
極めて有利な方法である。（実施例と比較例） 次に、実施例をあげて本発明を説明する。
比較例 １
四塩化炭素を８４０モルＰｐｍ含有するエチレンのオキ
シ塩素化によつて得られた純度９６．３モル％のオキシ
ＥＤＣを毎時１５トン、四塩化炭素を３０モルＰｐｍ含
有するエチレンの直接塩素化によつて得られた純度９９
．５モル％の粗ダイレクトＥＤＣを毎時１５トン及び四
塩化炭素を７５０モルＰｐｍ含有する縞度９９．８モル
％の未分解ＥＤＣを毎時３０トンを７５段からなる低沸
点塔の塔底から６０段目に全量供給し、７０段の温度が
１２０℃になるよう塔頂からの抜取液量を調整し、塔底
のリボイラーに蒸気を毎時１２．８トン供給すると塔底
から得られたＥＤＣ中の四塩化炭素濃度は３５０モルＰ
ｐｍｌその他の低沸点物の濃度は合計１７０モルＰｐｍ
であつた。
シ塩素化によつて得られた純度９６．３モル％のオキシ
ＥＤＣを毎時１５トン、四塩化炭素を３０モルＰｐｍ含
有するエチレンの直接塩素化によつて得られた純度９９
．５モル％の粗ダイレクトＥＤＣを毎時１５トン及び四
塩化炭素を７５０モルＰｐｍ含有する縞度９９．８モル
％の未分解ＥＤＣを毎時３０トンを７５段からなる低沸
点塔の塔底から６０段目に全量供給し、７０段の温度が
１２０℃になるよう塔頂からの抜取液量を調整し、塔底
のリボイラーに蒸気を毎時１２．８トン供給すると塔底
から得られたＥＤＣ中の四塩化炭素濃度は３５０モルＰ
ｐｍｌその他の低沸点物の濃度は合計１７０モルＰｐｍ
であつた。
更に四塩化炭素濃度を高める目的でリボイラーに供給す
る蒸気を毎時１５．５トンに増加し、７０段の温度を８
℃下げたところ６時間後に塔底から得られたＥＤＣ中の
四塩化炭素濃度は３０００モル再肛に達したが、濃度は
安定せず１６００モルＰｐｍから４１００モルＰｐｍの
範囲で変化した。
る蒸気を毎時１５．５トンに増加し、７０段の温度を８
℃下げたところ６時間後に塔底から得られたＥＤＣ中の
四塩化炭素濃度は３０００モル再肛に達したが、濃度は
安定せず１６００モルＰｐｍから４１００モルＰｐｍの
範囲で変化した。
この間の低沸点物濃度は最大２００モルＰｐｍであつた
。比較例 ２ 比較例１で使用したオキシＥＤＣｌダイレクトＥＤＣお
よび未分解ＥＤＣを使用し、未分解ＥＤＣは塔底から６
０段目毎時３０トン、オキシＥＤＣとダイレクトＥＤＣ
を塔底から３０段目に毎時１５トンずつ供給し、７０段
目の温度を１１２℃として、塔底より蒸気を毎時４トン
供給した。
。比較例 ２ 比較例１で使用したオキシＥＤＣｌダイレクトＥＤＣお
よび未分解ＥＤＣを使用し、未分解ＥＤＣは塔底から６
０段目毎時３０トン、オキシＥＤＣとダイレクトＥＤＣ
を塔底から３０段目に毎時１５トンずつ供給し、７０段
目の温度を１１２℃として、塔底より蒸気を毎時４トン
供給した。
塔底より得られたＥＤＣ中の四塩化炭素は平均４６００
ｐｐｍ１低沸点物の濃度は８７００ｐｐｍであつた。同
じ条件で蒸気供給量を毎時１５．５トンにした場合四塩
化炭素濃度は平均１８００ｐｐｍ、低沸点物濃度は２３
０ｐｐｍであつた。
ｐｐｍ１低沸点物の濃度は８７００ｐｐｍであつた。同
じ条件で蒸気供給量を毎時１５．５トンにした場合四塩
化炭素濃度は平均１８００ｐｐｍ、低沸点物濃度は２３
０ｐｐｍであつた。
実施例 １
本発明の方法に従い、オキシＥＤＣを毎時１５トンを６
０段に、粗ダイレクトＥＤＣを毎時１５トン及び未分解
ＥＤＣを毎時３０トンを３０段に供給し、リボイラーに
蒸気を毎時４トン供給し、７０段の温度が１１２℃にな
るよう調節した。
０段に、粗ダイレクトＥＤＣを毎時１５トン及び未分解
ＥＤＣを毎時３０トンを３０段に供給し、リボイラーに
蒸気を毎時４トン供給し、７０段の温度が１１２℃にな
るよう調節した。
塔底から得られたＥＤＣ中の四塩化炭素濃度は６時間後
に３２００モルＰｐｍｌ３日後に３７００モルＰｐｍに
増加したがその後は増加しなかつた。そこで蒸留塔の７
０段の温度を更に２℃下げると、３日後に７８００モル
Ｐｐｎｌまで増加し、その後は増加しなかつた。この間
の低沸点物濃度は１５０モルＰｐｍで推移し変動は僅か
であつた。実施例 ２ オキシＥＤＣ：ダイレクトＥＤＣ：未分解ＥＤＣ−１２
．５：５：５から成る混合ＥＤＣを低沸点塔の６０段へ
毎時２２．５トン、オキシＥＤＣ：ダイレクトＥＤＣ：
未分解ＥＤＣ−２．５：１０：２５から成る混合ＥＤＣ
を３０段へ毎時３７．５トン供給し、リボイラーに蒸気
を毎時６．５トン供給した。
に３２００モルＰｐｍｌ３日後に３７００モルＰｐｍに
増加したがその後は増加しなかつた。そこで蒸留塔の７
０段の温度を更に２℃下げると、３日後に７８００モル
Ｐｐｎｌまで増加し、その後は増加しなかつた。この間
の低沸点物濃度は１５０モルＰｐｍで推移し変動は僅か
であつた。実施例 ２ オキシＥＤＣ：ダイレクトＥＤＣ：未分解ＥＤＣ−１２
．５：５：５から成る混合ＥＤＣを低沸点塔の６０段へ
毎時２２．５トン、オキシＥＤＣ：ダイレクトＥＤＣ：
未分解ＥＤＣ−２．５：１０：２５から成る混合ＥＤＣ
を３０段へ毎時３７．５トン供給し、リボイラーに蒸気
を毎時６．５トン供給した。
塔底から得られた四塩化炭素濃度は６時間後に３０５０
モルＰｐｍ、３日後に３５００モルＰｐｍに増加したが
、この間の低沸点物濃度は２００モルＰｐｍで推移し、
変動は僅かであつた。実施例 ３低沸塔の６０段にオキ
シＥＤＣを毎時１５トン、３０段にダイレクトＥＤＣを
毎時１５トン及び未分解ＥＤＣを毎時３０トン供給し、
リボイラーに蒸気を毎時３．５トン供給し、７０段の温
度を１１７℃になるよう調節した。
モルＰｐｍ、３日後に３５００モルＰｐｍに増加したが
、この間の低沸点物濃度は２００モルＰｐｍで推移し、
変動は僅かであつた。実施例 ３低沸塔の６０段にオキ
シＥＤＣを毎時１５トン、３０段にダイレクトＥＤＣを
毎時１５トン及び未分解ＥＤＣを毎時３０トン供給し、
リボイラーに蒸気を毎時３．５トン供給し、７０段の温
度を１１７℃になるよう調節した。
塔底から得られた四塩化炭素濃度は６時間後に６０ＰＰ
Ｔ１、３日後に３４０ｐｐｍに増加したが、その後は増
加しなかつた。この間の低沸点物濃度は１３０ｐｐｍで
推移し、変動は僅かであつた。更に四塩化炭素の濃度を
増大させる目的で低沸塔の７０段の温度を１１４゜Ｃま
で下げると６時間後に四塩化炭素濃度は４８００ｐｐｍ
、低沸点物濃度は２６０ｐｐｍ、３日後に四塩化炭素濃
度は６２００ｐｐｍ、低沸点物濃度は２９０ｐｐｍに増
加したがその後ほ増加しなかつた４
Ｔ１、３日後に３４０ｐｐｍに増加したが、その後は増
加しなかつた。この間の低沸点物濃度は１３０ｐｐｍで
推移し、変動は僅かであつた。更に四塩化炭素の濃度を
増大させる目的で低沸塔の７０段の温度を１１４゜Ｃま
で下げると６時間後に四塩化炭素濃度は４８００ｐｐｍ
、低沸点物濃度は２６０ｐｐｍ、３日後に四塩化炭素濃
度は６２００ｐｐｍ、低沸点物濃度は２９０ｐｐｍに増
加したがその後ほ増加しなかつた４
第１図は本発明の多段供給ＥＤＣ蒸留システムの説明用
フローシート。 第２図は従来法の１段供給ＥＤＣ蒸留システムのフロー
シート。１・・・・・・低沸点塔、・・・・・・高沸点
塔、１・・・・・・オキシＥＤＣの蒸留塔への供給、１
（・・・・・オキシＥＤＣ、ダイレクトＥＤＣ、未分解
ＥＤＣの混合ＥＤＣの供給、２・・・・・・ダイレクト
ＥＤＣｌ未分解ＥＤＣの混合ＥＤＣの供給、３・・・・
・・留出液低沸点物、４・・・・・・缶出液（ＥＤＣ＋
四塩化炭素＋高沸点物）、５・・・・・・精製ＥＤＣ（
四塩化炭素＋ＥＤＣ）、６・・・・・・高沸点物。
フローシート。 第２図は従来法の１段供給ＥＤＣ蒸留システムのフロー
シート。１・・・・・・低沸点塔、・・・・・・高沸点
塔、１・・・・・・オキシＥＤＣの蒸留塔への供給、１
（・・・・・オキシＥＤＣ、ダイレクトＥＤＣ、未分解
ＥＤＣの混合ＥＤＣの供給、２・・・・・・ダイレクト
ＥＤＣｌ未分解ＥＤＣの混合ＥＤＣの供給、３・・・・
・・留出液低沸点物、４・・・・・・缶出液（ＥＤＣ＋
四塩化炭素＋高沸点物）、５・・・・・・精製ＥＤＣ（
四塩化炭素＋ＥＤＣ）、６・・・・・・高沸点物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エチレンのオキシ塩素化によつて得られた粗１・２
ジクロルエタン（以下オキシＥＤＣと略記する）を、エ
チレンの直接塩素化によつて得られた粗１・２ジクロル
エタン（以下ダイレクトＥＤＣと略記する）および／ま
たはＥＤＣの熱分解の際に残留した未分解粗ＥＤＣと共
に蒸留法によつて精製するにあたり、オキシＥＤＣ単独
又はオキシＥＤＣを主体とする他の粗ＥＤＣとの混合Ｅ
ＤＣを、ダイレクトＥＤＣおよび／または未分解ＥＤＣ
又はこれらを主体とするオキシＥＤＣとの混合物の供給
段よりも少くとも１０段上段に供給し、粗ＥＤＣ全供給
量の２０％以下で、上段の粗ＥＤＣ供給量の１０％以上
の蒸気量を供給して蒸留し、ＥＤＣを缶出液中に回収す
ることを特徴とするＥＤＣの精製法。 ２ 供給原料中に含まれる四塩化炭素をＥＤＣと共に缶
出液に回収し、四塩化炭素より低沸点の成分を留出液と
して留出させる特許請求の範囲第１項記載のＥＤＣの精
製法。 ３ 缶出液中の四塩化炭素を任意の濃度で安定的に操作
する特許請求の範囲第２項記載のＥＤＣの精製法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55039591A JPS5940369B2 (ja) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | １．２ジクロルエタンの精製法 |
| US06/246,154 US4351976A (en) | 1980-03-26 | 1981-03-23 | Method for purifying 1,2-dichloroethane |
| DE3112011A DE3112011C3 (de) | 1980-03-26 | 1981-03-26 | Verfahren zur Reinigung von 1,2-Dichloräthan |
| US06/425,696 US4507514A (en) | 1980-03-26 | 1982-09-28 | Method for purifying 1,2-dichloroethane |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55039591A JPS5940369B2 (ja) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | １．２ジクロルエタンの精製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56135428A JPS56135428A (en) | 1981-10-22 |
| JPS5940369B2 true JPS5940369B2 (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=12557340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55039591A Expired JPS5940369B2 (ja) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | １．２ジクロルエタンの精製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4351976A (ja) |
| JP (1) | JPS5940369B2 (ja) |
| DE (1) | DE3112011C3 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0131932B1 (en) * | 1983-07-13 | 1986-10-22 | Tosoh Corporation | Method for distillation of 1,2-dichloroethane |
| DE3519161A1 (de) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur reinigung von 1,2-dichlorethan |
| DE3543222A1 (de) * | 1985-12-06 | 1987-06-11 | Wacker Chemie Gmbh | Verbessertes verfahren zur herstellung von vinylchorid durch thermische spaltung von 1,2-dichlorethan |
| GB9407257D0 (en) * | 1993-04-22 | 1994-06-08 | Ici Plc | Vaporisation of liquids |
| US5558747A (en) * | 1993-06-25 | 1996-09-24 | Amvac Chemical Corporation | Process for azeotropic distillation of aqueous chloral mixtures |
| DE19953762C2 (de) * | 1999-11-09 | 2003-07-10 | Uhde Gmbh | Verfahren zur Nutzung der bei der 1,2-Dichlorethan-Herstellung im Direktchlorierungsreaktor anfallenden Wärme |
| CN111848335B (zh) * | 2019-05-27 | 2023-05-30 | 万华化学(福建)有限公司 | 一种氯乙烯生产过程中的1,2-二氯乙烷提纯方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2755315A (en) * | 1952-09-10 | 1956-07-17 | Firestone Tire & Rubber Co | Cracking ethylene dichloride |
| BE725636A (ja) * | 1968-12-18 | 1969-06-18 | ||
| US4172099A (en) * | 1972-05-30 | 1979-10-23 | Stauffer Chemical Company | Process for chlorination of ethylene |
| GB1422303A (en) * | 1973-06-11 | 1976-01-28 | Stauffer Chemical Co | Production of ethylene dichloride |
| DE2349838B1 (de) * | 1973-10-04 | 1974-11-07 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorid |
| US4162201A (en) * | 1978-07-12 | 1979-07-24 | Ppg Industries, Inc. | Purification and recovery of ethylene dichloride |
-
1980
- 1980-03-26 JP JP55039591A patent/JPS5940369B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-03-23 US US06/246,154 patent/US4351976A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-03-26 DE DE3112011A patent/DE3112011C3/de not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-09-28 US US06/425,696 patent/US4507514A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56135428A (en) | 1981-10-22 |
| DE3112011C2 (ja) | 1989-03-23 |
| US4507514A (en) | 1985-03-26 |
| DE3112011A1 (de) | 1982-01-14 |
| US4351976A (en) | 1982-09-28 |
| DE3112011C3 (de) | 1996-06-20 |
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