JPS5939907B2 - power transistor - Google Patents
power transistorInfo
- Publication number
- JPS5939907B2 JPS5939907B2 JP53059733A JP5973378A JPS5939907B2 JP S5939907 B2 JPS5939907 B2 JP S5939907B2 JP 53059733 A JP53059733 A JP 53059733A JP 5973378 A JP5973378 A JP 5973378A JP S5939907 B2 JPS5939907 B2 JP S5939907B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- base
- emitter
- electrode
- base region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多数のトランジスタユニットで構成された電
力用トランジスタに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a power transistor composed of a large number of transistor units.
電力用トランジスタは大電流領域で使用され、しかも大
きな電力を取り扱うものであり、したがつて大電流領域
において電流増幅率が低下せず、しかも、安全動作領域
ＡＳＯの広い電気的特性を具備していることがのぞまし
い。かかる電気的特性を具備する電力用トランジスタを
得るためには、大きなエミッタ電流下におけるエミッタ
注入効率を高めるとともに、エミッタ領域全域にわたる
電流分布の均一化をはからねばならない。本発明は、上
記の問題に鑑みてなされたものであり、エミッタ周辺長
とエミッタ面積の比を大きくするとともに効果的にベー
スバラスト抵抗を付与して電流分布の均一化をはかり、
エミッタにおける局部的な電流集中の緩和、周波数特性
の改善ならびに大電流領域における電流増幅率の低下防
止をはかる構造の電力用トランジスタを提供するもので
ある。Power transistors are used in large current ranges and handle large amounts of power. Therefore, the current amplification factor does not decrease in large current ranges, and they have electrical characteristics with a wide safe operating area ASO. It's nice to be there. In order to obtain a power transistor having such electrical characteristics, it is necessary to increase the emitter injection efficiency under a large emitter current and to make the current distribution uniform over the entire emitter region. The present invention was made in view of the above problems, and aims to equalize the current distribution by increasing the ratio of the emitter peripheral length to the emitter area and effectively providing a base ballast resistance.
The present invention provides a power transistor having a structure that alleviates local current concentration in the emitter, improves frequency characteristics, and prevents a decrease in current amplification factor in a large current region.
かかる本発明の電力用トランジスタの特徴は、コレクタ
領域となる１導電型の半導体基板上に形成されたこれと
は反対導電型のベース領域と、同ベース領域内へこれを
細分化する関係で作り込まれ、かつベース領域により周
囲が完全に包囲される半導体基板と同一導電型のエミッ
タ領域と、同エミッタ領域により包囲されたベース領域
部内にこれを貫通することのない深さで形成され同ベー
ス領域部を内外に分けるエミッタ領域と同一導電型の環
状領域を備えるとともに、同壊状領域の内側に位置する
ベース領域部分の中央部に、ベース電極が付設され、ま
たエミッタ領域の前記中央部に対して対称な位置にエミ
ッタ電極が付設され、さらに、ベース電極ならびにエミ
ッタ電極のそれぞれが一体に連結されたところにある。The power transistor of the present invention is characterized by having a base region of an opposite conductivity type formed on a semiconductor substrate of one conductivity type serving as a collector region, and subdividing this base region into the same base region. an emitter region of the same conductivity type as the semiconductor substrate, which is completely surrounded by the base region; An annular region having the same conductivity type as the emitter region that divides the region into the inside and outside is provided, and a base electrode is provided at the center of the base region located inside the broken region, and a base electrode is provided at the center of the emitter region. An emitter electrode is attached at a symmetrical position with respect to the base electrode, and the base electrode and the emitter electrode are each integrally connected.
以下に図面を参照して本発明の電力用トランジスタにつ
いて詳述する。The power transistor of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第１図ならびに第２図は本発明の一実施例にかかる電力
用トランジスタの平面図ならびに断面図である。1 and 2 are a plan view and a sectional view of a power transistor according to an embodiment of the present invention.
第１図ならびに第２図において、１は例えばＮ型のコレ
クタ領域、２はＰ型ベース領域、３はＮ型のエミツタ領
域、４はＮ型エミツタ領域によつて細分化されたベース
領域部分５の内に作り込まれ、この部分を内側部分６と
外側部分７とに画定するＮ型環状領域、８はベース電極
そして９は工ミツタ電極である。1 and 2, 1 is an N-type collector region, 2 is a P-type base region, 3 is an N-type emitter region, and 4 is a base region portion 5 subdivided by the N-type emitter region. 8 is a base electrode and 9 is an operative electrode.
かかる本発明のトランジスタでは、第１図で示す平面図
で明らかなように、エミツタ領域３が格子状に形成され
ており、このエミツタ領域によつて完全に包囲された桝
目状のベース領域部分が多数個存在している。In such a transistor of the present invention, as is clear from the plan view shown in FIG. 1, the emitter region 3 is formed in a lattice shape, and the square-shaped base region completely surrounded by the emitter region is There are many.
また、ベース領域への電極形成は図示するように、桝目
状とされた各ベース領域部分の内側部分６に対してなさ
れ、しかも、これらの電極は一体に連結されている。ま
た、エミツタ領域への電極形成は、ベース電極に対して
対称な位置Ａ，ｂ，ｃおよびｄに対してなされ、しかも
これらの電極が一体に連結されている。図では、ベース
ならびにエミツタ電極細条のそれぞれが独立して示され
ているが、これらはそれぞれ一体とされ、実際には指組
み状の電極形状を示す。以上の構造を具備する本発明の
トランジスタは細分化されたベース領域部分とこれを包
囲するエミツタ領域ならびにコレクタ領域とで形成され
る微小トランジスタの集合体によつて構成されるもので
あり、エミツタ周辺長はすこぶる長いものとなる。すな
わち、エミツタ周辺長とエミツタ面積の比は、エミツタ
領域を細分化し、電極を連結してなる周知のオーバレイ
形トランジスタと同様に大きな値となり、しや断周波数
が高くなること、エミツタ領域における局部的な電流集
中が排除され、したがつて電流依存性が改善され大電流
領域においても大きな電流増幅率が得られること、さら
に電流分布が均一化され熱破壊に対する強度が増すなど
の効果が奏される。また、本発明のトランジスタでは、
環状領域４が作り込まれているために、コレクタ領域１
と環状領域４との間に狭小なベース領域部分が存在する
ところとなり、この領域部分により安定化抵抗ｒが付与
され、電流分布はより一層均一化される。Further, as shown in the figure, electrodes are formed on the base region on the inner side portion 6 of each base region portion which is formed into a square shape, and these electrodes are integrally connected. Furthermore, electrodes are formed in the emitter region at positions A, b, c, and d that are symmetrical with respect to the base electrode, and these electrodes are integrally connected. In the figure, each of the base and emitter electrode strips is shown independently, but they are each integrated, and actually exhibit a finger-combined electrode shape. The transistor of the present invention having the above structure is constituted by an assembly of microtransistors formed by a subdivided base region, an emitter region surrounding the base region, and a collector region. The length will be very long. In other words, the ratio of the emitter peripheral length to the emitter area becomes a large value, similar to the well-known overlay type transistor in which the emitter region is subdivided and the electrodes are connected. Current concentration is eliminated, current dependence is improved, and a large current amplification factor can be obtained even in the large current region.Furthermore, the current distribution is made uniform and the strength against thermal damage is increased. . Furthermore, in the transistor of the present invention,
Since the annular region 4 is built in, the collector region 1
A narrow base region exists between the annular region 4 and the annular region 4, and this region provides a stabilizing resistance r, making the current distribution even more uniform.
さらに、エミツタ電極を図示するようにａ−ｄ点に形成
することにより、エミツタ電流はエミツタ領域の全域に
均等に分散し、このことによつても電流分布の均一化が
はかられる。なお、トランジスタの極性は、上記の実施
例のものとは逆にＰＮＰ型であつてもよいこと勿論であ
る。Further, by forming the emitter electrodes at points a to d as shown in the figure, the emitter current is evenly distributed over the entire emitter region, which also makes the current distribution uniform. It goes without saying that the polarity of the transistor may be of the PNP type, contrary to that of the above embodiment.
以上説明してきたところから明らかなように、本発明の
電力用トランジスタは、高周波高出力トランジスタに要
求される幾多の条件をことごとく満足しうるものであり
、電力用トランジスタとしての優れた電気特性を具備す
るものである。As is clear from the above explanation, the power transistor of the present invention can satisfy all the conditions required of a high frequency, high output transistor, and has excellent electrical characteristics as a power transistor. It is something to do.
第１図は本発明の電力用トランジスタの一実施例を示す
部分拡大平面図、第２図は第１図の−線に沿つた断面図
である。
１・・・・・・Ｎ型コレクタ領域、２・・・・・・Ｐ型
ベース領域、３・・・・・・Ｎ型エミツタ領域、４・・
・・・・Ｎ型環状領域、５・・・・・・細分化されたベ
ース領域部分、６・・・・・・内側ベース領域部分、７
・・・・・・外側ベース領域部分、８−・・・・・ベー
ス電極、９・・・・・・エミツタ電極。FIG. 1 is a partially enlarged plan view showing one embodiment of a power transistor of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line - in FIG. 1. 1... N-type collector region, 2... P-type base region, 3... N-type emitter region, 4...
... N-type annular region, 5 ... Subdivided base region portion, 6 ... Inner base region portion, 7
......Outer base region portion, 8-...Base electrode, 9...Emitter electrode.
Claims (1)
れたこれとは逆導電型のベース領域、同ベース領域内へ
これを多数個に細分化する関係で作り込まれ、かつ前記
ベース領域により周囲を完全に包囲されたコレクタ領域
と同一導電型の格子状エミッタ領域、同格子状エミッタ
領域により包囲された多数個のベース領域部分の全ての
中へこれを貫通することのない深さで形成され、同ベー
ス領域部分を内側部分と外側部分に２分する格子状エミ
ッタ領域と同一導電型の環状領域を備えるとともに、同
環状領域により２分されたベース領域部分の内側部分の
中央部にベース電極が形成され、また前記ベース電極に
対して対称点に位置する格子状エミッタ領域の直交する
位置にのみエミッタ電極が形成され、さらに前記ベース
電極ならびにエミッタ電極のそれぞれが一体に連結され
てなることを特徴とする電力用トランジスタ。1. A semiconductor substrate that becomes a collector region, a base region formed on the same substrate and having a conductivity type opposite to that of the base region, and a base region that is subdivided into a large number of pieces within the same base region, and that the base region has a surrounding area. A lattice-shaped emitter region of the same conductivity type as the collector region completely surrounded by the lattice-shaped emitter region is formed at a depth that does not penetrate into all of the multiple base region parts surrounded by the same lattice-shaped emitter region. , a grid-like emitter region that divides the base region into two parts, an inner part and an outer part, and an annular region of the same conductivity type, and a base electrode in the center of the inner part of the base region divided into two by the annular region. is formed, and an emitter electrode is formed only at a position orthogonal to a lattice-shaped emitter region located at a symmetrical point with respect to the base electrode, and further, each of the base electrode and emitter electrode is integrally connected. Characteristic power transistors.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53059733A JPS5939907B2 (en) | 1978-05-18 | 1978-05-18 | power transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53059733A JPS5939907B2 (en) | 1978-05-18 | 1978-05-18 | power transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54150980A JPS54150980A (en) | 1979-11-27 |
| JPS5939907B2 true JPS5939907B2 (en) | 1984-09-27 |
Family
ID=13121693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53059733A Expired JPS5939907B2 (en) | 1978-05-18 | 1978-05-18 | power transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939907B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3035462A1 (en) * | 1980-09-19 | 1982-05-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| JPS60165759A (en) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Nippon Denso Co Ltd | Integrated circuit element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057386A (en) * | 1973-09-12 | 1975-05-19 |
-
1978
- 1978-05-18 JP JP53059733A patent/JPS5939907B2/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057386A (en) * | 1973-09-12 | 1975-05-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54150980A (en) | 1979-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4012764A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| US5003370A (en) | High power frequency semiconductor device with improved thermal resistance | |
| US4315271A (en) | Power transistor and method of manufacturing same | |
| US4835588A (en) | Transistor | |
| JPS6243548B2 (en) | ||
| JPS5939907B2 (en) | power transistor | |
| JPH0132668B2 (en) | ||
| US8994075B1 (en) | Heterojunction bipolar transistor geometry for improved power amplifier performance | |
| US4024568A (en) | Transistor with base/emitter encirclement configuration | |
| US3465214A (en) | High-current integrated-circuit power transistor | |
| US3906545A (en) | Thyristor structure | |
| TWI441330B (en) | Bipolar junction transistor device | |
| US4054897A (en) | Semiconductor device with high frequency, high power output | |
| JPS62128564A (en) | Reverse conductive thyristor | |
| JPS5937866B2 (en) | semiconductor equipment | |
| JPH09283771A (en) | Schottky barrier diode | |
| US4249192A (en) | Monolithic integrated semiconductor diode arrangement | |
| US5736755A (en) | Vertical PNP power device with different ballastic resistant vertical PNP transistors | |
| JPS5916414B2 (en) | semiconductor equipment | |
| JP3329376B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPS6022615Y2 (en) | transistor | |
| JPH04314367A (en) | Planar diode and its manufacture | |
| JP2650405B2 (en) | Bipolar transistor | |
| JPS62104168A (en) | Heterojunction bipolar transistor | |
| JPH0766392A (en) | Field effect transistor |