JPS593543B2 - 箔の表面に皮膜を形成する方法 - Google Patents
箔の表面に皮膜を形成する方法Info
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- JPS593543B2 JPS593543B2 JP56158157A JP15815781A JPS593543B2 JP S593543 B2 JPS593543 B2 JP S593543B2 JP 56158157 A JP56158157 A JP 56158157A JP 15815781 A JP15815781 A JP 15815781A JP S593543 B2 JPS593543 B2 JP S593543B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、箔の表面に皮膜を形成する方法に関し、さ
らに詳しくは箔の表面に、太陽熱選択吸収膜、または太
陽光を適度に透過させるとともに大部分を吸収し、しか
も吸収した熱を反対側に放射する皮膜等金属または半導
体からなる層とこれらの酸化物からなる層を備えた皮膜
を形成する方５ 法に関する。
らに詳しくは箔の表面に、太陽熱選択吸収膜、または太
陽光を適度に透過させるとともに大部分を吸収し、しか
も吸収した熱を反対側に放射する皮膜等金属または半導
体からなる層とこれらの酸化物からなる層を備えた皮膜
を形成する方５ 法に関する。
たとえば、アルミニウム箔、プラスチックフィルム等の
表面に太陽熱選択吸収膜を形成する場合には、箔の表面
に、熱吸収の働きをする金属または半導体の蒸着層およ
び太陽光の反射防止の働き１０をするＣに２Ｏ３、Ｎｉ
２０３、Ａｔ２ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ０等の金属酸化物
の蒸着層を形成する方法が知られている。
表面に太陽熱選択吸収膜を形成する場合には、箔の表面
に、熱吸収の働きをする金属または半導体の蒸着層およ
び太陽光の反射防止の働き１０をするＣに２Ｏ３、Ｎｉ
２０３、Ａｔ２ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ０等の金属酸化物
の蒸着層を形成する方法が知られている。
従来、箔の表面に、上記のような複数の層からなる皮膜
を形成する場合、巻取り式の真空メッキ１５装置を用い
て次のような方法で行つていた。
を形成する場合、巻取り式の真空メッキ１５装置を用い
て次のような方法で行つていた。
すなわち、真空槽内の上部にコイル状被蒸着箔を装着し
た巻戻しリールと、コイル状被蒸着箔から被蒸着箔を巻
取る巻取りリールとを同一水平面内でかつ互いに平行に
配置し、巻戻しリールおよび巻取り０Ｖ）リールの下方
でかつ両リールの間に第１蒸着物質を有する第１蒸着発
源を配置し、真空雰囲気において、被蒸着箔を巻取わリ
ールで巻取わながら被蒸着箔に第１蒸着物質を蒸着させ
て第１蒸着物質からなる蒸着層を形成した後、真空槽内
の真空５ 状態を一旦解除し、巻取わリールに巻取られ
た被蒸着箔を巻戻しリールに装着しなおすとともに蒸着
源として第２蒸着物質を有する第２蒸発源を用いて、上
記と同様な操作を繰ク返すことにより第２蒸着物質から
なる蒸着層を形成していた。また、３０３層以下の蒸着
層からなる皮膜を形成する場合には、さらに上記操作を
繰ク返して行つていた。ところが、従来の方法によれば
、複数の蒸着層からなる皮膜を形成するためには多大の
処理時間を必要とした。また、従来の方法では、１つの
蒸着層３５を形成した後、一旦真空槽内の真空状態を解
除するために、この蒸着層の表面が酸化したヤ汚染した
わすることがあわ、隣わ合う２つの蒸着層間の密着性が
低下することがあつた。また、上記の方法で形成された
各蒸着層間には明確な境界が存在するために、太陽光の
干渉作用が大きくなつて熱吸収率が小さくなり、太陽熱
選択吸収膜としては熱吸収率は十分ではなかつた。また
、上記干渉作用を小さくして熱吸収率を大きくするため
には、層の数をより多くする必要があり、そのためには
処理時間が一層長くなるという問題があつた。この発明
は、上記の問題を一挙に解消しうる皮膜の形成方法を提
供することを目的とする。この明細書に卦いて、箔とい
う用語は金属箔およびプラスチツクフイルムを含む意味
で用いられる。この発明を、以下図面を参照して説明す
る。
た巻戻しリールと、コイル状被蒸着箔から被蒸着箔を巻
取る巻取りリールとを同一水平面内でかつ互いに平行に
配置し、巻戻しリールおよび巻取り０Ｖ）リールの下方
でかつ両リールの間に第１蒸着物質を有する第１蒸着発
源を配置し、真空雰囲気において、被蒸着箔を巻取わリ
ールで巻取わながら被蒸着箔に第１蒸着物質を蒸着させ
て第１蒸着物質からなる蒸着層を形成した後、真空槽内
の真空５ 状態を一旦解除し、巻取わリールに巻取られ
た被蒸着箔を巻戻しリールに装着しなおすとともに蒸着
源として第２蒸着物質を有する第２蒸発源を用いて、上
記と同様な操作を繰ク返すことにより第２蒸着物質から
なる蒸着層を形成していた。また、３０３層以下の蒸着
層からなる皮膜を形成する場合には、さらに上記操作を
繰ク返して行つていた。ところが、従来の方法によれば
、複数の蒸着層からなる皮膜を形成するためには多大の
処理時間を必要とした。また、従来の方法では、１つの
蒸着層３５を形成した後、一旦真空槽内の真空状態を解
除するために、この蒸着層の表面が酸化したヤ汚染した
わすることがあわ、隣わ合う２つの蒸着層間の密着性が
低下することがあつた。また、上記の方法で形成された
各蒸着層間には明確な境界が存在するために、太陽光の
干渉作用が大きくなつて熱吸収率が小さくなり、太陽熱
選択吸収膜としては熱吸収率は十分ではなかつた。また
、上記干渉作用を小さくして熱吸収率を大きくするため
には、層の数をより多くする必要があり、そのためには
処理時間が一層長くなるという問題があつた。この発明
は、上記の問題を一挙に解消しうる皮膜の形成方法を提
供することを目的とする。この明細書に卦いて、箔とい
う用語は金属箔およびプラスチツクフイルムを含む意味
で用いられる。この発明を、以下図面を参照して説明す
る。
第１図に｝いて、この発明による方法は、真空槽１内の
上部に、コイル状被着箔２を装着した巻戻しリール３と
、巻戻しリール３に装着されたコイル状被蒸着箔２から
被蒸着箔４を巻取る巻取りリール５とを同一水平面内で
かつ互いに平行に配置し、巻戻しリール３訃よび巻取り
リール５の下方でかつ両リール３，５の間に、蒸着物質
７を有する蒸発源６と酸素吹出口が上方を向いた酸素吹
出装置８とを被蒸着箔４の巻取わ方向に所定間隔をおき
かつ後者が巻取りリール５側にくるように配置し、真空
零囲気において、被蒸着箔４を巻取りリール５に巻取り
ながら、被蒸着箔４における蒸着物質７の蒸着範囲ａと
酸素の吹付け範囲ｂとが部分的に重複するように、被蒸
着箔４に蒸着物質７を蒸着させるとともに酸素を吹付け
ることを特徴とするものである。蒸発源６は蒸着物質７
の他に蒸着物質７を加熱するためのカロ熱装置を有する
。
上部に、コイル状被着箔２を装着した巻戻しリール３と
、巻戻しリール３に装着されたコイル状被蒸着箔２から
被蒸着箔４を巻取る巻取りリール５とを同一水平面内で
かつ互いに平行に配置し、巻戻しリール３訃よび巻取り
リール５の下方でかつ両リール３，５の間に、蒸着物質
７を有する蒸発源６と酸素吹出口が上方を向いた酸素吹
出装置８とを被蒸着箔４の巻取わ方向に所定間隔をおき
かつ後者が巻取りリール５側にくるように配置し、真空
零囲気において、被蒸着箔４を巻取りリール５に巻取り
ながら、被蒸着箔４における蒸着物質７の蒸着範囲ａと
酸素の吹付け範囲ｂとが部分的に重複するように、被蒸
着箔４に蒸着物質７を蒸着させるとともに酸素を吹付け
ることを特徴とするものである。蒸発源６は蒸着物質７
の他に蒸着物質７を加熱するためのカロ熱装置を有する
。
蒸着物質７としてぱ、得られる蒸着層が熱吸収の働きを
するＣｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，ＣＯ，Ａｔ等の金属またはＳｉ
，Ｇｅ等の半導体が用いられる。蒸発源６の蒸着物質７
から蒸発した物質は、上方に向つて広がりながら進み、
巻戻しリール３に装着されたコイル状被蒸着箔２から巻
取りリール５に巻取られる被蒸着箔４に、範囲ａの部分
にて蒸着する。
するＣｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，ＣＯ，Ａｔ等の金属またはＳｉ
，Ｇｅ等の半導体が用いられる。蒸発源６の蒸着物質７
から蒸発した物質は、上方に向つて広がりながら進み、
巻戻しリール３に装着されたコイル状被蒸着箔２から巻
取りリール５に巻取られる被蒸着箔４に、範囲ａの部分
にて蒸着する。
酸素吹出装置８上端の酸素吹出口から吹出された酸素は
、上方に向つて広がりながら進み、コイル状被蒸着箔２
から巻取りリール５に巻取られる被蒸着箔４に、範囲ｂ
の部分にて吹付けられる。
、上方に向つて広がりながら進み、コイル状被蒸着箔２
から巻取りリール５に巻取られる被蒸着箔４に、範囲ｂ
の部分にて吹付けられる。
上記蒸着物質６の蒸着範囲ａと酸素の吹付け範囲ｂとが
部分的に重複すると（この重複部分をｃで示す）、この
重複部分ｃにおいては、酸素量が少いために、被蒸着箔
４には蒸着物質６と蒸着物質６の酸化物との混合物が蒸
着する。重複部分ｃの巻戻しリール３側では酸素量が少
いために、混合物中に蒸着物質６の方が多く、巻取りリ
ール５側に進むにつれて酸素量が多くなるので、混合物
中の蒸着物質６の量は徐々に減少して、蒸着物質６の酸
化物の量が徐々に増大する。したがつて、巻戻しリール
２に装着されたコイル状被蒸着箔２から巻取りリール５
に巻取られる被蒸着箔４には、まず範囲ａにて蒸着物質
６が蒸着し、ついで重複部分ｃにて蒸着物質６と蒸着物
質６の酸化物との混合物が蒸着し、さらに範囲ｂに｝い
て、範囲ａあ一よびｃで形成された蒸着層の表面が完全
に酸化▲れる。
部分的に重複すると（この重複部分をｃで示す）、この
重複部分ｃにおいては、酸素量が少いために、被蒸着箔
４には蒸着物質６と蒸着物質６の酸化物との混合物が蒸
着する。重複部分ｃの巻戻しリール３側では酸素量が少
いために、混合物中に蒸着物質６の方が多く、巻取りリ
ール５側に進むにつれて酸素量が多くなるので、混合物
中の蒸着物質６の量は徐々に減少して、蒸着物質６の酸
化物の量が徐々に増大する。したがつて、巻戻しリール
２に装着されたコイル状被蒸着箔２から巻取りリール５
に巻取られる被蒸着箔４には、まず範囲ａにて蒸着物質
６が蒸着し、ついで重複部分ｃにて蒸着物質６と蒸着物
質６の酸化物との混合物が蒸着し、さらに範囲ｂに｝い
て、範囲ａあ一よびｃで形成された蒸着層の表面が完全
に酸化▲れる。
その結果、被蒸着箔４の表面には、第２図に示されてい
るように、被蒸着箔４側から、蒸着物質６からなる蒸着
層９、蒸着物質６の酸化物１０との混合物からなる層１
１訃よび蒸着物質６の酸化物１０からなる層１２を上記
順序で備えている皮膜１３が形成される。混合物からな
る層１１に｝ける蒸着物質６の濃度は第３図に曲線Ｘで
示されているように、被蒸着箔４側から表面側に向つて
漸次低くなつて｝り、酸化物１０の濃度は同図に曲線Ｙ
で示されているように、被蒸着箔４側から表面側に向つ
て漸次高くなつている。この発明による方法を太陽熱選
択吸収膜処理に適用する場合には、被蒸着箔４としては
アルミニウム箔、プラスチツクJャCルムの表面に金属皮
膜を形成したもの等を用いる。
るように、被蒸着箔４側から、蒸着物質６からなる蒸着
層９、蒸着物質６の酸化物１０との混合物からなる層１
１訃よび蒸着物質６の酸化物１０からなる層１２を上記
順序で備えている皮膜１３が形成される。混合物からな
る層１１に｝ける蒸着物質６の濃度は第３図に曲線Ｘで
示されているように、被蒸着箔４側から表面側に向つて
漸次低くなつて｝り、酸化物１０の濃度は同図に曲線Ｙ
で示されているように、被蒸着箔４側から表面側に向つ
て漸次高くなつている。この発明による方法を太陽熱選
択吸収膜処理に適用する場合には、被蒸着箔４としては
アルミニウム箔、プラスチツクJャCルムの表面に金属皮
膜を形成したもの等を用いる。
また、この発明による方法を、太陽光を適度に透過させ
るとともに大部分を吸収し、しかも吸収した熱を裏面側
に放射する皮膜を形成するさいに適用する場合には、被
蒸着箔４としては透光性を有するプラスチツクフイルム
を用いる。この発明による方法を太陽熱選択吸収膜処理
に適用する場合には、得られる皮膜の厚さは０．０５〜
０．２μの範囲内にあることが好ましく、特に０．１μ
程度であることが望ましい。
るとともに大部分を吸収し、しかも吸収した熱を裏面側
に放射する皮膜を形成するさいに適用する場合には、被
蒸着箔４としては透光性を有するプラスチツクフイルム
を用いる。この発明による方法を太陽熱選択吸収膜処理
に適用する場合には、得られる皮膜の厚さは０．０５〜
０．２μの範囲内にあることが好ましく、特に０．１μ
程度であることが望ましい。
皮膜１３の厚さを０．０５〜０．２μの範囲内にする理
由は、０．０５μ未満では熱吸収率が十分ではなく、０
．２μを越えると放射率が大きくなつて、皮膜１３が太
陽選択吸収膜として十分な性能を持たないからである。
蒸着物質６を被蒸着箔４に蒸着させる方法としては、真
空蒸着法、イオンプレーテイング法、スパツタリング法
等がある。次に、この発明の実施例を示す。
由は、０．０５μ未満では熱吸収率が十分ではなく、０
．２μを越えると放射率が大きくなつて、皮膜１３が太
陽選択吸収膜として十分な性能を持たないからである。
蒸着物質６を被蒸着箔４に蒸着させる方法としては、真
空蒸着法、イオンプレーテイング法、スパツタリング法
等がある。次に、この発明の実施例を示す。
真空槽１内の巻戻しリール３は真空槽１内に｝いてスパ
ツタクリーニング等により前処理が施されて表面の酸化
皮膜が除去されたコイル状アルニウム箔２が装着されて
いる。また、アルミニウム箔４の巻取り面と蒸発源６と
の距離を２５０ｍＴｎとするとともに、蒸発源６にＣｒ
からなる蒸着物質７を具備せしめて卦く。そして、巻取
ジリール５でコイル状アルミニウム箔２からアルミニウ
ム箔４を巻取りながら、真空蒸着法によつて、５０人／
Ｓｅｃの速度で、アルミニウム箔４にＣｒを蒸着させる
とともに酸素吹出装置８上端の酸素吹出口からアルミニ
ウム箔４に酸素を３０ｍ１／Ｍｉｎで吹付けた。このよ
うにしてアルミニウム箔４の表面に厚さ０．１μ程度に
形成された皮膜１３の太陽エネルギー吸収率は０．９２
、放射率は０，０６であつた。上述のように、この発明
の方法によれば、１度の作業で、箔の表面に蒸着物質か
らなる層と蒸着物質の酸化物からなる層を備えた皮膜を
形成することができるので、従来の方法で上記皮膜を形
成する場合に比べて処理時間が大幅に短縮▲れる。
ツタクリーニング等により前処理が施されて表面の酸化
皮膜が除去されたコイル状アルニウム箔２が装着されて
いる。また、アルミニウム箔４の巻取り面と蒸発源６と
の距離を２５０ｍＴｎとするとともに、蒸発源６にＣｒ
からなる蒸着物質７を具備せしめて卦く。そして、巻取
ジリール５でコイル状アルミニウム箔２からアルミニウ
ム箔４を巻取りながら、真空蒸着法によつて、５０人／
Ｓｅｃの速度で、アルミニウム箔４にＣｒを蒸着させる
とともに酸素吹出装置８上端の酸素吹出口からアルミニ
ウム箔４に酸素を３０ｍ１／Ｍｉｎで吹付けた。このよ
うにしてアルミニウム箔４の表面に厚さ０．１μ程度に
形成された皮膜１３の太陽エネルギー吸収率は０．９２
、放射率は０，０６であつた。上述のように、この発明
の方法によれば、１度の作業で、箔の表面に蒸着物質か
らなる層と蒸着物質の酸化物からなる層を備えた皮膜を
形成することができるので、従来の方法で上記皮膜を形
成する場合に比べて処理時間が大幅に短縮▲れる。
また、この発明の方法により形成される皮膜では、蒸着
物質からなる層と蒸着物質の酸化物からなる層との間に
、両者の混合物からなる層が形成され、この層に｝ける
蒸着物質｝よび蒸着物質の酸化物の濃度は、蒸着物質か
らなる層から蒸着物質の酸化物からなる層に向つて漸次
変化しているので、従来の方法で得られる太陽熱選択吸
収膜に比べて光の干渉作用は少なく、熱吸収性の優れた
太陽熱選択吸収膜を形成することができる。さらに、こ
の発明の方法で得られる皮膜では、蒸着物質からなる層
と蒸着物質の酸化物からなる層との間に両者の混合物か
らなる層が存在するので、両層間の密着性が優れている
。図面の簡革な説明 第１図はこの発明の方法を示す説明図、第２図はこの発
明による方法で形成された皮膜の構造を示す断面図、第
３図はこの発明による方法で形成された皮膜における蒸
着物質とその酸化物との濃度分布を示すグラフである。
物質からなる層と蒸着物質の酸化物からなる層との間に
、両者の混合物からなる層が形成され、この層に｝ける
蒸着物質｝よび蒸着物質の酸化物の濃度は、蒸着物質か
らなる層から蒸着物質の酸化物からなる層に向つて漸次
変化しているので、従来の方法で得られる太陽熱選択吸
収膜に比べて光の干渉作用は少なく、熱吸収性の優れた
太陽熱選択吸収膜を形成することができる。さらに、こ
の発明の方法で得られる皮膜では、蒸着物質からなる層
と蒸着物質の酸化物からなる層との間に両者の混合物か
らなる層が存在するので、両層間の密着性が優れている
。図面の簡革な説明 第１図はこの発明の方法を示す説明図、第２図はこの発
明による方法で形成された皮膜の構造を示す断面図、第
３図はこの発明による方法で形成された皮膜における蒸
着物質とその酸化物との濃度分布を示すグラフである。
１・・・真空槽、２・・・コイル状被蒸着箔、３・・・
巻戻しリール、４・・・被蒸着箔、５・・・巻取力リー
ル、６・・・蒸発源、７・・・蒸着物質、８・・・酸素
吹出装置。
巻戻しリール、４・・・被蒸着箔、５・・・巻取力リー
ル、６・・・蒸発源、７・・・蒸着物質、８・・・酸素
吹出装置。
Claims (1)
- １ 真空槽１内の上部に、コイル状被蒸着箔２を装着し
た巻戻しリール３と、巻戻しリール３に装着されたコイ
ル状被蒸着箔２から被蒸着箔４を巻取る巻取りリール５
とを同一水平面内でかつ互いに平行に配置し、巻戻しリ
ール３および巻取りリール５の下方でかつ両リール３、
５の間に、蒸着物質７を有する蒸発源６と酸素吹出口が
上方を向いた酸素吹出装置８とを被蒸着箔４の巻取り方
向に所定間隔をおきかつ後者が巻取りリール５側にくる
ように配置し、真空雰囲気において、被蒸着箔４を巻取
りリール５に巻取りながら、被蒸着箔４における蒸着物
質７の蒸着範囲ａと酸素の吹付け範囲ｂとが部分的に重
複するように、被蒸着箔４に蒸着物質７を蒸着させると
ともに酸素を吹付けることを特徴とする、箔の表面に皮
膜を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158157A JPS593543B2 (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 箔の表面に皮膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158157A JPS593543B2 (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 箔の表面に皮膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861272A JPS5861272A (ja) | 1983-04-12 |
| JPS593543B2 true JPS593543B2 (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=15665506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158157A Expired JPS593543B2 (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 箔の表面に皮膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593543B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0345914B2 (ja) * | 1985-07-17 | 1991-07-12 | Fujitsu Ltd |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0428838A1 (en) * | 1989-11-20 | 1991-05-29 | Hewlett-Packard Company | A method and apparatus for reel to reel manufacturing of high performance multilayer circuit interconnect units |
| JPH0762238B2 (ja) * | 1990-08-03 | 1995-07-05 | 松下電器産業株式会社 | 両面蒸着フィルムの製造方法 |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP56158157A patent/JPS593543B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0345914B2 (ja) * | 1985-07-17 | 1991-07-12 | Fujitsu Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5861272A (ja) | 1983-04-12 |
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