JPS5931088A

JPS5931088A - 半導体レ−ザ装置

Info

Publication number: JPS5931088A
Application number: JP57141544A
Authority: JP
Inventors: Osamu Mikami; 修三上
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1982-08-14
Filing date: 1982-08-14
Publication date: 1984-02-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、分布帰還形または分布ブラック反射形のダブ
ルへテロ接合型半導体レーザ装置に関する。

分布帰還形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置とし
て、従来、次の構成を有するものが提案されている。

即ち、第１図に示すＪ：うに、例えば、Ｎ型の■ｎＰ結
晶でなる基板１上に、Ｎ型のＩｎＰ結晶でなるクラッド
層２ど、Ｉｎ　Ｇａ’Ａａ　Ｐ系結晶でなる活性層４と
、Ｐ型のＩｎＰ結晶でなるクラッド層５と、Ｐ型のＩｎ
　Ｇａ　Ａｓ　Ｐ系結晶でなる電極付用層６とが、それ
等の順に積層されている。

この場合、活性層４と、クラッド層２またはクラッド層
５（図においてはクラッド層２）との間で、クラッド層
２ど、活性層４と、クラッド層５と、電極イ・１用層６
とによる積層体８の、相対向している端面１／Ｉ及び１
５間に亘って、連続的に、周期△を右Ｊる回折格子７が
形成されている。まＩこ活性層４は、回折格子７の格子
の配列方向及び格子の延長方向の双方でみて、各部一様
な平均的な厚さを有１ノでいる。

また、クラッド層２ど、活性層４と、クラッド層５と、
電極イ１用層６どによる積層体８の、電極イ１用層６側
の面上、即ら電極付用層６の、クラッド層５側とは反対
側の面上に、電極層９がＡ−ミンクに付されている。

さらに、基板１の、積層体８側とは反対側の而」二に、
電極層１０がオーミックに付されている。

また、分布帰還形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装
置として、従来、次の構成を有するものも提案されてい
る。

即ち、第２図に示すにうに、第１図との対応部分には同
一符号を付して詳細説明は省略するが、第１図で上述１
ノだ構成において、次の事項を除いて、第１図の場合と
同様の構成を有する。

第１図の基板１とクラッド層２とが、Ｎ型のＩｎＰ結晶
基板でなるクラッド層１２と、その上に積層されたＮ型
のＩｎ　Ｇａ　Ａｓ　Ｐ系結晶でなるガイド層３とに置
換されている。また、回折格子７が、活性層４とクラッ
ド層２どの間に形成されているに代え、ガイド層３と、
クラッド層１２との間に形成されている。さらに、電極
層１０が基板１に付されているに代え、クラッド層１２
の、ガイド層３側とは反対側の面上に、オーミックに付
されている。

この場合、ガイド層３は、回折格子７の格子の配列方向
及び格子の延長方向の双方でみて、各部一様な平均的な
厚さを有している。

なお、第２図に示す構成の積層体８が、クラッド層１２
と、ガイ１〜層３ど、活旧Ｉど、クラッド層５と、電極
（１用層６とににり構成されているものとする。

第１図及び第２図で−に達した構成のダブルへテロ接合
型半導体レーザ装置によれば、詳細説明は省略するが、
電極層９及び１０間に、電極層９側を正とする所要の電
源（図示せず）を接続することによって、積層体８の相
対向している端面１４及び１５の何れか一方（図では端
面１４側）から、一般的に、 λ−２Δｎ／ｍ・・・・・・・・・・・・・・・（１）
で与えられる発振波長λを有するレーザ発振光１６が、
外部に出射して得られる。なお、（１）式におけるｎｌ
は活性層４を伝播する光に対する実効屈折率で、第１図
の場合、活性層３の平均的な厚さに比例している関係で
、その厚さに依存し、また、第２図の場合、活性層４の
厚さと、ガイド層３の平均的に厚さとの双方に、それぞ
れ比例している関係で、それ等の厚さに依存１Ｊる。ま
たｍは通常１または２の自然数をとる回折次数である。

、　　　　　　黙しながら、第１図で上述したダブルへ
テロ接合！１ツ半導体レーザ装置の場合、上述した（１
）式で与えられるレーザ発振光１６の発振波長λを決め
る実効屈折率ｎが、活性層４の平均的な厚さに比例して
いる関係で、依存するとしても、その平均的な厚さが各
部一様であり、また、第２図で上述したダブルへテロ接
合型半導体レーＩＪ″ＶＲ買の場合、−に連した実効屈
折率ｎが、活性層４の厚さと、ガイド層３の平均的な厚
さとに、イれぞれ比例している関係で、依存するとして
ｂｌそれ等の厚さのそれぞれが、各部一様である。一方
、第１図及び第２図で上述したダブルへテロ接合型半導
体レーザ装置の何れの場合も、電極層９及び１０のぞれ
ぞれが、１つの電極層のみで構成されている。

従って、第１図及び第２図で上述した従来のダブルへテ
ロ接合型半導体レーザ装置の場合、レーザ発振光１６が
、上述した（１）式で与えられる、１つの発振波長λで
しか得られないという欠点を有していた。

また、分布ブラック反射形のダブルへテロ接合型半導体
レーザ装置として、従来、次の構成を有するものが提案
されている。

即ち、第３図に示すように、第１図との対応部分に同一
符号を付して詳細説明は省略するが、第１図で上述した
構成において、その回折格子７が、活性Ｒ４とクラッド
層２との間において、積層体８の相対向する端面１４及
び１５間に自って、連続的に形成されているに代え、積
層体８の相対向する端面１４及び１５間の中央部を除い
た、端面１４及び１５側に、局部的に、形成されている
ことを除いては、第１図の場合と同様の構成を有ηる。

また、分布ブラック反射形のダブルへテロ接合型単導体
レーザ裂目として、従来、次の構成を有するものも提案
されている。

即ち、第４図に示づように、第２図との対応部分に同一
符号を付して詳細説明は省略するが、第２図で上述した
構成において、その回折格子７が、ガイド層３とクラッ
ド層１２との間において、積層体８の相対向する端面１
４及び１５間に亘って、連続的に、形成されているに代
え、積層体８の相対向する端面１４及び１５間の中央部
を除いた、端面１４及び１５側に、局部的に、形成され
ていることを除いては、第２図の場合と同様の構成を有
する。

第３図及び第４図で上述したダブルｌ−テロ接合型半導
体レーザ装置の構成によれば、詳細説明は省略するが、
第１図及び第２図で上述した分布帰還形のダブルへテロ
接合型半導体レー１ｆ装置の場合と同様に、電極９及び
１０間に、電源を接続することにＪ：って、−に）ホし
た（１）式で与えられる発振波長を有するレーザ発振光
１６が、外部に出用して得られる。

然しながら、第３図で上述した従来のダブルへテロ接合
型半導体レーザ装置の場合も、第１図で上述したダブル
ヘア１１接合型半導体レーリ“装置の場合と同様に、活
性層４の平均的な１９さが各部一様であり、また第４図
で上述した従来のダブルへテロ接合型半導体レーリ“装
置の場合も、第２図で上述したダブルへテロ接合型半導
体レーザ装置の場合と同様に、活性層４の厚さ及びガイ
ド層３の平均的な厚さのそれぞれが、各部一様である。

従って、第３図及び第４図で上述した従来のダブルへテ
ロ接合型半導体レーザ装置の場合も、第１図及び第２図
で上述したダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の場合
と同様に、レーザ発振光１６が、上述した（１）式で与
えられる、１つの発振波長λでしか１ｑられないという
欠点を有していた。

よって、本発明は、上）ホした欠点のない、新規なダブ
ルへテロ接合型半導体レーザ装置を提案せんとするもの
である。

第５図は、本願第１番目の発明による、分布部）！形の
ダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第１の実施例を
示し、第１図との対応部分には同一符号を付して詳細説
明を省略する。

本願第１番目の発明による分布帰還形のダブルヘテ［１
接合型半導体レーザ装置の第１の実施例においては、第
１図で上述した構成において、次の事項を除いて、第１
図の場合と同様の構成９　　　　　　　　　　　　　Ａ
ｒへを有する。

第１図の活↑／１層４が、回折格子７の格子の延長方向
に一定の平均的な厚さを有するに代え、回折格子７の格
子の延長方向に一義的に連続的に変化している厚さを有
する。また、電極層９が、１つであるに代え、回折格子
７の格子の延長方向に順次配列されている複数に個の電
極層９−１．９−２．・・・・・・・・・９−にでなる
。

第６図は、本願第２番目の発明による、分布帰還形のダ
ブルへテロ接合型半導体レーザ装閘の第１の実施例を示
し、第２図との対応部分には同一符号を付して詳細説明
を省略する。

本願第２番目の発明による、分布帰還形のダブルへテロ
接合型半導体レーザ装置の第１の実施例においては、第
２図で上述した構成において、次の事項を除いて、第２
図の場合と同様の構成を有する。

第２図のガイド層３が、回折格子７の格子の延長方向に
一定の平均的な厚さを有Ｊるに代え、回折格子７の格子
の延長方向に一義的に連続的１０− に変化している平均的な厚さを有する。また、電極層９
が、１つであるに代え、回折格子７の格子の延長方向に
順次配列されている複数１〈個の電極層９−１．９−２
．・・・・・・・・・９−にでなる。

第７図は、本願第２番目の発明による、分布帰還形のダ
ブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第２の実施例を示
し、第２図との対応部分には同一符号を０ロノて詳細説
明する。

本願第２番目の発明にｊ、る、分布帰還形のダブルへテ
ロ接合型半導体レーザ装置の第２の実施例においては、
第２図で上述した構成において、次の事項を除いて、第
２図の場合と同様の構成を右りる。

第２図の活ＶＦ層４が、回折格子７の格子の延長方向に
一定の厚さを有するに代え、回折格子７の格子の延長方
向に一義的に連続的に変化している厚さを有する。また
、電極層９が、１つであるに代え、回折格子７の格子の
延長方向と■；１交Ｊるプｊ向に順次配列されている複
数１（個の電極層９−１．９−２．・・・・・・・・・
９−にでなる。

第８図は、本願第２番目の発明による、分布帰還形のダ
ブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第３の実施例を示
し、第１図との対応部分には同一符号を付して詳細説明
を省略する。

本願第１番目の発明による、分布帰還形のダブルへテロ
接合型半導体レーザ装置の第３の実施例においては、第
１図で」−述した構成に（１３いて、次の事項を除いて
、第２図の場合と同様の構成を有する。

第２図のガイド層３が、回折格子７の格子の延長方向に
一定の平均的な厚さを有し、口つ活性層４が回折格子７
の格子の延長方向に一定の厚さを有するに代え、ガイド
層３が、回折格子７の格子の延長方向に一義的に連続的
に変化している厚さを有し、且つ活性層４が、回折格子
７の格子の延長方向に、且つガイド層３の厚さが連続的
に変化している方向と同じ方向に、一義的に連続的に変
化している厚さを有する。また、電極層９が、１つであ
るに代え、回折格子７の格子の延長方向に順次配列され
ている複数に個の電極層９−１．９−２．・・・・・・
・・・９−にでなる。

４Ｔお、上述した本願箱１及び第２番目の発明の実施例
において、回折格子７の格子延長方向に１９３が変化し
ている、活性層４、またはガイド層３及び活性層４の何
れか一方または双方は、活性層４、またはガイド層３及
び活性層４の何れか一１ｊまたは双方を、基板１（第５
図の場合）７’Ｊ　′！ｆクラッド層１２（第６図１２
８図の場合）に、回折格子７の格子の延長方向に温度勾
配（例えＬＩ’５’Ｃ／ｍ＞を右「しめた状態で、気相
エピタキシャル成長法によって形成することができる。

Ｊ、た、Ａ　ｐｐｌ　ｉｅｄ　　Ｐ　ｈｖｓｉｃｓ　　
Ｌ　ｅｔｔｅｒｓＶＯｌ、　２５．Ｄ　、　　２６６（
１９７４年）に記載されているｉＵフ、ケイ、ラインハ
ルト（Ｆ　、　Ｋ　、’　Ｒｅｉｎｈａｒｔ　＞氏の論
文にみられるように、特殊の加工の施されたカーボンボ
ートを用いた、液相エピタキシャル成長法にｊ；つでも
形成することができる。

以上が、本願箱１及び第２番目の発明によるダブルへテ
ロ接合型半導体レーザ装置の実施例の構成である。

第５図で上述した本願第１番目の発明による、分布帰還
形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第１の実施
例の構成によれば、それが上述した事項を除いて、上述
した第１図の場合と同様の構成を有する。

また、第６図〜第８図で上述した本願第２番目の発明に
よる、分布帰還形のダブルヘテ［１接合型半導体レーザ
装置の第１〜第３の実施例の構成によれば、それ等が上
述した事項を除いて、上述した第２図の場合と同様の構
成を有する。

従って、第５〜第８図で上述した本願箱１及び第２番目
の発明による、分布帰還形のダブルへテロ接合型半導体
レーザ装置の実施例の構成によれば、詳細説明は省略す
るが、第１図及び第２図で上述した場合に準じて、電極
層９−ｋ（但しに＝１．２・・・・・・・・・Ｋ）と電
極層１０との間に、電極層９−に側を正とする電源を接
続することによって、積層体８の相対向する端而１４及
び１５の何れか一方から、上述した（１）式ＩＪ準じた
、一般的に、 λに一２△ｎ、に／ｍ・・・・・・・・・・・・・・・
（２）で！ｊえられる発振波長λ１．を有するレーザ発
振光１６か夕１部に出ｑ・１１ノで１ｑられる。

然しく７がら、第５図及び第７図で−に連した、本願第
１番目の発明によるダブルへテロ接合型２１′樽体レー
ザ装］ｄの第１及び本願第２番目の発明にＪ、るダブル
へ１［１接合型半導体レーザ装置の第２の実施例の揚台
、活性層４の厚さが、回折格子７の格子の延長方向に一
義的に連続的に変化し、まＩこ第６図で−に連した本願
第２番目の発明によるダブルへテロ接合型半導体レーザ
装置の第１の実施例の場合、ガイド層３の厚さが、回折
格子７の格子の延長方向に一義的に連続的に変化し、さ
らに、第８図にで上述した本願第２番目の発明ににるダ
ブルへテロ接合型半導体レーザ装置の８ｆ１３の実施例
の場合、ガイド層３及び活性層４の厚さが、回折格子７
の格子−延長方向に一義的に変化している。一方、電極
層９が、回折格子７の格子の延長方向に順次に配列され
ている複数の電極層９−１．９−２．・・・・・・・・
・９−にでなる。このため、十）ホした（２）式におけ
るｎ、、ｎ２．・・・・・・・・・ｎｌ（は、第５図及
び第７図の場合、活性層４の電極層９−１（下の領域に
於ける平均的な厚さに依存している、互に異なる値を有
する。また、ｎ、、ｎ２・・・・・・・・・味は、第６
図の場合、ガイド層３の電極層９−に下の領域にお（」
る平均的な厚さに依存しでいる、互に異なる値を有する
。さらに、第８図の場合、ガイド層３及び活性層４の電
極層９−に下の領域における平均的な厚さに依存してい
る、互に異なる値を有する。従って、レーザ発振光１６
の発振波長λ１．λ２．・・・・・・・・・λ１．は、
互に異なる値を有する。

因みに、第６図で上述した本願第２番目の発明によるダ
ブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第１の実施例にお
いて、活性層４を、１．５μｍのバンドギャップ波長を
有するＩｎＧａＡｓＰ系結晶でなり、且つ２０００人の
厚さを右するものどし、また、ガイド層３を、１．２μ
ｍのバンドギャップ波長を有するＩｎ　Ｇａ　Ａｓ　Ｐ
系結晶でなり、且つ１０００人〜２０００への厚さに連
続的に変化している厚さを有するものとした場合、上述
した実効屈折率ｎ１．ｎ２・・・・・・・・・ｎｌ（を
、約３，２８０〜３，２９８の範囲内の互に異なる値と
することができる。従って、回折格子７の周期へを、１
．５μｍの波長帯に対づる１次の帰還＜ｍ＝１）に相当
する２３００人どした場合、レーザ発振光１６の発振波
長λ１．λ２・・・・・・・・・九を、第９図に示すよ
うに、約１．５０８８〜１．５１６９μｍの範囲内の互
に異なる値をとるものとすることができる。

従って、本願第１及び第２番目の発明による、分布帰還
形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置によれば、第
１図及び第２図で上述した従来のダブルへテロ接合型半
導体レーザ装置の場合と同様の回折格子７を用いている
にも拘わらず、活性層４を、またはガイド層３及び活性
層４の何れか一方または双方を、回折格子７の格子の延
長方向に変化している厚さを有するもの１６− とするだけで、レーザ発振光１６を、上述した（２）式
で与えられる、Ｋ個の発振波長λ１へ・λ１゜から、任
意に選択されＩこ波長λ１．を有Ｊるものとして得るこ
とができる、という大なる特徴を右する。

なお、−Ｆ述においては、本願第１及び第２番目の発明
による、分布帰還形のダブルへテロ接合型半導体レーザ
装置に関し、活性層４０）　Ｉ！３１ざが、またはガイ
ド層３及び活性層４の何れか一方または双方の厚さが、
回折格子７の格子の延長方向に一義的に連続して変化し
ている場合の実施例を述べた。黙しながら、第５図に対
応している、第１０図に示１ように、詳細説明は省略す
るが、活性層４の厚さが、回折格子７の格子の延長方向
に、電極層９−１．９−２．・・・・・・・・・９−Ｋ
に対応する位置で、段階的に順次変化している構成を、
本願第１番目の発明による、分布帰還形のダブルへテロ
接合型半導体レーザ装置の第２の実施例とすることもで
きる。

また、第６図：第７図；及び第８図にそれぞれ対応して
いる、第１１図：第１２図：及び第１３図に示ずにうに
、詳細説明は省略するが、ぞれぞれ刀イド層３の厚さ；
活性層４の厚さ；及びガイド層３及び粘Ｐ１層４の厚さ
が、回折格子７の格−Ｙの延長方向に、電極層９−１．
９−２、・・・・・・・・・９−Ｋに対応する位置で、
段階的に順次変化しでいる構成を、それぞれ本願第２番
「１の発明に」、る、分布帰還形のダブルへテロ接合型
３１’導体１ノーザ装圓の第４；第５：及び第６の実施
例どすることもできる。

このような本願筒１及び第２番目の発明による、分布帰
還形のダブルへテロ接合型半導体レーリ“装置Ｎの実施
例にＪ、っても、詳細説明は省略するが、」〕述した実
施例の場合と同様の特徴を右づることは明らかであろう
。

第１３図は、本願第１番目の発明による、分布ブラック
反射形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第３の
実施例を示し、第３図との対応部分には同一符号を付し
て詳細説明を省略する。

本願第１番目の発明による、分布ブラック反射形のダブ
ルへテロ接合型半導体レーｔｙ装置の第１の実施例にお
いては、第３図で１−述した構成において、次の事項を
除いて、第３図の場合と同様の構成を有する。

第３図の活性層４が、回折格子７の格子の延長方向に一
定の平均的な厚さを有するに代え、回折格子７の格子の
延長方向に一義的に連続的に変化している厚さを有する
。また、電極層９が、１つであるに代え、回折格子７の
格子の延長方向に順次配列されている複数に個の電極層
９−１．９−２．・・・・・・・・・９−にでなる。

第１５図は、本願第２番目の発明による、分布ブラック
反射形のダブルへテロ接合型半導体レー＋ｆ装置の第１
の実施例を示し、第４図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。

本願第２番目の発明による、分布ブラック反射形のダブ
ルへテロ接合型半導体レーザ装置の第１の実施例におい
ては、第４図で上述した構成に（！メいτ′、次の事項
を除いて、第４図の場合と同様の構成を有する。

第４図のガイド層３が、回折格子７の格子の延１塁方向
に一定の平均的な厚さを有するに代え、回１バ格了７の
格子の延長方向に一義的に連続的に変化している平均的
な厚さを有する。また、電極！ｉ！９が、１つであるに
代え、回折格子７の格子の延長方向に順次配列されてい
る複数に個の電極層９−１．９−２．・・・・・・・・
・９〜にでなる。

第１６図は、本願第２番目の発明による、分布ブラック
反射形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第２の
実施例を示し、第４図との対応部分には同一符号を付し
て詳細説明を省略づる。

本願第２番目の発ＩＵＩによる、分布ブラック反射形の
ダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第２の実施例に
おいては、第４図で上述した構成において、次の事項を
除いて、第４図の場合と同様の構成を右Ｊる。

第４図の活性層４が、回折格子７の格子の延長方向に一
定の厚さを有するに代え、回折格子７の格子の延長方向
に一義的に連続的に変化している厚さを有する。また、
電極層９が、１つであるに代え、回折格子７の格子の延
長方向と直交する方向に順次配列されている複数に個の
電極層９−１．９’−２，・・・・旧・・９−にでなる
。

第１７図は、本願第２番目の発明による、分布ブラック
反射形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第３の
実施例を示し、第４図との対応部分には同一符号を付し
て詳細説明を省略する。

本願第１番目の発明による、分布ブラック反射形のダブ
ルへテロ接合型半導体レーザ装置の第３の実施例におい
ては、第４図で上述した構成において、次の事項を除い
て、第４図の場合と同様の構成を有する。

第４図のガイド層３が、回折格子７の格子の延長方向に
一定の平均的な厚さを有し、且つ活性層４が回折格子７
の格子の延長方向に一定の厚さを有するに代え、ガイド
層３が、回折格子７の格子の延長方向に一義的に連続的
に変化し°Ｃいる厚さを有し、■つ活性層４が、回折格
子７の格子の延長方向に、目つガイド層３の厚さが連続
的に変化している方向と同じ方向に、一義的に連続的に
変化している厚さを右づ−る。

また、電極層９が、１つであるに代え、回折格子７の格
子の延長方向に順次配列されている複数に個の電極層９
−１．９−２．・・・・・・・・・９−にでなる。

以」−が、本願箱１及び第２番目の発明による、分布ブ
ラック反射形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の
実施例の構成である。

第１４図で上述した本願第２番目の発明による、分布ブ
ラック反射形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の
第１の実施例の構成によれば、それが上述した事項を除
いて、第３図の場合と同様の構成を有する。

ま１＝、第１５図〜第１７図で上述した本願第２番目の
発明による、分布ブラック反射形のダブルへテロ接合型
半導体レーザ装置の第１〜第３の実施例の構成にＪ、れ
ば、それ等が上述した事項を除いて、第４図の場合と同
様の構成を有する。

従って、第１４〜第１７図で上述した本願箱１及び第２
番目の発明による、分布ブラック反則形のダブルへテロ
接合型半導体レーザｉｔの実施例の構成によれば、詳細
説明は省略するが、本願箱１及び第２番目の発明ににる
、分布帰還形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置に
つき上述した場合と同様に、電極層９−ｋ　（但しに＝
１．２・・・・・・・・・Ｋ）と電極層１０どの間に、
電源を接続することによって、積層体８の相対向する端
面１４及び１５の何れか一方から、上述した（２）式で
与えられる発振波長λを有するレーザ発振光１６が外部
に出射して得られる。

黙しながら、第１４図及び第１６図で上述した本願箱１
及び第２番目の発明による、分布帰還形のダブルへテロ
接合型半導体レーザ装置の実施例の場合、活性層４の厚
さが、回折格子７の格子の延長方向に一義的に連続的に
変化し、２３− また、第１５図で上述した本願第２番目の発明による、
分布ブラック反射形のダブルへテロ接合型半導体レーザ
装置の第１の実施例の場合、ガイド層３の厚さが、回折
格子７の格子の延長方向に一義的に連続的に変化し、さ
らに、第１７図にで上述した本願第２番目の発明による
、分布ブラック反射形のダブルへテロ接合型半導体レー
ザ装置の第３の実施例の場合、ガイド層３及び活性層４
の厚さが、回折格子７の格子の延長方向に一義的に変化
している。一方、電極層９が、回折格子７の格子の延長
方向に順次に配列されている複数の電極層（９−１＞、
９−２、・・・・・・・・・９−にでなる。このため、
上述した（２）式におけるｎｌ、ｎ２．・・・・・・・
・・ｎ８は、第１４図及び第１６図の場合、活性層４の
電極層９−に下の領域に於ける平均的な厚さに依存して
いる、互に異なる値を有する。また、ｎ、、ｎ２・・・
・・・・・・０．は、第１５図の場合、ガイド層３の電
極層９−に下の領域における平均的な厚さに依存してい
る、Ｈに異なる値を有する。さらに、第１２４− ７図の場合、ガイド層３及び活性層４の電極層９−に下
の領域における平均的な厚さに依存している、互に異な
る値を有する。従って、レーザ発振光１６の発振波長λ
２．λ、・・・・・・・・・λは互Ｋに異なる値を有する。

従って、本願箱１及び第２番目の発明にＪ：る、分布ブ
ラック反射形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置に
よる場合も、本願箱１及び第２番目の発明による、分布
帰還形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の場合と
同様に、第３図及び第４図で上述した従来のダブルへテ
ロ接合型半導体レーザ装置の場合と同様の回折格子７を
用いているにも拘わらず、活性層４を、またはガイド層
３及び活性層４の何れか一方または双方を、回折格子７
の変化している厚さを有するものとするだけで、レーザ
発振光１６を、上述した（２）式で与えられる、Ｋ個の
発振波長λ〜λから任意に選択された波長λを有Ｊるも
のとして得ることができる、という人なる特徴を有する
。

なお、上述においては、本願第１及び２番目の発明によ
る、分布ブラック反射形のダブルへテロ接合型半導体レ
ー１ア装置に関１ノ、活性層４の厚さが、またはガイド
層３及び活性層４の何れか一方または双方の厚さが、回
折格子７の格子の延長方向に一義的に連続して変化して
いる場合の実施例について述べた。

然しながら、第１４図；第１５図；第１６図：及び第１
７図にそれぞれ対応している、第１８図；第１９図：第
２０図：及び第２１図に示ずにうに、詳細説明は省略す
るが、それぞれ活性層４の厚さニガイド層３の厚さ；活
性層４の厚ざ；及びガイド層３及び活性層４の厚さが、
回折格子７の格子の延長方向に、電極層９−１゜９−、
−２　、・・・・・・・・・９−　Ｋに対応する位詔で
、段階的に順次変化している構成を、それぞれ本願第１
番目の発明による、分布ブラック反則形のダブルヘテ「
ｌ接合型半導体レーザ装置の第２の実施例；本願第２番
目の発明による、分布ブラック反則形の第４；第５；及
び第６の実施例とす−９７− ることもできる。

このような本Ｍ第１及び＠２番目の発明によるダブルへ
テロ接合型半導体レーザ装置の実施例にＪ：っでも、詳
細説明は省略するが、上述した実施例の場合と同様の特
徴を有することは明らかであろう。

なお、上述においては、本願第１及び第２番目の発明の
それぞれにつぎ、僅かな実施例を述べたに過ぎず、上述
したＥＮ型」を１Ｐ型」、「Ｐ型」を「Ｎ型１と読み代
えた構成とすることもでき、その池水発明の精神を脱す
ることなしに、種々の変型変更をなし得るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、従来の分布帰還形のダブルへテロ
接合型半導体レーザ装置を示ず路線的斜視図である。第３図及び第４図は、従来の分布ブラック反射形のダブ
ルへテロ接合型半導体レーザ装置を示す路線的斜視図で
ある。第５図は、本願第１番目の発明による、分布帰還形のダ
ブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第１の実施例を示
り路線的斜視図である。第６図、第７図及び第８図は、それぞれ本願第２番目の
発明による、分布帰還形のダブルへテロ接合型半導体レ
ーザ装置の第１、第２、第３及び第４の実施例を示り一
路線的斜視図である。第９図は、第５図〜第８図に示す分布帰還形のダブルへ
テロ接合型半導体１ノーザ装置の説明に供する電極層９
−ｋに対するレーザ発振光の発振波長λの関係を示す図
である。第１０図は、本願第１番目の発明ににる、分布帰還形の
ダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第２の実施例を
示ず路線的斜視図である。第１１図、第１２図及び第１３図は、それぞれ本願第２
番目の発明による、分布帰還形のダブルへテロ接合型半
導体レーザ装置の第４、第５及び第６の実施例を示す路
線的斜視図である。第１４図は、本願第１番目の発明にＪ：る、分布ブラッ
ク反射形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第１
の実施例を示す路線的斜視図２８− である。第１５図、第１６図及び第１７図は、それぞれ本願第２
番目の発明による、分布ブラック反射形のダブルヘテ［
コ接合型半導体レーザ装置の第１、第２及び第３の実施
例を示す路線的斜視図である。第１８図は、本願第１番目の発明による、分布ブラック
反射形のダブルへテロ接合型半導体レーザ装置の第２の
実施例を示す路線的斜視図である。第１９図、第２０図及び第２１図は、それぞれ本願第２
番目の発明による、分布ブラック反射形のダブルへテロ
接合型半導体レーザ装置の第４、第５及び第６の実施例
を示す路線的斜視図である。１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
基板２．５．１２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ク
ラッド層３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ガイド層４・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・活性層６・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電極付用層７・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・回折格子Ｆ３・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体９
．１０・・・・・・・・・・・・・・・電極層１／Ｉ、
１５・・・・・・・・・・・・積層体の端面１６・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・レーザ発振光出
願人　　日本電信電話公社３１− の１！ｌ１１

Claims

【特許請求の範囲】１、活性層と、クラッド層とが積層されている構成の積
層体を有し、上記活性層と、上記クラッド層との間で回
折格子が形成され、上記積層体上に電極層が形成されて
いるダブルへテロ接合型半導体レーザ装置において、上
記活性層が、上記回折格子の格子の延長方向に変化して
いる厚さを有し、上記電極層が、上記回折格子の格子の
延長方向に順次配列されている複数の電極層でなること
を特徴とするダブルへテロ接合型半導体レーザ装置。２、活性層と、ガイド層と、クラッド層とがそれ等の順
に積層されている構成の積層体を有し、上記ガイド層と
、上記クラッド層の間で回折格子が形成され、上記積層
体上に、電極層が形成されているダブルへテロ接合型半
導体レーザ装置において、上記活性層及びガイド層の何
れか一方または双方が、上記回折格子の格子の延長方向
に変化している厚さを有し、上記電極層が、上記回折格
子の格子の延長方向に順次配列されている複数の電極層
でなることを特徴とするダブルへテロ接合型半導体レー
ザ装置。