JPS5930162B2 - カチオン化デキストラン誘導体、その製造法ならびに利用 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば、毛髪もしくは皮膚化粧料基材に配合
して優れた改善諸効果を達成できる従来文献未記載のカ
チオン化デキストラン誘導体、その製法ならびに利用に
関し、とくに、配合する基材への制約が少なく、拡大さ
れた利用適性を示し、且つ毛髪もしくは皮膚との親和性
、形成される被膜の柔軟性、保湿性、使用時の感触など
の点で、より優れた改善諸効果の達成を可能とするカチ
オン化デキストラン誘導体、その製法ならびに利用に関
する。

従来、カチオン変性多糖類を配合した毛髪もしくは皮膚
化粧料について、いくつかの提案が行われてきた。

例えば、第４級窒素含有セルロースエステル（特公昭４
５−２０３１８号）を用いた毛髪用ジャンプ一（特開昭
５０−１８６４１号）；プルランアミノアルキルエーテ
ルを含有する毛髪用ジャンプ一（特開昭５４−１１１０
８号）：第４級窒素化合物もしくは第３級アミンが付加
したヒドロキシエチルセルロースもしくは殿粉を用いた
毛髪用ジャンプ一（特開昭５４−１２９１３５号）：ポ
リペプチドと第４級窒素含有セルロースエステルを用い
た毛髪用ジャンプ一、ヘアリンス、ヘアトリートメント
等（特開昭５４−１３８１３３号）陰イオン界面活性剤
および／または両性界面活性剤と第４級窒素置換セルロ
ースエーテル誘導体及び含水アルコールを必須成分とす
るヘアコンデイショナ一（特開昭５４−１５７８４１号
）；第４級窒素含有基で置換したアミロースもしくはア
ミロペクチンを用いた毛髪用ジャンプ一 ヘアリンス及
びクレンジングクリーム（特開昭５５一３６４１２号）
；第４級窒素含有基で置換したカチオン化ヒドロキシア
ルキル殿粉を用いたジャンプ一 ヘアリンス、クレンジ
ングクリーム、中性クリーム（特開昭５５−４５６０２
号）；等の毛髪もしくは皮膚化粧料が提案されている。

そして、これら提案で利用する第４級窒素含有カチオン
化多糖類は、一般に、界面活性剤と複合塩類を形成し、
これが例えば毛髪表面に吸着され保護被膜を形成して、
毛髪に対する保護作用を呈するといわれている。しかし
ながら、上記例示の如き従来提案における第４級窒素含
有カチオン化多糖類は、水及びアルコールなどに対する
溶解性が不充分で、配合する基材への制約が大きく、そ
の使用範囲及び使用条件が限られており、利用適性に多
くの制約をうける難点がある。

更に、カチオン化による凝集効果、帯電防止効果及びア
ニオン界面活性剤や両性界面活性剤などとの複合塩形成
能も比較的低く、従つて、毛髪などへの吸着性も不満足
であり、さらに、使用後の毛髪の滑かさなど使用感触の
点でも満足し得ない難点があつた。本発明者等は、上述
の如き不利益乃至難点を克服し得るカチオン化多糖類を
開発して、先に提案した←特願昭５５−８０２８０号：
昭和５５年６月１６日付出願）。

更に研究を進めた結果、本発明者等は、より改善された
性質を有する従来文献未記載のカチオン化デキストラン
誘導体、その製法ならびに毛髪もしくは皮膚化粧料の開
発に成功した。

本発明者等の研究によれば、従来公知の文献に記載され
たカチオン化多糖類に利用されたセルロースはβ−１・
４′一結合のグルカンであり、アミロースはα−１・４
′一結合のグルカンであり、アミロペクチンやプルラン
はα−１・４仁結合を主たる構造として若干のα−１・
６′一結合の枝分れを含むグルカンであるのに対して、
α−１・６′一結合構造のグルカンであるデキストラン
に少なくとも１ケの第４級窒素含有基、及び少なくとも
１ケのヒドロキシ低級アルキル基の両者を導入した下記
式（１）、但し式中、 Ｒは水素原子、ヒドロキシ低級アルキル基、及び下記式
（２）で表わされる第４級窒素含有基よりなる群からえ
らばれた基であり、且つＲの少なくとも１ケは上記式（
２）で表わされる第４級窒素含有基であり、且つ少なく
とも１ケはヒドロキシ低級アルキル基であり、ここで、
Ｒ１、Ｒ，及びＲ３は、夫々、低級アルキル基を示し、
Ｒ１＆よ水素原子もしくはヒドロキシ低級アルキル基を
示し、ｎは１〜８０００の正数を示す、で表わされるカ
チオン化デキストラン誘導体及びその塩類が、容易に製
造可能であること、更に、この従来文献未記載の式（１
）カチオン化デキストラン誘導体及びその塩類がユニー
クな特性とくに、水に溶解し易く、また、極限粘度や第
４級窒素含有基の置換率及び、ヒドロキシ低級アルキノ
レ基の置換率を適当に選ぶことによりアルコール、ケト
ン類などの溶媒にも溶解し易い性質、更に、凝集効果、
帯電防止効果などにも優れ、その上、従来提案の公知カ
チオン変性多糖類に比して、アニオン界面活性剤及び両
性界面活性剤とずつと広範な濃度領域で複合塩を形成で
きる性質、等のユニークな特性を示すことを発見した。

又、従来提案の公知カチオン変性多糖類は、その溶解能
からアニオン界面活性剤及び両性界面活性剤との複合塩
の形で利用されるため、これら界面活性剤を配合した毛
髪もしくは皮膚化粧料基材への配合利用に制約されてい
たのに対して、上記式（１）のカチオン化デキストラン
誘導体及びその塩類頃それ自身で水、アルコール類、ケ
トン類などに対して良好な溶解能を示すため、このよう
な界面活性剤を配合しない用途もしくは配合しないこと
が望まれる用途、たとえば、へアーコンデイシヨナ一、
皮膚化粧料などを含む広い分野に利用でき、更に、毛髪
や皮膚に対する親和性、形成被膜の柔軟性、保湿性など
にもより優れ、より広い適用分野において優れた利用適
性を示すことを見出した。

従つて、本発明の目的は前記式（１）で表わされるカチ
オン化デキストラン誘導体及びその塩類を提供するにあ
る。

本発明の他の目的は、該式（１）カチオン化デキストラ
ン誘導体及びその塩類の製法を提供するにある。

本発明の更に他の目的は、該式（１）カチオン化デキス
トラン誘導体及びその塩類の少なくとも一種を有効成分
として含有する毛髪もしくは皮膚化粧料を提供するにあ
る。

本発明の上記諸目的及び更に多くの他の目的ならびに利
点は、以下の記載から一層明らかとなるであろう。

本発明の前記式（１）カチオン化デキストラン誘導体は
、例えば、デキストランすなわちで表わすことのできる
デキストランを、下記式（至）但し式中、Ｒ１、Ｒ２及
びＲ３は、夫々、低級アルキル基を示し、Ａは−ＱＨ２
−，ＣＨ−もしくはＸ−ＣＨ２−ＣＨ−（ここで、Ｘは
ハロゲン原子を示す）を示す、で表わされる化合物もし
くはその塩、 及びヒドロキシ低級アルキル化剤と、任意の順序で反応
させることにより製造することができる。

上言己灯３）化合物もしくはその塩と上記試薬とのいず
れを先に反応させることもできるが、氏３）化合物と反
応させたのち、上記試薬と反応させる態様が反応容易性
の点から、より好ましい。上記？３）化合物の代表例と
しては、グリシジルトリ低級アルキルアンモニウム及び
３−ハロ一２ヒドロキシプロピルトリ低級アルキルアン
モニウムが挙げられる。

上記式（３）化合物の式中、低級アルキル基の例として
はＣ１〜Ｃ４のアルキル基を好ましく例示できる。

又、ハロゲンの例としては、クロル、ブロムを好ましく
例示できる。このような式（３）化合物もしくはその塩
の例としては、下記の如き化合物を例示することができ
る。

グリシジルトリメチルアンモニウム、グリシジルトリエ
チルアンモニウム、グリシジルトリプロピルアンモニウ
ム、グリシジルエチルジメチルアンモニウム、グリシジ
ルジエチルメチルアンモニウム、グリシジルトリｎ−ブ
チルアンモニウヘグリシジルトリＩｓＯ−ブチルアンモ
ニウム、３ークロロ−２−ヒドロキシプロピルトリメチ
ルアンモニウム、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル
トリエチルアンモニウム、３−クロロ−２−ヒドロキシ
プロピルトリｎ−ブチルアンモニウム、３一クロロ一２
−ヒドロキシプロピルトリＩｓＯ−ブチルアンモニウへ
３−ブロモ−２−ヒドロキシプロピルトリメチルアン
モニウム、３−ブロモ２−ヒドロキシプロピルトリエチ
ルアンモニウム３−ブロモ−２−ヒドロキシオキシプロ
ピルトリｎ−ブチルアンモニウム、３−ブロモ−２−ヒ
ドロキシプロピルトリＩｓＯ−ブチルアンモニウム及び
これらの鉱酸塩、有機酸塩を例示することができる。上
記鉱酸塩及び有機酸塩を形成する酸の例としては、塩酸
、リン酸、硫酸、硝酸、酢酸、臭素酸などを例示するこ
とができる。

又、上記ヒドロキシ低級アルキル化剤の低級アルキル基
としてはＣ１〜Ｃ４低級アルキル基、とくにはＣ１〜Ｃ
３低級アルキル基が好ましく例示できる〜 このようなヒドロキシ低級アルキル化剤の例としては、
酸化エチレン、酸化プロピレン、エチレンクロルヒドリ
ン、エチレンブロモヒドリン、プロピレンクロルヒドリ
ンの如きヒドロキシ低級アルキル化剤が、例示できる。

デキストランと前記式（支）化合物との反応は、たとえ
ば、水性媒体中でデキストランと式（３）化合物とを接
触させることにより行うことができる。

反応は、例えば、アルカリ触媒の存在下にデキストラン
を、たとえば水もしくは水−アルコール混合媒体の如き
水性媒体に溶解もしくは懸濁し、ん３）化合物を添加し
て行うことができる。反応に利用するアルカリ触媒の例
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウムなどのアルカリ金属類の水酸化物、炭酸塩類ま
たは水酸化カルシウムなどのアルカリ土類金属の水酸化
物などを例示することができる。また、反応温度は、例
えば、約０℃から約１００℃程度で行うことができるが
、室温から約７０℃ぐらいの間がより好適である。

反応時間は適宜に選択でき、たとえば、約２０分〜約２
４時間の如き反応時間を例示することができる。反応終
了後、所望により、沢過、透析、再沈殿などの手段によ
り分離精製してカチオン化デキストランを一旦単離した
のち、ヒドロキシ低級アルキル化反応を行うこともでき
るが、その必要はなく、このような単離操作を行うこと
なしに、反応生成系を、所望により、水性媒体及び／又
はアルカリ触媒を添加し、ヒドロキシ低級アルキル化反
応に付することができる。ヒドロキシ低級アルキル化工
程を先に行つたのち、式（３）化合物との反応を行う場
合にも同様であつて、反応生成物を分離し更に精製単離
したのち、式（３）化合物との反応を行つてもよいし、
そのような操作を行わずに反応生成物系を？３）化合物
との反応に付することもできる。デキストランもしくは
上述のようにして形成できた生成物とヒドロキシ低級ア
ルキル化剤との反応は、たとえば、水性媒体中で、デキ
ストランもしくは上記生成物とこれら試薬とを接触させ
ることにより行うことができる。反応は、例えば、前記
例示の如きアルカリ触媒の存在下に、前記例示の如き水
性媒体を用いて行うことができる。反応温度としては、
例えば約０℃から約１００℃程度で行うことができるが
、室温から約７０℃程度の範囲がより好適である。反応
時間は適宜に選択でき、たとえば約２０分〜約２４時間
の如き反応時間を例示することができる。このような反
応において、反応条件によつてはヒドロキシ低級アルキ
ル化剤が重合する場合もある。反応終了後、所望により
、沢過、透析、再沈殿などの手段により分離精製して目
的物を得ることができる。上述のようにして製造できる
本発明の式（１）カチオン化デキストラン誘導体は、式
（１）中、Ｒおよびｋで示される水素原子、ヒドロキシ
低級アルキル基及び式（２）第４級窒素含有基の合計に
基いて、ヒドロキシ低級アルキル基及び式（２）第４級
窒素含有基の比率を置換率として表わした場合、置換率
１００％までのものを得ることができるが、本発明の皮
膚、毛髪化粧料に利用するカチオン化デキストラン誘導
体としては、置換率約３〜約１００％、更には約５〜約
９５％程度のものが好適で、前記式（３）化合物の量、
および前記ヒドロキシ低級アルキル化剤の量を適宜加減
することにより、任意の所望の置換率のものを得ること
ができる。

この置換率は、カチオン化デキストラン誘導体の窒素含
有率Ｎ％を、たとえばケールダール法により測定し、お
よびヒドロキシ低級アルキル含有率Ｈ％をたとえばモル
ガン法により測定し、次式から計算により求めることが
できる。ただし、ＱおよびＱ′＆欲式ＣＡＸＢ）によつ
て求められた値である。

また、カチオン化デキストラン誘導体は高分子電解質で
、その重合度は多分散であることから、前記式（４）中
、ｎは平均重合度を表わす。

そして、前記式（１）中、ｎで示されるカチオン化デキ
ストラン誘導体の平均重合度を示すパラメーターは極限
粘度〔η〕であり、従つて、原料デキストランの平均分
子量とカチオン化デキストランの極限粘度との関係から
該カチオン化デキストラン誘導体の平均重合度を知るこ
とができる。原料デキストランの平均分子量屯その極限
粘度を以下のようにして測定し、その値から後記の佐藤
の式「高分子化学、第１３巻、第１４号、５２６頁」に
より求めることができる。

すなわち、デキストランを水に溶かし、試料溶液とする
。

この試料溶液および水につき、ウベローデ型粘度計を用
い、２５よ±０．０２℃で流下時間を測定し、つぎの式
によつて極限粘度〔η〕を計算する。上記極限粘度の値
から、下記佐藤の式により、原料デキストランの平均分
子量Ｍを求める。

〔η〕＝９．００Ｘ１０−４Ｍ００５０本発明において
、式（１）カチオン化デキストラン誘導体の極限粘度＆
ζ試料を１モルの塩化ナトリウム液に溶解し、この試料
液および１モル塩化ナトリウム液につき、前記と同様に
して測定することができる。

本発明の式（１）カチオン化デキストラン誘導体の式中
ｎの値は、簡便には、上記極限粘度〔η〕で代換して表
わすことができる。

例えば、第４級窒素含有基の置換率が約５〜３３％で、
ヒドロキシ低級アルキル基の置換率が約１５〜約９０％
で両置換率の合計が約５〜約９５％であり、ｎが約３〜
約５５００程度の式（１）カチオン化デキストラン誘導
体の〔η〕は約０．０４〜約１．８程度であり、？１）
に記載されたｎ＝１〜８０００は、〔η〕で示すと約０
．０２〜２．１の極限粘度に相当する。又このようなカ
チオン化デキストラン誘導体は平均分子量約６４０から
約２５０万程度のデキストランを適宜選択することによ
り製造できる。従つて、前記式（１）におけるｎ＝１〜
８０００の代りに、ｎは式（１）カチオン化デキストラ
ン誘導体の〔η〕が約０．０２〜約２．１を示すように
なる正数として表わすこともできる。本発明の式（１）
カチオン化デキストラン誘導体はその塩類の形であるこ
とができ、とくに毛髪もしくは皮膚化粧料の用途には、
毛髪もしくは皮膚化粧料として許容し得る塩類の形で利
用される。

このような塩類の例及びその製法を以下に例示しよう。
すなわち、前記式（３）化合物として、前記に例示した
塩類を用いた場合には、それと同一の塩を得ることがで
きるし、また、生成物をイオン交換することによつて任
意所望の塩とすることもできる。

例えば、前記式（３）化合物として、グリシジルメチル
アンモニウムクロライドを使用した場合には、生成する
カチオン化デキストラン誘導体は塩酸塩であるが、たと
えば、その生成物の溶液を慣用の陰イオン交換樹脂と処
理したのち、所望の陰イオンの多量を添加したのち透析
、再沈殿などの手段により、分離精製して、所望の塩と
して得ることができる。本発明の式（１）カチオン化デ
キストラン誘導体及びその塩類は、従来、利用・提案さ
れたカチオン化セルローズ、カチオン化デンプンなどに
比べ、水、アルコール類、ケトン類に溶け易くジャンプ
一、リンス、ヘアトリートメントなどに使用できるほか
、従来のカチオン化多糖類が配合し難い、たとえば、ヘ
アコンデイシヨナ一 ヘアトニツク、クレンジングクリ
ーム、中性クリームなどの毛髪もしくは皮膚化粧料に配
合するのにも好適である。

また、添付図面第１図に示すように、他のカチオン化多
糖類に比べ、界面活性剤の広範な濃度範囲でこれと安定
した複合塩を形成することができる。また従来カチオン
化多糖類の、界面活性剤との複合塩が固型状であるのに
対し、本発明のカチオン化デキストラン誘導体の複合塩
は粘稠なシロツプ状を呈し、均一で、薄く、柔軟性の高
い被膜を形成することができる。斯くして、本発明によ
れば、前記式（１）で表わされるカチオン化デキストラ
ン誘導体、好ましくは、第４級窒素置換率が約３〜約３
３％で、ヒドロキシ焦アルキル基置換率が約５〜約９０
％であり、更に好ましくは、両置換率の合計が約５〜約
９５％ノ］ であり、ｎが４〜６０００、〔η〕で云うと〔η〕約０
．０４〜約１．８５の該カチオン化デキストラン誘導体
及び毛髪もしくは皮膚化粧料として許容し得るその塩類
の少なくとも一種を有効成分として含有することを特徴
とする毛髪もしくは皮膚化粧料を提供することができる
。

該式（４）カチオン化デキストラン誘導体のこれら化粧
料基材への配合量は適宜に選択できるが、例えば、約０
．１〜約５重量％の如き配合量を例示することができる
。本発明のカチオン化デキストランは、水、アルコール
類、ケトン類に対する溶解性、凝集性、帯電防止効果に
優れ、また陰イオン界面活性剤、両性界面活性剤との複
合塩形成能にも優れ、保護コロイド性、被膜形成性にも
優れるので、上記化粧料に好適に用いられるほか、洗浄
剤などのトイレタリ一用剤、医薬品用基剤、凝集剤、増
粘剤、製紙用助剤、塗料添加剤などの用途にも、その有
効成分として有用である。以下実施例により、本発明を
さらに説明する。

実施例 １攪拌機を備えた２１の密閉式反応槽に平均分
子量約１８１０のデキストラン８１ｙと水１００ｗＬ１
とを仕込んだ。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液１１０ｍ１を
加え１０分間攪拌した後、１８８ｙの３−クロロ−２−
ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライド
を含有する水溶液２５０ｍ１を加え、これを５０℃に加
熱し、３時間反応した後、１７４ｔの酸化プロピレンを
加え、これを５０℃に加熱し、３時間反応した後、塩酸
を加え中和した。

次に反応混合液を２４時間流水透析した後、凍結乾燥し
、第４級窒素置換率１８．３％、ヒドロキシプロピル置
換率７４％、〔η〕０．０７、比旋光度〔α〕２Ｂ＋８
０４、式（１沖ｎ−４．５の精製された水、エタノール
及びアセトン可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の
白色粉末１０５Ｖを得た。

実施例 ２平均分子量約１０４５０のデキストラン８１
ｙを使用した以外は実施例１と同様にして、第４級窒素
置換率１７．１％、ヒドロキシプロピル置換率７０％、
〔η〕０．１３、比旋光度〔α〕青＋８３式（１）中ｎ
＝３１．２の精製された水、エタノール及びアセトン可
溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１５５
７を得た。

実施例 ３ 平均分子量約５９０００のデキストラン８１ｒと水１５
０ｍ１を使用した以外は実施例１と同様にして、第４級
窒素置換率１６．２％、ヒドロキシプロピル置換率６７
％、〔η〕０．３１、比旋光度〔α〕＋８８６式（１）
中ｎ−１８１の精製された水、エタノール及びアセトン
可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１６
５ｔを得た。

実施例 ４平均分子量約６６４０００のデキストラン８
１ｖと水３００ｍ１を使用した以外は実施例１と同様に
して、第４級窒素置換率１３．４％、ヒドロキシプロピ
ル置換率６４％、〔η〕０．７１、比旋光度〔α〕賃＋
９０６式（１）中ｎ＝２０４８の精製された水、エタノ
ール及びアセトン可溶性のカチオン化デキストラン塩酸
塩の白色粉末１６０ｒを得た。

実施例 ５平均分子量約１６６万のデキストラン８１ｔ
と水５００ｍ！，を使用した以外は実施例１と同様にし
て、第４級窒素置換率１１．８％、ヒドロキシプロピル
置換率５２％、〔η〕１．６０、比旋光度〔α〕賃＋１
０５、式（１）中ｎ＝５１２２の精製された水、エタノ
ール可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末
１４５ｒを得た。

実施例 ６ 平均分子量約３７０００のデキストラン８１１と水３０
０ｍ１を仕込む。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム溶液５ｍ１を加え１
０分間攪拌した後、７６ｔのグリシジルトリメチルアン
モニウムクロライドを含有する水溶液１８０ｍ１を加え
、これを６０℃に加熱し、５時間反応した後、１３２Ｖ
の酸化エチレンを加え、これを５０℃に加熱し、３時間
反応した後酢酸を加え中和した。

次に反応混合液を２４時間流水透析した後、凍結乾燥し
、第４級窒素置換率９．１％、ヒドロキシエチル置換率
６４％、〔η〕０．２０、比旋光度〔α〕賃＋１１５％
式（１）中ｎ＝１１３の水及びエタノール可溶性のカチ
オン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１３０７を得た。

実施例 ７ 平均分子量約５９０００のデキストラン８１Ｖと水２０
０ｍ１を仕込む。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液２５ｍ１を加
え１０分間攪拌した後、３８９７のグリシジルトリエチ
ルアンモニウムクロライドを含有する水溶液１２００ｍ
１を加え、以後実施例６と同様にして、第４級窒素置換
率２０．０％、ヒドロキシエチル置換率４８％、〔η〕
０．３８、比旋光度〔α〕２Ｂ＋８５％式（１）中ｎ＝
１８１の水、エタノール及びアセトン可溶性のカチオン
化デキストラン塩酸塩の白色粉末１７０ｔを得た。

実施例 ８ 平均分子量約３７０００のデキストラン８１４ｉｔと水
１５０ｄを仕込む。

次に、４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液１０ｍ１を
加え１０分間攪拌した後、８８Ｖの酸化エチレンを加え
５０℃に加熱し３時間反応した後、１５２Ｖのグリシジ
ルトリメチルアンモニウムクロライドを含有する水溶液
３６０ｍ１を加え、これを５０℃に加熱し、５時間反応
した後、塩酸を加え中和した。

次に反応混合液を２４時間流水透析した後、凍結乾燥し
、第４級窒素置換率１１．２％、ヒドロキシエチル置換
率５３％、〔η〕０．２３、比旋光度〔α〕＋１１００
式Ｑ）中ｎ＝１１３の水及びエタノール可溶性のカチオ
ン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１６０ｙを得た。

実施例 ９ 酸化プロピレン１１６ｔを使用した以外は実施例８と同
様にして、第４級窒素置換率１０．７％、ヒドロキシプ
ロピル置換率５８％、〔η〕０．２２、比旋光度〔α〕
２Ｂ＋１００８、式（１沖ｎ＝１１３の水及びエタノー
ル可溶性のカチオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１
６０７を得た。

実施例 １０ １１５７の３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルトリエ
チルアンモニウムクロライドを含有する水溶液１５０７
ｎＩ！を使用した？外は実施例９と同様にして、第４級
窒素置換率６．３％、ヒドロキシプロピル置換率６１％
、〔η〕０．２５、比旋光度〔α〕青＋１０５％、式（
１）中ｎ＝１１３の水、エタノール可溶性のカチオン化
デキストラン塩酸塩の白色粉末１４５ｆを得た。

実施例 １１ 平均分子量約１０４５０のデキストラン８１ｙと水１０
０ｍ１を仕込む。

次に、４０重量％の水酸化ナトリウム１６５ｍ１、７６
ｙのグリシジルトリメチルアンモニウムクロライドを含
有する水溶液１８０ｍ１及びエチレンクロルヒドリン１
２０ｙを攪拌しながら加えた。

この混合物を６０℃に加熱し、３時間反応した後、塩酸
を加え中和した。次に、反応混合液を２４時間流水透析
した後、凍結乾燥し、第４級窒素置換率８．３％、ヒド
ロキシエチル置換率３７％、〔η〕０，１１、〔α〕賃
＋１３０置、式（１）中ｎ＝３１．２のカチオン化デキ
ストラン塩酸塩の白色粉末１１０７を得た。

実施例 １２平均分子量約６６４０００のデキストラン
８１７と水１０００ｍ１を仕込む。

次に４０重量％の水酸化ナトリウム水溶液１１０ｍ１を
加え１０分間攪拌した後、８０ｙのエチレンクロルヒド
リンを加えた後、６０℃に加熱し、３時間反応した後、
９７７のグリシジルトリエチルアンモニウムクロライド
を含有する水溶液３００ｍｊを加え５０℃で５時間反応
した後、塩酸を加え中和した。

次に反応混合物を水、エタノールからアセトンで３回沈
殿精製させ、５０℃の真空中で乾燥し、第４級窒素置換
率４．８％、ヒドロキシエチル置換率１９％、〔η〕０
．６８、比旋光度〔α］２Ｂ＋１５００、式（１仲ｎ−
２０４８のカチオン化デキストラン塩酸塩９０７を得た
。

実施例 １３ ２３０７の３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルトリエ
チルアンモニウムクロライドを含有する水溶液３００ｍ
１を使用した以外は実施例３と同様にして、第４級窒素
置換率１３．０％、ヒドロキシプロピル置換率７０％、
〔η〕０．３３、比旋光度〔α〕智＋８５７、式（１）
中ｎ−１８１の水、エタノール及びアセトン可溶性のカ
チオン化デキストラン塩酸塩の白色粉末１７０ｙを得た
。

実施例 １４ 平均分子量約３４０００のデキストラン１０５７を１２
５ｍ１の水に溶かし、次に４８．５重量％の水酸化ナト
リウム水溶液４０ｍ１と１１０７の３ークロロ−２ヒド
ロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライドを含
有する水溶液１９０ＴＬＩを加え、これを６０℃に加熱
し、３時間反応した後、１５０７の酸化プロピレンを加
え、これを密閉下５０℃に加熱し、６時間反応した後、
塩酸な加え中和した。

以外は実施例１と同様にして、第４級窒素置換率１２．
３％、ヒドロキシプロピル置換率６０％、〔η〕０．１
７０、比旋光度〔α〕賃＋１０２％、式（１沖のｎが１
０４の精製されたカチオン化デキストラン塩酸塩の粉末
１４０ｙを得た。

実施例 １５ 平均分子量約６６４０００のデキストラン２００７を２
４０ｙの３−クロロ−２ヒドロキシプロピルトリメチル
アンモニウムクロライドを含有する水溶液６６０ｍ１に
溶かした。

次に４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液６５ｍ１
を加え、これを６０℃に加熱し、５時間反応した後、２
７０７の酸化エチレンを加え、密閉下５０℃に加熱し、
５時間反応した後、塩酸を加え中和した。

以外は実施例１と同様にして、第４級窒素置換率１４．
３％、ヒドロキシエチル置換率７１％、〔η〕０．８１
、比旋光度〔α〕賃＋９４１、式（１）中のｎが２，０
４８の精製されたカチオン化デオストラン塩酸塩の白色
粉末４００ｔを得た。

実施例 １６ 平均分子量３４０００のデキストラン１０５７を１１０
７の３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルトリメチルア
ンモニウムクロライドを含有する水溶液２５０ｍ１に溶
かし、次に４８．５重量％の水酸化ナトリウム水溶液４
０ｄを加え、これを６０℃に加熱し、３時間反応した後
１９０ｙの酸化ブチレンを加え、これを密閉下６０℃に
加熱し、１２時間反応した後、塩酸を加え中和した。

以外は実施例１と同様にして、第４級窒素置換率１４．
５％、ヒドロキシブチル置換率５７％、〔η〕０．１８
２、比旋光度〔α〕賃＋９８％、式（１）中のｎが１０
４の精製されたカチオン化デキストラン塩酸塩の粉末２
２４７を得た。実施例 １７ 平均分子量約６４０のデキストラン８１７と水８０ｍ１
を使用した？外は実施例１と同様にして、第４級窒素置
換率１８．５％、ヒドロキシプロピル置換率７４％、〔
η〕０．０３、比旋光度〔α〕智＋７７７の精製された
水、エタノール及びアセトン可溶性のカチオン化デキス
トラン塩酸塩の白色粉末７１７を得た。

配合例 １ 前記実施例で得たカチオン化デキストラン誘導体を用い
て第１表に示した組成Ａ−Ｑのジャンプ一を調製した。

別に比較例としてカチオン化デキストラン誘導体を配合
しないジャンプ一を調製し、使用時の滑らかさ、すすぎ
時の髪のきしみ、仕上時の髪の柔らかさ、つや等の性能
を比較した。この第１表よりカチオン化デキストランを
配合したジャンプ一はカチオン化デキストランを配合し
ないものに比べて使用時及び、すすぎ時、仕上時の風合
いが優れていた。配合例 ２ 前記実施例で得たカチオン化デキストラン誘導体を用い
て第２表に示した組成Δ〜（Ｄのヘアーリンスを調製し
た。

別に比較例としてカチオン化デキストラン誘導体を配合
しないへアーリンスを調製し、仕上り時の髪の柔らかさ
、つや等の性能を比較した。この第２表よりカチオン化
デキストランを配合したへアーリンスはカチオン化デキ
ストランを配合しないものに比べて仕上時の風合いが優
れていた。

配合例 ３ 前記実施例で得たカチオン化デキストラン誘導体を用い
て第３表に示した組成（自）〜（Ｄのへアートリートメ
ントを調製した。

別に比較例としてカチオン化デキストラン誘導体を配合
しないヘアートリートメントを調製し、使用後の髪の柔
らかさ、まとまり易さ、つや、櫛の通り易さを比較した
。この第３表よりカチオン化デキストランを配合したヘ
アートリートメントはカチオン化デキストランを配合し
ないものに比べて使用後の髪の風合いが優れていた。配
合例 ４ 前記実施例で得たカチオン化デキストラン誘導【体を用
いて第４表に示した組成（４）（Ｂ）のヘアートニツク
を調製した。

別に比較例としてカチオン化デキストラン誘導体を配合
しないヘアートニツクを調製し、使用後の髪のまとまり
易さ、つや、櫛の通り易さを比較した。配合例 ５ 実施例１で得たカチオン化デキストラン誘導体を用いて
下記に示した組成のエアゾールラツカ一を調製した。

本溶液２５７にトリクロルモノフルオルメタン４７７と
ジクロルジフルオルメタン２８７とを加えてエアロゾル
ボンベとした。

これを毛髪に噴霧したところ櫛の通りがよくつやのある
柔らかな感触が得られた。

配合例 ６ 実施例６で得たカチオン化デキストラン誘導体を用いて
下記に示した組成の整髪用ローシヨンを調製した。

この整髪用ローシヨンを常法によつて毛髪に塗付したと
ころくし通りが良くつやのある性能が得られた。

又、この性能が永持ちした。配合例 ７ 実施例２で得たカチオン化デキストラン誘導体を用いて
下記に示す配合組成に基づいてカチオン化デキストラン
とイミダゾリン型両性界面活性剤の複合塩を形成し、そ
れをエタノール／水の混合溶媒に均一に溶解させ、デイ
スペンサ一型ヘアコンデイシヨナ一を調製し、その性能
を比較した。

このヘアコンデイシヨナ一を常法によつて髪に使用した
ところ、くし通りが良く、つやがあり、しつとり感の良
い性能が得られた。配合例 ８ 実施例１０で得たカチオン化デキストラン誘導体を用い
て下記に示した組成のクレンジングクリームを調製した
。

このクリームはカチオン化デキストランを配合しないも
のに比べて、伸び、油性感が優れていた。

配合例 ９実施例１３で得たカチオン化デキストラン誘
導体を用いて下記に示した組成の中性クリームを調製し
た。

このクリームはカチオン化デキストランを配合しないも
のに比べて、滑らかさ、しつとり感が優れていた。

【図面の簡単な説明】

第１図はイミダゾリン型両性界面活性剤（ソフタゾリン
ＣＬ：川研フアインケミカル製）との相互作用を示す。 測定条件、０．１％濃度のカチオン化多糖溶液に５％濃
度のソフタゾリンＣＬ溶液を加え析出する複合塩量を求
めた。第２図は、実施例３で使用した原料デキストラン
の赤外吸収スペクトル図であり、３８００〜３２００ｃ
７ｎ−１−０Ｈ１１２００〜１０５０（ｍ−１−ＣＯ、
９１０、８４０、７７０ＣｒＩＬ−１α−１・６詰合を
示す。第３図は、実施例８で得たカチオン化デキストラ
ン塩酸塩の赤外吸収スベクトル図であり、２９５０〜２
７５０Ｃ！ＩＬ−１−ＣＨ２− １４６０Ｃｒ１Ｌ−１
一ＣＨ３−、９１０、８４０、７７０ｃｍ−１α−１・
６′結合を示す。第４図は、実施例３で得たカチオン化
デキストラン塩酸塩の核磁気共鳴スペクトル図であり、
δ１．０〜１．３−Ｃ−ＣＨ３、δ３．３／一Ｎ−ＣＨ
３、δ３．３〜４．２グルコースリングを＼示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼式（１）但し式中、
   Ｒは水素原子、ヒドロキシ低級アルキル基、及び下記式
   （２）▲数式、化学式、表等があります▼式（２）で表
   わされる第４級窒素含有基よりなる群からえらばれた基
   であり、且つＲの少なくとも１ケは上記式（２）で表わ
   される第４級窒素含有基であり、且つ少なくとも１ケは
   ヒドロキシ低級アルキル基よりえらばれた基であり、こ
   こで、Ｒ＿１、Ｒ＿２及びＲ＿３は、夫々、低級アルキ
   ル基を示し、Ｒ′は水素原子もしくはヒドロキシ低級ア
   ルキル基を示し、ｎは１〜８０００の正数を示し、そし
   て該第４級窒素置換率が約３〜約３３％で、該ヒドロキ
   シ低級アルキル基置換率が約５〜約９０％である、で表
   わされるカチオン化デキストラン誘導体及びその塩類。 ２ デキストランを、下記式（３） ▲数式、化学式、表等があります▼式（３）但し式中、
   Ｒ＿１、Ｒ＿２及びＲ＿３は、夫々、低級アルキル基を
   示し、Ａは▲数式、化学式、表等があります▼もしくは
   ▲数式、化学式、表等があります▼（ここで、Ｘはハロ
   ゲン原子を示す）を示す、 で表わされる化合物もしくはその塩、 及びヒドロキシ低級アルキル化剤と、任意の順序で反応
   させることを特徴とする下記式（１）▲数式、化学式、
   表等があります▼式（１）但し式中、Ｒは水素原子、ヒ
   ドロキシ低級アルキル基、及び下記式（２）▲数式、化
   学式、表等があります▼式（２）で表わされる第４級窒
   素含有基よりなる群からえらばれた基であり、且つＲの
   少なくとも１ケは上記式（２）で表わされる第４級窒素
   含有基であり、且つ少なくとも１ケはヒドロキシ低級ア
   ルキル基であり、ここで、Ｒ＿１、Ｒ＿２及びＲ＿３は
   、夫々、低級アルキル基を示し、Ｒ′は水素原子もしく
   はヒドロキシ低級アルキル基を示し、ｎは１〜８０００
   の正数を示し、そして該第４級窒素置換率が約３〜約３
   ３％で、該ヒドロキシ低級アルキル基置換率が約５〜約
   ９０％である、で表わされるカチオン化デキストラン誘
   導体及びその塩類の製法。 ３ 下記式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼式（１）但し式中、
   Ｒは水素原子、ヒドロキシ低級アルキル基、及び下記式
   （２）▲数式、化学式、表等があります▼式（２）で表
   わされる第４級窒素含有基よりなる群からえらばれた基
   であり、且つＲの少なくとも１ケは上記式（２）で表わ
   される第４級窒素含有基であり、且つ少なくとも１ケは
   ヒドロキシ低級アルキル基であり、ここで、Ｒ＿１、Ｒ
   ＿２及びＲ＿３は、夫々、低級アルキル基を示し、Ｒ′
   は水素原子、もしくはヒドロキシ低級アルキル基を示し
   、ｎは１〜８０００の正数を示し、そして該第４級窒素
   置換率が約３〜約３３％で、該ヒドロキシ低級アルキル
   基置換率が約５〜約９０％である、で表わされるカチオ
   ン化デキストラン誘導体及び毛髪もしくは皮膚化粧料と
   して許容し得るその塩類の少なくとも一種を有効成分と
   して含有することを特徴とする毛髪もしくは皮膚化粧料
   。