JPS5927559B2 - 電気音響変成器 - Google Patents
電気音響変成器Info
- Publication number
- JPS5927559B2 JPS5927559B2 JP55064226A JP6422680A JPS5927559B2 JP S5927559 B2 JPS5927559 B2 JP S5927559B2 JP 55064226 A JP55064226 A JP 55064226A JP 6422680 A JP6422680 A JP 6422680A JP S5927559 B2 JPS5927559 B2 JP S5927559B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- accumulated
- conductive member
- electroacoustic
- resistance value
- charges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 32
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- -1 tin oxide) Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02141—Means for compensation or elimination of undesirable effects of electric discharge due to pyroelectricity
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/176—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of ceramic material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/581—Multiple crystal filters comprising ceramic piezoelectric layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は圧電トランスジューサを用いた電気音響変成
器に関する。
器に関する。
圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器では、圧
電効果を有するセラミック材料で構成した圧電トランス
ジューサが用いられる。
電効果を有するセラミック材料で構成した圧電トランス
ジューサが用いられる。
その代表的な材料としては、チタン酸バリウム系、チタ
ン酸鉛系、チタン酸ジルコン酸鉛系などのセラミックス
が用いられている。
ン酸鉛系、チタン酸ジルコン酸鉛系などのセラミックス
が用いられている。
圧電セラミックトランスジューサを用いた電気音響変成
器は、用途面から分類すると、代表的には、マイクロホ
ン、ピンクアンプ、カートリッジ、スピーカ、ブザー、
ソナー、洗浄機、加工機、リモートコントロール機器に
使われており、使用周波数も数(Hz)から数100
(KHz )にわたり、振動波形態も、超低周波振動か
ら可聴音波、超音波とさまざまである。
器は、用途面から分類すると、代表的には、マイクロホ
ン、ピンクアンプ、カートリッジ、スピーカ、ブザー、
ソナー、洗浄機、加工機、リモートコントロール機器に
使われており、使用周波数も数(Hz)から数100
(KHz )にわたり、振動波形態も、超低周波振動か
ら可聴音波、超音波とさまざまである。
いずれにしても、近年ますます高信頼性のものが要求さ
れ、外部環境特に温度環境や熱的環境に対して安定した
特性が要求されている。
れ、外部環境特に温度環境や熱的環境に対して安定した
特性が要求されている。
しかしながら、従来のものは、厳しい温度環境熱的環境
に置いたとき、たとえば高温放置試験や熱衝撃試験など
の特殊試験と呼ばれる試験を行うと、圧電トランスジユ
ーザの圧電性が低下すると2 いう現象がしばしば生じ
る。
に置いたとき、たとえば高温放置試験や熱衝撃試験など
の特殊試験と呼ばれる試験を行うと、圧電トランスジユ
ーザの圧電性が低下すると2 いう現象がしばしば生じ
る。
そのために、従来より種々の改良案が試みられているが
、いまだにこれといった最善のものが見出されていない
のが現状である。
、いまだにこれといった最善のものが見出されていない
のが現状である。
電気音響変成器の圧電トランスジューサに用い1 られ
る強誘電性基板としては、(1)温度変化によっても発
信、受信周波数としての使用周波数などが変化しないこ
と、(2)電気機械結合係数が大きいこと、などが重要
な特性として要求される。
る強誘電性基板としては、(1)温度変化によっても発
信、受信周波数としての使用周波数などが変化しないこ
と、(2)電気機械結合係数が大きいこと、などが重要
な特性として要求される。
たとえばチタン酸ジルコン酸鉛系のセラミックス主成分
)に対して種々の添加物を加え、その材料それ自体で特
性の改善を計ることが行われている。
)に対して種々の添加物を加え、その材料それ自体で特
性の改善を計ることが行われている。
しかしながらこのように材料それ自体を変える場合には
、高温放置試験や熱衝撃試験についてはある程度改善さ
れ得て、上述の(1)の特性は満足することはで1 き
るかも知れないが、逆に上述の(2)の特性が低下する
という現象が見られた。
、高温放置試験や熱衝撃試験についてはある程度改善さ
れ得て、上述の(1)の特性は満足することはで1 き
るかも知れないが、逆に上述の(2)の特性が低下する
という現象が見られた。
また、この他に、焼成条件を種々検討することにより、
上述の(1)の特性についての改善も試みられているが
、やはり上述の(2)の特性にばらつきが生じたり、そ
れが低下したりするという欠点が見られ、しかもその焼
成条件のコントロールも難しいという面があり、工業的
生産には適したものではない。
上述の(1)の特性についての改善も試みられているが
、やはり上述の(2)の特性にばらつきが生じたり、そ
れが低下したりするという欠点が見られ、しかもその焼
成条件のコントロールも難しいという面があり、工業的
生産には適したものではない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、厳しい温度環境
に対して安定なかつその圧電特性も良好な圧電トランス
ジューサを用いた電気音響変成器を提供することである
。
に対して安定なかつその圧電特性も良好な圧電トランス
ジューサを用いた電気音響変成器を提供することである
。
この発明の他の目的は、より簡易な手段により、厳しい
温度環境、熱的環境に対して確実に圧電特性を安定化で
きる圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器を提
供することである。
温度環境、熱的環境に対して確実に圧電特性を安定化で
きる圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器を提
供することである。
この発明のさらに他の目的は効率よく生産できるかつ厳
しい温度環境、熱的環境に対して安定な圧電特性を有す
る圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器を提供
することである。
しい温度環境、熱的環境に対して安定な圧電特性を有す
る圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器を提供
することである。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特徴は図面
を参照して行う以下の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
を参照して行う以下の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
第1図はこの発明が実施され得る圧電トランスジューサ
を用いた電気音響変成器の一例である圧電ブザーを示す
図である。
を用いた電気音響変成器の一例である圧電ブザーを示す
図である。
このような圧電ブザーの基本構造はすでに周知のところ
であり、ここではこの発明に関連して簡単に説明する。
であり、ここではこの発明に関連して簡単に説明する。
圧電ブザー1は、たとえば振動数3.160 (KHz
)のものでは、直径35(mm)、厚み0.48(m)
の金属円板2の一面に同心円状に直径25(mm)、厚
み0.23(mm)の圧電基板3を貼着し、金属円板2
の他面において、金属円板2を介して圧電基板30周縁
近傍に対向する部位にて支持4を行ない屈曲振動させて
いる。
)のものでは、直径35(mm)、厚み0.48(m)
の金属円板2の一面に同心円状に直径25(mm)、厚
み0.23(mm)の圧電基板3を貼着し、金属円板2
の他面において、金属円板2を介して圧電基板30周縁
近傍に対向する部位にて支持4を行ない屈曲振動させて
いる。
圧電基板3はたとえばチタン酸ジルコン酸鉛系の強誘電
性セラミック等から成り、厚み方向に分極処理されてい
る。
性セラミック等から成り、厚み方向に分極処理されてい
る。
この圧電セラミック基板3上には、その部分でこの基板
3を励振する直径25(mm)の電極5および6がそれ
ぞれ互いに対向して形成される。
3を励振する直径25(mm)の電極5および6がそれ
ぞれ互いに対向して形成される。
電極5および6にはそれぞれ引出リード7および8がそ
れぞれ、たとえばはんだ付によって接続される。
れぞれ、たとえばはんだ付によって接続される。
第2図、第3図、第4図および第5図は、それぞれ、こ
の発明の実施例を示す図である。
の発明の実施例を示す図である。
各図において、第1図に示すものと同一部分には同一番
号を付して説明を省略する。
号を付して説明を省略する。
そしてこれらの実施例では、圧電基板3の組成としては
、第1図と同様に(Pb O,95Sr O,05)
(Ti O,48Zr O,52) 03+0.75
wt%Nb2O5のようなチタン酸ジルコン酸鉛系のセ
ラミックスを使用した。
、第1図と同様に(Pb O,95Sr O,05)
(Ti O,48Zr O,52) 03+0.75
wt%Nb2O5のようなチタン酸ジルコン酸鉛系のセ
ラミックスを使用した。
このセラミックスを使用した場合、この発明を適用する
前の従来の形態では引出リード7.8間の抵抗値つまり
電極5,6間の抵抗値は3×1010oであった。
前の従来の形態では引出リード7.8間の抵抗値つまり
電極5,6間の抵抗値は3×1010oであった。
第2図の実施例においては、引出リード1と8との間に
デスクリートな抵抗9を接続した。
デスクリートな抵抗9を接続した。
その抵抗値としては、たとえば1にΩ、、100にΩ、
10MΩあるいは1000MΩなどの値の抵抗を用いる
ことができるが、この実施例では100にΩの抵抗素子
を用いた。
10MΩあるいは1000MΩなどの値の抵抗を用いる
ことができるが、この実施例では100にΩの抵抗素子
を用いた。
抵抗9の接続箇所は、電極5,6間、引出リード7.8
間等、この発明の趣旨に合致するかぎり任意である。
間等、この発明の趣旨に合致するかぎり任意である。
第3図の実施例では、圧電セラミック基板3の両表面に
わたって抵抗性ペースト10を焼付け、それによって電
極5と6とをある抵抗値を有して接続した。
わたって抵抗性ペースト10を焼付け、それによって電
極5と6とをある抵抗値を有して接続した。
抵抗体ペースト10としては、たとえばフェノール系樹
脂にカーボンを分散させたものを用い、その抵抗値は1
にΩ、100にΩ、10MΩ、1000MΩなどの値を
とることができるが、実験では1にΩあるいはIOMΩ
の抵抗体ペースト10を焼付けた。
脂にカーボンを分散させたものを用い、その抵抗値は1
にΩ、100にΩ、10MΩ、1000MΩなどの値を
とることができるが、実験では1にΩあるいはIOMΩ
の抵抗体ペースト10を焼付けた。
なお、この抵抗体ペースト10は、たとえば第4図の1
1で示すような位置に形成し、それによって電極5およ
び6を接続することもできる。
1で示すような位置に形成し、それによって電極5およ
び6を接続することもできる。
つまり、接続箇所やペーストの幅は、この発明の趣旨に
合致するかぎり任意である。
合致するかぎり任意である。
したがって、抵抗体ペーストで周側面を覆うような形態
も考えられる。
も考えられる。
第4図の実施例では、先の第2図および第3図ならびに
後の第5図の実施例では、電極として抵抗値がほぼ零の
、たとえば蒸着法あるいはスパッタリング法による銀電
極を用いたのに対し、これらの電極を、たとえば蒸着法
あるいはスパッタリング法による抵抗性金属(たとえば
タンタルやチタンなど)あるいは抵抗性金属酸化物(た
とえば酸化すずなと)で形成する。
後の第5図の実施例では、電極として抵抗値がほぼ零の
、たとえば蒸着法あるいはスパッタリング法による銀電
極を用いたのに対し、これらの電極を、たとえば蒸着法
あるいはスパッタリング法による抵抗性金属(たとえば
タンタルやチタンなど)あるいは抵抗性金属酸化物(た
とえば酸化すずなと)で形成する。
そして、この実施例でc1圧電セラミック基板30両面
にわたって抵抗値がほぼ零の銀ペースト11を焼付け、
それによって電極5および6を抵抗を介さないで直接接
続したものである。
にわたって抵抗値がほぼ零の銀ペースト11を焼付け、
それによって電極5および6を抵抗を介さないで直接接
続したものである。
もちろん銀ペースト11のかわりにリード線で短絡させ
てもよいし、これらの接続箇所はこの発明の趣旨に合致
するかぎり任意である。
てもよいし、これらの接続箇所はこの発明の趣旨に合致
するかぎり任意である。
さらに、銀ペースト11や短絡リード線に抵抗分をもた
せてもよい。
せてもよい。
電極とこれら銀ペースト11や短絡リード線の合成抵抗
値は圧電セラミツク基板3自体の電極5,6間の抵抗値
よりも小さく選ばなければならない。
値は圧電セラミツク基板3自体の電極5,6間の抵抗値
よりも小さく選ばなければならない。
第5図に示す実施例は、ブザー1とブザー1の駆動回路
を共鳴ケース12に内蔵したものに本発明を適用した例
である。
を共鳴ケース12に内蔵したものに本発明を適用した例
である。
駆動回路を組み込んだ基板13(部品素子は図では省略
)の所定端子14゜15に引出リード7.8がそれぞれ
接続される。
)の所定端子14゜15に引出リード7.8がそれぞれ
接続される。
したがって、本発明を実施するためにケース12または
/および基板13として、抵抗性(または半導体)樹脂
を用いた。
/および基板13として、抵抗性(または半導体)樹脂
を用いた。
このケース12または/および基板13の材料としては
、たとえばエポキシ系樹脂にカーボン、金属、金属酸化
物、半導体酸化物粉末あるいは半導体ガラス粉末などを
分散させたものを用いることができる。
、たとえばエポキシ系樹脂にカーボン、金属、金属酸化
物、半導体酸化物粉末あるいは半導体ガラス粉末などを
分散させたものを用いることができる。
そして、その抵抗値は1にΩ、100にΩ、IOMΩお
よび1000MΩなどの抵抗値とすることができるが、
実験ではIOMΩおよび1000MΩの抵抗値とした。
よび1000MΩなどの抵抗値とすることができるが、
実験ではIOMΩおよび1000MΩの抵抗値とした。
そして、さらに高絶縁性または/および耐湿性の樹脂に
よってケース12または/および基板13をコーティン
グしてもよい。
よってケース12または/および基板13をコーティン
グしてもよい。
なお、この絶縁性樹脂は、従来のエポキシ系樹脂などが
用いられ得る。
用いられ得る。
この実施例では、電極5および6番転この抵抗性のケー
ス12または/および基板13によって相互に接続され
ていることになり、したがってこの電極5および6がそ
のケース12またWおよび基板13の抵抗値を通して接
続されたものとなる。
ス12または/および基板13によって相互に接続され
ていることになり、したがってこの電極5および6がそ
のケース12またWおよび基板13の抵抗値を通して接
続されたものとなる。
このようにして形成した圧電ブザー1で、次いで熱衝撃
試験を行った。
試験を行った。
熱衝撃試験の条件は次のとおりである。
すなわち、−55℃と+100℃の温度にそれぞれ60
分間保持し、−55℃から+100℃に移行させるのを
1サイクルとして、これを100サイクル繰返した。
分間保持し、−55℃から+100℃に移行させるのを
1サイクルとして、これを100サイクル繰返した。
そして、−55℃から+100℃への移行、またはその
逆への移行は、それぞれ数秒内で行った。
逆への移行は、それぞれ数秒内で行った。
この熱衝撃試験の結果を第1表に示す。
なお、この第1表では、特に第2図、第3図または第5
図に示す実施例のものを試料番号2ないし6として用い
、第1図に示す従来のものを試料番号1として用いた。
図に示す実施例のものを試料番号2ないし6として用い
、第1図に示す従来のものを試料番号1として用いた。
いずれの実施例の場合でも、要は電荷発生電極間の圧電
セラミック基板の抵抗値よりも低い抵抗値で電荷発生電
極間を接続すればよい。
セラミック基板の抵抗値よりも低い抵抗値で電荷発生電
極間を接続すればよい。
そして、いずれの実施例の場合も先に説明した条件で熱
衝撃試験を行った。
衝撃試験を行った。
第1表にその結果を示す。
この第1表は熱衝撃試験による圧電ブザー1の特性、す
なわち、一定距離(10crrL)をおいて測定した音
圧の試験サイクル数に対する測定結果を示したものであ
る。
なわち、一定距離(10crrL)をおいて測定した音
圧の試験サイクル数に対する測定結果を示したものであ
る。
いずれも共鳴ケース12にブザーエレメントを収容した
状態で測定した。
状態で測定した。
この第1表から分かるように、第1図に示す従来のもの
すなわち挿入抵抗値がない場合では、熱衝撃のサイクル
数が多くなればなるほどその音圧が小さくなっているこ
とが分かる。
すなわち挿入抵抗値がない場合では、熱衝撃のサイクル
数が多くなればなるほどその音圧が小さくなっているこ
とが分かる。
これに対して、たとえば第3図の実施例において、抵抗
体ペースト10を1にΩとした場合の例すなわち試料番
号2のデータでは、音圧はほとんど変化しない。
体ペースト10を1にΩとした場合の例すなわち試料番
号2のデータでは、音圧はほとんど変化しない。
同様に、第2図の実施例で固体抵抗素子9を100にΩ
とした場合を試料番号3として示す。
とした場合を試料番号3として示す。
第5図に示す実施例で、抵抗性基板13の端子14゜1
5間抵抗値をIOMΩとした場合を試料番号4として示
す。
5間抵抗値をIOMΩとした場合を試料番号4として示
す。
さらに、第3図の実施例で抵抗値を10MΩとしたもの
を試料番号5として示し、第5図の実施例で抵抗性基板
13の端子14,15間抵抗値を1000MΩとしたも
のを試料番号6として示す。
を試料番号5として示し、第5図の実施例で抵抗性基板
13の端子14,15間抵抗値を1000MΩとしたも
のを試料番号6として示す。
この第1表における試料番号2ないし6のものの音圧の
変化が、第1図に示すような従来のものすなわち試料番
号1のものに比べて、明確にしかも確実に改善されてい
ることが分かる。
変化が、第1図に示すような従来のものすなわち試料番
号1のものに比べて、明確にしかも確実に改善されてい
ることが分かる。
第6図は試料番号6すなわち第5図に示す実施例で、抵
抗性基板13の端子14.15間の抵抗値を1000M
Ωとした場合のもの(点線で示す)と、試料番号1すな
わち第1図に示す従来のもの(実線で示す)の音圧の変
化量を示し、第1表に示すデータに基づいて作成したグ
ラフである。
抗性基板13の端子14.15間の抵抗値を1000M
Ωとした場合のもの(点線で示す)と、試料番号1すな
わち第1図に示す従来のもの(実線で示す)の音圧の変
化量を示し、第1表に示すデータに基づいて作成したグ
ラフである。
なお、第2図の実施例における固体抵抗素子9の抵抗値
および第3図の実施例における抵抗体ペースト10の抵
抗値ならびに第5図に示す実施例の抵抗性基板13の端
子14,15間の抵抗値はいずれも、圧電セラミック基
板11の電極5゜6間の抵抗値よりも小さいことが条件
である。
および第3図の実施例における抵抗体ペースト10の抵
抗値ならびに第5図に示す実施例の抵抗性基板13の端
子14,15間の抵抗値はいずれも、圧電セラミック基
板11の電極5゜6間の抵抗値よりも小さいことが条件
である。
ま 。た、第4図の実施例では、抵抗体ペーストで形成
した各電極5,6の抵抗値と銀ペースト11の抵抗値と
の和が、圧電セラミック基板11の電極5゜6間の抵抗
値よりも小さく選ばれていることが条件である。
した各電極5,6の抵抗値と銀ペースト11の抵抗値と
の和が、圧電セラミック基板11の電極5゜6間の抵抗
値よりも小さく選ばれていることが条件である。
つまり、種々の材料のセラミック基板、の抵抗値と熱衝
撃試験での電気的特性の変化量との関係を求めたところ
、セラミック基板の抵抗値がある値よりも低(なると、
熱衝撃試験による電気的特性の変化量が小さくなるとい
うことが明らカドなった。
撃試験での電気的特性の変化量との関係を求めたところ
、セラミック基板の抵抗値がある値よりも低(なると、
熱衝撃試験による電気的特性の変化量が小さくなるとい
うことが明らカドなった。
これは焦電効果によって分極時の電弓界方向とは逆の反
電界の電荷が強誘電性セラミック基板の対向している電
極側に蓄積されずに、セラミック基板の内部を通して自
然放電されるものと考えられる。
電界の電荷が強誘電性セラミック基板の対向している電
極側に蓄積されずに、セラミック基板の内部を通して自
然放電されるものと考えられる。
しかしながら、すでに上記したようにセラミック基板の
抵抗の低下にともなって、圧電性の低下、電気的特性の
バラツキの増大が見られることが明らかとなっており、
したがって圧電セラミック基板自身の抵抗値を下げるこ
となく、他に自然放電の形態を考慮しなければならない
。
抵抗の低下にともなって、圧電性の低下、電気的特性の
バラツキの増大が見られることが明らかとなっており、
したがって圧電セラミック基板自身の抵抗値を下げるこ
となく、他に自然放電の形態を考慮しなければならない
。
つまり、セラミック基板の内部を通しての放電ではな(
、外部回路を通じて放電させればよいことになり、した
がってセラミック基板の内部抵抗よりも抵抗値の低い抵
抗(抵抗を介さない場合を含む)で電荷が発生している
電極間を接続すればよいことになる。
、外部回路を通じて放電させればよいことになり、した
がってセラミック基板の内部抵抗よりも抵抗値の低い抵
抗(抵抗を介さない場合を含む)で電荷が発生している
電極間を接続すればよいことになる。
しかしながら、振動電極面と分極方向が交差する構造で
は、圧電トランスジューサとしての本来の動作を妨げな
いようにしなければならないので、これら抵抗値を小さ
くするにもおのずと限度がある。
は、圧電トランスジューサとしての本来の動作を妨げな
いようにしなければならないので、これら抵抗値を小さ
くするにもおのずと限度がある。
この下限値については一概には決定できず何個のケース
毎に定められるべきものである。
毎に定められるべきものである。
熱衝撃試験の場合、低温(−55℃)から高温(+10
0℃)に移るとき、焦電効果により、基板30両側電極
5,60間に分極方向とは順方向に電界を生じ、一方高
温から低温に移るときは逆方向に電界を生じる。
0℃)に移るとき、焦電効果により、基板30両側電極
5,60間に分極方向とは順方向に電界を生じ、一方高
温から低温に移るときは逆方向に電界を生じる。
このような交番電界によって基板30分極がとれて、そ
の圧電特性の低下が生じるものと考えられる。
の圧電特性の低下が生じるものと考えられる。
そこで、上記実施例では、このような交番電界を即時に
緩和するために、基板3の分極方向と交差する両表面の
電極5,6相互間を実質的にある抵抗値を有して電気接
続したのである。
緩和するために、基板3の分極方向と交差する両表面の
電極5,6相互間を実質的にある抵抗値を有して電気接
続したのである。
第7図は、この発明の他の実施例としての3端子型圧電
ブザー21の一例を示す図である。
ブザー21の一例を示す図である。
このような圧電ブザ−21自体は、すでに周知のところ
であるが、以下にはこの発明に関連して、簡単に説明す
る。
であるが、以下にはこの発明に関連して、簡単に説明す
る。
圧電ブザー21はたとえば、振動数3.050 (KH
z)のものでは、直径35(mm)、厚み0.48 ’
(mu)の金属円板22の一面に同心円状に直径25(
mm)、厚み0.23(mm)の圧電セラミック基板2
3を貼着している。
z)のものでは、直径35(mm)、厚み0.48 ’
(mu)の金属円板22の一面に同心円状に直径25(
mm)、厚み0.23(mm)の圧電セラミック基板2
3を貼着している。
圧電基板23の一面には略円形一部凹所を有する電極2
4と、前記凹所に位置する別の電極25とが設けである
。
4と、前記凹所に位置する別の電極25とが設けである
。
圧電基板23の他面には全面電極26が設けである。
電極24.25、金属円板22にはそれぞれ引出リード
27,28,29がたとえば、はんだ付けによって接続
される。
27,28,29がたとえば、はんだ付けによって接続
される。
第7図の実施例においては、引出リード27゜29間、
28.29間にそれぞれディスクリートな抵抗30,3
1を接続した。
28.29間にそれぞれディスクリートな抵抗30,3
1を接続した。
第8図、第9図および第10図は、それぞれこの発明の
他の実施例としての圧電ブザーを示す図である。
他の実施例としての圧電ブザーを示す図である。
第8図の実施例では、基板230両面にわたって抵抗体
ペース)32,33を形成し、それによって電極24と
金属円板22したがって電極26とを、そしてまた電極
25と金属円板22したがって電極26とを、電気的に
接続する。
ペース)32,33を形成し、それによって電極24と
金属円板22したがって電極26とを、そしてまた電極
25と金属円板22したがって電極26とを、電気的に
接続する。
なお、この抵抗体ペースト32は、たとえば第9図の3
4で示すような位置に形成し、それによって電極24.
26間を抵抗体ペースト34で接続することもできる。
4で示すような位置に形成し、それによって電極24.
26間を抵抗体ペースト34で接続することもできる。
つまり接続箇所は、この発明の趣旨に合致するかぎり任
意である。
意である。
したがって抵抗体ペーストで周側面を覆うような形態も
考えられる。
考えられる。
第8図、第9図の実施例では、電極24ないし26を、
それぞれ、たとえば蒸着法あるいはスパッタリング法に
よる銀電極ではな(、たとえば蒸着法あるいはスパッタ
リング法による抵抗性金属(たとえばタンタルおよびチ
タン等)あるいは金属酸化物(たとえば酸化すず等)で
形成する。
それぞれ、たとえば蒸着法あるいはスパッタリング法に
よる銀電極ではな(、たとえば蒸着法あるいはスパッタ
リング法による抵抗性金属(たとえばタンタルおよびチ
タン等)あるいは金属酸化物(たとえば酸化すず等)で
形成する。
そして、基板230両面にわたって銀ペースト(抵抗値
はほぼ零)32と33または34と33を形成し、それ
によって電極24と金属円板22および25と金属円板
22をそれぞれ直接接続する。
はほぼ零)32と33または34と33を形成し、それ
によって電極24と金属円板22および25と金属円板
22をそれぞれ直接接続する。
もちろん銀ペースト32と33またば34と33のかわ
りにリード線で短絡させてもよいし、これらの接続箇所
はこの発明の趣旨に合致するかぎり任意である。
りにリード線で短絡させてもよいし、これらの接続箇所
はこの発明の趣旨に合致するかぎり任意である。
さらに銀ペースト32と33、または34と33や短絡
リード線に抵抗分をもたせてもよい。
リード線に抵抗分をもたせてもよい。
第10図に示す実施例では、第5図の例と同様に抵抗性
(半導体)樹脂によって、ケース12または/および基
板35を形成する。
(半導体)樹脂によって、ケース12または/および基
板35を形成する。
そして、そのケース12または/および基板35を、さ
らに高絶縁性または/および耐湿性の樹脂によって被覆
してもよい。
らに高絶縁性または/および耐湿性の樹脂によって被覆
してもよい。
いずれの実施例の場合でも、要は電荷発生電極間の圧電
セラミック基板の抵抗値よりも低い抵抗値で電荷発生電
極間を接続すればよい。
セラミック基板の抵抗値よりも低い抵抗値で電荷発生電
極間を接続すればよい。
そして、いずれの実施例の場合も先に説明した条件で熱
衝撃試験を行った。
衝撃試験を行った。
第2表にその結果を示す。
この第2表は熱衝撃試験による3端子型圧電ブザーの特
性、すなわち音圧の試験サイクル数に対する測定結果を
示したものである。
性、すなわち音圧の試験サイクル数に対する測定結果を
示したものである。
いずれも共鳴ケース12にブザーエレメントを収容した
状態で測定した。
状態で測定した。
試料番号1はたとえば第7図において抵抗30゜31を
除いた従来のものである。
除いた従来のものである。
試料番号2は第10図に示す実施例においてその抵抗値
を1にΩとしたものである。
を1にΩとしたものである。
試料番号3は第8図の実施例においてその抵抗値を10
0にΩとしたものである。
0にΩとしたものである。
試料番号4は第10図においてその抵抗値を10MΩと
したものである。
したものである。
試料番号5は第7図において固体抵抗素子の抵抗値をI
OMΩとした場合のものであり、試料番号6は第8図に
おいてその抵抗値を1000MΩとしたものである。
OMΩとした場合のものであり、試料番号6は第8図に
おいてその抵抗値を1000MΩとしたものである。
この第2表から分かるように、従来の全く挿入抵抗のな
い場合には、サイクル数が増えれば増えるほどその音圧
の変化が大きくなっている。
い場合には、サイクル数が増えれば増えるほどその音圧
の変化が大きくなっている。
これに対して、試料番号2ないし6のデータで示すよう
に、この発明によれば、サイクル数が増えても音圧の変
化はそれほど大きくない。
に、この発明によれば、サイクル数が増えても音圧の変
化はそれほど大きくない。
第11図は試料番号1のものと試料番号3のものとのサ
イクル数に対する音圧変化量を示すグラフである。
イクル数に対する音圧変化量を示すグラフである。
この第11図から分かるように、従来のもの(実線で示
す)においては100サイクルの熱衝撃試験を経た後に
は、その音圧が大きく変化する。
す)においては100サイクルの熱衝撃試験を経た後に
は、その音圧が大きく変化する。
これに対して、この発明を適用したもの(点線で示す)
においてQζ 100サイクルの熱衝撃試験を受けた後
でも、音圧の変化は小さい。
においてQζ 100サイクルの熱衝撃試験を受けた後
でも、音圧の変化は小さい。
なお、上述の実施例では、抵抗として、焼付抵抗やディ
スクリートな固体抵抗素子などを用いた例を示した。
スクリートな固体抵抗素子などを用いた例を示した。
また、樹脂として抵抗を兼ねるものを用いた例も示した
。
。
しかしこの発明には、その他の半導体ガラス、ペースト
、半導体酸化物粉末ペースト半導体樹脂などを用いても
よく、要は回路上から見て、抵抗が挿入されている状態
が作り出されていればよいのである。
、半導体酸化物粉末ペースト半導体樹脂などを用いても
よく、要は回路上から見て、抵抗が挿入されている状態
が作り出されていればよいのである。
さらに、上述の実施例では、圧電基板の両面に形成され
た電極相互間に実質的に抵抗を挿入するように電気接続
したが、これはそれぞれの電極が個別的にアース電位に
、ある抵抗値を有して電気接続されるようにしてもよく
、要は焦電効果によって生じる正電荷および負電荷を速
やかに緩和できればよいのである。
た電極相互間に実質的に抵抗を挿入するように電気接続
したが、これはそれぞれの電極が個別的にアース電位に
、ある抵抗値を有して電気接続されるようにしてもよく
、要は焦電効果によって生じる正電荷および負電荷を速
やかに緩和できればよいのである。
上記した実施例では、電荷が蓄積される導電部材が、電
極であり、分極軸方向がこれらの電極が設けられている
圧電セラミック基板面に交差している状態における例を
示しているが、このほか次のような例がある。
極であり、分極軸方向がこれらの電極が設けられている
圧電セラミック基板面に交差している状態における例を
示しているが、このほか次のような例がある。
第12図は、圧電トランスジューサの他の構成例を示し
たもので、強誘電性セラミック基板430分極方向は、
基板面に対して平行である。
たもので、強誘電性セラミック基板430分極方向は、
基板面に対して平行である。
この場合セラミック基板43は厚みが0.23(mm)
で直径25(mm)の円板からなり、分極方向に垂直な
面すなわち側面44.45間の抵抗は、1×101On
であった。
で直径25(mm)の円板からなり、分極方向に垂直な
面すなわち側面44.45間の抵抗は、1×101On
であった。
導電部材の1つである電極5゜6がセラミック基板43
の対向主表面に形成されている。
の対向主表面に形成されている。
さらにセラミック基板43の側面44゜45にはこれも
また導電部材にあたる電極46゜47が、従来公知の方
法で形成されている。
また導電部材にあたる電極46゜47が、従来公知の方
法で形成されている。
この構成によれば、温度変化によって電荷が蓄積される
側の導電部材は主に電極46.47であって電極5,6
ではない。
側の導電部材は主に電極46.47であって電極5,6
ではない。
したがって、この発明を適用しようとすれば、たとえば
図示したように電極46,47を短絡リード線48にて
接続する。
図示したように電極46,47を短絡リード線48にて
接続する。
電極46,47を電気接続するときに抵抗を介してもよ
い。
い。
この場合、電極46.47を抵抗性金属酸化物のような
それ自身抵抗性をもつ材料で形成してもよい。
それ自身抵抗性をもつ材料で形成してもよい。
また、電極46,47を互いに接続せず、いずれもアー
ス電位に電気接続してもよい。
ス電位に電気接続してもよい。
そしてこの発明は、上記した実施例のような圧電ブザー
に適用できるのみならず、圧電セラミックトランスジュ
ーサを用いた他のいかなる電気音響変成器にも適用でき
る。
に適用できるのみならず、圧電セラミックトランスジュ
ーサを用いた他のいかなる電気音響変成器にも適用でき
る。
以下代表的な電気音響変成器に適用した例について述べ
る。
る。
第13図はバイモルフ振動子50を示し、二枚の圧電セ
ラミック板51.52のそれぞれの両生表面に設けた電
極53,54間、55,56間を抵抗体ペース)57.
58で接続した例を示す。
ラミック板51.52のそれぞれの両生表面に設けた電
極53,54間、55,56間を抵抗体ペース)57.
58で接続した例を示す。
もちろん上述した他の実施例も取り得る。
第14図は、ランジュバン型振動子60を示し、円板型
圧電セラミック板610両主表面に固着した金属柱62
,63間を抵抗体ペースト64で接続した例を示す。
圧電セラミック板610両主表面に固着した金属柱62
,63間を抵抗体ペースト64で接続した例を示す。
もちろん上述した他の実施例も取り得る。
ランジュバン型振動子ではゴムや樹脂で水密構造にモー
ルドした構造をとることがあるが、この場合ゴムや樹脂
に抵抗成分をもたせると好適である。
ルドした構造をとることがあるが、この場合ゴムや樹脂
に抵抗成分をもたせると好適である。
その具体例としては上述のケース12またば/および基
板13,35で用いるような材料が考えられる。
板13,35で用いるような材料が考えられる。
このように本発明は、要は電気音響変成器で用いている
圧電トランスジューサにおける焦電効果に基づ(電荷を
放電させることにあるから、この明細書で列挙しない他
の電気音響変成器にも当然実施可能で、いずれも本発明
範囲内であることは当然である。
圧電トランスジューサにおける焦電効果に基づ(電荷を
放電させることにあるから、この明細書で列挙しない他
の電気音響変成器にも当然実施可能で、いずれも本発明
範囲内であることは当然である。
なお、分極軸方向が基板面に対して斜めの場合には、分
極軸方向が基板主面に直交する場合の実施例と分極軸方
向が基板主面に平行な場合の実施例を、温度変化によっ
て発生する電荷量の大きさに応じて、適宜組合せればよ
い。
極軸方向が基板主面に直交する場合の実施例と分極軸方
向が基板主面に平行な場合の実施例を、温度変化によっ
て発生する電荷量の大きさに応じて、適宜組合せればよ
い。
以上のように、この発明によれば、圧電基板上の正電荷
が蓄積される側の電極と負電荷が蓄積される側の電極と
を相互に電気接続するかあるいはそれら双方の電極とア
ース電位とを電気接続することによって、焦電効果に基
づく電荷による交番電荷を速やかに緩和でき、したがっ
て分極がとれたりするような圧電特性の劣化がない。
が蓄積される側の電極と負電荷が蓄積される側の電極と
を相互に電気接続するかあるいはそれら双方の電極とア
ース電位とを電気接続することによって、焦電効果に基
づく電荷による交番電荷を速やかに緩和でき、したがっ
て分極がとれたりするような圧電特性の劣化がない。
また、そのような圧電特性の劣化のない電気音響変成器
が簡単な構成ないし方法によって得られ、工業的に製造
する場合量産性も良くかつその良品率も向上させること
ができる。
が簡単な構成ないし方法によって得られ、工業的に製造
する場合量産性も良くかつその良品率も向上させること
ができる。
さらに、このように温度環境、熱的環境によっても特性
が安定であるので、非常に高い信頼性の電気音響変成器
が得られる。
が安定であるので、非常に高い信頼性の電気音響変成器
が得られる。
第1図はこの発明が実施され得る従来の2端子型圧電ブ
ザーの一例を示す図である。 第2図ないし第5図は、それぞれ、この発明の異なる実
施例を示す図である。 第6図は第1図に示すものと第5図に示すものとの音圧
変化量を示すグラフである。 第1図ないし第10図は、それぞれこの発明を3端子の
圧電ブザーに適用した異なる実施例を示す図である。 第11図は従来のものと第8図の1実施例のものとの音
圧の変化量を示すグラフである。 第12図は、この発明を利用した圧電共振子の他の構成
例を示す概略側面図である。 第13図と第14図は、さらにそれぞれこの発明の他の
実施例を示し、第13図はバイモルフ振動子の側面・
図、第14図はランジュバン型振動子の斜視図である。 図において、1は圧電ブザー、2は金属円板、3は圧電
基板、5と6は電極、9は抵抗、10は抵抗体ペースト
、11は銀ペースト、12はケー) ス、13は基板、
21は圧電ブザー、22は金属円板、23は圧電基板、
24,25,26は電極、30.31は抵抗、32.3
3は抵抗体ペースト、34は銀ペースト、46,47は
電極、48は短絡リード線、50はバイモルフ振動子、
51゜52は圧電セラミック板、53〜56は電極、5
7.58は抵抗体ペースト、60はランジュバン型振動
子、61は圧電セラミック板、62゜63は金属円柱、
64は抵抗体ペースト。
ザーの一例を示す図である。 第2図ないし第5図は、それぞれ、この発明の異なる実
施例を示す図である。 第6図は第1図に示すものと第5図に示すものとの音圧
変化量を示すグラフである。 第1図ないし第10図は、それぞれこの発明を3端子の
圧電ブザーに適用した異なる実施例を示す図である。 第11図は従来のものと第8図の1実施例のものとの音
圧の変化量を示すグラフである。 第12図は、この発明を利用した圧電共振子の他の構成
例を示す概略側面図である。 第13図と第14図は、さらにそれぞれこの発明の他の
実施例を示し、第13図はバイモルフ振動子の側面・
図、第14図はランジュバン型振動子の斜視図である。 図において、1は圧電ブザー、2は金属円板、3は圧電
基板、5と6は電極、9は抵抗、10は抵抗体ペースト
、11は銀ペースト、12はケー) ス、13は基板、
21は圧電ブザー、22は金属円板、23は圧電基板、
24,25,26は電極、30.31は抵抗、32.3
3は抵抗体ペースト、34は銀ペースト、46,47は
電極、48は短絡リード線、50はバイモルフ振動子、
51゜52は圧電セラミック板、53〜56は電極、5
7.58は抵抗体ペースト、60はランジュバン型振動
子、61は圧電セラミック板、62゜63は金属円柱、
64は抵抗体ペースト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器であ
って、圧電トランスジューサとして、分極処理を施した
強誘電性基板の分極方向と交差する表面に、その強誘電
性基板を介して少なくともその一部が対向する一対の導
電部材が形成された構造からなり、 前記一対の導電部材には前記一対の導電部材間の強誘電
性基板が呈する高抵抗のために前記強誘電性基板の温度
変化によって正および負電荷が蓄積され、さらに 前記正電荷が蓄積される側の導電部材と前記負電荷が蓄
積される側の導電部材とが電気接続されているか、前記
正電荷が蓄積される側の導電部材または前記負電荷が蓄
積される側の導電部材の少なくとも一方がアース電位に
電気接続されることにより温度変化によって蓄積された
電荷を放電させることを特徴とする電気音響変成器。 2 前記正電荷が蓄積される側の導電部材と前記負電荷
が蓄積される側の導電部材との間に抵抗が電気的に直列
に接続されている、特許請求の範囲第1項記載の電気音
響変成器。 3 前記正電荷が蓄積される側の導電部材または前記負
電荷が蓄積される側の導電部材の少なくとも一方と、前
記アース電位との間に、抵抗が電気的に直列に接続され
ている、特許請求の範囲第1項記載の電気音響変成器。 4 前記抵抗は前記強誘電性基板自体の導電部材間抵抗
値よりも小さい値に選ばれている、特許請求の範囲第2
項または第3項記載の電気音響変成器。 5 前記導電部材には、振動電極が含まれている、特許
請求の範囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の電気
音響変成器。 6 前記導電部材には、振動電極以外のものが含まれて
いる、特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれかに
記載の電気音響変成器。 7 温度変化により電荷が蓄積される側の導電部材間に
おいて、分極された強誘電性基板の結晶配向軸が導電部
材に対して垂直方向に配向している、特許請求の範囲第
1項ないし第6項のいずれかに記載の電気音響変成器。 8 温度変化により電荷が蓄積される側の導電部材間に
おいて分極された強誘電性基板の結晶配向軸が導電部材
に対して斜め方向に配向している、特許請求の範囲第1
項ないし第6項のいずれかに記載の電気音響変成器。 9 前記正電荷が蓄積される側の導電部材または前記負
電荷が蓄積される側の導電部材の少なくとも一方が、そ
れぞれ所定の抵抗値を有して形成され、前記抵抗値は前
記強誘電性基板自体の導電部材間抵抗値よりも小さく選
ばれていて、さらに前記正電荷が蓄積される側の導電部
材と前記負電荷が蓄積される側の導電部材とが直接接続
されているか、前記正電荷が蓄積される側の導電部材ま
たは前記負電荷が蓄積される側の導電部材の少な(とも
一方がアース電位に直接接続される、特許請求の範囲第
1項記載の電気音響変成器。 10 前記正電荷が蓄積される側の導電部材および前
記負電荷が蓄積される側の導電部材の間、または前記正
電荷が蓄積される側の導電部材または前記負電荷が蓄積
される側の導電部材の少なくとも一方と前記アース電位
との間に、抵抗が電気的に直列に接続されていて、 前記各導電部材の抵抗値と前記抵抗の抵抗値との和が前
記強誘電性圧電基板自体の導電部材間抵抗値よりも小さ
く選ばれている、特許請求の範囲第9項記載の電気音響
変成器。 11 前記導電部材は少なくとも前記強誘電性基板を
覆う外装材であって、 前記外装材が所定の抵抗値を有するものであり、前記強
誘電性基板の温度変化によって蓄積された正および負電
荷がこの外装材の存在によって放電される、特許請求の
範囲第1項記載の電気音響変成器。 12 さらに前記外装材を覆うかつ高絶縁性をもつ第
2の外装材を形成した、特許請求の範囲第11項記載の
電気音響変成器。 13 前記正電荷が蓄積される側の導電部材と前記負
電荷が蓄積される側の導電部材とを接続する回路中に電
気音響変成器のケースが含まれている、特許請求の範囲
第1項記載の電気音響変成器。 14 前記両導電部材を接続する回路中に含まれる部
分が電気音響変成器のケースの導体部分である、特許請
求の範囲第13項記載の電気音響変成器。 15 前記両導電部材を接続する回路中に含まれる部
分が電気音響変成器のケースの樹脂成型部分である、特
許請求の範囲第14項記載の電気音響変成器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55064226A JPS5927559B2 (ja) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | 電気音響変成器 |
US06/169,219 US4451753A (en) | 1979-09-13 | 1980-07-15 | Piezoelectric device with surface charge shunt |
DE3027583A DE3027583C2 (de) | 1979-07-20 | 1980-07-21 | Piezoelektrisches Bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55064226A JPS5927559B2 (ja) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | 電気音響変成器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56160198A JPS56160198A (en) | 1981-12-09 |
JPS5927559B2 true JPS5927559B2 (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=13251973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55064226A Expired JPS5927559B2 (ja) | 1979-07-20 | 1980-05-14 | 電気音響変成器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5927559B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
US10892383B2 (en) | 2007-10-31 | 2021-01-12 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100553001C (zh) | 2005-11-02 | 2009-10-21 | 株式会社村田制作所 | 压电元件 |
-
1980
- 1980-05-14 JP JP55064226A patent/JPS5927559B2/ja not_active Expired
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US10892383B2 (en) | 2007-10-31 | 2021-01-12 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56160198A (en) | 1981-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3614483A (en) | Width flexural resonator and coupled mode filter | |
US4381469A (en) | Temperature stable piezoelectric device | |
US3090876A (en) | Piezoelectric devices utilizing aluminum nitride | |
JP6959768B2 (ja) | 圧電変換器 | |
US4451753A (en) | Piezoelectric device with surface charge shunt | |
US3060333A (en) | High capacity accelerometer | |
US3074034A (en) | Disk resonator | |
US5444326A (en) | Piezoelectric-resonance device | |
JPS5927559B2 (ja) | 電気音響変成器 | |
Ando et al. | Piezoelectric resonance characteristics of SrBi2Nb2O9-based ceramics | |
US3093758A (en) | Piezoelectric devices utilizing cadmium sulfide | |
US3313962A (en) | Piezo-electric transducer | |
US3348078A (en) | Piezoelectric ceramic resonator devices | |
JPS6324324B2 (ja) | ||
TW427059B (en) | Resonator, piezoelectric resonator and the manufacturing method thereof | |
US3109153A (en) | Adjustable piezoelectric wave filter having two resonance peaks | |
US3051919A (en) | Filter-transformers | |
JPS6358384B2 (ja) | ||
JPH0235492B2 (ja) | ||
JPS6327890B2 (ja) | ||
JPH0818392A (ja) | 圧電フィルタ | |
EP1075082A2 (en) | Piezoelectric resonator and piezoelectric resonator part | |
JPH104330A (ja) | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 | |
US3483402A (en) | Quartz crystals for piezoelectric resonators | |
JPH0112423Y2 (ja) |