JPS5927559B2 - 電気音響変成器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は圧電トランスジューサを用いた電気音響変成
器に関する。

圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器では、圧
電効果を有するセラミック材料で構成した圧電トランス
ジューサが用いられる。

その代表的な材料としては、チタン酸バリウム系、チタ
ン酸鉛系、チタン酸ジルコン酸鉛系などのセラミックス
が用いられている。

圧電セラミックトランスジューサを用いた電気音響変成
器は、用途面から分類すると、代表的には、マイクロホ
ン、ピンクアンプ、カートリッジ、スピーカ、ブザー、
ソナー、洗浄機、加工機、リモートコントロール機器に
使われており、使用周波数も数（Ｈｚ）から数１００
（ＫＨｚ ）にわたり、振動波形態も、超低周波振動か
ら可聴音波、超音波とさまざまである。

いずれにしても、近年ますます高信頼性のものが要求さ
れ、外部環境特に温度環境や熱的環境に対して安定した
特性が要求されている。

しかしながら、従来のものは、厳しい温度環境熱的環境
に置いたとき、たとえば高温放置試験や熱衝撃試験など
の特殊試験と呼ばれる試験を行うと、圧電トランスジユ
ーザの圧電性が低下すると２ いう現象がしばしば生じ
る。

そのために、従来より種々の改良案が試みられているが
、いまだにこれといった最善のものが見出されていない
のが現状である。

電気音響変成器の圧電トランスジューサに用い１ られ
る強誘電性基板としては、（１）温度変化によっても発
信、受信周波数としての使用周波数などが変化しないこ
と、（２）電気機械結合係数が大きいこと、などが重要
な特性として要求される。

たとえばチタン酸ジルコン酸鉛系のセラミックス主成分
）に対して種々の添加物を加え、その材料それ自体で特
性の改善を計ることが行われている。

しかしながらこのように材料それ自体を変える場合には
、高温放置試験や熱衝撃試験についてはある程度改善さ
れ得て、上述の（１）の特性は満足することはで１ き
るかも知れないが、逆に上述の（２）の特性が低下する
という現象が見られた。

また、この他に、焼成条件を種々検討することにより、
上述の（１）の特性についての改善も試みられているが
、やはり上述の（２）の特性にばらつきが生じたり、そ
れが低下したりするという欠点が見られ、しかもその焼
成条件のコントロールも難しいという面があり、工業的
生産には適したものではない。

それゆえに、この発明の主たる目的は、厳しい温度環境
に対して安定なかつその圧電特性も良好な圧電トランス
ジューサを用いた電気音響変成器を提供することである
。

この発明の他の目的は、より簡易な手段により、厳しい
温度環境、熱的環境に対して確実に圧電特性を安定化で
きる圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器を提
供することである。

この発明のさらに他の目的は効率よく生産できるかつ厳
しい温度環境、熱的環境に対して安定な圧電特性を有す
る圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器を提供
することである。

この発明の上述の目的およびその他の目的と特徴は図面
を参照して行う以下の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。

第１図はこの発明が実施され得る圧電トランスジューサ
を用いた電気音響変成器の一例である圧電ブザーを示す
図である。

このような圧電ブザーの基本構造はすでに周知のところ
であり、ここではこの発明に関連して簡単に説明する。

圧電ブザー１は、たとえば振動数３．１６０ （ＫＨｚ
）のものでは、直径３５（ｍｍ）、厚み０．４８（ｍ）
の金属円板２の一面に同心円状に直径２５（ｍｍ）、厚
み０．２３（ｍｍ）の圧電基板３を貼着し、金属円板２
の他面において、金属円板２を介して圧電基板３０周縁
近傍に対向する部位にて支持４を行ない屈曲振動させて
いる。

圧電基板３はたとえばチタン酸ジルコン酸鉛系の強誘電
性セラミック等から成り、厚み方向に分極処理されてい
る。

この圧電セラミック基板３上には、その部分でこの基板
３を励振する直径２５（ｍｍ）の電極５および６がそれ
ぞれ互いに対向して形成される。

電極５および６にはそれぞれ引出リード７および８がそ
れぞれ、たとえばはんだ付によって接続される。

第２図、第３図、第４図および第５図は、それぞれ、こ
の発明の実施例を示す図である。

各図において、第１図に示すものと同一部分には同一番
号を付して説明を省略する。

そしてこれらの実施例では、圧電基板３の組成としては
、第１図と同様に（Ｐｂ Ｏ，９５Ｓｒ Ｏ，０５）
（Ｔｉ Ｏ，４８Ｚｒ Ｏ，５２） ０３＋０．７５
ｗｔ％Ｎｂ２Ｏ５のようなチタン酸ジルコン酸鉛系のセ
ラミックスを使用した。

このセラミックスを使用した場合、この発明を適用する
前の従来の形態では引出リード７．８間の抵抗値つまり
電極５，６間の抵抗値は３×１０１０ｏであった。

第２図の実施例においては、引出リード１と８との間に
デスクリートな抵抗９を接続した。

その抵抗値としては、たとえば１にΩ、、１００にΩ、
１０ＭΩあるいは１０００ＭΩなどの値の抵抗を用いる
ことができるが、この実施例では１００にΩの抵抗素子
を用いた。

抵抗９の接続箇所は、電極５，６間、引出リード７．８
間等、この発明の趣旨に合致するかぎり任意である。

第３図の実施例では、圧電セラミック基板３の両表面に
わたって抵抗性ペースト１０を焼付け、それによって電
極５と６とをある抵抗値を有して接続した。

抵抗体ペースト１０としては、たとえばフェノール系樹
脂にカーボンを分散させたものを用い、その抵抗値は１
にΩ、１００にΩ、１０ＭΩ、１０００ＭΩなどの値を
とることができるが、実験では１にΩあるいはＩＯＭΩ
の抵抗体ペースト１０を焼付けた。

なお、この抵抗体ペースト１０は、たとえば第４図の１
１で示すような位置に形成し、それによって電極５およ
び６を接続することもできる。

つまり、接続箇所やペーストの幅は、この発明の趣旨に
合致するかぎり任意である。

したがって、抵抗体ペーストで周側面を覆うような形態
も考えられる。

第４図の実施例では、先の第２図および第３図ならびに
後の第５図の実施例では、電極として抵抗値がほぼ零の
、たとえば蒸着法あるいはスパッタリング法による銀電
極を用いたのに対し、これらの電極を、たとえば蒸着法
あるいはスパッタリング法による抵抗性金属（たとえば
タンタルやチタンなど）あるいは抵抗性金属酸化物（た
とえば酸化すずなと）で形成する。

そして、この実施例でｃ１圧電セラミック基板３０両面
にわたって抵抗値がほぼ零の銀ペースト１１を焼付け、
それによって電極５および６を抵抗を介さないで直接接
続したものである。

もちろん銀ペースト１１のかわりにリード線で短絡させ
てもよいし、これらの接続箇所はこの発明の趣旨に合致
するかぎり任意である。

さらに、銀ペースト１１や短絡リード線に抵抗分をもた
せてもよい。

電極とこれら銀ペースト１１や短絡リード線の合成抵抗
値は圧電セラミツク基板３自体の電極５，６間の抵抗値
よりも小さく選ばなければならない。

第５図に示す実施例は、ブザー１とブザー１の駆動回路
を共鳴ケース１２に内蔵したものに本発明を適用した例
である。

駆動回路を組み込んだ基板１３（部品素子は図では省略
）の所定端子１４゜１５に引出リード７．８がそれぞれ
接続される。

したがって、本発明を実施するためにケース１２または
／および基板１３として、抵抗性（または半導体）樹脂
を用いた。

このケース１２または／および基板１３の材料としては
、たとえばエポキシ系樹脂にカーボン、金属、金属酸化
物、半導体酸化物粉末あるいは半導体ガラス粉末などを
分散させたものを用いることができる。

そして、その抵抗値は１にΩ、１００にΩ、ＩＯＭΩお
よび１０００ＭΩなどの抵抗値とすることができるが、
実験ではＩＯＭΩおよび１０００ＭΩの抵抗値とした。

そして、さらに高絶縁性または／および耐湿性の樹脂に
よってケース１２または／および基板１３をコーティン
グしてもよい。

なお、この絶縁性樹脂は、従来のエポキシ系樹脂などが
用いられ得る。

この実施例では、電極５および６番転この抵抗性のケー
ス１２または／および基板１３によって相互に接続され
ていることになり、したがってこの電極５および６がそ
のケース１２またＷおよび基板１３の抵抗値を通して接
続されたものとなる。

このようにして形成した圧電ブザー１で、次いで熱衝撃
試験を行った。

熱衝撃試験の条件は次のとおりである。

すなわち、−５５℃と＋１００℃の温度にそれぞれ６０
分間保持し、−５５℃から＋１００℃に移行させるのを
１サイクルとして、これを１００サイクル繰返した。

そして、−５５℃から＋１００℃への移行、またはその
逆への移行は、それぞれ数秒内で行った。

この熱衝撃試験の結果を第１表に示す。

なお、この第１表では、特に第２図、第３図または第５
図に示す実施例のものを試料番号２ないし６として用い
、第１図に示す従来のものを試料番号１として用いた。

いずれの実施例の場合でも、要は電荷発生電極間の圧電
セラミック基板の抵抗値よりも低い抵抗値で電荷発生電
極間を接続すればよい。

そして、いずれの実施例の場合も先に説明した条件で熱
衝撃試験を行った。

第１表にその結果を示す。

この第１表は熱衝撃試験による圧電ブザー１の特性、す
なわち、一定距離（１０ｃｒｒＬ）をおいて測定した音
圧の試験サイクル数に対する測定結果を示したものであ
る。

いずれも共鳴ケース１２にブザーエレメントを収容した
状態で測定した。

この第１表から分かるように、第１図に示す従来のもの
すなわち挿入抵抗値がない場合では、熱衝撃のサイクル
数が多くなればなるほどその音圧が小さくなっているこ
とが分かる。

これに対して、たとえば第３図の実施例において、抵抗
体ペースト１０を１にΩとした場合の例すなわち試料番
号２のデータでは、音圧はほとんど変化しない。

同様に、第２図の実施例で固体抵抗素子９を１００にΩ
とした場合を試料番号３として示す。

第５図に示す実施例で、抵抗性基板１３の端子１４゜１
５間抵抗値をＩＯＭΩとした場合を試料番号４として示
す。

さらに、第３図の実施例で抵抗値を１０ＭΩとしたもの
を試料番号５として示し、第５図の実施例で抵抗性基板
１３の端子１４，１５間抵抗値を１０００ＭΩとしたも
のを試料番号６として示す。

この第１表における試料番号２ないし６のものの音圧の
変化が、第１図に示すような従来のものすなわち試料番
号１のものに比べて、明確にしかも確実に改善されてい
ることが分かる。

第６図は試料番号６すなわち第５図に示す実施例で、抵
抗性基板１３の端子１４．１５間の抵抗値を１０００Ｍ
Ωとした場合のもの（点線で示す）と、試料番号１すな
わち第１図に示す従来のもの（実線で示す）の音圧の変
化量を示し、第１表に示すデータに基づいて作成したグ
ラフである。

なお、第２図の実施例における固体抵抗素子９の抵抗値
および第３図の実施例における抵抗体ペースト１０の抵
抗値ならびに第５図に示す実施例の抵抗性基板１３の端
子１４，１５間の抵抗値はいずれも、圧電セラミック基
板１１の電極５゜６間の抵抗値よりも小さいことが条件
である。

ま 。た、第４図の実施例では、抵抗体ペーストで形成
した各電極５，６の抵抗値と銀ペースト１１の抵抗値と
の和が、圧電セラミック基板１１の電極５゜６間の抵抗
値よりも小さく選ばれていることが条件である。

つまり、種々の材料のセラミック基板、の抵抗値と熱衝
撃試験での電気的特性の変化量との関係を求めたところ
、セラミック基板の抵抗値がある値よりも低（なると、
熱衝撃試験による電気的特性の変化量が小さくなるとい
うことが明らカドなった。

これは焦電効果によって分極時の電弓界方向とは逆の反
電界の電荷が強誘電性セラミック基板の対向している電
極側に蓄積されずに、セラミック基板の内部を通して自
然放電されるものと考えられる。

しかしながら、すでに上記したようにセラミック基板の
抵抗の低下にともなって、圧電性の低下、電気的特性の
バラツキの増大が見られることが明らかとなっており、
したがって圧電セラミック基板自身の抵抗値を下げるこ
となく、他に自然放電の形態を考慮しなければならない
。

つまり、セラミック基板の内部を通しての放電ではな（
、外部回路を通じて放電させればよいことになり、した
がってセラミック基板の内部抵抗よりも抵抗値の低い抵
抗（抵抗を介さない場合を含む）で電荷が発生している
電極間を接続すればよいことになる。

しかしながら、振動電極面と分極方向が交差する構造で
は、圧電トランスジューサとしての本来の動作を妨げな
いようにしなければならないので、これら抵抗値を小さ
くするにもおのずと限度がある。

この下限値については一概には決定できず何個のケース
毎に定められるべきものである。

熱衝撃試験の場合、低温（−５５℃）から高温（＋１０
０℃）に移るとき、焦電効果により、基板３０両側電極
５，６０間に分極方向とは順方向に電界を生じ、一方高
温から低温に移るときは逆方向に電界を生じる。

このような交番電界によって基板３０分極がとれて、そ
の圧電特性の低下が生じるものと考えられる。

そこで、上記実施例では、このような交番電界を即時に
緩和するために、基板３の分極方向と交差する両表面の
電極５，６相互間を実質的にある抵抗値を有して電気接
続したのである。

第７図は、この発明の他の実施例としての３端子型圧電
ブザー２１の一例を示す図である。

このような圧電ブザ−２１自体は、すでに周知のところ
であるが、以下にはこの発明に関連して、簡単に説明す
る。

圧電ブザー２１はたとえば、振動数３．０５０ （ＫＨ
ｚ）のものでは、直径３５（ｍｍ）、厚み０．４８ ’
（ｍｕ）の金属円板２２の一面に同心円状に直径２５（
ｍｍ）、厚み０．２３（ｍｍ）の圧電セラミック基板２
３を貼着している。

圧電基板２３の一面には略円形一部凹所を有する電極２
４と、前記凹所に位置する別の電極２５とが設けである
。

圧電基板２３の他面には全面電極２６が設けである。

電極２４．２５、金属円板２２にはそれぞれ引出リード
２７，２８，２９がたとえば、はんだ付けによって接続
される。

第７図の実施例においては、引出リード２７゜２９間、
２８．２９間にそれぞれディスクリートな抵抗３０，３
１を接続した。

第８図、第９図および第１０図は、それぞれこの発明の
他の実施例としての圧電ブザーを示す図である。

第８図の実施例では、基板２３０両面にわたって抵抗体
ペース）３２，３３を形成し、それによって電極２４と
金属円板２２したがって電極２６とを、そしてまた電極
２５と金属円板２２したがって電極２６とを、電気的に
接続する。

なお、この抵抗体ペースト３２は、たとえば第９図の３
４で示すような位置に形成し、それによって電極２４．
２６間を抵抗体ペースト３４で接続することもできる。

つまり接続箇所は、この発明の趣旨に合致するかぎり任
意である。

したがって抵抗体ペーストで周側面を覆うような形態も
考えられる。

第８図、第９図の実施例では、電極２４ないし２６を、
それぞれ、たとえば蒸着法あるいはスパッタリング法に
よる銀電極ではな（、たとえば蒸着法あるいはスパッタ
リング法による抵抗性金属（たとえばタンタルおよびチ
タン等）あるいは金属酸化物（たとえば酸化すず等）で
形成する。

そして、基板２３０両面にわたって銀ペースト（抵抗値
はほぼ零）３２と３３または３４と３３を形成し、それ
によって電極２４と金属円板２２および２５と金属円板
２２をそれぞれ直接接続する。

もちろん銀ペースト３２と３３またば３４と３３のかわ
りにリード線で短絡させてもよいし、これらの接続箇所
はこの発明の趣旨に合致するかぎり任意である。

さらに銀ペースト３２と３３、または３４と３３や短絡
リード線に抵抗分をもたせてもよい。

第１０図に示す実施例では、第５図の例と同様に抵抗性
（半導体）樹脂によって、ケース１２または／および基
板３５を形成する。

そして、そのケース１２または／および基板３５を、さ
らに高絶縁性または／および耐湿性の樹脂によって被覆
してもよい。

いずれの実施例の場合でも、要は電荷発生電極間の圧電
セラミック基板の抵抗値よりも低い抵抗値で電荷発生電
極間を接続すればよい。

そして、いずれの実施例の場合も先に説明した条件で熱
衝撃試験を行った。

第２表にその結果を示す。

この第２表は熱衝撃試験による３端子型圧電ブザーの特
性、すなわち音圧の試験サイクル数に対する測定結果を
示したものである。

いずれも共鳴ケース１２にブザーエレメントを収容した
状態で測定した。

試料番号１はたとえば第７図において抵抗３０゜３１を
除いた従来のものである。

試料番号２は第１０図に示す実施例においてその抵抗値
を１にΩとしたものである。

試料番号３は第８図の実施例においてその抵抗値を１０
０にΩとしたものである。

試料番号４は第１０図においてその抵抗値を１０ＭΩと
したものである。

試料番号５は第７図において固体抵抗素子の抵抗値をＩ
ＯＭΩとした場合のものであり、試料番号６は第８図に
おいてその抵抗値を１０００ＭΩとしたものである。

この第２表から分かるように、従来の全く挿入抵抗のな
い場合には、サイクル数が増えれば増えるほどその音圧
の変化が大きくなっている。

これに対して、試料番号２ないし６のデータで示すよう
に、この発明によれば、サイクル数が増えても音圧の変
化はそれほど大きくない。

第１１図は試料番号１のものと試料番号３のものとのサ
イクル数に対する音圧変化量を示すグラフである。

この第１１図から分かるように、従来のもの（実線で示
す）においては１００サイクルの熱衝撃試験を経た後に
は、その音圧が大きく変化する。

これに対して、この発明を適用したもの（点線で示す）
においてＱζ １００サイクルの熱衝撃試験を受けた後
でも、音圧の変化は小さい。

なお、上述の実施例では、抵抗として、焼付抵抗やディ
スクリートな固体抵抗素子などを用いた例を示した。

また、樹脂として抵抗を兼ねるものを用いた例も示した
。

しかしこの発明には、その他の半導体ガラス、ペースト
、半導体酸化物粉末ペースト半導体樹脂などを用いても
よく、要は回路上から見て、抵抗が挿入されている状態
が作り出されていればよいのである。

さらに、上述の実施例では、圧電基板の両面に形成され
た電極相互間に実質的に抵抗を挿入するように電気接続
したが、これはそれぞれの電極が個別的にアース電位に
、ある抵抗値を有して電気接続されるようにしてもよく
、要は焦電効果によって生じる正電荷および負電荷を速
やかに緩和できればよいのである。

上記した実施例では、電荷が蓄積される導電部材が、電
極であり、分極軸方向がこれらの電極が設けられている
圧電セラミック基板面に交差している状態における例を
示しているが、このほか次のような例がある。

第１２図は、圧電トランスジューサの他の構成例を示し
たもので、強誘電性セラミック基板４３０分極方向は、
基板面に対して平行である。

この場合セラミック基板４３は厚みが０．２３（ｍｍ）
で直径２５（ｍｍ）の円板からなり、分極方向に垂直な
面すなわち側面４４．４５間の抵抗は、１×１０１Ｏｎ
であった。

導電部材の１つである電極５゜６がセラミック基板４３
の対向主表面に形成されている。

さらにセラミック基板４３の側面４４゜４５にはこれも
また導電部材にあたる電極４６゜４７が、従来公知の方
法で形成されている。

この構成によれば、温度変化によって電荷が蓄積される
側の導電部材は主に電極４６．４７であって電極５，６
ではない。

したがって、この発明を適用しようとすれば、たとえば
図示したように電極４６，４７を短絡リード線４８にて
接続する。

電極４６，４７を電気接続するときに抵抗を介してもよ
い。

この場合、電極４６．４７を抵抗性金属酸化物のような
それ自身抵抗性をもつ材料で形成してもよい。

また、電極４６，４７を互いに接続せず、いずれもアー
ス電位に電気接続してもよい。

そしてこの発明は、上記した実施例のような圧電ブザー
に適用できるのみならず、圧電セラミックトランスジュ
ーサを用いた他のいかなる電気音響変成器にも適用でき
る。

以下代表的な電気音響変成器に適用した例について述べ
る。

第１３図はバイモルフ振動子５０を示し、二枚の圧電セ
ラミック板５１．５２のそれぞれの両生表面に設けた電
極５３，５４間、５５，５６間を抵抗体ペース）５７．
５８で接続した例を示す。

もちろん上述した他の実施例も取り得る。

第１４図は、ランジュバン型振動子６０を示し、円板型
圧電セラミック板６１０両主表面に固着した金属柱６２
，６３間を抵抗体ペースト６４で接続した例を示す。

もちろん上述した他の実施例も取り得る。

ランジュバン型振動子ではゴムや樹脂で水密構造にモー
ルドした構造をとることがあるが、この場合ゴムや樹脂
に抵抗成分をもたせると好適である。

その具体例としては上述のケース１２またば／および基
板１３，３５で用いるような材料が考えられる。

このように本発明は、要は電気音響変成器で用いている
圧電トランスジューサにおける焦電効果に基づ（電荷を
放電させることにあるから、この明細書で列挙しない他
の電気音響変成器にも当然実施可能で、いずれも本発明
範囲内であることは当然である。

なお、分極軸方向が基板面に対して斜めの場合には、分
極軸方向が基板主面に直交する場合の実施例と分極軸方
向が基板主面に平行な場合の実施例を、温度変化によっ
て発生する電荷量の大きさに応じて、適宜組合せればよ
い。

以上のように、この発明によれば、圧電基板上の正電荷
が蓄積される側の電極と負電荷が蓄積される側の電極と
を相互に電気接続するかあるいはそれら双方の電極とア
ース電位とを電気接続することによって、焦電効果に基
づく電荷による交番電荷を速やかに緩和でき、したがっ
て分極がとれたりするような圧電特性の劣化がない。

また、そのような圧電特性の劣化のない電気音響変成器
が簡単な構成ないし方法によって得られ、工業的に製造
する場合量産性も良くかつその良品率も向上させること
ができる。

さらに、このように温度環境、熱的環境によっても特性
が安定であるので、非常に高い信頼性の電気音響変成器
が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明が実施され得る従来の２端子型圧電ブ
ザーの一例を示す図である。 第２図ないし第５図は、それぞれ、この発明の異なる実
施例を示す図である。 第６図は第１図に示すものと第５図に示すものとの音圧
変化量を示すグラフである。 第１図ないし第１０図は、それぞれこの発明を３端子の
圧電ブザーに適用した異なる実施例を示す図である。 第１１図は従来のものと第８図の１実施例のものとの音
圧の変化量を示すグラフである。 第１２図は、この発明を利用した圧電共振子の他の構成
例を示す概略側面図である。 第１３図と第１４図は、さらにそれぞれこの発明の他の
実施例を示し、第１３図はバイモルフ振動子の側面・
図、第１４図はランジュバン型振動子の斜視図である。 図において、１は圧電ブザー、２は金属円板、３は圧電
基板、５と６は電極、９は抵抗、１０は抵抗体ペースト
、１１は銀ペースト、１２はケー） ス、１３は基板、
２１は圧電ブザー、２２は金属円板、２３は圧電基板、
２４，２５，２６は電極、３０．３１は抵抗、３２．３
３は抵抗体ペースト、３４は銀ペースト、４６，４７は
電極、４８は短絡リード線、５０はバイモルフ振動子、
５１゜５２は圧電セラミック板、５３〜５６は電極、５
７．５８は抵抗体ペースト、６０はランジュバン型振動
子、６１は圧電セラミック板、６２゜６３は金属円柱、
６４は抵抗体ペースト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 圧電トランスジューサを用いた電気音響変成器であ
   って、圧電トランスジューサとして、分極処理を施した
   強誘電性基板の分極方向と交差する表面に、その強誘電
   性基板を介して少なくともその一部が対向する一対の導
   電部材が形成された構造からなり、 前記一対の導電部材には前記一対の導電部材間の強誘電
   性基板が呈する高抵抗のために前記強誘電性基板の温度
   変化によって正および負電荷が蓄積され、さらに 前記正電荷が蓄積される側の導電部材と前記負電荷が蓄
   積される側の導電部材とが電気接続されているか、前記
   正電荷が蓄積される側の導電部材または前記負電荷が蓄
   積される側の導電部材の少なくとも一方がアース電位に
   電気接続されることにより温度変化によって蓄積された
   電荷を放電させることを特徴とする電気音響変成器。 ２ 前記正電荷が蓄積される側の導電部材と前記負電荷
   が蓄積される側の導電部材との間に抵抗が電気的に直列
   に接続されている、特許請求の範囲第１項記載の電気音
   響変成器。 ３ 前記正電荷が蓄積される側の導電部材または前記負
   電荷が蓄積される側の導電部材の少なくとも一方と、前
   記アース電位との間に、抵抗が電気的に直列に接続され
   ている、特許請求の範囲第１項記載の電気音響変成器。 ４ 前記抵抗は前記強誘電性基板自体の導電部材間抵抗
   値よりも小さい値に選ばれている、特許請求の範囲第２
   項または第３項記載の電気音響変成器。 ５ 前記導電部材には、振動電極が含まれている、特許
   請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の電気
   音響変成器。 ６ 前記導電部材には、振動電極以外のものが含まれて
   いる、特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに
   記載の電気音響変成器。 ７ 温度変化により電荷が蓄積される側の導電部材間に
   おいて、分極された強誘電性基板の結晶配向軸が導電部
   材に対して垂直方向に配向している、特許請求の範囲第
   １項ないし第６項のいずれかに記載の電気音響変成器。 ８ 温度変化により電荷が蓄積される側の導電部材間に
   おいて分極された強誘電性基板の結晶配向軸が導電部材
   に対して斜め方向に配向している、特許請求の範囲第１
   項ないし第６項のいずれかに記載の電気音響変成器。 ９ 前記正電荷が蓄積される側の導電部材または前記負
   電荷が蓄積される側の導電部材の少なくとも一方が、そ
   れぞれ所定の抵抗値を有して形成され、前記抵抗値は前
   記強誘電性基板自体の導電部材間抵抗値よりも小さく選
   ばれていて、さらに前記正電荷が蓄積される側の導電部
   材と前記負電荷が蓄積される側の導電部材とが直接接続
   されているか、前記正電荷が蓄積される側の導電部材ま
   たは前記負電荷が蓄積される側の導電部材の少な（とも
   一方がアース電位に直接接続される、特許請求の範囲第
   １項記載の電気音響変成器。 １０ 前記正電荷が蓄積される側の導電部材および前
   記負電荷が蓄積される側の導電部材の間、または前記正
   電荷が蓄積される側の導電部材または前記負電荷が蓄積
   される側の導電部材の少なくとも一方と前記アース電位
   との間に、抵抗が電気的に直列に接続されていて、 前記各導電部材の抵抗値と前記抵抗の抵抗値との和が前
   記強誘電性圧電基板自体の導電部材間抵抗値よりも小さ
   く選ばれている、特許請求の範囲第９項記載の電気音響
   変成器。 １１ 前記導電部材は少なくとも前記強誘電性基板を
   覆う外装材であって、 前記外装材が所定の抵抗値を有するものであり、前記強
   誘電性基板の温度変化によって蓄積された正および負電
   荷がこの外装材の存在によって放電される、特許請求の
   範囲第１項記載の電気音響変成器。 １２ さらに前記外装材を覆うかつ高絶縁性をもつ第
   ２の外装材を形成した、特許請求の範囲第１１項記載の
   電気音響変成器。 １３ 前記正電荷が蓄積される側の導電部材と前記負
   電荷が蓄積される側の導電部材とを接続する回路中に電
   気音響変成器のケースが含まれている、特許請求の範囲
   第１項記載の電気音響変成器。 １４ 前記両導電部材を接続する回路中に含まれる部
   分が電気音響変成器のケースの導体部分である、特許請
   求の範囲第１３項記載の電気音響変成器。 １５ 前記両導電部材を接続する回路中に含まれる部
   分が電気音響変成器のケースの樹脂成型部分である、特
   許請求の範囲第１４項記載の電気音響変成器。