JPS5925401A

JPS5925401A - 抵抗減衰器

Info

Publication number: JPS5925401A
Application number: JP13297582A
Authority: JP
Inventors: Fumikazu Suzuki; 鈴木　文和; Mamoru Ando; 守安藤
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 1982-07-31
Filing date: 1982-07-31
Publication date: 1984-02-09
Also published as: JPH0369203B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】、この発明は、特に超高周波信号帯域においても充分な
減衰特性が得られる分布定数形の抵抗減衰器に関するも
のである。

薄膜を利用した抵抗体は１分布定数形の回路に形成する
のが容易であり、かつ、その周波数特性も良好であるか
ら、直流からマイクロ波領域に至るまで一定の減衰特性
を持つ抵抗減衰器として実用化されている。

第１図はか〜る抵抗減衰器の１エレメントを斜視図で示
したもので、１は薄板状の誘電材基板。

２は該誘’ｆｌｕ基板１の裏面に形成されている７一ス
導体である。３．４は櫃誘電材基板１の表面に形成され
ている第】、第２の中心導体で、該第１゜第２の中心導
体３，４の中間部には薄膜等で形成されている抵抗体５
が挟接されており、さらに該抵抗体５は前記裏面の７一
ス導体２と電気的に接続されている帯状の第】、第２の
７一ス導体６゜Ｔと連接している。

しだ力１つて、抵抗体５は、その左右の側辺が第】、第
２の中心導体３，４と接続されると同時に上下の側辺が
７一ス導体２にも接しているので、等測的にはＴ形の抵
抗減衰器を構成していると考えることができる。

こσ〕ような構造の抵抗減衰器は、誘［利基板１を介在
して第１．第２の中心導体３．４と、７一ス導体２がス
トリップラインを構成しているので、抵抗体５０分布抵
抗をス）ＩＪツブラインの特性インピーダンスとマツチ
ングするよりに定めるとへ、直流からマイクロ波領域に
至るまで一定の減Ｓ特性を持たせるよ５に設計すること
ができる。

しかしながら、このよった抵抗減衰器に同軸り一一ブル
等を接続する場合、又は切換え接片を配置する場合に問
題が発生する。

例えば、第２図に示すよ５に第２の中心導体４に、同ｆ
ｆｑ１＋ケーズル８の心１Ｆｊ１９を接続（半田付け）
すると、該接続部分は７一ス導体２に対して容量が増加
する。

すると、増加した容量は前記した特性インピーダンスに
対し容量す７クタンス成分とＩより、接合部分子）イン
ピーダンスが低下し、不整合の要因となる。

そのため、マイクロ波領域の信号（特に４〜６０　Ｈ７
）では抵抗体５による所定の減衰特性がイ０られない。

又、第３図は第１図に示したような抵抗減衰器１０をア
ース導体筐１１内で複数個縦続接続し。

可変抵抗減衰器を構成したもので、７一ス導体筐１１の
外側に付設されている励磁コイル１２．１２に流す電流
によって磁性体で形成されている中心導体１３．１３を
励磁するように構成されている。

この図で１４．１４は前記抵抗減衰器１０と同様な構成
で形成されているスルー素子（抵抗体５を除去して減衰
器が零とされている）を示し、抵抗減衰器１０．スルー
素子１／ＩＫは図示した極性に着磁したマグネット１５
が配置されている。そこで、前記励磁フィル１２に直流
電流を流すと、磁性体で構成されている中心導体１３．
１３の先端が異なった磁極となり、抵抗減衰器１０側か
、又はスルー素子１４側に吸い伺けられろ。

例えば、中心導体１３．１３が図示した磁極に励磁され
ると、中心導体１３．１３は点線で示すように抵抗減衰
器１０の第１．第２の中心導体３゜４に接触し、入力端
子Ｔ、の信号は、抵抗減衰器１０．１０を通過して減衰
され出力端子Ｔｈ　　から所定の減衰をつけて出力され
る。

こσ〉ように抵抗減衰器１０が使用される用台も、中心
導体１３．１３が抵抗減衰器１０の第】、第２の中心導
体３．４に接触したとき、この接／４１７部分で７一ス
導体２に対する容量が付加され、第２図で説明したよう
に特にマイクロ波領域で不整合が発生し、所定の減衰特
性が得られないといつ問題がある。

この発明は、か〜る問題点を解消すべくｌｒされたもの
で、その目的とするところは使用周波数帯域を拡大した
分布定数形の抵抗減衰器を提供するものである。

以下、この発明の一実施例について第４図で１悦明する
。

こσ）図において、１〜７の符号は第１図と同一部分を
示す。第１．第２の中心導体３．４の斜線を施した部分
は前述したように抵抗減衰器１０に同軸ケーブル８の心
線９を接続する部分、又は可変減衰器とした場合に中心
導体１３が当接する接触部分を示す。

この発明では、第１．第２の中心導体３．４の中間部に
長さがｌの第】、第２の狭窄部３ａ、４ａを設けである
。

つづいて、この第】、第２の狭窄部３ａ、４ａの作用効
果について説明する。通常、第】、第２の中心導体３，
４０寸法はマイク−ストリップラインの中心導体として
特性インピーダンスを決定している。しかしながら、前
述したよ５に、第１゜第２の中心導体３．４の斜線を施
した部分は、抵抗減衰器１０を実際に使用する際に同軸
ケーブル８の心線９．又は接片等が接続されこの部分の
７一ス導体に対する容量が増加する。

そこで、この増加した容量り１クタンス成分を相殺する
ため、第１．第２の中心導体３，４の一部分を所定長ｌ
だ（す幅狭に形成し、第１．第２の狭窄部３ａ、４ｇを
設（する。すなわち、該第１゜第２の狭窄部３ａ、４ａ
を設けると、この部分では誘電利基板１の裏面に設けら
れた７一ス導体２との間の各紙が所定の特性インピーダ
ンスに必要ｌぶ各県成分に対して減少したことになり、
この部分が誘導・成分として作用する。

従って、外部から付加されることＫよって増加した斜線
部分の容量す７ククンス成分と、前記狭窄部３ａ、４ａ
で付加された誘導す７クタンス成分が相殺されることに
よって、所定の／Ｉｉｒ性インビ第１の狭窄部３ａの長
さｌの和（Ｌ＋ｌ）は訪虱相基板１の誘電率をεとする
と、最大使用周波数λ の波長株対し・　＜Ｖｒ以内とする０とが必要である。

なお、第２の狭窄部４ａにおいても同様であることはい
うまでもない。

第５図は外形寸法が５　Ｘ　Ｆ３　＋ｕＷｌで榴成され
、中心導体の幅が０．６８　ｍｍに設定された抵抗減衰
器に、所定の整合インピーダンスを持ったケーブル等を
接続し、前記した狭窄部を設けない場合（Ａ）と。

２は０５間２幅０，２門の狭窄部を股１すた場合（Ｉ３
）の不整合成ｒｆＪｔ（ｄＢ）を測定した実験データを
示したもので、横軸は測定周波数（Ｇ　Ｈｚ、）、縦軸
は不ｅ＋（入射波）整合減衰ｔ＊：（２０１ｏｇ−、コゆ□。−）である。

この実験データから、従来の抵抗減衰器σ）ｌｊす性（
Ａ＞が測定周波数が高（なると不整合減衰トｋが低下、
つまり反射波の割合が太きく７ぶるのに対し、この発明
の狭窄部を投げた抵抗減衰器は測定周波数が８〜１ＯＧ
Ｈｚに至るまで不整合減衰風が増加することがないこと
が分かる。

以上説明したよつに、この発明の分布定数形の抵抗減衰
器は、第１．第２の中心導体に一定の長さで狭窄部を形
成し１部分的に誘導性リアクタンスを持たせることによ
って、実際に使用されるときの容重増加成分を相殺する
ようにしたので、その減衰特性が広い周波数帯域で一定
となり、使用周波数帯域の上限を拡大することができる
といつ利点を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の分布定数形の抵抗減衰器の斜視図、第２
図は同軸ケーブル笠に抵抗減衰器を接続した場合の斜視
し１、第３図は抵抗減衰器を複数個屡続して切換接点に
より減衰域を可変としたときの？７Ｊ変減衰器の断面図
、第４図はこの発明の抵抗減衰器の斜視図、第５図はこ
の開明の抵抗減衰器と、従来の抵抗減衰器における不整
合減衰ｍの比較データ図である。図中、１は誘電材基板、２は７一ス導体、３゜イは第１
．第２の中心導体、３ａ、４ａは第Ｊ。第２の狭窄部、５は抵抗体、６．γは第１．第２の７一
ス導体を示す。第１ｖＡ埠第２図第３図第４図第５図ａ■り走用Ｗ　＊　（ＧＨｚ　）− −４＝

Claims

【特許請求の範囲】裏面を７一ス導体とした薄板状の誘電材基板の表面に、
帯状の第１．第２の７一ス導体を形成し。前記第１．第２の７一ス導体に挟接された薄膜抵抗体と
、該薄膜抵抗体に連接する第１．第２の中心導体からな
る抵抗減衰器において、前記第１゜？１．２の中心導体
の１部分に狭窄部を設けたことをｌｒケ徴とする抵抗減
衰器。