JPS5923405A - 導電性フイルム - Google Patents
導電性フイルムInfo
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- JPS5923405A JPS5923405A JP13314182A JP13314182A JPS5923405A JP S5923405 A JPS5923405 A JP S5923405A JP 13314182 A JP13314182 A JP 13314182A JP 13314182 A JP13314182 A JP 13314182A JP S5923405 A JPS5923405 A JP S5923405A
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- Japan
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- film
- conductive layer
- polyetherimide
- surface resistance
- film according
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐熱性に優れ、しかもフィルム表面が導電性を
有するフィルムに関するものである。
有するフィルムに関するものである。
プラスチックフィルムは１０１２〜１０１８Ω／国の表
面抵抗と１０１２〜１０１８Ω・側の体積固有抵抗をも
つ電気絶縁体である。電気の流れを遮断する目的でフィ
ルム状、板状１円柱状、などの形状の絶縁体として広く
電気機器、電子機器に使用されている。
面抵抗と１０１２〜１０１８Ω・側の体積固有抵抗をも
つ電気絶縁体である。電気の流れを遮断する目的でフィ
ルム状、板状１円柱状、などの形状の絶縁体として広く
電気機器、電子機器に使用されている。
しかしこの高抵抗のフィルムの表面を導電性を付与する
ことにより多くの機能をフィルムに与えることができる
。すなわち、ある程度の導電性があわ、薄くて軽い、割
れない、フレキシブルであり、加工性が良く透明である
。用途によっては透明でなくてもかまわない。これらの
特長を有し、ガラスに代って高分子フィルムが用いられ
るようになってきた。基材としてｉ１′２軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルムがｉ靭性、透明性などが
優れているため、現在まで用いられてきた。しかしこの
フィルムは耐熱性に乏しく、高温の寸法安定性が悪い。
ことにより多くの機能をフィルムに与えることができる
。すなわち、ある程度の導電性があわ、薄くて軽い、割
れない、フレキシブルであり、加工性が良く透明である
。用途によっては透明でなくてもかまわない。これらの
特長を有し、ガラスに代って高分子フィルムが用いられ
るようになってきた。基材としてｉ１′２軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルムがｉ靭性、透明性などが
優れているため、現在まで用いられてきた。しかしこの
フィルムは耐熱性に乏しく、高温の寸法安定性が悪い。
例えば１５０’ｏ”Ｃ１％、１８０”ｃで２％、２００
’Ｑの高温では６％も収縮し、フィルムが曲ったり、波
打ちを生ずる場合が多く、フィルムに導電性を付与する
加工方法が制限されたり、フィルム上の画像が歪んだり
して、使用上、困難をともなう。またこのフィルムは２
６０’Ｑ前後で溶融し、溶融後、急冷しなければ結晶化
による白濁で不透明となり、また柔軟性が失なわれ、も
ろくなって破壊しやすくなる。これらの欠点を解決した
のが本発明である。
’Ｑの高温では６％も収縮し、フィルムが曲ったり、波
打ちを生ずる場合が多く、フィルムに導電性を付与する
加工方法が制限されたり、フィルム上の画像が歪んだり
して、使用上、困難をともなう。またこのフィルムは２
６０’Ｑ前後で溶融し、溶融後、急冷しなければ結晶化
による白濁で不透明となり、また柔軟性が失なわれ、も
ろくなって破壊しやすくなる。これらの欠点を解決した
のが本発明である。
本発明は耐熱性が良好で寸法安定性に優れたポリエーテ
ルイミドを主成分とする導電性フィルムである。すなわ
ち１８０°Ｃでの乾熱収縮率が０．８％以下であり、フ
ィルムの表面抵抗が１０１１Ω／ｃｄ以下のポリエーテ
ルイミドを主成分とした導電性フィルムである。１８０
”Ｃでの乾熱収縮率が０．８％以下であれば目で見たフ
ィルムの変形がほとんど気に掛らない。本発明で使用す
るポリエーテルイミドとは 次式： 〔式中、ａはｌよりも大きψ整数、たとえば１０ないし
ｌ Ｏ，０００またはそれ以上を表わし、−〇−２−０
−は３−または４−位および３／−または４／−位にあ
り、２は（１）次式： ％式％ で表わされる基および（２）次式： 〇 および−８−からなる群から選んだ二価の基または原子
であり、ｑはＯまたは１であり、ｙは１〜５の整数であ
る）で表わされる二価の有機基からなる群から選んだ基
を表わし、しかも基−０−２−〇−の二価の結合手は無
水フタル酸末端基上、たとえば３．３／−，３，４／−
１番、３ノーまたは４，４／−位に存在するものであり
、Ｒは（ａ）炭素数６〜２０個の芳香族炭化水素基およ
びそのハロゲン化誘導体、伽）炭素数２〜２０個のアル
キレン基およびシクロアルキレン基、炭素数２〜８個の
アルキレン基で末端停止されたポリジオルガノシルキサ
ンおよび（０）式： −Ｏｘ％ｘ−から選んだ原子または基であり、Ｘは１〜
６の整数である）で表わされる二価の基からなる群から
選んだ二価の有機基である〕のポリエーチルイミドであ
る。
ルイミドを主成分とする導電性フィルムである。すなわ
ち１８０°Ｃでの乾熱収縮率が０．８％以下であり、フ
ィルムの表面抵抗が１０１１Ω／ｃｄ以下のポリエーテ
ルイミドを主成分とした導電性フィルムである。１８０
”Ｃでの乾熱収縮率が０．８％以下であれば目で見たフ
ィルムの変形がほとんど気に掛らない。本発明で使用す
るポリエーテルイミドとは 次式： 〔式中、ａはｌよりも大きψ整数、たとえば１０ないし
ｌ Ｏ，０００またはそれ以上を表わし、−〇−２−０
−は３−または４−位および３／−または４／−位にあ
り、２は（１）次式： ％式％ で表わされる基および（２）次式： 〇 および−８−からなる群から選んだ二価の基または原子
であり、ｑはＯまたは１であり、ｙは１〜５の整数であ
る）で表わされる二価の有機基からなる群から選んだ基
を表わし、しかも基−０−２−〇−の二価の結合手は無
水フタル酸末端基上、たとえば３．３／−，３，４／−
１番、３ノーまたは４，４／−位に存在するものであり
、Ｒは（ａ）炭素数６〜２０個の芳香族炭化水素基およ
びそのハロゲン化誘導体、伽）炭素数２〜２０個のアル
キレン基およびシクロアルキレン基、炭素数２〜８個の
アルキレン基で末端停止されたポリジオルガノシルキサ
ンおよび（０）式： −Ｏｘ％ｘ−から選んだ原子または基であり、Ｘは１〜
６の整数である）で表わされる二価の基からなる群から
選んだ二価の有機基である〕のポリエーチルイミドであ
る。
式■のポリエーテルイミドは、式■：
０ ０Ｃ
式中、２は前記の童画を有する）の芳香族ビス（エーテ
ル酸無水物）と弐Ｉ： ＨｘＭ−Ｒ−ＭＨｚ （１）（式中、Ｒけ前
記の意義を有する）のジアミノ化合物との反応を包含す
る周知の任意の方法によって得ることができる。一般に
、式Ｉの有用なポリエーテルイミド（以下ＰＥＩと略称
することがある）はｍ−クレゾール中で２５°Ｃで測定
して０．２ｄｔ／９より大きい固有粘度〔μ〕、好まし
くは０．３５〜０．６０、または０．７ｄｌ／９または
それより大きい固有粘度を有する。
式中、２は前記の童画を有する）の芳香族ビス（エーテ
ル酸無水物）と弐Ｉ： ＨｘＭ−Ｒ−ＭＨｚ （１）（式中、Ｒけ前
記の意義を有する）のジアミノ化合物との反応を包含す
る周知の任意の方法によって得ることができる。一般に
、式Ｉの有用なポリエーテルイミド（以下ＰＥＩと略称
することがある）はｍ−クレゾール中で２５°Ｃで測定
して０．２ｄｔ／９より大きい固有粘度〔μ〕、好まし
くは０．３５〜０．６０、または０．７ｄｌ／９または
それより大きい固有粘度を有する。
このポリエーテルイミドの多くはガラス転移点が１９０
″Ｃ以上であり耐熱性に非常に優れるものである。
″Ｃ以上であり耐熱性に非常に優れるものである。
このポリエーテルイミドは単独重合体として、またその
強度が耐熱性を低減しない範囲で共重合体および他のポ
リマーとのポリマーアロイとして使用することができる
。ポリマーアロイはポリエステル、ポリアミド、ポリオ
レフィン、ポリアセタール、ポリ塩化ビニル、フッ素樹
脂、ポリスチレン、ポリアミドイミド、ポリサル７オン
、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテ
ル、ポリエーテルサル７オン、ボリアリレート。
強度が耐熱性を低減しない範囲で共重合体および他のポ
リマーとのポリマーアロイとして使用することができる
。ポリマーアロイはポリエステル、ポリアミド、ポリオ
レフィン、ポリアセタール、ポリ塩化ビニル、フッ素樹
脂、ポリスチレン、ポリアミドイミド、ポリサル７オン
、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテ
ル、ポリエーテルサル７オン、ボリアリレート。
ポリアリルスルホン、ポリフェニレンオキシド。
ポリカーボネートなどの樹脂とポリエーテルイミドとか
ら作られる。
ら作られる。
゛ そしてこれらの単独重合体、共重合体、ポリマーア
ロイには帯電防止剤、滑剤９着色剤、安定剤。
ロイには帯電防止剤、滑剤９着色剤、安定剤。
耐候剤、離型剤、充填剤などを添加しても何らかまわな
い。そして、フィルム表面に制電加工、蒸着加工、背面
処理剤などの塗布加工、スプレー加工などを行っても何
ら差支えない。
い。そして、フィルム表面に制電加工、蒸着加工、背面
処理剤などの塗布加工、スプレー加工などを行っても何
ら差支えない。
フィルムを染色してもよい。また使用に際しては単体フ
ィルムや他のプラスチックフィルムや他の材料との組合
せによる複合体や積層体として使用できる。
ィルムや他のプラスチックフィルムや他の材料との組合
せによる複合体や積層体として使用できる。
本発明のポリエーテルイミドは溶融成形ができる。また
クロロホルムかトリクレン、トリクロロエタンなどの溶
媒、またこれらの混合溶媒に溶解して溶液キャストで成
膜が成形ができる。またこのポリエーテルイミドは非品
性の熱可塑性ポリマーであり融点以上で溶融して徐冷や
急冷、すなわち冷却速度のいかんに係らず透明性良好で
しかも柔軟性に豊んだフィルムが得られる。
クロロホルムかトリクレン、トリクロロエタンなどの溶
媒、またこれらの混合溶媒に溶解して溶液キャストで成
膜が成形ができる。またこのポリエーテルイミドは非品
性の熱可塑性ポリマーであり融点以上で溶融して徐冷や
急冷、すなわち冷却速度のいかんに係らず透明性良好で
しかも柔軟性に豊んだフィルムが得られる。
このポリエーテルイミドを主成分とするフィルムに導電
性を付与するためには、このポリエーテルイミドを主成
分とするフィルム面上にＡｌｌ、Ａｌ。
性を付与するためには、このポリエーテルイミドを主成
分とするフィルム面上にＡｌｌ、Ａｌ。
Ａｇ ＠ Ｏｒ Ｏｕ ｌ ？ ＠ ＃工ｎ、 Ｌｉ、
Ｍｎ、 ｌｉｉ、 Ｐ＋１．、Ｐｔ。
Ｍｎ、 ｌｉｉ、 Ｐ＋１．、Ｐｔ。
ｓｂｌなどの元素、あるいは金などの薄膜またはメツシ
ュをさらにＢａＯ、ＳｒＯｇ ＯａＯ＠ ＴｉＯ３ｊＺ
ｒＯｌ 。
ュをさらにＢａＯ、ＳｒＯｇ ＯａＯ＠ ＴｉＯ３ｊＺ
ｒＯｌ 。
工”ｇｏｓ／５ｎｏ２などの酸化物、ＺｒＯ、ＴｉＯ、
ＴａＯ。
ＴａＯ。
などの炭化物、ＴａＢ 、 ＺｒＢ 、 ０ａＢ−など
のホウ化物、Ｏｕ工、 ０ｕＥＩなどの銅化合物などの
半導体薄膜さらにＯｒ／ ＳｉＯ、ＴｉＯ２／ Ａｇ
／ ＴｉＯ２＋ Ｂｔ、ｏａ／ Ａｕ／ Ｂ ｉ、 ｏ
、などの複合薄膜を真空蒸着やスパッタリング、イオン
ブレーティング、プラズマ処理などでポリエーテルイミ
ドのフィルム上に付与したり、ポリスチレンスルホン酸
塩、ポリビニルベンジルトリメチルアンモニラ・ムクロ
ライドなどの非イオン系、アニオン系、カチオン系の高
分子ｘ解質の薄膜を塗布や粉霧吹付けたりして、１０６
〜工０１１Ω１０Ｊの表面抵抗を与えることができる。
のホウ化物、Ｏｕ工、 ０ｕＥＩなどの銅化合物などの
半導体薄膜さらにＯｒ／ ＳｉＯ、ＴｉＯ２／ Ａｇ
／ ＴｉＯ２＋ Ｂｔ、ｏａ／ Ａｕ／ Ｂ ｉ、 ｏ
、などの複合薄膜を真空蒸着やスパッタリング、イオン
ブレーティング、プラズマ処理などでポリエーテルイミ
ドのフィルム上に付与したり、ポリスチレンスルホン酸
塩、ポリビニルベンジルトリメチルアンモニラ・ムクロ
ライドなどの非イオン系、アニオン系、カチオン系の高
分子ｘ解質の薄膜を塗布や粉霧吹付けたりして、１０６
〜工０１１Ω１０Ｊの表面抵抗を与えることができる。
またカーボンブラックやチャンネルブラックさらに、金
。
。
銀、銅、ニッケル、アルミニウムなどの金属粉末をポリ
マー中に練込んで成形すればｌ ０５〜ｌ ＯｆΩ／
Ｃｄの表面抵抗を与えることができる。またポリエーテ
ルイミドフィルムにアルミ箔や銅箔などの金属箔を積層
すれば１Ｏ−６Ω／ａ１１程度の表面抵抗を与えること
ができる。
マー中に練込んで成形すればｌ ０５〜ｌ ＯｆΩ／
Ｃｄの表面抵抗を与えることができる。またポリエーテ
ルイミドフィルムにアルミ箔や銅箔などの金属箔を積層
すれば１Ｏ−６Ω／ａ１１程度の表面抵抗を与えること
ができる。
このようにして表面に導電性を付与したフィルムはその
表面抵抗゛がｌＯ’〜１０７Ω／ｃｓｌでは電子写真記
録材料としてオーバーヘッドプリジエクター用フィルム
、第２原図用フィルム、スライドフイルム、マイクロフ
ィルムとしてまた表面抵抗が５×１０３Ω／ＣｒＩ以下
ではエレクトロルミネッセンス用ハネル、液晶表示板、
エレクトロクロミック用フィルム、電気泳動表示板、透
明スイッチとしてまた表面抵抗が１０３Ω／ｄ以下では
光メモリーとしてサーモプラスチックレコーディング、
強誘電体メモリーなどとして、また表面抵抗が５ Ｘ
Ｉ Ｏ”Ω／ｃ＋＋Ｉ以下では太陽電池の窓、光増幅器
などの光電変換素子として、また熱線反射フィルムや光
選択透過膜、さらに面状発熱体としてさらに表面抵抗が
１０９Ω／ｄ以下では帯電防止フィルムとしてメータ類
の窓、半導体装材料、床材料また電磁波遮蔽フィルみと
して利用できる。さらにポリエーテルイミドにアルミ箔
や銅箔を積層して回路やパターンを形成したものはｌ
Ｏ”Ω／ｃｄ程度の表面抵抗を有し、フレキシブルプリ
ント基板やフラットケーブルなどとして利用できる。こ
のように多くの分野で有効に利用できる。
表面抵抗゛がｌＯ’〜１０７Ω／ｃｓｌでは電子写真記
録材料としてオーバーヘッドプリジエクター用フィルム
、第２原図用フィルム、スライドフイルム、マイクロフ
ィルムとしてまた表面抵抗が５×１０３Ω／ＣｒＩ以下
ではエレクトロルミネッセンス用ハネル、液晶表示板、
エレクトロクロミック用フィルム、電気泳動表示板、透
明スイッチとしてまた表面抵抗が１０３Ω／ｄ以下では
光メモリーとしてサーモプラスチックレコーディング、
強誘電体メモリーなどとして、また表面抵抗が５ Ｘ
Ｉ Ｏ”Ω／ｃ＋＋Ｉ以下では太陽電池の窓、光増幅器
などの光電変換素子として、また熱線反射フィルムや光
選択透過膜、さらに面状発熱体としてさらに表面抵抗が
１０９Ω／ｄ以下では帯電防止フィルムとしてメータ類
の窓、半導体装材料、床材料また電磁波遮蔽フィルみと
して利用できる。さらにポリエーテルイミドにアルミ箔
や銅箔を積層して回路やパターンを形成したものはｌ
Ｏ”Ω／ｃｄ程度の表面抵抗を有し、フレキシブルプリ
ント基板やフラットケーブルなどとして利用できる。こ
のように多くの分野で有効に利用できる。
次に物性の測定法について記す。
（１）表面抵抗ＩＡＳＴＭＤ２５フに準じてタケダＭ研
ＴＲ−５６５１型ピコアンメータ及び作動電源として表
面抵抗が高いときは同社のＴＲ３０００型電源で５０’
Ｖ〜１００ＯＶおよび表面抵抗が低いときは同社のＴＲ
６１４１型直流発生器で１ｏｍｖ〜ＩＯＶの電荷を印加
して測定した。
ＴＲ−５６５１型ピコアンメータ及び作動電源として表
面抵抗が高いときは同社のＴＲ３０００型電源で５０’
Ｖ〜１００ＯＶおよび表面抵抗が低いときは同社のＴＲ
６１４１型直流発生器で１ｏｍｖ〜ＩＯＶの電荷を印加
して測定した。
（２） フィルムの強伸度ｉＡｓＴＭＤ８８２！に準
じて測定して測定した。
じて測定して測定した。
縦と横方向の値の平均値で示す。
（３） 乾熱収縮率：Ｊ工８０２３１８に準じて温度
１８．０°Ｃで１時間処理して、処理前後のフィルムの
寸法変化より求めた。
１８．０°Ｃで１時間処理して、処理前後のフィルムの
寸法変化より求めた。
縦および横方向の収縮率の平均値で示す。
（４） 全光線透過率ＩＪ工９ Ｋ６７１４に準じて東
洋精機部ヘーズメーターβ形を使用して測定した。
洋精機部ヘーズメーターβ形を使用して測定した。
（５）フィルムの厚み：東洋精機製作新製、最小目盛λ
μｍの微小厚さ測定器を用いて測定した。
μｍの微小厚さ測定器を用いて測定した。
（６） 蒸着またはスパッタリングで形成された薄膜
の厚み：日本真空技術球部、ディジタル膜厚制御器ＭＤ
Ｏ−９０００型を用いて測定した。
の厚み：日本真空技術球部、ディジタル膜厚制御器ＭＤ
Ｏ−９０００型を用いて測定した。
（７）ガラス転移点： ＡＩＩＩＴＭ−Ｄ ３４１８に
準じてパーキンエルマ社製示差操作熱量計ＤＳＯ−２形
を使用して試料１０′ＩＩｇで、昇温速度１０”Ｃ／Ｉ
ＩＩＩＩで測定したガラス転移の吸熱ピーク温度から求
めた。
準じてパーキンエルマ社製示差操作熱量計ＤＳＯ−２形
を使用して試料１０′ＩＩｇで、昇温速度１０”Ｃ／Ｉ
ＩＩＩＩで測定したガラス転移の吸熱ピーク温度から求
めた。
以下、本発明の導電性フィルムについて実施例に基づき
さらに具体的に説明する。
さらに具体的に説明する。
実施例り
米国ジェネラルエレクトリック社のポリエーテルイミド
樹脂（商標ＵＬＴ］ＩＩＭ Ｉ ＯＯ０番、このポリマ
ーのガラス転移温度は２１６“Ｃである。）ＩｓＹ４を
りｖ１０ホルム１２７とトリクレン８ノの混合溶媒に溶
解して、溶剤回収装置を備えた無端ベルト式のキャスチ
ングマシンで５ｍ／−の製膜速度で乾式製膜し、１Ｉｓ
Ｏ”（！の乾燥工程を通して厚み約７１１の透明性が良
好なフィルムを得た。このフィルムを日本真空技術■製
の真空蒸着装置１１ＢＶ−６ＤＡ型を用いて２ Ｘ Ｉ
Ｏ−’ Ｔｏｒｒの圧力で金を各種の厚みに蒸着した
。
樹脂（商標ＵＬＴ］ＩＩＭ Ｉ ＯＯ０番、このポリマ
ーのガラス転移温度は２１６“Ｃである。）ＩｓＹ４を
りｖ１０ホルム１２７とトリクレン８ノの混合溶媒に溶
解して、溶剤回収装置を備えた無端ベルト式のキャスチ
ングマシンで５ｍ／−の製膜速度で乾式製膜し、１Ｉｓ
Ｏ”（！の乾燥工程を通して厚み約７１１の透明性が良
好なフィルムを得た。このフィルムを日本真空技術■製
の真空蒸着装置１１ＢＶ−６ＤＡ型を用いて２ Ｘ Ｉ
Ｏ−’ Ｔｏｒｒの圧力で金を各種の厚みに蒸着した
。
比較のため蒸着しないフィルムについても物性を測定し
た。
た。
表面抵抗が著しく低いフィルムが得られた。結果を第１
表に示す。
表に示す。
第 １ 表
実施例島
実施例りのポリエーテルイミドフィルムを使用して、実
施例りと同様にして、ア／１／ミニウムを各種の厚みに
蒸着した。そして、透明性があり、寸法安定性良好な導
電性のフィルムが得られた。比較のため、２軸延伸ポリ
エステルフイルムにも蒸着したが、しかしポリエステル
フィルムは１８０°Ｃの乾熱収縮率が大きく寸法安定性
に乏しかった。
施例りと同様にして、ア／１／ミニウムを各種の厚みに
蒸着した。そして、透明性があり、寸法安定性良好な導
電性のフィルムが得られた。比較のため、２軸延伸ポリ
エステルフイルムにも蒸着したが、しかしポリエステル
フィルムは１８０°Ｃの乾熱収縮率が大きく寸法安定性
に乏しかった。
第 ２ 表
実施例δ
実施例Ｌ’７）ポリエーテルイミド樹脂を、真空下１５
０℃で５時間加熱乾燥してスクリュー直径４０闘の押出
機を用い巾２５側のＴダイスを用いて温度３８０“Ｃで
溶融押出して、クロームメッキの鏡面ロールで急冷して
厚み４０１１ｍのフィルムを得た。このフィルムに実施
例りと同様にして、２ Ｘ ｌ ｏ−ｓ’ｒｏｒｒの真
空下で酸化インジウム９５ｗｔ％。
０℃で５時間加熱乾燥してスクリュー直径４０闘の押出
機を用い巾２５側のＴダイスを用いて温度３８０“Ｃで
溶融押出して、クロームメッキの鏡面ロールで急冷して
厚み４０１１ｍのフィルムを得た。このフィルムに実施
例りと同様にして、２ Ｘ ｌ ｏ−ｓ’ｒｏｒｒの真
空下で酸化インジウム９５ｗｔ％。
酸化物５ｗｔ％の蒸発源物質を蒸着した。そしてこの蒸
着したポリエーテルイミドフィルムを１９０パＣで３０
分間、熱酸化した。こうして導電性のフィルムが得られ
た。結果を第３表に示す。
着したポリエーテルイミドフィルムを１９０パＣで３０
分間、熱酸化した。こうして導電性のフィルムが得られ
た。結果を第３表に示す。
薗３表
実施例４
実施例３．と同様に１−て作製した厚み６ｏＰｉｍのポ
リエーテルイミドフィルムを得た。１ｇｉ％：ＬＩＳ備
、厚さ３５μｍの銅箔を４％の過硫酸アンモ品つム水溶
液でエツチング処理し、これを水洗後、直ちにアセトン
／メタノール、５１５の溶液に浸漬し、この後、Ｎ２ガ
スで表面を乾燥した。この銅箔上に約５０μ程度の厚さ
の接着層を形成した。
リエーテルイミドフィルムを得た。１ｇｉ％：ＬＩＳ備
、厚さ３５μｍの銅箔を４％の過硫酸アンモ品つム水溶
液でエツチング処理し、これを水洗後、直ちにアセトン
／メタノール、５１５の溶液に浸漬し、この後、Ｎ２ガ
スで表面を乾燥した。この銅箔上に約５０μ程度の厚さ
の接着層を形成した。
接着剤はエポキシ樹脂（シェル社のエピコート８２Ｂ）
１００部とチオコール ＬＰ−３を２０部、硬化剤とし
て芳香族変性アミン、エビキュアー２を２０部、高温劣
化防止剤として１．５部の銅−Ｓ−キノリレードを添加
し７０°Ｃで充分に混和したものを用いた。この接着剤
を塗布した銅箔とポリエーテルイミドフィルムを接合し
て６５°ＣでＱ５時間さらにｌＩ！Ｏ″Ｃで４０分、加
熱圧縮した。この銅張りフィルムの銅面に通常のスクリ
ーン印刷でレジストを回路パターンに印刷した後、光加
橋して、さらにこの積層板を塩化第８鉄の水溶液で銅を
エツチングした後、水洗し、さらにレジストを除去して
フレキシブルプリント配線板を得た。銅回路の表面抵抗
は１．７ＸＬｏ”Ω／縁であった。
１００部とチオコール ＬＰ−３を２０部、硬化剤とし
て芳香族変性アミン、エビキュアー２を２０部、高温劣
化防止剤として１．５部の銅−Ｓ−キノリレードを添加
し７０°Ｃで充分に混和したものを用いた。この接着剤
を塗布した銅箔とポリエーテルイミドフィルムを接合し
て６５°ＣでＱ５時間さらにｌＩ！Ｏ″Ｃで４０分、加
熱圧縮した。この銅張りフィルムの銅面に通常のスクリ
ーン印刷でレジストを回路パターンに印刷した後、光加
橋して、さらにこの積層板を塩化第８鉄の水溶液で銅を
エツチングした後、水洗し、さらにレジストを除去して
フレキシブルプリント配線板を得た。銅回路の表面抵抗
は１．７ＸＬｏ”Ω／縁であった。
実施例６゜
実施例りのポリエーテルイミド樹脂ＢＯ９をクロロホル
ム５０−とトリクレン３０−の混合溶媒に溶解して、こ
れに、カーボンブラック４ｏ９を均一に分散させたドー
プをガラス板上に塗布して乾燥し）厚み６０μ馬のフィ
ルＡを得た。このフィルムの表面抵抗は？、９ＸＩＯ・
Ω／縁であった。
ム５０−とトリクレン３０−の混合溶媒に溶解して、こ
れに、カーボンブラック４ｏ９を均一に分散させたドー
プをガラス板上に塗布して乾燥し）厚み６０μ馬のフィ
ルＡを得た。このフィルムの表面抵抗は？、９ＸＩＯ・
Ω／縁であった。
実施例ａ
実施例＆のポリエーテルイミドフィルムの表面に高分子
電解質であるポリビニルベンジルトリメチルアンモニウ
ムクロライド（三洋化成のケミスタツ）６３００番）を
４．５ｇ／−の割合で塗布して乾燥した。表面抵抗は３
．’ＦＸ１０９Ω／ｃｓｌであった。
電解質であるポリビニルベンジルトリメチルアンモニウ
ムクロライド（三洋化成のケミスタツ）６３００番）を
４．５ｇ／−の割合で塗布して乾燥した。表面抵抗は３
．’ＦＸ１０９Ω／ｃｓｌであった。
特許出願人 東洋紡績株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）フィルムの表面抵抗が１０１１Ω／ｃｉ以下の範
囲にある導電層を有するポリエーテルイミドを主成分と
した導電性フィルム。 （２）表面抵抗が１０−６〜１０１１Ω／Ｃ１ｌである
特許請求の範囲第１項のフィルム。 （３）温度１８０°Ｃでの乾熱収縮率が０．８％以下で
ある特許請求の範囲第１項のフィルム。 （４）導電層が銅箔または／およびアルミ箔をその少な
くとも片面に積層したものである特許請求の範囲第１項
のフィルム。 （５）導電層が高分子電解質をその少なくとも片面に塗
布したものである特許請求の範囲第１項のフィルム。 （６）導電層が沃化鋼、硫化銅、インジウムと錫の酸化
物などの半導体薄膜をフィルム面上に形成したものであ
る特許請求の範囲第１項のフィルム。 （７）導電層が金、鎖、白金、クロム、ニッケル。 パラジウム、アルミニウム、銅などの金属または一ムで
フィルム面上に金属薄膜としてフィルム面上に形成した
ものである特許請求の範囲第１項のフィルム。 （９）導電層が金属薄膜と金属酸化物の薄膜との
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13314182A JPS5923405A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 導電性フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13314182A JPS5923405A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 導電性フイルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923405A true JPS5923405A (ja) | 1984-02-06 |
Family
ID=15097698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13314182A Pending JPS5923405A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 導電性フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923405A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60179247A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | 積水化学工業株式会社 | 透明帯電防止フイルムもしくはシ−ト |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13314182A patent/JPS5923405A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60179247A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | 積水化学工業株式会社 | 透明帯電防止フイルムもしくはシ−ト |
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