JPS5921573A - 多孔質セラミツクス - Google Patents
多孔質セラミツクスInfo
- Publication number
- JPS5921573A JPS5921573A JP57129391A JP12939182A JPS5921573A JP S5921573 A JPS5921573 A JP S5921573A JP 57129391 A JP57129391 A JP 57129391A JP 12939182 A JP12939182 A JP 12939182A JP S5921573 A JPS5921573 A JP S5921573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spinel
- pores
- ceramic
- sio2
- ceramics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックス内部に多数の空孔を持つ多孔質セ
ラミックスに関するものである。
ラミックスに関するものである。
従来、多孔質セラミックスは軽量でかつ機械的強度が大
きいという特長から多方面で利用され℃きた。しかし、
その製造方法は発泡性のプラスチックにセラミック原料
を含浸させてセラミックを焼成すると同時にグラスチッ
クを飛散させる方法、また、グリーンシートの積層によ
り内部に空孔を形成する方法、あるいは、押し出し法に
よシハニカム構造を形成する方法などに限定されており
、これらの方法では諸方法に応じた、形状的制約が大き
い、また、工程が複雑で製のに時間を要するなど、工業
的に大きな欠点を有していた。
きいという特長から多方面で利用され℃きた。しかし、
その製造方法は発泡性のプラスチックにセラミック原料
を含浸させてセラミックを焼成すると同時にグラスチッ
クを飛散させる方法、また、グリーンシートの積層によ
り内部に空孔を形成する方法、あるいは、押し出し法に
よシハニカム構造を形成する方法などに限定されており
、これらの方法では諸方法に応じた、形状的制約が大き
い、また、工程が複雑で製のに時間を要するなど、工業
的に大きな欠点を有していた。
本発明しＬ１係る欠点を除去するために多孔質セラミッ
クスの製造方法として、まったく新規な拡散方法を適用
するものである。
クスの製造方法として、まったく新規な拡散方法を適用
するものである。
以下実施例に従って詳細する。
まず第１表にセラミックスの化学組成を示す。
第１表（重量％）
第１表に示す化学組成は、Ａｌ２Ｏ３とＭｇＯを当モル
混合したスピネルセラミックスの組成を示す。
混合したスピネルセラミックスの組成を示す。
上記組成のスピネル粉末とＳｉＯ２ガラスからするファ
イバーを混式ボールミルにより５時間から１０時間混合
する。ＳｉＯ２ファイバーは目的に応じた長さに切断し
て混合することができるが、混合を均一に行うためには
、ファイバーの長さとして５ｍｍ以下であることが望ま
しい。
イバーを混式ボールミルにより５時間から１０時間混合
する。ＳｉＯ２ファイバーは目的に応じた長さに切断し
て混合することができるが、混合を均一に行うためには
、ファイバーの長さとして５ｍｍ以下であることが望ま
しい。
スピネル粉末とＳｉＯ２ファイバーの混合物を公知の方
法で１．０ｔ／ｃｍ２の圧力でプレス成形を行い所定の
形状にする。
法で１．０ｔ／ｃｍ２の圧力でプレス成形を行い所定の
形状にする。
その後成形品を１４００℃から７８００℃の所定の温度
で焼成する。この焼成によりスピネルセラミックスとし
て磁器化し、同時にＳｉＯ２が母材のスピネルセラミッ
クスの中に拡散し、ランダムな空孔を得ることができる
。
で焼成する。この焼成によりスピネルセラミックスとし
て磁器化し、同時にＳｉＯ２が母材のスピネルセラミッ
クスの中に拡散し、ランダムな空孔を得ることができる
。
第１図に実施例によるスピネルセラミックスを任意のひ
とつの平面で切断したときの断面ｑを示す。スピネルセ
ラミックス１において、ランダムな空孔２が形成されて
いる。この空孔２はＳｉＯ２フアイバーの大きさを変化
させることによってさまざまの大きさの空孔に変化させ
ることができる。
とつの平面で切断したときの断面ｑを示す。スピネルセ
ラミックス１において、ランダムな空孔２が形成されて
いる。この空孔２はＳｉＯ２フアイバーの大きさを変化
させることによってさまざまの大きさの空孔に変化させ
ることができる。
この拡散現象は２１３５℃の融点をもつＭｇＯ、Ａｌ２
０３ スピネルセラミックスと１３６５℃の融点をもつ
ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、２．５ＳｉＯ２コージライトセラ
ミックスの間のＳｉＯ２の濃度変化に伴う拡散現象を利
用しており、ＳｉＯ２の拡散により、空孔が形成される
と同時に空孔近傍のＳｉＯ２の濃度が大きくなり、空孔
の内面はコージライトセラミックスとなる。従って、焼
成温度は１４００℃から１８００℃の間で、スピネル原
料とＳｉＯ２ファイバーの重量比により決定することが
でき、空孔が多い場合、即ちＳｉＯ２ファイバーが多い
場合は焼成温度を低く、また空孔が少い場合、即ちＳｉ
Ｏ２ファイバーが少い場合は焼成温度を高くすることに
より、最適焼成条件を実験的に求めることができる。実
施例１の場合はスピネル原料７０部に対して３０部のＳ
ｉＯ２ファイバーを混合しており、焼成温度は１５００
℃である。
０３ スピネルセラミックスと１３６５℃の融点をもつ
ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、２．５ＳｉＯ２コージライトセラ
ミックスの間のＳｉＯ２の濃度変化に伴う拡散現象を利
用しており、ＳｉＯ２の拡散により、空孔が形成される
と同時に空孔近傍のＳｉＯ２の濃度が大きくなり、空孔
の内面はコージライトセラミックスとなる。従って、焼
成温度は１４００℃から１８００℃の間で、スピネル原
料とＳｉＯ２ファイバーの重量比により決定することが
でき、空孔が多い場合、即ちＳｉＯ２ファイバーが多い
場合は焼成温度を低く、また空孔が少い場合、即ちＳｉ
Ｏ２ファイバーが少い場合は焼成温度を高くすることに
より、最適焼成条件を実験的に求めることができる。実
施例１の場合はスピネル原料７０部に対して３０部のＳ
ｉＯ２ファイバーを混合しており、焼成温度は１５００
℃である。
第２図に実施例１に示すスピネルセラミックス１の断面
の空孔２の近傍のＳｉの濃度分布を示す特性図を示す。
の空孔２の近傍のＳｉの濃度分布を示す特性図を示す。
第２図はＥＰＭＡにより分析したものであり、Ｓｉ濃度
曲線３によれば、空孔２の近傍からＳｉがスピネルセラ
ミックス１に拡散していることが示され、即ぢＳｉＯ！
ファイバーがスピネルセラミックスの内部に拡散してい
ること全示す。
曲線３によれば、空孔２の近傍からＳｉがスピネルセラ
ミックス１に拡散していることが示され、即ぢＳｉＯ！
ファイバーがスピネルセラミックスの内部に拡散してい
ること全示す。
このようなｓ ６ ｏ、拡散方法による空孔の形成方法
は、従来の押し出し法等にくらベスビネル粉末と日？、
Ｏ！ファイバーを混合するだけという極めて簡単六方法
であると同時に、従来の方法ではできなかったランダム
でかつ自由形状の空孔金持つ多孔質セラミックスを作る
ことができる。
は、従来の押し出し法等にくらベスビネル粉末と日？、
Ｏ！ファイバーを混合するだけという極めて簡単六方法
であると同時に、従来の方法ではできなかったランダム
でかつ自由形状の空孔金持つ多孔質セラミックスを作る
ことができる。
以」二、記述したごと、（、本発明によれば、ランダム
な空孔を持つ多孔質セラミックスを極めて筒中、に１
しかも安価に提供することが可能となり、その工業的効
果は極めて太きい。
な空孔を持つ多孔質セラミックスを極めて筒中、に１
しかも安価に提供することが可能となり、その工業的効
果は極めて太きい。
第１図は、多孔質セラミックスを任意の平面で切断した
ときの形状を示す断面図、第２図は、多孔質セラミック
スの空孔の近傍のＳｉ濃度の変化全庁す特性図である。 ］０．スピネルセラミックス ２゜。空孔 ３．。ｓ７濃度曲線 以上出願人
株式会社第二キｒＩ工舎 代理人 弁理士最上 務 第１ｒ！９：Ｉ 第２図 距離
ときの形状を示す断面図、第２図は、多孔質セラミック
スの空孔の近傍のＳｉ濃度の変化全庁す特性図である。 ］０．スピネルセラミックス ２゜。空孔 ３．。ｓ７濃度曲線 以上出願人
株式会社第二キｒＩ工舎 代理人 弁理士最上 務 第１ｒ！９：Ｉ 第２図 距離
Claims (1)
- ＭＦＯ、Ａｌ２Ｏ３を主成分とするスピネルセラミック
スにおいて、ＳｉＯ２が内部に拡散していることを特徴
とした多孔質セラミックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57129391A JPS5921573A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 多孔質セラミツクス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57129391A JPS5921573A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 多孔質セラミツクス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921573A true JPS5921573A (ja) | 1984-02-03 |
Family
ID=15008413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57129391A Pending JPS5921573A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 多孔質セラミツクス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921573A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01320277A (ja) * | 1988-06-18 | 1989-12-26 | Mitsui Kensaku Toishi Kk | ＭｇＯ・Ａｌ↓２Ｏ↓３スピネル多孔体 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP57129391A patent/JPS5921573A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01320277A (ja) * | 1988-06-18 | 1989-12-26 | Mitsui Kensaku Toishi Kk | ＭｇＯ・Ａｌ↓２Ｏ↓３スピネル多孔体 |
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