JPS59211240A - 半導体装置のワイヤボンデイング方法 - Google Patents
半導体装置のワイヤボンデイング方法Info
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- JPS59211240A JPS59211240A JP58086026A JP8602683A JPS59211240A JP S59211240 A JPS59211240 A JP S59211240A JP 58086026 A JP58086026 A JP 58086026A JP 8602683 A JP8602683 A JP 8602683A JP S59211240 A JPS59211240 A JP S59211240A
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- wiring
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ペレット上の電極部と11−ドフレーム
上の電極部と?金属線で接続する半導体装置のワイヤボ
ンディング方法に関する。
上の電極部と?金属線で接続する半導体装置のワイヤボ
ンディング方法に関する。
従来の半導体装置のワイヤボンディング方法は、半導体
ベレット上の電極部と1)−ドフレーム上の電極部と乞
金属線で次々とポンディングてるものである。この方法
は金属線乞1本1本逐次接続するため作業時間が長くな
るという問題があった。
ベレット上の電極部と1)−ドフレーム上の電極部と乞
金属線で次々とポンディングてるものである。この方法
は金属線乞1本1本逐次接続するため作業時間が長くな
るという問題があった。
また細い金属細線乞用いるため、ボンディング時に金属
線が横に流れたり(ワイヤカール)、金属線が下に弛ん
だり(アンダルーブ)、弛んだ金属線が半導体ペレツ)
K触れたり(ベレットタッチ)、ポンディング後のモー
ルド時に金属線が横方向に流れたり(ワイヤ流れ)、金
属線が切断したりする問題があった。
線が横に流れたり(ワイヤカール)、金属線が下に弛ん
だり(アンダルーブ)、弛んだ金属線が半導体ペレツ)
K触れたり(ベレットタッチ)、ポンディング後のモー
ルド時に金属線が横方向に流れたり(ワイヤ流れ)、金
属線が切断したりする問題があった。
そこで金属細線を用いないで、半導体チップ上の電極部
と外部電極とを直接同時に接続でるフエイスボンディン
グ法がある。ところがこの7エイスボンデイング法では
、半導体ペレットに予めフェイスボンディングするため
にバンプ7設ける等の特別な加工?する必要があった。
と外部電極とを直接同時に接続でるフエイスボンディン
グ法がある。ところがこの7エイスボンデイング法では
、半導体ペレットに予めフェイスボンディングするため
にバンプ7設ける等の特別な加工?する必要があった。
本発明は上記事情ケ考照してなされたもので、半導体ペ
レットに特別な加工することなく、半導体ペレット上の
電極部とリードフレーム上の電極部とを金属線で接続し
、かつその金属線の配線に一定の強度χもたせろことが
できる半導体装置のワイヤボンディング方法ン提供する
こと馨目的とてる。
レットに特別な加工することなく、半導体ペレット上の
電極部とリードフレーム上の電極部とを金属線で接続し
、かつその金属線の配線に一定の強度χもたせろことが
できる半導体装置のワイヤボンディング方法ン提供する
こと馨目的とてる。
この目的を達成するために本発明による半導体装置のワ
イヤボンディング方法は、樹脂による被覆に前記金属線
ケ貫通させた所定の長さの配線用線材を用意し、リード
フレーム上の所定位置に半導体ペレットを位置合せし、
前記リードフレーム上の各電極部と前記リードフレーム
上の各電極部に両端部が位置でるように前記配線用線材
?それぞれ位置合せし、前記半導体ペレット上の各電極
部と前記リードフレーム上の各電極部に前記配線用線材
の両端部乞ボンディングすること欠特徴と′fろ。
イヤボンディング方法は、樹脂による被覆に前記金属線
ケ貫通させた所定の長さの配線用線材を用意し、リード
フレーム上の所定位置に半導体ペレットを位置合せし、
前記リードフレーム上の各電極部と前記リードフレーム
上の各電極部に両端部が位置でるように前記配線用線材
?それぞれ位置合せし、前記半導体ペレット上の各電極
部と前記リードフレーム上の各電極部に前記配線用線材
の両端部乞ボンディングすること欠特徴と′fろ。
本発明Y図示の一実施例により説明する。本実施例にお
いては金属線をそのまま用いるのではなく、第1図に示
すように配線用線材1乞用いる。
いては金属線をそのまま用いるのではなく、第1図に示
すように配線用線材1乞用いる。
この配線用線材1は金属線11の中央部分を樹脂10に
よりコーティングして、両端部に金属線11Y出したも
のである。管状樹脂10に金属線11ケ貝通させて形成
してもよい。金属線11の材質は例えば金またはアルミ
であり、樹脂の材質は例えばエポキシ樹脂である。なお
この配線用線材1は第2図に示でように真1亘ぐに形成
してもよい。まず半導体ペレット4をリードフレーム上
の所定位置に位置合せし、半導体ペレット4のパッド5
とリードフレームの外部リード7ケ最適な位置にする。
よりコーティングして、両端部に金属線11Y出したも
のである。管状樹脂10に金属線11ケ貝通させて形成
してもよい。金属線11の材質は例えば金またはアルミ
であり、樹脂の材質は例えばエポキシ樹脂である。なお
この配線用線材1は第2図に示でように真1亘ぐに形成
してもよい。まず半導体ペレット4をリードフレーム上
の所定位置に位置合せし、半導体ペレット4のパッド5
とリードフレームの外部リード7ケ最適な位置にする。
この位置合わせは、第3図、第4図に示すように例えば
ゲージ6によりおこなう。位置合、せがなされるあと、
複数の配線用線材1乞一度に持つことができろ真空チャ
ック2により、必要なだけの配線用線材1y!1′持ち
、半導体ペレット4のパッド5とリードフレームの外部
リード7に、配線用線材1の両端部の金11線11が位
置1−るように支持でろ。次に超音波エネルギ等を用い
たボンディング用ツール3により、配線用線材1の金属
線11乞、パッド5および外部リード6に同時にボンデ
ィングする。
ゲージ6によりおこなう。位置合、せがなされるあと、
複数の配線用線材1乞一度に持つことができろ真空チャ
ック2により、必要なだけの配線用線材1y!1′持ち
、半導体ペレット4のパッド5とリードフレームの外部
リード7に、配線用線材1の両端部の金11線11が位
置1−るように支持でろ。次に超音波エネルギ等を用い
たボンディング用ツール3により、配線用線材1の金属
線11乞、パッド5および外部リード6に同時にボンデ
ィングする。
ボンディングが終了でると第5図に示すようにボンディ
ング用シール3および真空チャック2を引き上げる。
ング用シール3および真空チャック2を引き上げる。
このように本実施例によれば金属線11乞に接続するこ
とができると共に、配線に強度をもたせることができる
。
とができると共に、配線に強度をもたせることができる
。
なお、配線用線材1ヶ持つチャックは真空チャック以外
のものでもよく、半導体ペレットの位置合せにはゲージ
以外のもの7用いてもよい。
のものでもよく、半導体ペレットの位置合せにはゲージ
以外のもの7用いてもよい。
以上の通り本発明によれば、半導体ペレットに特別な加
工をでることなく、半導体ペレット上の電極部とリード
フレーム上の電極部と?金属線で接続し、かつその金属
線の配線に一定の強度乞もたせることができる。したが
って作業時間の短縮が図れ、従来柔い細線を用いること
により生ずるワイヤ流れ等乞防止することができる。ま
た強化された配線により半導体ペレットが支えられるこ
とになるため、ダイボンディングを省略して工程を簡単
化できる。
工をでることなく、半導体ペレット上の電極部とリード
フレーム上の電極部と?金属線で接続し、かつその金属
線の配線に一定の強度乞もたせることができる。したが
って作業時間の短縮が図れ、従来柔い細線を用いること
により生ずるワイヤ流れ等乞防止することができる。ま
た強化された配線により半導体ペレットが支えられるこ
とになるため、ダイボンディングを省略して工程を簡単
化できる。
第1図、第2図はそれぞれ本発明による半導体装置のワ
イヤボンディング方法に用いられる配線用線材の一具体
例の側面図、 第3図、算4図、第5図はそれぞれ同半導体装置のワイ
ヤボンディング方法の工程図である。 1・・・配線用線;材、2・・・真空チャック、3・・
・ボンディング用ツール、4・・・半導体ペレット、5
・・・パッド、6・・・ゲージ、7・・・外部リード、
10・・を樹脂、11・・・金属線。
イヤボンディング方法に用いられる配線用線材の一具体
例の側面図、 第3図、算4図、第5図はそれぞれ同半導体装置のワイ
ヤボンディング方法の工程図である。 1・・・配線用線;材、2・・・真空チャック、3・・
・ボンディング用ツール、4・・・半導体ペレット、5
・・・パッド、6・・・ゲージ、7・・・外部リード、
10・・を樹脂、11・・・金属線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ベレット上の電極部とリードフレーム上の電極部
とを金属線で接続する半導体装置のワイヤボンディング
方法において、 樹脂による被覆に前記金属線を貫通させた所定の長さの
配線用線材ケ用意し、 前記リードフレーム上の所定位置に前記半導体ベレット
を位置合せし、 前記リードフレーム上の各電極部と前記リードフレーム
上の各電極部に両端部が位置f7;f1鴫−に前記配線
用線材ンそれぞれ位(δ合せし、前記半導体ベレット上
の各電極部と前記リードフレーム上の各電極部に前記配
線用部材の両端部をボンディングでることを特徴とする
半導体装置のワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58086026A JPS59211240A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 半導体装置のワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58086026A JPS59211240A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 半導体装置のワイヤボンデイング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59211240A true JPS59211240A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13875143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58086026A Pending JPS59211240A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 半導体装置のワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59211240A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001045159A1 (de) * | 1999-12-16 | 2001-06-21 | Infineon Technologies Ag | Anordnung und verfahren zur kontaktierung von schaltkreisen |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP58086026A patent/JPS59211240A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001045159A1 (de) * | 1999-12-16 | 2001-06-21 | Infineon Technologies Ag | Anordnung und verfahren zur kontaktierung von schaltkreisen |
US7245026B2 (en) | 1999-12-16 | 2007-07-17 | Infineon Technologies Ag | Configuration and method for contacting circuit structure |
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