JPS59210441A - ホトマスク用基板 - Google Patents
ホトマスク用基板Info
- Publication number
- JPS59210441A JPS59210441A JP58082616A JP8261683A JPS59210441A JP S59210441 A JPS59210441 A JP S59210441A JP 58082616 A JP58082616 A JP 58082616A JP 8261683 A JP8261683 A JP 8261683A JP S59210441 A JPS59210441 A JP S59210441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- photoresist film
- groove
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はホトリソグラフィ技術を利用してホトマスクを
製造する際に用℃・て好適なホトマスク用基板に関する
ものである。
製造する際に用℃・て好適なホトマスク用基板に関する
ものである。
半導体装置の製造には所謂ホトリソグラフィ技術が多用
されているが、これには所定のバタ〜ン形状を有するホ
トマスクが必要とされる。このホトマスクは、通常石英
等からなる透明基板の表面に光不透過材としてクロム等
の金属薄膜を所定のパターンに形成したものである。そ
して、このホトマスクの製造に際してもホトリソグラフ
ィ技術が利用されて℃・る。即ち、透明基板の表面には
予め蒸着法等によってクロム薄膜を全面に形成しておき
、かつその上にホトレジスト膜を形成する。
されているが、これには所定のバタ〜ン形状を有するホ
トマスクが必要とされる。このホトマスクは、通常石英
等からなる透明基板の表面に光不透過材としてクロム等
の金属薄膜を所定のパターンに形成したものである。そ
して、このホトマスクの製造に際してもホトリソグラフ
ィ技術が利用されて℃・る。即ち、透明基板の表面には
予め蒸着法等によってクロム薄膜を全面に形成しておき
、かつその上にホトレジスト膜を形成する。
このホトレジスト膜には電子ビーム露光法等により所定
パターンの露光を行ないかつこれを現像処理することに
よりパターン部位にのみホトレジスト膜を残存させる又
はパターン部のレジストを除去する。し力）る後に、こ
の残存ホトレジスト膜をマスクとしてクロム薄膜をエツ
チングし、その士でホトレジスト膜を除去すればバクー
ニングされたクロム薄膜を得ることができ、ホトマスク
が完成されることになる。
パターンの露光を行ないかつこれを現像処理することに
よりパターン部位にのみホトレジスト膜を残存させる又
はパターン部のレジストを除去する。し力）る後に、こ
の残存ホトレジスト膜をマスクとしてクロム薄膜をエツ
チングし、その士でホトレジスト膜を除去すればバクー
ニングされたクロム薄膜を得ることができ、ホトマスク
が完成されることになる。
ところで、前述したホトマスクの製造工程にお（・て、
透明基板上に形成したホトレジスト膜は乾燥、露光、現
像等積々の工程に付されるが、その度毎に透明基板をハ
ンドリングし或℃・はケースに収納保管させる必要があ
る。このため、第１図に示すようにケース１の左右内面
に複数段の支持レール２を形成し一透明基板３０両側を
この支持レール２間の溝内に挿入して基板３の支持を行
なうことが考えられる。ところが、このケース構造では
、基板の挿入時或（・はケース１内で基板３が振動され
た時にホトレジスト膜４が支持レール２と干渉し、ホト
レジスト膜に欠けが生じ易℃・。特にホトレジスト膜４
は機械的強度が低いため、少しの干渉によっても欠は易
く、欠けた小片が異物として基板の表面に付着し、後工
程におけるパターン欠陥の原因になって℃・る。また、
欠は自体によってもパターン欠陥を生じることもあり、
更にはホトマスクの外観の低下を生じる。
透明基板上に形成したホトレジスト膜は乾燥、露光、現
像等積々の工程に付されるが、その度毎に透明基板をハ
ンドリングし或℃・はケースに収納保管させる必要があ
る。このため、第１図に示すようにケース１の左右内面
に複数段の支持レール２を形成し一透明基板３０両側を
この支持レール２間の溝内に挿入して基板３の支持を行
なうことが考えられる。ところが、このケース構造では
、基板の挿入時或（・はケース１内で基板３が振動され
た時にホトレジスト膜４が支持レール２と干渉し、ホト
レジスト膜に欠けが生じ易℃・。特にホトレジスト膜４
は機械的強度が低いため、少しの干渉によっても欠は易
く、欠けた小片が異物として基板の表面に付着し、後工
程におけるパターン欠陥の原因になって℃・る。また、
欠は自体によってもパターン欠陥を生じることもあり、
更にはホトマスクの外観の低下を生じる。
〔発明の目的〕
本発明はケース収納時やノ・シトリング時におけるホト
レジスト膜と他の物との干渉を有効に防止し、これによ
りホトレジスト膜の欠けを防℃・でパターン欠陥等を防
止した信頼性の高〜・ホトマスクを得ることのできるホ
トマスク用基板を提供１−ることにある。
レジスト膜と他の物との干渉を有効に防止し、これによ
りホトレジスト膜の欠けを防℃・でパターン欠陥等を防
止した信頼性の高〜・ホトマスクを得ることのできるホ
トマスク用基板を提供１−ることにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図ｍ」からあぎらかになるで
あろう。
本明細書の記述および添付図ｍ」からあぎらかになるで
あろう。
本願にお（・て開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、基板の側面の−・部或（・は全部に凹溝を形
成し〜この凹溝にケースの支持レールが嵌挿し得るよう
に構成することにより、基板のケースへの挿入時や収納
時にホトレジスト膜が他の物と全く干渉することはなく
、これによりホトレジスト膜の欠けを防（・で高信頼性
のホトマスクを得ることができる。
成し〜この凹溝にケースの支持レールが嵌挿し得るよう
に構成することにより、基板のケースへの挿入時や収納
時にホトレジスト膜が他の物と全く干渉することはなく
、これによりホトレジスト膜の欠けを防（・で高信頼性
のホトマスクを得ることができる。
第２図は本発明の一実施例であるマスク用基板１０を示
し、石英等の透明平板部材な略正方形に加工し７ている
。通常、基板１０の厚さは２３爺であるが、４． ’６
Ｔｎｔａ程度の厚いものであってもよい。
し、石英等の透明平板部材な略正方形に加工し７ている
。通常、基板１０の厚さは２３爺であるが、４． ’６
Ｔｎｔａ程度の厚いものであってもよい。
そして、前記基板１０の厚さ面、即ち側面には全周にわ
たっ・て凹溝１１を形成して（°・る。この凹溝は、第
３図に拡大図示するようにＵ字形断面を有し、研削加工
によって形成する。
たっ・て凹溝１１を形成して（°・る。この凹溝は、第
３図に拡大図示するようにＵ字形断面を有し、研削加工
によって形成する。
一方、この基板１０を収能し得るケースは、第４図に示
すように、ケース１２の左右内面に夫々対をなす支持レ
ール１３．１３を複数段にわたって形成する。そして、
各支持レール１３．１３は前記凹溝１１よりも若干小さ
く・上下厚さを有し、かつ各先端の対向寸法）、は基板
１００幅寸法巧上りも小さく、凹溝１１の内底間隔り、
よりも大ぎくして℃・る。
すように、ケース１２の左右内面に夫々対をなす支持レ
ール１３．１３を複数段にわたって形成する。そして、
各支持レール１３．１３は前記凹溝１１よりも若干小さ
く・上下厚さを有し、かつ各先端の対向寸法）、は基板
１００幅寸法巧上りも小さく、凹溝１１の内底間隔り、
よりも大ぎくして℃・る。
以上の構成によれは、表面にホトレジスト膜１４を形成
した基板１０を第４図のようにケース１２内に収納する
ときには、同図のよ５に各支持レール１３．１３が基板
１０の凹溝１１に夫々嵌入するようにする。これにより
、支持し〜ル１３゜１３は凹溝］１の内面とのみ接剤１
しかつこれと当接して基板１０を支持することができ、
また振動等によって基板１０がケース１２内で上下方向
に動かされようとしても支持レール１３．１３と凹溝１
１との嵌合によって防止される。
した基板１０を第４図のようにケース１２内に収納する
ときには、同図のよ５に各支持レール１３．１３が基板
１０の凹溝１１に夫々嵌入するようにする。これにより
、支持し〜ル１３゜１３は凹溝］１の内面とのみ接剤１
しかつこれと当接して基板１０を支持することができ、
また振動等によって基板１０がケース１２内で上下方向
に動かされようとしても支持レール１３．１３と凹溝１
１との嵌合によって防止される。
したがって、基板１０の挿入時（取り出し時も同じ）や
収納状態時にホトレジスト膜１４がケース１２の一部に
触れることは全くなく、ホトレジスト膜１４−＼の干渉
を皆無にしてホトレジスト膜の欠けを防止する。これに
より、異物が発生することはな（パターン欠陥のな℃・
高信頼性のホトマスクを得ることができると共に外観の
低下を生じることもな（・０ なお、基板のハンドリング時にも凹溝１１を利用して基
板を挾持することができ、ハンドリング部材がホトレジ
スト膜に干渉することを防止できる。
収納状態時にホトレジスト膜１４がケース１２の一部に
触れることは全くなく、ホトレジスト膜１４−＼の干渉
を皆無にしてホトレジスト膜の欠けを防止する。これに
より、異物が発生することはな（パターン欠陥のな℃・
高信頼性のホトマスクを得ることができると共に外観の
低下を生じることもな（・０ なお、基板のハンドリング時にも凹溝１１を利用して基
板を挾持することができ、ハンドリング部材がホトレジ
スト膜に干渉することを防止できる。
ここで、凹溝の断面形状は、第５図（ａ） Ｋ示す三角
溝１１Ａ、同図（ｂ）の四角溝１１Ｂ、同図（ｃ）の半
円溝１１Ｃ等が考えられる。また、凹溝１１は基板１０
の少な（とも対向する二側面に設けて（・ればよい。更
に、第６図に示すように円形のホトマスフＩＯＡが近年
提案されているが、このホトマスク用の円形基板の側面
にも凹溝１１Ｄを形成するようにしてもよい。
溝１１Ａ、同図（ｂ）の四角溝１１Ｂ、同図（ｃ）の半
円溝１１Ｃ等が考えられる。また、凹溝１１は基板１０
の少な（とも対向する二側面に設けて（・ればよい。更
に、第６図に示すように円形のホトマスフＩＯＡが近年
提案されているが、このホトマスク用の円形基板の側面
にも凹溝１１Ｄを形成するようにしてもよい。
（１）ホトマスク用基板の側面に凹溝を形成して℃・る
ので、ケースの支持レールに嵌挿するとぎゃケース内で
の収納時に基板表面に形成したホトレジスト膜がケース
やその他の物と干渉することはなく、ホトレジストの欠
けを防止して高信頼性のホトマスクを形成できる。
ので、ケースの支持レールに嵌挿するとぎゃケース内で
の収納時に基板表面に形成したホトレジスト膜がケース
やその他の物と干渉することはなく、ホトレジストの欠
けを防止して高信頼性のホトマスクを形成できる。
（２）基板の側面に形成した凹溝にハンドリング部制を
嵌合してこれを挾持することができるので、ハンドリン
グ時におけるホトレジスト膜の欠けも防止できる。
嵌合してこれを挾持することができるので、ハンドリン
グ時におけるホトレジスト膜の欠けも防止できる。
（３）ホトレジスト膜の欠けを防止することにより、ホ
トマスクの外観の向上を図り、前記（１）の品質の向上
と相俟って歩留りの向上を達成する。
トマスクの外観の向上を図り、前記（１）の品質の向上
と相俟って歩留りの向上を達成する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは〜・うまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは〜・うまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置製造用の
ホトマスクに適用して℃・るが、所謂レチクルやその他
のホトリソグラフィ技術に用いるホトレジストを利用し
て製造するホトマスクの全てのものに適用することがで
きる。
をその背景となった利用分野である半導体装置製造用の
ホトマスクに適用して℃・るが、所謂レチクルやその他
のホトリソグラフィ技術に用いるホトレジストを利用し
て製造するホトマスクの全てのものに適用することがで
きる。
第１図は従来の不具合を説明するための正面図、第２図
は本発明の基板の斜視図、 第３図は要部の拡大断面図。 第４図は収納状態の正面図、 第５図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は変形例の第２
図と同様の図、第６図は更に別の変形例の斜視図である
。 １０・・・ホトマスク用基板、１１．ＩＩＡ〜１．１Ｄ
・・・凹？Ｌ１２・ケース、１３ ・支持レール、１４
・・・ホトレジスト膜。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 ７．：第 １
図 やブ 第 ２ 図 第 ３ 図 ４′ブ 第 ４ 図
は本発明の基板の斜視図、 第３図は要部の拡大断面図。 第４図は収納状態の正面図、 第５図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は変形例の第２
図と同様の図、第６図は更に別の変形例の斜視図である
。 １０・・・ホトマスク用基板、１１．ＩＩＡ〜１．１Ｄ
・・・凹？Ｌ１２・ケース、１３ ・支持レール、１４
・・・ホトレジスト膜。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 ７．：第 １
図 やブ 第 ２ 図 第 ３ 図 ４′ブ 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、表面にホトレジスト膜を形成する基板の少なくとも
対向する側面に凹溝を形成し、収納用ケースに設けた支
持用レールに前記凹溝を嵌合し得るよう構成したことを
特徴とするホトマスク用基板。 ２ 四方形をした平板石英からなる基板の四側面にＵ字
溝を形成してなる特許請求の範囲第１項記載のホトマス
ク用基板。 ３、円形基板の全周側面に凹溝を形成してなる特許請求
の範囲第１項記載のホトマスク用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082616A JPS59210441A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | ホトマスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082616A JPS59210441A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | ホトマスク用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59210441A true JPS59210441A (ja) | 1984-11-29 |
Family
ID=13779396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58082616A Pending JPS59210441A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | ホトマスク用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59210441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249153U (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-26 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP58082616A patent/JPS59210441A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249153U (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-26 |
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