JPS59177924A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59177924A JPS59177924A JP5035083A JP5035083A JPS59177924A JP S59177924 A JPS59177924 A JP S59177924A JP 5035083 A JP5035083 A JP 5035083A JP 5035083 A JP5035083 A JP 5035083A JP S59177924 A JPS59177924 A JP S59177924A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［１１発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、特に金属層のパターニ
ング方法に係る。
ング方法に係る。
（２）従来技術と問題点
半導体装置の製造において金属層のパターニングは配線
の形成環に必須の技術である。従来のパターン形成方法
を第１図を参照して説明する。菓子形成ケ終えに半導体
基板ｌ上に金属層２例えばアルミニウムＮ１ｉ被着しに
後レジスト３を塗布すＩｌす る（第１図（イ））、レジスト３はホトマスク（図１示
せず）を用いて選択的に露光し、現像し、レジストのパ
ターン４を作成する。このレジスレ（ターン４作成後、
全面エッチして金属層２のうちレジストパターン４の下
側にある部分５のみを残し、レジストパターン４を除去
すれば金属層の）くターン５すなわち配線ができる。
の形成環に必須の技術である。従来のパターン形成方法
を第１図を参照して説明する。菓子形成ケ終えに半導体
基板ｌ上に金属層２例えばアルミニウムＮ１ｉ被着しに
後レジスト３を塗布すＩｌす る（第１図（イ））、レジスト３はホトマスク（図１示
せず）を用いて選択的に露光し、現像し、レジストのパ
ターン４を作成する。このレジスレ（ターン４作成後、
全面エッチして金属層２のうちレジストパターン４の下
側にある部分５のみを残し、レジストパターン４を除去
すれば金属層の）くターン５すなわち配線ができる。
こうしに従来の方法では、金属層のノくターンを形成す
るのに、わざわざその上にレジスト層ヲ形成し、それを
パターニングし、最後的ｖｃＵ除去しなければならない
、このレジスト層は本来的には不要な層であり、半導体
装１の製法全複雑にしている。
るのに、わざわざその上にレジスト層ヲ形成し、それを
パターニングし、最後的ｖｃＵ除去しなければならない
、このレジスト層は本来的には不要な層であり、半導体
装１の製法全複雑にしている。
（３）発明の目的
本発明は、以上の如き従来技術の現状に鑑み。
半導体装置の製造において金属層のノくターニング方法
を簡素化することを目的とするものである。
を簡素化することを目的とするものである。
（４）発明の構成
そして、本発明は、上記目的を達成する定めに、基層上
に異なる金属からなる二ＩＩＩ以上の金属層を（２） 連続して被着し、それらに選択的にエネルギー線を照射
して合金化し、合金化した領域とそれ以外の領域とのエ
ツチング速度の差を利用して全面エッチでパターニング
する方法を提供する。
に異なる金属からなる二ＩＩＩ以上の金属層を（２） 連続して被着し、それらに選択的にエネルギー線を照射
して合金化し、合金化した領域とそれ以外の領域とのエ
ツチング速度の差を利用して全面エッチでパターニング
する方法を提供する。
（５）発明の実施例
第２図を参照し実施例について説明する７シリコンウエ
ー／’ Ｊ、 ｌ 上にチタン（Ｔｉ）１１１２および
アルミニウム（１）層１３ ｋそれぞれ厚さ１００Ａお
よび１μｍに蒸着１にはスパッタリングし被着する（第
２図（イ））。アルミニウム層１３の被着以降は温度を
２５０℃以上に高くしてはならない。チタンとアルミニ
ウムとが勝手に合金化しにら困るからである。ここで、
１５ＫＶ、２５０［１。
ー／’ Ｊ、 ｌ 上にチタン（Ｔｉ）１１１２および
アルミニウム（１）層１３ ｋそれぞれ厚さ１００Ａお
よび１μｍに蒸着１にはスパッタリングし被着する（第
２図（イ））。アルミニウム層１３の被着以降は温度を
２５０℃以上に高くしてはならない。チタンとアルミニ
ウムとが勝手に合金化しにら困るからである。ここで、
１５ＫＶ、２５０［１。
ｍＡで４μｍ のハターンに１０秒間電子ｆｆ５１１！
光すると、露光部分１４は加熱され、合金化する（＠２
図（ロ））。合金中には化合物Ｔｉ ３Ａｔが形成され
、全体として硬度が増大する。
光すると、露光部分１４は加熱され、合金化する（＠２
図（ロ））。合金中には化合物Ｔｉ ３Ａｔが形成され
、全体として硬度が増大する。
次に、それを、リン酸Ｈ，ｐ、４ と硝酸ＨＮＯ３の１
０：ｌ混合液を水と１＝１で混合したエツチング液で全
面エツチングすると、合金化しないアルミニ（３） ラムおよびチタンは除去されて合金化した部分１４のみ
が残る。残膜厚は＃１は１μｍ″、ｃ−嘩（子４３以上
はアルミニウムとチタンの合金の例であっにか、チタン
の代Ｖにクロム、ニッケル、ハフニウム、コバルトなど
を用いてアルミニウムとの合金を作成しタリ、白金、パ
ラジウム、ニッケル。
０：ｌ混合液を水と１＝１で混合したエツチング液で全
面エツチングすると、合金化しないアルミニ（３） ラムおよびチタンは除去されて合金化した部分１４のみ
が残る。残膜厚は＃１は１μｍ″、ｃ−嘩（子４３以上
はアルミニウムとチタンの合金の例であっにか、チタン
の代Ｖにクロム、ニッケル、ハフニウム、コバルトなど
を用いてアルミニウムとの合金を作成しタリ、白金、パ
ラジウム、ニッケル。
クロムとシリコンとの合金全作成してもよい。理論的に
はすべての組み合わせの合金（三種以上の金属の合金で
もよい）が利用できる。露光して合金化する前の金属層
が合金であっても、露光により異なる合金になるので使
用できる。又、露光方法も電子線に限らず、元、Ｘ線、
レーザービームその他であることができる。エツチング
方法は、ウェットエツチングに限らずドライエツチング
であることもできる。
はすべての組み合わせの合金（三種以上の金属の合金で
もよい）が利用できる。露光して合金化する前の金属層
が合金であっても、露光により異なる合金になるので使
用できる。又、露光方法も電子線に限らず、元、Ｘ線、
レーザービームその他であることができる。エツチング
方法は、ウェットエツチングに限らずドライエツチング
であることもできる。
（６） 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に依り、半導体
装置における金縞層のパターン形成方法が簡略化される
。
装置における金縞層のパターン形成方法が簡略化される
。
（４）
第１図は従来の金属パターン形成方法を説明する工程順
の断面図、第２図は本発明による金属パターン形成方法
を説明する工程順の断面図である、１・・・・・・基板
、２・・・・・・アルミニウムｌ＆、 ３・・・・・・
レジ７）、１１・・・・・・基板、１２・・・・・・チ
タン層、１３・・・・・・アルミニウム層。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 円 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 （イ） （ハ） 第２図 （イ）
の断面図、第２図は本発明による金属パターン形成方法
を説明する工程順の断面図である、１・・・・・・基板
、２・・・・・・アルミニウムｌ＆、 ３・・・・・・
レジ７）、１１・・・・・・基板、１２・・・・・・チ
タン層、１３・・・・・・アルミニウム層。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 円 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 （イ） （ハ） 第２図 （イ）
Claims (1)
- １、基層上に二以上の異なる金属の層を被着し、これら
の金属層にエネルギー線を当てて選択的に合金化し、そ
して全面エツチングして合金形成領域まＫは合金未形成
領域のいずれか一方のみケ残す工程を含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035083A JPS59177924A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035083A JPS59177924A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177924A true JPS59177924A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=12856458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5035083A Pending JPS59177924A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59177924A (ja) |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP5035083A patent/JPS59177924A/ja active Pending
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