JPS5917223A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS5917223A JPS5917223A JP12617182A JP12617182A JPS5917223A JP S5917223 A JPS5917223 A JP S5917223A JP 12617182 A JP12617182 A JP 12617182A JP 12617182 A JP12617182 A JP 12617182A JP S5917223 A JPS5917223 A JP S5917223A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/858—Producing a magnetic layer by electro-plating or electroless plating
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ｆｆｌ気記録媒体の製造方法に関し、とくに
、磁気テープ、磁気ディスク、磁気カードなど磁気記録
？用途とする磁性体を基体上に形成させる製造方法に関
する。
、磁気テープ、磁気ディスク、磁気カードなど磁気記録
？用途とする磁性体を基体上に形成させる製造方法に関
する。
従来、ｆｆｌ気記録媒体は、（イ）ガンマ−三酸化第二
鉄γ−Ｆｅｚ０３など磁性体の微細針状粉末全バインダ
ーとする高分子の溶液中に混合分散し、この溶液を帯状
体９円筒体９円盤などの電気絶縁性の基体上にドクター
ブレード法などの方法によって塗布し、その後乾燥して
基体上に磁性粉末層全形成する分散液のコーテング方法
、（ロ）特殊な化学的前処理によって表面が活性化され
た基体を無電解メッキ液中に導入浸漬し、化学反応によ
って磁性体層を基体上に形成する無電解メッキ法、ρ→
低注性金属真空蒸着によって基体上に磁性層を形成する
気相メッキ法などの製造方法によっている。
鉄γ−Ｆｅｚ０３など磁性体の微細針状粉末全バインダ
ーとする高分子の溶液中に混合分散し、この溶液を帯状
体９円筒体９円盤などの電気絶縁性の基体上にドクター
ブレード法などの方法によって塗布し、その後乾燥して
基体上に磁性粉末層全形成する分散液のコーテング方法
、（ロ）特殊な化学的前処理によって表面が活性化され
た基体を無電解メッキ液中に導入浸漬し、化学反応によ
って磁性体層を基体上に形成する無電解メッキ法、ρ→
低注性金属真空蒸着によって基体上に磁性層を形成する
気相メッキ法などの製造方法によっている。
磁気記録を目的とする場合には、記録密度を大きくする
ため、極めて高い均一性と比較的大きい保磁力１周波数
特性の向上のために磁性粉末の微細さ、出力特性の向上
のため大きい飽和・残留但東密度が要求されるうある種
の磁性体材料でこの要求全満足するためには、 （ａ）
＠柱体粒子の短径［全小さくシ、粒子の長径ｌｆ長くす
る、つまり針状比ｌ／ｒが大きいこと、（１）ｌｆｆｌ
性体粒子’ｅｆｆｌ化方向に配向させること、および（
Ｃ）このような磁性体粒子を基体上に薄く、かつ均一に
形成させることなどが重要となる。
ため、極めて高い均一性と比較的大きい保磁力１周波数
特性の向上のために磁性粉末の微細さ、出力特性の向上
のため大きい飽和・残留但東密度が要求されるうある種
の磁性体材料でこの要求全満足するためには、 （ａ）
＠柱体粒子の短径［全小さくシ、粒子の長径ｌｆ長くす
る、つまり針状比ｌ／ｒが大きいこと、（１）ｌｆｆｌ
性体粒子’ｅｆｆｌ化方向に配向させること、および（
Ｃ）このような磁性体粒子を基体上に薄く、かつ均一に
形成させることなどが重要となる。
従来の製造方法１例えば上記（イ）の分散溶液のコーテ
ング方法によれば、たとえｉｔ ／ ｒの大きな磁性体
粒子を使用しても基体上に薄く、かつ均一に磁性体粒子
を塗布形成させることは極めて困難な欠点がある。また
、従来の製造方法の上記（ロ）およびしうの方法では、
１．／ｒの大きい磁性体を形成させることが非常に困難
である。そのため、極めて特殊な製造方法音用いなけれ
ばならないため量産性に欠ける欠点がある。さらに、上
記（ロ）の製造方法である無Ｎ解メッキ法では、磁性体
？基体上に形成させるに必要な時間、つまり、反応速度
が著しく低いこと、また、磁性体が基体上に無秩序に形
成されるため磁気特性に劣る欠点があった。
ング方法によれば、たとえｉｔ ／ ｒの大きな磁性体
粒子を使用しても基体上に薄く、かつ均一に磁性体粒子
を塗布形成させることは極めて困難な欠点がある。また
、従来の製造方法の上記（ロ）およびしうの方法では、
１．／ｒの大きい磁性体を形成させることが非常に困難
である。そのため、極めて特殊な製造方法音用いなけれ
ばならないため量産性に欠ける欠点がある。さらに、上
記（ロ）の製造方法である無Ｎ解メッキ法では、磁性体
？基体上に形成させるに必要な時間、つまり、反応速度
が著しく低いこと、また、磁性体が基体上に無秩序に形
成されるため磁気特性に劣る欠点があった。
本発明の目的は、このような従来欠点を除去した高性能
かつ量産性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供する
ことにある。
かつ量産性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供する
ことにある。
本発明によれば、窒素、酸素または硫黄の原子を含む配
位子と銑、ニッケル、またはコバルトの少なくとも一つ
から選らばれた金属のイオンを主成分とする金属錯体の
溶液會基体上に付着・乾燥させて上記金属錯体を層状に
形成する工程と、上記基体上に付着形成した金属錯体を
反応の核として磁界印加中で還元雰囲気によって鉄、ニ
ッケルまたはコバルトなどのイオンを還元して上記基体
上に鉄、ニッケルまたはコバル）ｋ主成分とする磁性体
を形成する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法が得られる。
位子と銑、ニッケル、またはコバルトの少なくとも一つ
から選らばれた金属のイオンを主成分とする金属錯体の
溶液會基体上に付着・乾燥させて上記金属錯体を層状に
形成する工程と、上記基体上に付着形成した金属錯体を
反応の核として磁界印加中で還元雰囲気によって鉄、ニ
ッケルまたはコバルトなどのイオンを還元して上記基体
上に鉄、ニッケルまたはコバル）ｋ主成分とする磁性体
を形成する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法が得られる。
本発明による磁気記録媒体の製造方法には次のような特
徴がある。すなわち。
徴がある。すなわち。
（１）基体の材料は、プラスチックやセラミックスなど
電気絶縁性の材料、または、アルミ。
電気絶縁性の材料、または、アルミ。
銅などの電気良導性の材料？使用することができる。
（１１）基体上に金属錯体を形成し、こレヲ反応の核と
して磁性体粒子？成長させることができる。
して磁性体粒子？成長させることができる。
（ｆｉｌ） ｆｆｌ性体粒体粒子長時に磁界金利用し
て成長する磁性体粒子の針状形成とその配向を規制する
ことができる。
て成長する磁性体粒子の針状形成とその配向を規制する
ことができる。
以上の三つ金本発明の基本的な特徴としているが、この
特徴音一層効果的に発現させるために次のような方法が
加わる。すなわち。
特徴音一層効果的に発現させるために次のような方法が
加わる。すなわち。
（１ｖ） 使用する金属錯体上あらかじめ形成し、こ
れを基体上に形成する。形成法としては、金属錯体の溶
液ケ吹き付け、流延、印刷などの方法により基体上に塗
布したり、あるいは。
れを基体上に形成する。形成法としては、金属錯体の溶
液ケ吹き付け、流延、印刷などの方法により基体上に塗
布したり、あるいは。
金属錯体の溶液中に基体全浸漬させるなど溶液を用いる
方法がある。この場合、金属錯体の基体への接着を向上
させるため高分子などをバインダーとして加えることも
有効である。
方法がある。この場合、金属錯体の基体への接着を向上
させるため高分子などをバインダーとして加えることも
有効である。
そのほか、金属錯体金蒸着やスパッターなどの方法によ
って形成することも有効である。
って形成することも有効である。
（ｖ）基体上の金属錯体を反応の核として、鉄。
ニッケルおよびコバルトヲ主成分とする磁性体を形成さ
せるため、鉄、ニッケル、およびコバル）ｋ−成分とＴ
るイオンを還元させる反応は２次のような還元雰囲気を
用いて実施することができる。
せるため、鉄、ニッケル、およびコバル）ｋ−成分とＴ
るイオンを還元させる反応は２次のような還元雰囲気を
用いて実施することができる。
（７）次亜リン酸ナトリウム、水素化ホ“つ素ナトリウ
ム、ジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、ヒ
ドラジン、ホルムアルデヒド、ブドウ糖、ロッ／エル塩
、蟻酸などの還元剤を含む溶液の雰囲気（化学還元法）
。
ム、ジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、ヒ
ドラジン、ホルムアルデヒド、ブドウ糖、ロッ／エル塩
、蟻酸などの還元剤を含む溶液の雰囲気（化学還元法）
。
（イ）鉄、ニッケルおよびコバルトより卑な金属又は金
属錯体のイオンを含む溶液の雰囲気（酸化還元電位の相
違による還元法）。
属錯体のイオンを含む溶液の雰囲気（酸化還元電位の相
違による還元法）。
（勺 紫外線などによる光照射雰囲気（光還元法）。
に）水素ガスなどの還元性金有するガスの雰囲気。
なお、これらの還元雰囲気は単独でも良好だが。
それぞれを組み合わせた還元雰囲気音用いても良好な結
果が得られる。
果が得られる。
金属錯体全形成する配位子としては、塩累、臭素などハ
ロゲン、シアン、およびアンモニウムなどの無機物から
なる配位子を含むことは勿論だが１皇素Ｎ、酸素Ｏおよ
び硫黄Ｓなどの原子の不対電子に基因する有機物からな
るキレート型配位子を用いることに本発明の特徴がある
。このキレート型配位子の配位ρ仕方としては、錯形成
する金属種によっても異なるが、０−０．（Ｊ−Ｎ、０
−８゜Ｎ−Ｎ、Ｎ−８，Ｓ−８，などの配位型がある。
ロゲン、シアン、およびアンモニウムなどの無機物から
なる配位子を含むことは勿論だが１皇素Ｎ、酸素Ｏおよ
び硫黄Ｓなどの原子の不対電子に基因する有機物からな
るキレート型配位子を用いることに本発明の特徴がある
。このキレート型配位子の配位ρ仕方としては、錯形成
する金属種によっても異なるが、０−０．（Ｊ−Ｎ、０
−８゜Ｎ−Ｎ、Ｎ−８，Ｓ−８，などの配位型がある。
本発明のように、錯体の金属が、鉄、ニッケルおよびコ
バルトなどの鉄族金属の場合、これらの金属とキレート
錯体を形成する配位子としては。
バルトなどの鉄族金属の場合、これらの金属とキレート
錯体を形成する配位子としては。
例えば、アセチルアセトン、ジベンゾイルメタン。
１．１．１−トリフルオロ−３−（２−テノイル）アセ
トン、Ｎ−ニトロンフェニルヒドロキシルアミンのアン
モニウム塩、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロキシ
ルアミン、ｌ−ニトロソ−２−す７トールなどで代表さ
れるＯ−Ｏ配位型、８−キノリツール、α−ベンゾイン
オキシムなどで代表される０−Ｎ配位型、モノチオジベ
ンゾイルメタン、１．１．１−トリフルオロ−３−（２
−チオテノイル）アセトンなどで代表されるＯ−８配位
型、ジメチルグリオキシム、α−ベンジルオキシム、ジ
フェニルチオカルバゾンなどで代表されるＮ−Ｎ配位型
、８−キノリンチオールなどで代表されるＮ−８配位型
、ジエチルジチオカルバミン酸のナトリウム塩やアンモ
ニウム塩などで代表されるＳ−８配位型、そのほか、１
−４２−ピリジルアゾ）−２−ナフドルなどで代表され
る０ −Ｎ−Ｎ配位型、ＥＤＴＡなどで代表される多座
配位型などが有効である。
トン、Ｎ−ニトロンフェニルヒドロキシルアミンのアン
モニウム塩、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−フェニルヒドロキシ
ルアミン、ｌ−ニトロソ−２−す７トールなどで代表さ
れるＯ−Ｏ配位型、８−キノリツール、α−ベンゾイン
オキシムなどで代表される０−Ｎ配位型、モノチオジベ
ンゾイルメタン、１．１．１−トリフルオロ−３−（２
−チオテノイル）アセトンなどで代表されるＯ−８配位
型、ジメチルグリオキシム、α−ベンジルオキシム、ジ
フェニルチオカルバゾンなどで代表されるＮ−Ｎ配位型
、８−キノリンチオールなどで代表されるＮ−８配位型
、ジエチルジチオカルバミン酸のナトリウム塩やアンモ
ニウム塩などで代表されるＳ−８配位型、そのほか、１
−４２−ピリジルアゾ）−２−ナフドルなどで代表され
る０ −Ｎ−Ｎ配位型、ＥＤＴＡなどで代表される多座
配位型などが有効である。
基体上にこの種の配位子、金属錯体を形成する場合、配
位子、金属錯体だけの場合でも良いが。
位子、金属錯体だけの場合でも良いが。
基板との接着性を向上するため、■高分子などのバイン
ダー金添加する方法、■配位機能金もったある種の化合
物を高分子の主鎖または側鎖に設けた、いわゆる配位高
分子を用いる方法、■配位子と金属の錯形成によって架
橋型の高分子量の錯体になる。いわゆる架橋配位子を用
いる方法、などによっても有効な結果が得られた。
ダー金添加する方法、■配位機能金もったある種の化合
物を高分子の主鎖または側鎖に設けた、いわゆる配位高
分子を用いる方法、■配位子と金属の錯形成によって架
橋型の高分子量の錯体になる。いわゆる架橋配位子を用
いる方法、などによっても有効な結果が得られた。
本発明では、基体上に形成される配位子や金属錯体の表
面密度によって磁性体の形成密度を制御できる特徴があ
る。磁気記録の感度や分解精度は。
面密度によって磁性体の形成密度を制御できる特徴があ
る。磁気記録の感度や分解精度は。
基板上の磁性体の形成密度に著しく影響される。
通常の無電解メッキ法や蒸着法などの従来の製造方法で
は、メッキ液組成などメッキ条件や蒸着条件によって磁
性体の形成密度を制御しているが、制御方法が極めて困
難であり再現性に久しく量産しにくい欠点のほかに、形
成された磁性体の磁気特性も比較的悪い。しかし１本発
明によれば、基体上に形成する配位子や金属錯体の表面
密度？あらかじめ制御することができるため、その後に
形成される磁性体は、配位子や金属錯体の表面密度に比
例して成長してくるので磁性体の形成密度？比較的自由
に制御したり、規定することが容易にできる利点がある
。さらに１本発明によれば、金属錯体を核として磁性体
が成長するため１３ ／ ｒの大きい磁性体が得られ、
また、その成長方向を磁場によって一次元的に規制し配
向させることも加わるため磁気特性にすぐれた磁性体が
形成できる。
は、メッキ液組成などメッキ条件や蒸着条件によって磁
性体の形成密度を制御しているが、制御方法が極めて困
難であり再現性に久しく量産しにくい欠点のほかに、形
成された磁性体の磁気特性も比較的悪い。しかし１本発
明によれば、基体上に形成する配位子や金属錯体の表面
密度？あらかじめ制御することができるため、その後に
形成される磁性体は、配位子や金属錯体の表面密度に比
例して成長してくるので磁性体の形成密度？比較的自由
に制御したり、規定することが容易にできる利点がある
。さらに１本発明によれば、金属錯体を核として磁性体
が成長するため１３ ／ ｒの大きい磁性体が得られ、
また、その成長方向を磁場によって一次元的に規制し配
向させることも加わるため磁気特性にすぐれた磁性体が
形成できる。
本発明によれば、形成される磁性体は、鉄、ニッケルお
よびコバルトの強磁性金属またはこれらの金属の合金組
成金主成分とするが、磁性体の磁気特性や耐摩耗性など
機械的性質全向上させるため、リンＰ、ホウ素Ｂ、など
の非金属元素やタングステンＷ、マンガンＭｎ、レニウ
ムＲｅ、スズＳｎ、亜鉛Ｚｎ、バナジウムＶ、銅Ｃｕな
どの金属元素？含むことも有効である。
よびコバルトの強磁性金属またはこれらの金属の合金組
成金主成分とするが、磁性体の磁気特性や耐摩耗性など
機械的性質全向上させるため、リンＰ、ホウ素Ｂ、など
の非金属元素やタングステンＷ、マンガンＭｎ、レニウ
ムＲｅ、スズＳｎ、亜鉛Ｚｎ、バナジウムＶ、銅Ｃｕな
どの金属元素？含むことも有効である。
本発明によれば、用いる金属錯体の金属が、形成される
磁性体の主成分元素である鉄、二・ソケル。
磁性体の主成分元素である鉄、二・ソケル。
コバルトと同一金属であるため、■磁性体が金属錯体を
核として成長しやすいこと、■磁性体の組成制御が容易
であること、また、■得られた磁性体の磁気特性が良好
なことなどの利点がある。
核として成長しやすいこと、■磁性体の組成制御が容易
であること、また、■得られた磁性体の磁気特性が良好
なことなどの利点がある。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
〔実施例１〕
塩化ニッケルＮＩＣ１２のＬＭ水溶液ｉｏｏ ｙを調整
し、これに緩衝溶液を加えてｐＨ＋ｉ ５〜６に調節す
る。このニッケル水溶液中にアセチルアセトン１７）０
．１Ｍベンゼン溶液５０ゴを加え入れ１両液上充分攪拌
混合するとベンゼン相にアセチルアセトンＮ ｉ （［
）錯体が分離形成される。水相と分離したアセチルアセ
トンＮ ｉ （■）錯体のベンゼン溶液中にポリメタア
クリル酸メチルを加え入れて溶解するまで充分攪拌する
。この溶液をポリエチレンテレフタレートのフィルムの
片面上に吹き付は次のチ、圧縮空気で流延し、フィルム
上のベンゼン溶液を薄く、かつ均一に塗布し、乾燥する
。
し、これに緩衝溶液を加えてｐＨ＋ｉ ５〜６に調節す
る。このニッケル水溶液中にアセチルアセトン１７）０
．１Ｍベンゼン溶液５０ゴを加え入れ１両液上充分攪拌
混合するとベンゼン相にアセチルアセトンＮ ｉ （［
）錯体が分離形成される。水相と分離したアセチルアセ
トンＮ ｉ （■）錯体のベンゼン溶液中にポリメタア
クリル酸メチルを加え入れて溶解するまで充分攪拌する
。この溶液をポリエチレンテレフタレートのフィルムの
片面上に吹き付は次のチ、圧縮空気で流延し、フィルム
上のベンゼン溶液を薄く、かつ均一に塗布し、乾燥する
。
このようにして、フィルム上にアセチルアセトンＮｉ（
［）錯体が形成されたフィルム會第１表のような組成と
濃度の液中にそれぞれ入れ第１表のような反応条件で磁
界約１．００００ｅｌかけて約１分間反応させ、フィル
ム試料ａ −ｄの４穐類を作製した。反応後、それぞれ
のフィルム試料をとり出し、充分水洗し、乾燥した。な
お、磁界の印加方向は、フィルム面内で磁気特性評価時
の磁化方向に平行になるようにつねに加えた。各々のフ
ィルム試料１８ＥＭで観察した結果、ｅ＆磁性体フィル
ム上の金属錯体？核として磁性体粒子が針状に連鎖した
状態で磁ｒヒ方向に配向、成長していた。また、針状に
連鎖した磁性体音とり出し、ＸＭＡで分析したところ第
２表に示したような組字であることが判明した。次に、
それぞれの試料について磁−気持性を測定した結果、第
２光のような良好な特性金示した。
［）錯体が形成されたフィルム會第１表のような組成と
濃度の液中にそれぞれ入れ第１表のような反応条件で磁
界約１．００００ｅｌかけて約１分間反応させ、フィル
ム試料ａ −ｄの４穐類を作製した。反応後、それぞれ
のフィルム試料をとり出し、充分水洗し、乾燥した。な
お、磁界の印加方向は、フィルム面内で磁気特性評価時
の磁化方向に平行になるようにつねに加えた。各々のフ
ィルム試料１８ＥＭで観察した結果、ｅ＆磁性体フィル
ム上の金属錯体？核として磁性体粒子が針状に連鎖した
状態で磁ｒヒ方向に配向、成長していた。また、針状に
連鎖した磁性体音とり出し、ＸＭＡで分析したところ第
２表に示したような組字であることが判明した。次に、
それぞれの試料について磁−気持性を測定した結果、第
２光のような良好な特性金示した。
なお、磁性体の成長反応時に印加する磁界の影響？検討
したところ、少なくとも１００〜３０００（ｊｅの範囲
では良好な結果が得られた。
したところ、少なくとも１００〜３０００（ｊｅの範囲
では良好な結果が得られた。
第１表
第２表
〕
〔実施例２〕
塩化コバルトＣＯＣｌ２のｔＭ水溶液ｉｏｏ ｙ金２ず
同調製し、各々緩衝溶液によってｆ）Ｈｔ”９〜１０、
および５〜１０に調節する。ｐＨが９〜１０、および５
〜１０のコバルト水溶液中に、それぞれモノチオジベン
ゾイルメタンの１Ｍ四塩化炭素溶液、および８−キノリ
ツール（オキシン）のＬＭクロロホルム溶ｔＬｔ加え入
れて充分攪拌すると、有機相にコバルト錯体が形成され
る。四塩化炭素溶液およびクロロホルム溶液にそれぞれ
ボリスチレ／、およびポリビニルブチラールを加え入れ
て溶解するまで充分に攪拌混合する。この溶液中にそれ
ぞれ、ポリエチレンテレフタレートのフィルムを浸漬し
、乾燥するとフィルム上にコバルト錯体の薄一層が均一
に形成されΔ。このコバルト錯体が形成されたフィルム
？それぞれ第１表に示すよ°うな組成と濃度の液中に入
れ、第１表に示したような反応条件下で磁場約１０００
０ｅ ｆフィルム面内で磁化方向にかけて反応させると
、ただちにフィルム上の錯体を核として磁化方向に針状
連鎖形状の磁性体が形成してくる。反応後、水洗。
同調製し、各々緩衝溶液によってｆ）Ｈｔ”９〜１０、
および５〜１０に調節する。ｐＨが９〜１０、および５
〜１０のコバルト水溶液中に、それぞれモノチオジベン
ゾイルメタンの１Ｍ四塩化炭素溶液、および８−キノリ
ツール（オキシン）のＬＭクロロホルム溶ｔＬｔ加え入
れて充分攪拌すると、有機相にコバルト錯体が形成され
る。四塩化炭素溶液およびクロロホルム溶液にそれぞれ
ボリスチレ／、およびポリビニルブチラールを加え入れ
て溶解するまで充分に攪拌混合する。この溶液中にそれ
ぞれ、ポリエチレンテレフタレートのフィルムを浸漬し
、乾燥するとフィルム上にコバルト錯体の薄一層が均一
に形成されΔ。このコバルト錯体が形成されたフィルム
？それぞれ第１表に示すよ°うな組成と濃度の液中に入
れ、第１表に示したような反応条件下で磁場約１０００
０ｅ ｆフィルム面内で磁化方向にかけて反応させると
、ただちにフィルム上の錯体を核として磁化方向に針状
連鎖形状の磁性体が形成してくる。反応後、水洗。
乾燥し実施例１と同様にして磁性体の組成と磁気特性を
測定した結果、第３表および第４表に示Ｔような値が得
られた。
測定した結果、第３表および第４表に示Ｔような値が得
られた。
第 ３ 表
試料 液組□成および濃度 反応条件 融体組
成硫酸コバルト ０．０８ｍｏｔ／次亜リン
酸ナトリウム ０．２ ｑ
Ｃｏ９６．９％温度８０℃、 ｐＨ９ 酒石酸ナトリウム ０．５ ＃
Ｐ３．１％ホウ酸 ０．５
＃ 硫酸コバルト ０．０７ｍｏｔ１５ＮＷｋ＝
ツケル ０．０３ ＃
Ｃｏ６２Ｊ％ｆ クエン酸ナトリウム ０．
２ ＃ ９０℃ｐＨ９Ｎｉ ３４．２チ硫
酸アンモニウム ０．５ ＃
Ｐ３．５％第６表 〔実施例４〕 鉄の１−（２−ピリジルアゾ）−２−す７ト一ル錯体の
１Ｍベンゼン溶液を調製し、このベンゼン溶液中にポリ
メタアクリル酸メチルを加え入れて充分混合し溶解する
。ポリエチレンテレフタレートのフィルム上にこの溶液
全流延後、乾燥してフィルム上に金属錯体？均一に形成
する。
成硫酸コバルト ０．０８ｍｏｔ／次亜リン
酸ナトリウム ０．２ ｑ
Ｃｏ９６．９％温度８０℃、 ｐＨ９ 酒石酸ナトリウム ０．５ ＃
Ｐ３．１％ホウ酸 ０．５
＃ 硫酸コバルト ０．０７ｍｏｔ１５ＮＷｋ＝
ツケル ０．０３ ＃
Ｃｏ６２Ｊ％ｆ クエン酸ナトリウム ０．
２ ＃ ９０℃ｐＨ９Ｎｉ ３４．２チ硫
酸アンモニウム ０．５ ＃
Ｐ３．５％第６表 〔実施例４〕 鉄の１−（２−ピリジルアゾ）−２−す７ト一ル錯体の
１Ｍベンゼン溶液を調製し、このベンゼン溶液中にポリ
メタアクリル酸メチルを加え入れて充分混合し溶解する
。ポリエチレンテレフタレートのフィルム上にこの溶液
全流延後、乾燥してフィルム上に金属錯体？均一に形成
する。
金属錯体が形成されたフィルムを第７表に示した液中に
入れて第７表のような反応条件下で磁場的１００００ｅ
ｖｌ″フィルム面内で＠Ｃヒ方向にかけて反応させた
。反不後、充分水洗し、乾燥した。実施例１と同様にし
て磁性体の組成と磁気特性を測定し、その結果を第８表
に示した。
入れて第７表のような反応条件下で磁場的１００００ｅ
ｖｌ″フィルム面内で＠Ｃヒ方向にかけて反応させた
。反不後、充分水洗し、乾燥した。実施例１と同様にし
て磁性体の組成と磁気特性を測定し、その結果を第８表
に示した。
第７表
第 ８ 宍
上記の実施例はいずれも反応時に印加する磁界はフィル
ム面内に平行であった。フィルム面に垂直に低化全装Ｔ
る場合には１反応中のみならず洗浄、乾燥時にもフィル
ム面に垂直方向に磁界？印加することで、上記の実施例
と同様の効果があり。
ム面内に平行であった。フィルム面に垂直に低化全装Ｔ
る場合には１反応中のみならず洗浄、乾燥時にもフィル
ム面に垂直方向に磁界？印加することで、上記の実施例
と同様の効果があり。
本発明は垂直記録方式の磁気記録媒体にも極めて有効で
あることが立証された。
あることが立証された。
壕、上１本発明によれば、従来の製造方法にくらべて次
の効果がある。
の効果がある。
（１） 金属錯体の触媒作用によるため基体上での磁
性体の成長反応が早く磁気記録媒体の量産性にすぐれる
。
性体の成長反応が早く磁気記録媒体の量産性にすぐれる
。
（２） ｆｆｌ性体は基体上の金属錯体を反応の核と
して成長するため、基体上の磁性体密度金金属錯体の表
面密度によって容易に制御することができる。このため
、磁気特性にＴぐれた磁気記録媒体が容易にえられる。
して成長するため、基体上の磁性体密度金金属錯体の表
面密度によって容易に制御することができる。このため
、磁気特性にＴぐれた磁気記録媒体が容易にえられる。
（３） ｌｉｄ界によって磁性体の成長方向を配向規
制Ｔることができるため、−次元的に配向した磁性体の
連鎖が得られる。このため、ｌ／ｒの大きい磁性体が形
成され、したがって、保磁力や角型比など性能にすぐれ
た磁気記録媒体かえられる。
制Ｔることができるため、−次元的に配向した磁性体の
連鎖が得られる。このため、ｌ／ｒの大きい磁性体が形
成され、したがって、保磁力や角型比など性能にすぐれ
た磁気記録媒体かえられる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 窒素、酸素または硫黄の原子を含む配位子と鉄。 ニッケル、およびコバルトの少なくとも一つから選らば
れた金属のイオンと金主成分とＴる金属錯体の溶液を基
体上に付着・乾燥させて前記金属錯体全層状に形成する
工程と、前記基体上に付着形成した金属錯体全反応の核
として磁界印加中で還元雰囲気によって鉄、ニッケルま
たはコバルトなどのイオン全還元して前記基体上に鉄、
ニッケルまたはコバルト？主成分とする磁性体全形成す
る工程金倉むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12617182A JPS5917223A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12617182A JPS5917223A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917223A true JPS5917223A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14928435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12617182A Pending JPS5917223A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014525992A (ja) * | 2011-08-19 | 2014-10-02 | アースワン サーキット テクノロジーズ コーポレイション | 非伝導性表面上に伝導性像を形成するための方法 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12617182A patent/JPS5917223A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014525992A (ja) * | 2011-08-19 | 2014-10-02 | アースワン サーキット テクノロジーズ コーポレイション | 非伝導性表面上に伝導性像を形成するための方法 |
| JP2016196708A (ja) * | 2011-08-19 | 2016-11-24 | アースワン サーキット テクノロジーズ コーポレイション | 非伝導性表面上に伝導性像を形成するための方法 |
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