JPS5916358A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
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- JPS5916358A JPS5916358A JP12557482A JP12557482A JPS5916358A JP S5916358 A JPS5916358 A JP S5916358A JP 12557482 A JP12557482 A JP 12557482A JP 12557482 A JP12557482 A JP 12557482A JP S5916358 A JPS5916358 A JP S5916358A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3405—Edge mounted components, e.g. terminals
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、混成集積回路形成基板のリード導出部を、前
記基板の一つの端部面に適宜間隔をもって複数個並設し
た状態に揃え２個々のリード導出部に電気信号授受用リ
ードフレームを半田伺けする混成集積回路の製造方法に
関するものである。
記基板の一つの端部面に適宜間隔をもって複数個並設し
た状態に揃え２個々のリード導出部に電気信号授受用リ
ードフレームを半田伺けする混成集積回路の製造方法に
関するものである。
一般に、混成集積回路を製造するとき、アルミナの基板
の表面に銀、パラジウムを主成分とする厚膜を印刷焼成
して形成した金属パターンに。
の表面に銀、パラジウムを主成分とする厚膜を印刷焼成
して形成した金属パターンに。
各種機能素子を附設しリードフレームを半田付けして接
合し製造している。
合し製造している。
しかしながら、銀、パラジウムの厚膜焼成した前記金属
パターンは、使用する半田材料の成分である錫への拡散
現象を起こしやすく、この拡散現象による侵蝕作用によ
り半田接合強度が著しく低下してし１つだめ、半田の溶
融温度の過度の上昇を避けること、前記金属パターンを
長時間溶融状態に曝さないこと等、半田の溶融温度の条
件をきびしく管理することが要求される。
パターンは、使用する半田材料の成分である錫への拡散
現象を起こしやすく、この拡散現象による侵蝕作用によ
り半田接合強度が著しく低下してし１つだめ、半田の溶
融温度の過度の上昇を避けること、前記金属パターンを
長時間溶融状態に曝さないこと等、半田の溶融温度の条
件をきびしく管理することが要求される。
この場合、前記各種機能素子をあらかじめ前記金属パタ
ーンに半田付けしたのち、該基板の該金属パターンに前
記リードフレームを半田接合する方法として、糸半田材
料を用いて半田鏝により該リードフレームの各リード片
を順次接合する方法あるいは溶融した半田槽の中に該リ
ードフレームのリード片先端開口部の接合部分のみを浸
漬して半田を被覆し、あらかじめ半田を被罹した基板を
該リード片先端開口部に挿入した状態で加熱し半田を溶
融して接合する等の方法が用いられてきた。
ーンに半田付けしたのち、該基板の該金属パターンに前
記リードフレームを半田接合する方法として、糸半田材
料を用いて半田鏝により該リードフレームの各リード片
を順次接合する方法あるいは溶融した半田槽の中に該リ
ードフレームのリード片先端開口部の接合部分のみを浸
漬して半田を被覆し、あらかじめ半田を被罹した基板を
該リード片先端開口部に挿入した状態で加熱し半田を溶
融して接合する等の方法が用いられてきた。
しかしながら、従来の上記方法において、前者は９強固
で安定した半田接合を得るために、糸半田の量および半
田鏝の温度等にきびしい作業条件が要求され２作業の能
率も悪く、また後者は、リードフレームのリード片先端
開口部に基板を挿入するとき該リード片先端開口部が変
形（湾曲）するため均一に加熱することが難しく。
で安定した半田接合を得るために、糸半田の量および半
田鏝の温度等にきびしい作業条件が要求され２作業の能
率も悪く、また後者は、リードフレームのリード片先端
開口部に基板を挿入するとき該リード片先端開口部が変
形（湾曲）するため均一に加熱することが難しく。
半田の接合強度が弱くまたバラツキが多い等の欠点があ
った。
った。
リードフレームは、その厚さが０．２５ ｍｍ程度と薄
く、シたがって、リードフレームのリード片先端開１］
部と混成集積回路形成基板のリード導出部との半田付け
の処理過程で、その半田付は部分におけるリードフレー
ムのリード片先端開口部の機械的変形は半田付は処理過
程で力半田付は部の信頼性に著しい影響を与える。
く、シたがって、リードフレームのリード片先端開１］
部と混成集積回路形成基板のリード導出部との半田付け
の処理過程で、その半田付は部分におけるリードフレー
ムのリード片先端開口部の機械的変形は半田付は処理過
程で力半田付は部の信頼性に著しい影響を与える。
本発明は上“述の如き点に鑑み基板にリードフレームを
半田接合する工程において１強固で安定した信頼性の高
い半田接合部を得るとともに。
半田接合する工程において１強固で安定した信頼性の高
い半田接合部を得るとともに。
量産性に優れ、接合強度が強固でバラツキの少ない製造
方法を提供することを目的とする。
方法を提供することを目的とする。
具体的には９本発明は、あらかじめ燐青銅拐質体に錫メ
ッキし、ばね性を有するリードフレームのリード片先端
開口部に、基板のリード導出部（これはあらかじめ半田
被覆されている）を挿入し、該リードフレームと該基板
の嵌合挾持部を、昇降温機能を有する発熱体により上方
から加圧、圧着して加熱し、高速かつ接合強度が強固で
安定した信頼性の高い半田接合部を作り出す混成集積回
路の製造方法にある。
ッキし、ばね性を有するリードフレームのリード片先端
開口部に、基板のリード導出部（これはあらかじめ半田
被覆されている）を挿入し、該リードフレームと該基板
の嵌合挾持部を、昇降温機能を有する発熱体により上方
から加圧、圧着して加熱し、高速かつ接合強度が強固で
安定した信頼性の高い半田接合部を作り出す混成集積回
路の製造方法にある。
以下９本発明を図面に基づき詳細に説明する。
第１図は本発明の実施対象である混成集積回路形成基板
を示す一部切欠斜視図、である。
を示す一部切欠斜視図、である。
混成集積回路形成基板１は、アルミナを材質とし／ζも
のでこ力板面上に多数の機能素子２を載置し半田付けし
ている。該基板１への信号の授受を行なうためのリード
フレーム４は半田層５において厚膜金属パターン３の一
部すなわちリード導出部と半田接合する。
のでこ力板面上に多数の機能素子２を載置し半田付けし
ている。該基板１への信号の授受を行なうためのリード
フレーム４は半田層５において厚膜金属パターン３の一
部すなわちリード導出部と半田接合する。
第２図は本発明カー実施例を説明するだめの斜視図であ
る。
る。
該リードフレーム４のリード片先端開口部４′に基板１
を挿入し９図のように該リードフレーム４［刑し該基板
１の方向に張力６′、左右方向に張力σ′、６“′を加
え、該リードフレーム４と該基板１との嵌合を均一化し
ている。８はリードフレーム４の長手方間側縁帯状体部
、８′は該側線帯状体部に穿たれた孔部である。
を挿入し９図のように該リードフレーム４［刑し該基板
１の方向に張力６′、左右方向に張力σ′、６“′を加
え、該リードフレーム４と該基板１との嵌合を均一化し
ている。８はリードフレーム４の長手方間側縁帯状体部
、８′は該側線帯状体部に穿たれた孔部である。
該リードフレーム４に該基板１を嵌合した状態で、昇降
温制御できる発熱体７により上方から加圧圧着し昇温し
て半田層５を溶融する。この結果、該リードフレーム４
のリード片先端開口部に該基板１を挿入することにより
生じる変形は矯ＩＪ兄され、該リードフレーム４と該基
板ｌとは均一に接合することができる。
温制御できる発熱体７により上方から加圧圧着し昇温し
て半田層５を溶融する。この結果、該リードフレーム４
のリード片先端開口部に該基板１を挿入することにより
生じる変形は矯ＩＪ兄され、該リードフレーム４と該基
板ｌとは均一に接合することができる。
加圧昇温して半田を溶融し半田接合を行なうため、降温
し固化した半田接合部は、前記金属パターン３と該リー
ドフレーム４との接合間隔を僅少な厚さを介して形成さ
れる。
し固化した半田接合部は、前記金属パターン３と該リー
ドフレーム４との接合間隔を僅少な厚さを介して形成さ
れる。
第３図はり−トフレームと金属パターン接合間隔ズＪ半
田接合力の関係を示すグラフである。
田接合力の関係を示すグラフである。
これによれば、リードフレームと金属パターンの接合間
隔が小さくなると半Ｈ］接合力は増大し。
隔が小さくなると半Ｈ］接合力は増大し。
間隔が大きくなると減少する傾向が得られた。
この結果、リードフレームと金属パターンとの接合間隔
を６０μｍ以下に抑えることにより強い接合力を得るこ
とができる。
を６０μｍ以下に抑えることにより強い接合力を得るこ
とができる。
第４図は１本発明方法を適用するだめの製造装置の概要
説明図で、ドラム９に巻装されたロール状のリードフレ
ーム４が同図の右方向へ移動するようになっている。テ
ンンヨンロー−ｙ １０’ 。
説明図で、ドラム９に巻装されたロール状のリードフレ
ーム４が同図の右方向へ移動するようになっている。テ
ンンヨンロー−ｙ １０’ 。
ｌσｌ 、 １０ａｌｌは、そのピン部が、リードフレ
ーム４の長手方向側縁帯状体部８に穿たれた孔部８′に
挿入された状態を呈するようにしているので（第２図参
照）、ロール状のリードフレーム４が前述のように右方
向へ移動することになる。
ーム４の長手方向側縁帯状体部８に穿たれた孔部８′に
挿入された状態を呈するようにしているので（第２図参
照）、ロール状のリードフレーム４が前述のように右方
向へ移動することになる。
リードフレーム４′の移動過程で、′リードフレーム４
は不要のリード片を切り落すカッタル部１１で一時停止
する。その切り落しが行わｈだ後。
は不要のリード片を切り落すカッタル部１１で一時停止
する。その切り落しが行わｈだ後。
リードフレーム４は基板挿入機構部１２の位置でも−り
停止し、リードフレーム４のリード片先端開口部が基板
（７） ＩＪ−ド導出部に嵌着される。
停止し、リードフレーム４のリード片先端開口部が基板
（７） ＩＪ−ド導出部に嵌着される。
その後、テンションローラ１０′とＩＯ“の間では。
リードフレーム４は既に第２図で説明したように左右方
向に張力が加えられる。その状態で前記リード片先端開
口部（第１図の４’）ＶＣ，発熱体７と加圧機構部１３
が一体構造のかたちで接触する。はじめに加圧され次に
発熱昇温状態を呈する。
向に張力が加えられる。その状態で前記リード片先端開
口部（第１図の４’）ＶＣ，発熱体７と加圧機構部１３
が一体構造のかたちで接触する。はじめに加圧され次に
発熱昇温状態を呈する。
１４は加圧、昇温される発熱体７がその機能を呈する前
に、すなわち加圧時点で加温状態となり基板のリード導
出部を予熱するホットプレートである。１５は送り爪で
ある。１６は送りソリン乙１７は定寸カッターシリング
である。この１７により側縁帯状体部８が切り落される
。
に、すなわち加圧時点で加温状態となり基板のリード導
出部を予熱するホットプレートである。１５は送り爪で
ある。１６は送りソリン乙１７は定寸カッターシリング
である。この１７により側縁帯状体部８が切り落される
。
上述の作用を呈するようにするため、テンションローラ
１０’、 １０″、 １０”、基板挿入機構部１２．発
熱体７．加圧機構部１３．送り爪１５．送す／リンダ１
６および定寸カノターノリンダ１７の各関連動作は、コ
ントロールボックス１８により制御される。
１０’、 １０″、 １０”、基板挿入機構部１２．発
熱体７．加圧機構部１３．送り爪１５．送す／リンダ１
６および定寸カノターノリンダ１７の各関連動作は、コ
ントロールボックス１８により制御される。
以上説明したように、熱的衝撃に脆弱な機能素子を基板
に半田接合するとき、同時に基板のリード導出部に半田
を被覆して半田層を作り、リードフレームリード片先端
開口部を嵌合し９発熱体により加圧昇温して半田接合す
るため高速の作業性が得られる。
に半田接合するとき、同時に基板のリード導出部に半田
を被覆して半田層を作り、リードフレームリード片先端
開口部を嵌合し９発熱体により加圧昇温して半田接合す
るため高速の作業性が得られる。
また、リードフレームに張力を加えた状態で基板に嵌合
させて加圧昇温しで半田接合するため。
させて加圧昇温しで半田接合するため。
リードフレームの抜ケ等によるリードフレームと基板と
の嵌合状態の変動が少なく２組立後の基板の寸法精度が
高く、また、リードフレームと金属パターン間の接合間
隔を６０μｍ以下に抑えることが可能であり、したがっ
て僅少量の半田材料で接合できるため半田の良好なウェ
ットアングルを作り、前記した金属パターン材料に含ま
れる銀が半田材料の成分である錫へ拡散する現象は僅少
となり強い接合力を一部ることができる。
の嵌合状態の変動が少なく２組立後の基板の寸法精度が
高く、また、リードフレームと金属パターン間の接合間
隔を６０μｍ以下に抑えることが可能であり、したがっ
て僅少量の半田材料で接合できるため半田の良好なウェ
ットアングルを作り、前記した金属パターン材料に含ま
れる銀が半田材料の成分である錫へ拡散する現象は僅少
となり強い接合力を一部ることができる。
まだ、僅少量の半田材料で接合できる／こめ半田材料へ
のフラツクス量も僅少量しか必要とせず。
のフラツクス量も僅少量しか必要とせず。
したがってあらかじめ基板に半田材料を溶融被覆すると
き半田」二ニ生ずるフラックスの溶融未分ｗＦａ着層を
有機溶剤で除去する必要がない。
き半田」二ニ生ずるフラックスの溶融未分ｗＦａ着層を
有機溶剤で除去する必要がない。
また、あらかじめ半田桐浩を溶融被覆するとき。
フラックスに含まれる有機溶剤成分が蒸発して未含准状
態になるだめ、リードフレームを基板に嵌合し発熱体に
より加圧昇温して半ＩＢ接合するとき有機溶剤の蒸発に
よる発熱体表面の汚損がきわめて少なくなり、したがっ
て該発熱体とリードフレームとの接触が安定し１品質が
均一な信頼性の高い半田接合部を得ることができる等、
太いに効果を発揮する利点がある。
態になるだめ、リードフレームを基板に嵌合し発熱体に
より加圧昇温して半ＩＢ接合するとき有機溶剤の蒸発に
よる発熱体表面の汚損がきわめて少なくなり、したがっ
て該発熱体とリードフレームとの接触が安定し１品質が
均一な信頼性の高い半田接合部を得ることができる等、
太いに効果を発揮する利点がある。
第１図は混成集積回路形成基板の一部切欠斜視図、第２
図は本発明の一実施例を説明するだめの斜視図、第３図
はリードフレームと金属・２タ一ン接合間隔ズＪ半田接
合力力関係を示すグラフ、第４図は本発明方法を適用す
るだめの製造装置Ｖ）概要説明図である。 １・・混成集積回路形成基板、２・機能素子。 ３・・・４１Ｊｌｒ金属パターン、４ リードフレーム
。 ４′・リードフレーム４のり−１・片先端開口部。 ５ 半田層、 ６’、６”、、６“″ 張力、７ 発
？（体、８リードフレーム４の長手方向側縁帯状体部。 ８′・・リードフレーム４の長手方向（Ｕｌ＋縁帯状体
部８に穿たれた孔部、９・・・トラム、ｌＯ′、１０″
、川“ｔテンションローラ、１１ カッタ一部、１２
・・・基板挿入機構部、 １３・・・加圧機構部、１４
・・・ホットプレート、１５・・送り爪、］６・・・送
りシリング、１７・定寸カッター７リンダ、１８・・・
コントロールポック特許出願人 日本無線株式会社 第２図 リードフレームと金属バター７接合間隔（μ）
図は本発明の一実施例を説明するだめの斜視図、第３図
はリードフレームと金属・２タ一ン接合間隔ズＪ半田接
合力力関係を示すグラフ、第４図は本発明方法を適用す
るだめの製造装置Ｖ）概要説明図である。 １・・混成集積回路形成基板、２・機能素子。 ３・・・４１Ｊｌｒ金属パターン、４ リードフレーム
。 ４′・リードフレーム４のり−１・片先端開口部。 ５ 半田層、 ６’、６”、、６“″ 張力、７ 発
？（体、８リードフレーム４の長手方向側縁帯状体部。 ８′・・リードフレーム４の長手方向（Ｕｌ＋縁帯状体
部８に穿たれた孔部、９・・・トラム、ｌＯ′、１０″
、川“ｔテンションローラ、１１ カッタ一部、１２
・・・基板挿入機構部、 １３・・・加圧機構部、１４
・・・ホットプレート、１５・・送り爪、］６・・・送
りシリング、１７・定寸カッター７リンダ、１８・・・
コントロールポック特許出願人 日本無線株式会社 第２図 リードフレームと金属バター７接合間隔（μ）
Claims (1)
- 個々のリード片それぞれの一端を二股状部に形成し、他
端を側縁帯状体部に固定して形成し！’ｃ ’）−ドフ
レームにおいて、→蕃各二股状部ノリード片先端開口部
を、混成集積回路形成基板（のあらかじめ半田被覆され
ている各リート導出部に嵌合挾持させ、その各嵌合挾持
部に同時に発熱体を接触させかつ該発熱体を加圧、昇温
させることにより、−挙に、各リード導出部を前記各二
股状部のリード片先端開口部と半田接合することを特徴
とする混成集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12557482A JPS5916358A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12557482A JPS5916358A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916358A true JPS5916358A (ja) | 1984-01-27 |
Family
ID=14913548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12557482A Pending JPS5916358A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916358A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4785533A (en) * | 1986-02-21 | 1988-11-22 | Hitachi, Ltd. | Hybrid integrated circuit device, and method of and lead frame for use in manufacturing same |
| US4816427A (en) * | 1986-09-02 | 1989-03-28 | Dennis Richard K | Process for connecting lead frame to semiconductor device |
| US6762182B1 (en) | 1999-01-07 | 2004-07-13 | Vanderbilt University | Converting cox inhibition compounds that are not COX-2 selective inhibitors to derivatives that are COX-2 selective inhibitors |
-
1982
- 1982-07-19 JP JP12557482A patent/JPS5916358A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4785533A (en) * | 1986-02-21 | 1988-11-22 | Hitachi, Ltd. | Hybrid integrated circuit device, and method of and lead frame for use in manufacturing same |
| US4816427A (en) * | 1986-09-02 | 1989-03-28 | Dennis Richard K | Process for connecting lead frame to semiconductor device |
| US6762182B1 (en) | 1999-01-07 | 2004-07-13 | Vanderbilt University | Converting cox inhibition compounds that are not COX-2 selective inhibitors to derivatives that are COX-2 selective inhibitors |
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