JPS59150359A - 半導体放射線検出器 - Google Patents

半導体放射線検出器

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Publication number
JPS59150359A
JPS59150359A JP58023703A JP2370383A JPS59150359A JP S59150359 A JPS59150359 A JP S59150359A JP 58023703 A JP58023703 A JP 58023703A JP 2370383 A JP2370383 A JP 2370383A JP S59150359 A JPS59150359 A JP S59150359A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
detection element
semiconductor radiation
semiconductor
radiation detection
incident
Prior art date
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Pending
Application number
JP58023703A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Sekimura
関村 雅之
Yujiro Naruse
雄二郎 成瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP58023703A priority Critical patent/JPS59150359A/ja
Publication of JPS59150359A publication Critical patent/JPS59150359A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/24Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/244Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の楓する技術分野] この発明は放射線撮影装置に適用して有用な放射線検出
器にかかわシ、特に半導体放射線検出素子の固定方法の
改良に関する。
[従来技術さその問題点] Hounsfieldによシ発明されたCTスキャナは
医学分野に大きなインバぐトを与えエレクトロニクスト
の進歩とともに急速な発展をみせている。現在は、第3
世代と呼ばれるものが主流であシ、その心臓部となるX
線検出器は、主としてXeガス検出器が用いられている
が、検出器を固体化しようとする動向があシ、試作もな
されている。検出器の固体化には検出素子と入射X線の
平行度を保つことが重要であるが、従来は検出素子を固
定したコリメーターを筐体に固定する方法であったため
、この平行度を保つことは困始であった。本発明では、
検出素子を筐体にほった溝に直接固定するので、平行度
を精度よく保てるようになった。
この従来の放射線検出素子の概略構成を第1図に示し、
第2図に第1図の検出素子を黴体に収容した検出器の構
成を示す。第1図に示す検出素子はコリメータ2に半導
体放射線検出素子1と信号引き出し線4が付随したマウ
ント板3が接着剤で固定され信号が信号域シ出し端子5
から取り出される構造である。
従来は第1図で示された検出素子が第2図に示される様
に筺体6に収納されて放射線検出器を構成する。X!8
!管7から発ぜられ被検体8を透過し、コリメータに平
行に入射するX線を半導体放射線検出素子で検出し検出
信号を信号処理部9で処理し、表示装置10で画像を表
示する。
しかし、この従来構造では半導体放射線検出素子を接着
剤等を用いてコリメータに固定しているが、接着剤の厚
さが不均一となった場合には半導体放射線検出素子とコ
リメータの密着性が損われ、入射X線に対する半導体放
射線検出素子の平行度にずれを生ずる。又、接着剤の収
縮によりコリメータがそる危険性もあり、°この場合も
やはり、入射X線と半導体放射線検出素子の平行度は保
たれない。入射X線に対する半導体放射線検出素子の平
行度が保たれないと、入射X線量は正確に検出されなく
なり、画像のアーティファクト(擬似画像)の原因とな
シ、画質の劣化を招く。この問題を解決する放射線検出
器の開発が望まれている。
[発明の目的] この発明の目的は上記の様な従来技術の問題点を改良し
、放射線撮影装置に適用して有用な放射線検出器を提供
することにある。
[発明の概安] 本発明は放射線検出要素である半導体放射線検出素子を
放射線検出器の構成要素である溝のほられた一体部材に
精度よく直接固定し、入射X線に対する半導体放射線検
出素子の平行度を保つようにしたものである。
E本発明の実施例] 本発明の実施例を第3図及び第4図を参照して説明する
。第3図は本発明の放射線検出器の放射線検出器素とな
る単位検出素子であシ、半導体放射線検出素子1に信号
引き出し線4と信号域シ出し端子5とが付随した信号端
子支持台(ガラスエポキシ等の絶縁性基板)11とX線
阻止能力が高い素材で半導体放射線検出素子よシ小さい
板状コリメータ2例えば、 MO,Wが固定一体化され
た構造をしている。この単位検出素子が、第4図に示す
様に筐体6に固定一体化され、本発明の半導体放射線検
出器が構成される。筐体には、単位検出素子を挿入した
場合に入射X線と半導体放射線検出素子が平行になるよ
うに極めて精度よく加工された単位検出素子固定用の溝
がほられており、単位検出素子の半導体放射線検出素子
部分がこの溝に極めて安定に精度よく固定されるので、
入射X線と半導体放射線検出素子の平行度は保持される
〇半導体放射線検出素子は、平行に入射するX線を検出
し、検出信号は信号処理部9へ伝送されX線撮影像が表
示される。
[発明の他の実施例−1 コリメータの材質は任意であシ、放射線の阻止能力の高
い物質、例えばPbを含む合成樹脂材等を固定した半導
体放射線検出素子間に充填してコリメータとすることも
できる。この方法によると、従来構造で必要だった高い
加工精度をもつ板状コリメータが不要となり、大幅なコ
ストダウンをすることができる。
[発明の効果] 本発明の主たる効果は次の点である。
(1)入射X線に対して半導体放射線検出素子が平行に
なる様に筐体部−材に精度よくほられた溝に半導体放射
線検出素子が極めて安定に固定一体化されるため、半導
体放射線検出素子と入射X線の平行度は精度よく保たれ
る。従ってX線量の正確な検出が行なわれるので、従来
この平行度のずれから生じていたアーティファクトが消
え画像の質を向上させることができる。
(2)従来構造では入射X線に対する半導体放射線検出
素子の平行度を保つために、板状のコリメータは高い加
工精度が要求されていたが、本発明ではコリメータは検
出素子と入射X線との平行度には関与しない。従って、
板状コリメータは、高い加工精度は必要とせず、コスト
ダウンをすることができる。又、発明の他の実施例で示
しだ様な放射線阻止能力の高い物質を検出素子間に充填
してコリメータとすることもできるので、コストダウン
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の放射線検出素子及び検出器の
構成図、第3図及び第4図は本発明の実施例の放射線検
出素子及び検出器の構成図である。 l・・・半導体放射線検出素子、 2・・・コリメータ、 3・・・マウント板、4・・・
信号引き出し線、5・・・信号取り出し端子、6・・・
筐体、 7・・・X線管、8・・・被検体、9・・・信
号処理部、 】0・・・表示装置、1】・・・信号端子
支持台。 第  1  図 第  4  図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体放射線検出素子が放射線の入射方向に対し
    て複数個整列的に配置され、該半導体放射線検出素子群
    から独立したX線情報を取シ出すことを目的とした放射
    線検出器において、板状に精密加工された検出素子の半
    導体材料部分があらかじめ設けられた筐体の案内溝に直
    接固定されて一体化されていることを特徴とする半導体
    放射線検出器。
  2. (2)半導体放射線検出素子相互間のX腺のクロストー
    クを防止するだめに放射線阻止能力の高い板状物質が前
    記半導体放射線検出素子の側面に固定されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体放射線検
    出器。 (31X #のクロストークを防止するために半導体放
    射線検出素子間に放射線阻止能力の高い物質を填するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の半導体放射
    線検出器。
JP58023703A 1983-02-17 1983-02-17 半導体放射線検出器 Pending JPS59150359A (ja)

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JP58023703A JPS59150359A (ja) 1983-02-17 1983-02-17 半導体放射線検出器

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JPS59150359A true JPS59150359A (ja) 1984-08-28

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ID=12117728

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JP58023703A Pending JPS59150359A (ja) 1983-02-17 1983-02-17 半導体放射線検出器

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1146352A2 (en) * 2000-04-14 2001-10-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electrostatic imaging apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1146352A2 (en) * 2000-04-14 2001-10-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electrostatic imaging apparatus
EP1146352A3 (en) * 2000-04-14 2006-03-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electrostatic imaging apparatus

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