JPS5912603A - Cascode circuit - Google Patents

Cascode circuit

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JPS5912603A
JPS5912603A JP12173382A JP12173382A JPS5912603A JP S5912603 A JPS5912603 A JP S5912603A JP 12173382 A JP12173382 A JP 12173382A JP 12173382 A JP12173382 A JP 12173382A JP S5912603 A JPS5912603 A JP S5912603A
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JP
Japan
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transistor
output
potential
cascode circuit
connection point
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JP12173382A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaharu Anpo
正治 安保
Kenji Matsuo
松尾 研二
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's

Abstract

PURPOSE:To form a cascode circuit which has high output impedance and generates a large output current when an output voltage is low by providing a means for comparing and amplifying the potential at the connection point between series-connected transistors (TR). CONSTITUTION:N chanel MOSFETs Q1 and Q2 are connected in series between an output terminal (out) and the ground. The potential at the connection point (a) between the FETs Q1 and Q2 is supplied to the inverted input terminal of an operational amplifier 11 which operates as the comparing and amplifying means. A specific potential is applied from a power source VR to the uninverted input terminal of this operational amplifier 11 to control the conduction of the FETQ1 by the output of the operational amplifier 11. Thus, the cascode circuit which has high output impedance and generates the large output current even when the output voltage is low is formed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、MOS型のアナログ回路に係シ、特に演算
増幅器の増幅段に使用されるカスコード回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a MOS type analog circuit, and particularly to a cascode circuit used in an amplification stage of an operational amplifier.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

従来、演算増幅器の増幅段に使用されるカスコード回路
は、第1図に示すように構成されている。すなわち、出
力端子outと接地点間にNチャネル型のMOSトラン
ジスタQ!およびQsが直列接続され、上記トランジス
タQ1は所定の電位Vで導通設定される。そして、トラ
ンジスタQ2のダート側の入力端子1nに入力信号Vl
nを供給してこのトランジスタQXを導通制御し、出力
端子outから出力信号V。utを得る。
Conventionally, a cascode circuit used in an amplification stage of an operational amplifier is configured as shown in FIG. That is, an N-channel MOS transistor Q! is connected between the output terminal out and the ground point. and Qs are connected in series, and the transistor Q1 is set to be conductive at a predetermined potential V. Then, an input signal Vl is applied to the dirt side input terminal 1n of the transistor Q2.
N is supplied to control the conduction of this transistor QX, and an output signal V is output from the output terminal out. get ut.

上述したカスコード回路は、第2図に示すMOS )ラ
ンジスタ構成のソース接地回路と同様な働きをするもの
であるが、ソース接地回路に比べ出力インピーダンスが
高いという特徴を有する。
The above-described cascode circuit functions similarly to the source grounded circuit of the MOS transistor configuration shown in FIG. 2, but has a feature of higher output impedance than the source grounded circuit.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

しかし、第1図に示すような構成では、出力電圧V。u
tが変動するとトランジスタQ!のドレイン・ソース間
電圧vD8が若干変動するため出力電流IDが変動し、
出力インピーダンスが低下する欠点がある。また、出力
電圧■。utの低電圧領域においては、定電流特性が悪
く出力インピーダンスが低いうえ、大きな出力電流を流
し難い等多くの欠点を有している。
However, in the configuration shown in FIG. 1, the output voltage V. u
When t changes, transistor Q! The output current ID changes because the drain-source voltage vD8 changes slightly.
The disadvantage is that the output impedance decreases. Also, the output voltage ■. In the low voltage region of ut, it has many drawbacks such as poor constant current characteristics, low output impedance, and difficulty in flowing a large output current.

第3図〜第5図に上記第1図のカスコード回路の特性を
一括して破線で示す。第3図は出力電圧V。utとトラ
ンジスタQ!のドレイン・ソース間電圧vD8との関係
を示すもので、トランジスタQ!のダート電圧v = 
3.34 (V)、入力信号vin ” 1.4 (V
)としてその特性を測定したものである。ここで、トラ
ンジスタQlのチャネル幅Wとチャネル長りとの比WA
 = 50/10、トランジスタQ!のW/’L = 
100/10としている。第4図に第3図と同一条件に
おける出力電圧v6utと出力電流IDとの関係、第5
図に出力電圧V。ut=1.0Vで一定とした場合の入
力電圧Vinと出力電流IDとの関係を示す。
In FIGS. 3 to 5, the characteristics of the cascode circuit shown in FIG. 1 are collectively shown by broken lines. Figure 3 shows the output voltage V. ut and transistor Q! This shows the relationship between the drain and source voltage vD8 of the transistor Q! Dart voltage v =
3.34 (V), input signal vin” 1.4 (V
) and its characteristics were measured as follows. Here, the ratio WA of the channel width W to the channel length of the transistor Ql
= 50/10, transistor Q! W/'L =
I rate it 100/10. Figure 4 shows the relationship between the output voltage v6ut and the output current ID under the same conditions as in Figure 3.
The output voltage V is shown in the figure. The relationship between the input voltage Vin and the output current ID when ut is constant at 1.0V is shown.

なお、第3図〜第5図において、実線はこの発明による
カスコード回路の特性曲線であシ、これについては後述
する。
In addition, in FIGS. 3 to 5, the solid lines are characteristic curves of the cascode circuit according to the present invention, which will be described later.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記のような事情を鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、出力インピーダンスが高く、
且つ出力電圧の低電圧時にも大きな出力電流が得られる
カスコード回路を提供することである。
This invention was made in view of the above circumstances,
The purpose is to have high output impedance,
Another object of the present invention is to provide a cascode circuit that can obtain a large output current even when the output voltage is low.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

すなわち、この発明においては、上記第1図の回路にお
けるトランジスタQl とQ意との接続点の電位を所定
の電位と比較して増幅する比較増幅手段を設け、この比
較増幅手段の出力によ、D)ランジスタQ!を導通制御
するように構成したものである。
That is, in the present invention, a comparison amplification means is provided which compares and amplifies the potential at the connection point between the transistors Ql and Q in the circuit of FIG. 1 with a predetermined potential, and the output of the comparison amplification means D) Langista Q! It is configured to control conduction.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例について、図面を診照して説
明する。第6図はその構成を示すもので、出力端子ou
tと接地点間に第1.第2のNチャネル型MO8)ラン
ジスタQ! 、Q!を直列接続し、上記トランジスタQ
r、Q*の接続点(、)の電位を比較増幅手段として働
くオペアンプ1ノの反転入力端←)に供給する。との第
4アンプ11の非反転入力端(+)には電源vRから所
定の電位を供給し、オペアンプ11の出力でトランジス
タQlを導通制御する。そして、トランジスタQ2のf
−)側の入力端子inから入力信号vlnを供給し、出
力端子outから出力信号voutを得るようにして成
る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Figure 6 shows its configuration.
t and the ground point. Second N-channel type MO8) transistor Q! ,Q! are connected in series, and the above transistor Q
The potential at the connection point (,) of r and Q* is supplied to the inverting input terminal ←) of an operational amplifier 1 which serves as a comparison and amplification means. A predetermined potential is supplied from the power supply vR to the non-inverting input terminal (+) of the fourth amplifier 11, and the output of the operational amplifier 11 controls the conduction of the transistor Ql. And f of transistor Q2
An input signal vln is supplied from an input terminal in on the -) side, and an output signal vout is obtained from an output terminal out.

このような構成によれば、出力電圧V。utが充分高い
時には、トランジスタQ!のドレイン・ソース間電圧V
DIlの変動に応じてオペアンプ11がトランジスタQ
!を導通制御するため、出力電圧V。utの変動による
トランジスタQx′のドレイン電流IDの変動を小さく
できる。また、出力電圧V。utが低い時には、従来と
同様にトランジスタQ!のドレイン・ソース間電圧vD
sヲ一定に保”つことは困難であるが、オペアンプ11
の出力でトランジスタQ1を深いオン状態にできるので
、大きな出力電流工ゎが得られる。
According to such a configuration, the output voltage V. When ut is high enough, transistor Q! drain-source voltage V
The operational amplifier 11 changes the transistor Q according to the fluctuation of DIl.
! To control conduction, the output voltage V. Fluctuations in the drain current ID of the transistor Qx' due to fluctuations in ut can be reduced. Also, the output voltage V. When ut is low, the transistor Q! The drain-source voltage vD of
Although it is difficult to keep S constant, the operational amplifier 11
Since the output of the transistor Q1 can be turned on deeply, a large output current can be obtained.

第7図は、この発明の他の実施例を示すもので、第6図
の回路におけるオペアンプ11に換えて、電源vDDと
接地点間にPチャネル型のMOS )ランジスタQs 
 (第3のトランジスタ)とNチャネル型のMOS )
ランジスタQ4  (第4のトランジスタ)との直列回
路を設けたものである。上記トランジスタQ3のソース
、ダート間には電源V。が接続され、トランジスタQt
+91の接続点aの電位でトランジスタQ4を導通制御
するとともに、トランジスタQ3.Q4の接続点すの電
位でトランジスタQ1を導通制御している。
FIG. 7 shows another embodiment of the present invention, in which a P-channel MOS transistor Qs is connected between the power supply vDD and the ground point in place of the operational amplifier 11 in the circuit of FIG.
(third transistor) and N-channel MOS)
A series circuit with transistor Q4 (fourth transistor) is provided. A power supply V is connected between the source and dart of the transistor Q3. is connected and the transistor Qt
+91 and the potential at the connection point a controls the conduction of the transistor Q4, and also controls the conduction of the transistor Q3. The conduction of the transistor Q1 is controlled by the potential at the connection point of Q4.

上記のような構成において動作を説明する。The operation in the above configuration will be explained.

出力電圧V。utが充分高い時は、トランジスタQ4は
トランジスタQ3を負荷とするソース接地増幅器として
働き、接続点aの電位(トランジスタQ!のドレイン・
ソース間電圧vD8)がトランジスタQ4のしきい値電
圧Vth+αを越えると、接続点すの電位(トランジス
タQ、のダート電位)が下がる。この時、トランジスタ
Qrはソースフォロワとして働き、接続点aの電位を下
げ帰還ループが形成される。従って、接続点aの電位は
Vth+αの点で一定に保持される。出力電圧■。ut
を変動させても接続点aの電位はtlとんど変化せず一
定に保たれるのでトランジスタQ2のドレイン電流は変
動しない。
Output voltage V. When ut is sufficiently high, transistor Q4 acts as a common source amplifier with transistor Q3 as a load, and the potential at connection point a (the drain of transistor Q!
When the source-to-source voltage vD8) exceeds the threshold voltage Vth+α of the transistor Q4, the potential at the connection point S (the dirt potential of the transistor Q) decreases. At this time, the transistor Qr functions as a source follower and lowers the potential at the connection point a, forming a feedback loop. Therefore, the potential at the connection point a is held constant at Vth+α. Output voltage ■. ut
Even if tl is varied, the potential at the connection point a is kept constant without changing tl, so the drain current of the transistor Q2 does not vary.

トランジスタQ!のドレイン電流は出力電流工。Transistor Q! The drain current is the output current.

に等しいので、出力電流工。も一定であシ、出力インピ
ーダンスを高くできる。前記第1図のカスコード回路に
おいては、出力インピータンスがIOMQ程度であった
のに対し、第7図に示すこの発明のカスコード回路では
出力インピーダンスが200MQ以上にできることを実
験によシ確認した。また、出力電圧V。utが低い場合
は、トランジスタQ4がオフ状態となるため、接続点す
の電位は電源電位VDD(5■)となシ、トランジスタ
Q1は深いオン状態となる。このためトランジスタQl
は第2図に示したMQ8 )ランジスタに近い動作をし
、大きな出力電流が得られる。
Since it is equal to , the output current is equal to . The output impedance is also constant, and the output impedance can be increased. In the cascode circuit shown in FIG. 1, the output impedance was approximately IOMQ, whereas it was experimentally confirmed that the cascode circuit of the present invention shown in FIG. 7 can have an output impedance of 200 MQ or more. Also, the output voltage V. When ut is low, the transistor Q4 is in an off state, so the potential at the connection point is the power supply potential VDD (5■), and the transistor Q1 is in a deep on state. Therefore, the transistor Ql
The MQ8 transistor shown in Figure 2 operates similar to the transistor, and a large output current can be obtained.

上記第7図に示したカスコード回路の入出力特性を上記
第3図〜第5図の特性図に実線で示す。ここで、トラン
ジスタQsのソース、ダート間!圧V、 = 1.67
V 、  ) ? ンジスタQ3.Q4のチャネル幅W
とチャネル長りとの比号4をそれぞれ10/10とし、
Pチャネル型MO8)ランジスタノしきい値電圧vth
p =−0,93V、  Nチャネル型MO8)ランジ
スタのしきい値電圧■thN=067vとしている。
The input/output characteristics of the cascode circuit shown in FIG. 7 are shown by solid lines in the characteristic diagrams of FIGS. 3 to 5. Here, between the source of transistor Qs and dart! Pressure V, = 1.67
V, )? Injista Q3. Q4 channel width W
Let the ratio of 4 and the channel length be 10/10, respectively.
P-channel type MO8) Transistor threshold voltage vth
p = -0.93V, N-channel type MO8) Threshold voltage of transistor thN = 067V.

なお、この発明は上記実施例に限定され為ものではなく
、種々変形して実施することが可能であシ、例えば、第
6図および第7図の回路においてトランジスタQ!のパ
ックダートをとのトランジスタQ1のソースに接続して
も良く、各トランジスタの極性を入れ換えても良い。ま
た、第7図の回路におけるトランジスタQs と電源■
。に換えて他の構成の電流源を用いても良い。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be implemented with various modifications. For example, in the circuits of FIGS. 6 and 7, the transistor Q! The pack dart of the transistor Q1 may be connected to the source of the transistor Q1 of the transistor Q1 of the transistor Q1 of the transistor Q1 of the transistor Q1 of the transistor Q1 of the transistor Q1. Also, the transistor Qs and the power supply ■ in the circuit of Fig. 7
. Instead, a current source with another configuration may be used.

第8図は、この発明の他の実施例を示すもので、カスコ
ード回路をソース接地増幅器として使用するもので、上
記第7図の回路における出。
FIG. 8 shows another embodiment of the present invention, in which a cascode circuit is used as a common source amplifier, and the output of the circuit of FIG. 7 is shown.

力端子outとトランジスタQ1との間に電流源工を設
けるとともに出力端子outを接地し、電流源工とトラ
ンジスタQ1との接続点から出力VOutを得る。今、
出力電流工ゎがほぼ100μAとすると、出力インピー
ダンスR0)200MQ。
A current source is provided between the output terminal OUT and the transistor Q1, and the output terminal OUT is grounded, and an output VOut is obtained from the connection point between the current source and the transistor Q1. now,
If the output current is approximately 100μA, the output impedance R0) is 200MQ.

Grrl#300μSであるのでダインGは、G = 
Ro−Gm:>60000(倍)# 96 (dB)と
なシ非常に高くできる。ちなみに、第1図に示したカス
コード回路をソース接地増幅器として使用した場合は、
ID#1ooμAにおいて出力インピー〆7)’、f?
、’″t10 MQ 、 Gm#300 μsであるの
で、ゲインG′は、 G’== Ro/ ・Gm#3000 (倍)’; 7
0 [dB]となシ、この発明によるカスコード回路を
ソース接地増幅器として使用すれば約26 dB以上も
ゲインを向上できる。
Since Grrl#300μS, dyne G is G =
Ro-Gm: >60000 (times) #96 (dB), which can be extremely high. By the way, when the cascode circuit shown in Figure 1 is used as a source-grounded amplifier,
Output impedance at ID#1ooμA 7)', f?
, '''t10 MQ, Gm#300 μs, so the gain G' is: G'== Ro/ ・Gm#3000 (times)'; 7
If the cascode circuit according to the present invention is used as a source-grounded amplifier, the gain can be improved by about 26 dB or more.

また、第9図に示すように、入力信号vinとして一定
の電圧■、を与えることにより、出力端子outから安
定な電流を取シ出せるので、との回路を定電流源として
使用することも可能である。
In addition, as shown in Figure 9, by applying a constant voltage as the input signal vin, a stable current can be drawn from the output terminal out, so the circuit can also be used as a constant current source. It is.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、出力インピーダ
ンスが高く、且つ出力電圧の低電圧時にも大きな出力電
流が得られるカスコード回路を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a cascode circuit that has high output impedance and can obtain a large output current even when the output voltage is low.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のカスコード回路を示す図、第2図はMQ
8 )ランジスタ構成のソース接地回路を示す図、第3
図〜第5図はそれぞれ上記第1図のカスコード回路およ
びこの発明によるカスコード回路の特性を示す図、第6
図はこの発明の一実施例に係るカスコード回路を示す図
、第7図〜第9図はそれぞれこの発明の他の実施例を示
す回路図である。 Q、−Q、−) ランジスI’ l VDD I ”B
 + Vg+vA・・・電源、 In・・・入力端子、
 out・・・出力端子。 ■In・・・入力信号、vout・・・出力信号、11
・・・オペアンプ。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第5図 第6図      第7図 第8図       第9図
Figure 1 shows a conventional cascode circuit, Figure 2 shows an MQ
8) Diagram showing a common source circuit with transistor configuration, 3rd
6 to 5 are diagrams showing the characteristics of the cascode circuit shown in FIG. 1 and the cascode circuit according to the present invention, respectively.
The figure shows a cascode circuit according to one embodiment of the invention, and FIGS. 7 to 9 are circuit diagrams showing other embodiments of the invention. Q, -Q, -) Rungis I' l VDD I ”B
+Vg+vA...power supply, In...input terminal,
out...output terminal. ■In...input signal, vout...output signal, 11
...Op amp. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Figure 5 Figure 6 Figure 7 Figure 8 Figure 9

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)  出力端子と接地点間に直列接続される第1、
第2のトランジスタと、上記第1.第2のトランジスタ
の接続点の電位を所定の電位と比較しこの比較出力で第
1のトランジスタを導通制御する比較増幅手段とを具備
し、上記第2のトランジスタに入力信号を供給して導通
制御するように構成したととを特徴とするカスコード回
路。
(1) The first, which is connected in series between the output terminal and the ground point.
a second transistor; Comparing and amplifying means for comparing the potential at the connection point of the second transistor with a predetermined potential and controlling the conduction of the first transistor using the comparison output, and controlling the conduction by supplying an input signal to the second transistor. A cascode circuit configured to perform and.
(2)  前記比較増幅手段は、第4アンプから成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のカスコード
回路。
(2) The cascode circuit according to claim 1, wherein the comparison amplification means comprises a fourth amplifier.
(3)  前記比較増幅手段は、電源と接地点間に直列
接続される第3.第4のトランジスタから成シ、上記第
4のトランジスタは前記第1.第2のトランジスタの接
続点の電位で導通制御され、上記第3のトランジスタは
所定の電位で導通設定され、上記第3.第4のトランジ
スタの接続点の電位で前記第1のトランジスタを導通制
御するように構成したことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のカスコード回路。
(3) The comparison and amplification means includes a third. The fourth transistor is composed of the first transistor. The conduction is controlled by the potential of the connection point of the second transistor, the third transistor is set to be conductive at a predetermined potential, and the third... 2. The cascode circuit according to claim 1, wherein conduction of the first transistor is controlled by a potential at a connection point of the fourth transistor.
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