JPS59121886A - 光デバイス作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はある種の型の光デバイスの製作プロセスに係り
、そのような光デバイス上にアルミニウム酸化物被覆を
形成することを含む。

本発明の背景 主として、光通信システム、切断及びトリミングシステ
ムのような各種レーザ関連システム及びレーザ記録シス
テムの発達により、最近光デバイスに関して行われてい
る多くの研究及び開発が著しく増加した。光通信システ
ムの利点けよく知られており、広帯域、情報の高伝送速
度、光学的多量化が比較的容易であるこさく同じ光ファ
イバでいくつかの光波長全伝送すること）及び銅云送ケ
ーブルの代りにカラスファイバが使えることが含まれる
。光伝送システムは伝統的な＠全基本としたシステムよ
シ、けるかに安い費用で、高い伝送能力を確実にもたら
す。

光伝送システムは一般に光源（発光ダイオ−ド又はレー
ザ）、光ファイバ及び検出器で作られる。光ファイバは
光の伝搬全確実に適に７Ｊなものとするために用いられ
る各種の屈折率分布全有するシリカガラスで一般に作ら
れる。通常情報はパルス（いわゆるパルスコード変調）
の形で光フアイバ中を伝送される。

光伝送システムの帯域及びくり返し間隔は、光フアイバ
中の損失だけでなく、ファイバの材料分数にも依存する
。

伝送システム中の光損失は、デバイス材料と空気の境界
にある反射防止被膜を適切（で用いろことによシ、最小
になる。特に、光伝送システム中で用いられる発光ダイ
オード上の反射防止膜は、ＬＦ、Ｄからの放射の出力と
、伝送システムに用いられる光フアイバ中への出力を、
確実によシ太きくする。また、検出器の幼、率は損失全
最小にするための反射防止膜を適切に用いることにより
、者しく増加する。

反射防止被膜は各種のスペクトル領域で用いられる各種
の光デバイス上に用いることができるが、それらは特Ｋ
］、２ないし１．６μｍの波長領域における光通信で用
いられるデバイスにおいて、有用である。この領域中の
光波を用いる利点は多くある。第１に、多くの型のファ
イバ、特にシリカガラス又はリンシリケートガラスを含
むファイバでは、この波長領域で損失は最小になり、材
料損失はこの領域で非常に低い。（たとえば、ディー・
エヌ・ペイン（Ｄ、　Ｎ、　ｐａｙｎｅ　）及びダウリ
ュ・エイ・ガンブリング（Ｗ、　Ａ、　Ｇａｍｂｌｉｎ
ｇ　）による“光ファイバ中のゼロ材料分散″エレクト
ｏニクレターズ（Ｂｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ　）１１、第８号、１７６−１７８頁（１９７５年４
月）及ヒエス・アール・フオレスト（Ｓ、Ｒ。

Ｆｏｒｒｅｓｔ　）により、１９８２年１１月レーザフ
ォーカス（Ｌａ５ｅｒ　ｌ；”ｏｃｕｓ　）に発表され
た″長波長ファイバ光伝送システム用フォトダイオード
″を参照のこと。

低損失及び低材料分散のため、１．２ないし１．６μｍ
波長領域（以下とこては１・３μｍ領域とよぶ）で動作
する光通信システムは、より広い帯域及びよシ高いくシ
返し間隔という利点をもつ。これらの理由によシ、デバ
イスの開発（特にＬＥＤ及び検出器開発）はこの波長領
域に集中してきた。そのようなデバイスのほとんどは、
基板材料としてインジウムリン金相いる。なぜならば、
それは、この波長領域で透明で、結晶構造はインジウム
・ガリウムひ素及びインジウムガリウムひ素リンのよう
な各種の化合物半導体と優れた格子整合？するからであ
る。前面発光ダイオード及びフォトダイオードの場合、
光は通常インジウムリン基板を通してデバイスに入った
り、出たりする。レザ又は端面発光ダイオードの場合、
光はインジウムガリウムひ素リン活性層を通して、デバ
イスから出る。反射全最小にしうる反射防止被膜を用い
るのが特に有用、ｔのは、インジウムリン又はインジウ
ム・ガリウムひ素と近い熱膨張係数ケもち、過度の熱膨
張による不整を避けるため、適匿の温度で形成すること
である。市場的て重要なことは、インジウム・ガリウム
ひ素リン化合物が、インジウムリンに格子整合するこ吉
である。そのような化合物は必ずしも４つの元素（たと
えばインジウム・ガリウムひ素）を含む必要はない。

本発明は光デバイスの製作プロセスに係り、被膜（一般
に反射防止被膜）が過剰の酸素の存在下、好ましくけ約
２５０℃以下の温度、］　０　”ｆ’ｏｒｒ以下の圧力
において、Ａｔ２０３ｆ電子ビーム（′Ｆ、−ビーム）
堆積させることにより形成される。プロセスで特に重要
なことは、被覆される表面付近において、真空容器の他
の部分より、高い酸素濃度を有することで、特にＡ１２
０３の表面及び電子ビームの付近で高濃度であることで
ある。一般に、被覆される表面付近（被覆される表面の
約２（ｍ以内）の酸素濃度は、真空容器の残りの部分よ
シ少なくとも１０倍（又は１００倍にも達するはど）高
く、電子ビームがある所及び電子ビームが４１２０３全
照射する所ではより高い。これは本質的に純粋なは素全
試料に近い真空容器に加え、好ましくは本質的に純粋な
酸素を、被覆されつつある表面に向けて流すことにより
実現される。被覆中試料は５０ないし２５０℃の温度に
するのが好ましく、５０ないし１６０℃が更に好ましい
。プロセスはインジウムリン表面全有するデバイスに対
して用いるのが有利である。なせならば、Ａｌ２Ｏ３及
びＩｎＰ間は熱膨張係数の整合が擾れ、優れた光云送が
得られるからである。特に重要なことは、電子ビーム堆
（資）プロセス中被覆されている表面に向けた好ましい
酸素の流れＯ存在である。なぜならば、そＩ″Ｉ−は光
学的品質、及び反射防止被膜の損失特性を著しく改善す
るからである。そのような反射防止膜が有用な典型的な
光デバイスには、発光ダイオード、光検出器、及びレー
ザが含丑れる。前面発光及び端面発光ｒｎＰ　／　Ｉｎ
ＧａＡＳＰ発光ダイオードの場合、不発明に従い形成さ
れた反射防止被膜を用いて、前面発光ダイオードの場合
１．３倍、端面発光ダイオードの場合１．４倍、光フア
イバ中へのパワーの結合が増す。

実施例の説明 本発明は少数の酸素を、電子ビーム堆積容器の真空容器
中に加えながら、電子ビーム（Ｅ−ビーム）堆積により
Ａｌ２Ｏ３ｋ形成するならば、”２０３を誘電体として
用いて、優れた光被膜（特に反射防止被膜）が形成でき
るということ全発見したことに基づく。本発明の重要な
点は、Ａｌ２Ｏ３で被覆されつつある表面付近（２ｃｍ
以内）の酸素濃度（分圧）痺、表面及び電子ビーム源付
近から＠れた所の酸素濃、変（分圧）より、（少なくと
も１０倍、好ましくば］００倍）高いことである。最も
よい結果は、被覆されつつある試料付近に酸素過剰のガ
スを流すが、通常被覆されつつある表面に向けて流すこ
とにより得らｎる。Ｅ−ビーム堆積によｆ）、４／２０
３を堆積させるプロセスの詳細は幾分変えてもよいが、
真空８器中のカスの酸素含有敬け、少なくとも３０体積
パーセントあることが重要である。減圧速度が真空容器
圧をＩ　Ｏ”ｐｏｒｒ以下に保つのに十分である時には
、少なくとも１発癌り０、Ｏ］ミリリッタ（体遺は１気
圧の圧力に基つぐ）の流速で被覆されている試料に向け
、酸素過剰カスを流すことが好ましい。典型的な最大漏
れ速度は１（３７１１７分である。！Ｈましい速度は、
０．０３ないし３．０ｍ１１分で、０．１ないし７　、
Ｑ　ｍｌ　７分の範囲が最も好ましい。このプロセスに
より、試料付近における酸素濃度を高める。このことは
著しいＡ＠カス（６０体漬パーセント、９０体積パーセ
ントあるいは本質的（て純粋な酸素が最も好ましい）が
試料近くに供給でき、好ましくけ被覆されている表面に
向けらｎるならば、特に正しい。このプロセスにより、
Ａ１２０３（ｒ用いることに伴う他の望′ましい特性と
ともに、きわめて低損失を有するＡｌ２Ｏ３薄膜が得ら
れる。ガス中の酸素濃度により高いことが好捷しぐ、Ｇ
ｏないし９０体遺パーセントてすると、Ａ１２ｏ３被膜
中の損失で一層下る可能性が増す。純粋な酸素がシステ
ム中に加えられ、純粋な酸素はきわめて低い損失を生じ
るため、当然本質的に純粋な酸素が鏝も好丑しく、便利
である。

Ａｔ２０３の被膜は反射防止被膜（単一層及び多層の両
方）、保護被膜、誘電体ミラー等を含む各慣の用途に使
用できる。そのような被膜は非洛に広範囲の波長（で対
し有用で、典型的な場合、Ａｔ２０３が吸収する紫外波
長（０，２μｍ）からＡ１２ｏ３が・吸収する赤外波長
（３，０μｍ）までである。最も有用なのは、ＡＩ！２
０．が通常良好な光学的及び機械的特注？もつ可決及び
赤外波長（０，５＆いし２．Ｏｌ１ｍ　）である。

０．８ないし１．５μｍの範囲は多数のデバイスがこの
波長範囲で１吏われているため、きわめて有用である。

表面上Ｋ　Ａ４　ｏ　３　ｆ堆積させるプロセスとして
、電子ビーム技術てついて説明することにより、本発明
が容易に理解できる。この技術については、エアコテメ
スカル（エアコ社の一部局）２８５０．７番街、バーク
レー、カリフォルニア、９４７］０により発行された〃
物理的気相堆積“を含む多くの文献に述べられている。

このプロセスにおいて、表面上に材料を凝縮させるため
に、蒸着させる目的で用いられる。このプロセスは多く
の理由により、非常に有利である。電子銃を改善するこ
とにより、蒸着速度が高くなる。、蒸着される材料が汚
染されないように保つことが比較的容易である。

このプロセスは精密に制御でき、材料の節約がよくでき
、−熱効率が高い。

一般に、電子ビーム蒸着プロセスは、真空雰囲気中で行
われる。典型的な場合、容器圧力は約１０″ＴＯｒｒ以
下である。典型的な容器圧は１０−５ないし１０′ＴＯ
ｒｒの範囲にある。本発明は被覆される試料の近傍で高
酸素濃度を用いる。

流すプロセスで特に有利なことは、試料付近の酸素濃度
（分圧）が高く保たれるが、容器中の他の部分の圧力は
低く保たｎることである。基本的ては、このガスの酸素
濃度？空気Ｔのそれより大きくすることが必要である。

すなわち、残留ガスは酸素過剰とすべきである。一般に
、このことば酸素ａ度が３０重量パーセント以上である
ことを意゛味する。最善の結果は、高酸素濃度で得られ
、これは通常容易に得られる。典型的な場合、通常の値
から試料近くの位置まで管で導かれ、試料に向けられ、
一方真空容器は通常の手段によシ、容器の他端から真空
に引かれる。このプロセスにより試料の近くに２いて、
容器の池の部分（て比べ、相対的に酸素濃度が確実に高
くなる。流速は通常１分当り０．０１ないし１０．０ミ
リリンクで、１分当り０．０３ないし３．０ミリリツタ
が好ましい値である。

真空容器知導かれる流速のもう一つの指針は、以下のと
うりである。通常の条件下で、真空容器は２Ｘ１０”ｐ
ｏｒｒの真空に引かれる。試料の近くに供給されるガス
流速は、それが真空容器と５Ｘ１０’ないし５　Ｘ　Ｉ
　Ｑ−５’ｆｏｒｒに増すような値にすべきである。

残留ガスの酸素濃度に対するもう一つの制限は、分圧に
対してである。残留ガスが少なくとも３０重貴パーセン
トの酸素であること倉考えると、真空容器中の酸素の分
圧は、一般に測定した時、Ｔｏ’　ないしＩ　Ｏ−”ｆ
ｏｒｒにすべきで、一方試料付近のそれけ１桁又はそれ
以上大きく（おおよそ１ｏ−２ないし］ｏ−５Ｔｏｒｒ
　）でよい。好ましくけ、残留ガス中の酸素ａ度は少な
くとも９５重量パーセントで、酸素の分圧１−１１１０
’ないしＩ　Ｏ”ｐｏｒｒと通常測定さｎる。特に容器
圧は１０−５なりし１０’　Ｔｏｒｒにすべきである。

Ａｔ２０３で被覆されつつある表面近くの容器中（で酸
素（好ましくけ純粋な酸素）の流れを向けることが、本
発明を実行する上で好ましい。このプロセスにより試料
近くの酸素の分圧が流れを向けない時借られるそ汎より
太きく、真空容器中の圧力よりけるかに高くなり、低Ｆ
ｆ、　（Ｉ　Ｃｍ’　−］　０１Ｔｏｒｒ　）におけル
ミ子ビームによる４１２ｏ３の蒸着を防げず、一方Ａｔ
２０．の融体の表面力・ら反射されｆｃ電子が衝突−す
ることに対する緩衝の働きをする。

Ａｌ２Ｏ３に堆積させるためのプロセスは多くのデバイ
スに対し有用であるが、特にレーザ、光検出器及び発光
ダイオードのような光デバイスに対し有用である。各種
の目的に有用ではあるが、例外的シて損失が低いことは
、放射（一般に赤外、可視又は駒外であるが、有用な池
の放射も含まれる。）の伝送に含まれる表面に対し、最
も有用である。典型的な用途は光学的表面に対する反射
防止破膜である。

このプロセズーの最も有用な用途には、１．２ないし１
．６μｍの波長範１（社）における光デバイスが含まれ
る。これは通常の光ファイバの低光損失及び低分散のた
め、光伝送に対し特に重要な波長範囲である。化合物半
導体、インジウムリン及びインジウム・ガリウムひ素す
ンこの波長範囲で広く用いられ、通常そｎを通って放射
が空気中に出ていく物質である。

従って、１．２ないし１．６μｍ範囲で用いられるデバ
イス上の反射防止被膜け、通常インジウム及びインジウ
ム・ガリウムひ素リン表面上で用いることが必要である
。

各種の理由によｐ１アルミニウム酸化物はこの用途に対
し理想的である。第１に、Ａｌ２Ｏ３の熱膨張係数（〜
５．６Ｘ１０″／　ｄｅｇＫ　）　（ｒｉ、インジウム
リン上それ（〜４．５　Ｘ　Ｉ　Ｏ−ＬｙｄｅｇＫ）に
非常に近い。熱膨張係数がよく整合していることにより
、Ａｌ２Ｏ３薄膜にクラックが入ったり、はがれたシす
る可能性が最小になる。

そのような薄膜は、比較的適錨の温度で形成することが
でき、それはわずかな熱膨張係数による応力を最小にし
、光デバイスを熱的効果に露出することを最小にする。

薄膜の堆積を確実に良好にするため例い試料は少なくと
も５０℃に加熱すべきで、デバイスに対する損傷全最小
にするため、２５０℃以下にすべきである。より高い温
度は用途及びマウントを変える傾向がある。しかし、一
般的に、好ましい操作範囲は最初試料を６０℃に加熱す
ることで、Ａｌ２Ｏ３堆墳中、ソースからの入射放射に
より、約１６０℃の温度に上ってもよい。

加えて、Ａｌ２Ｏ３に光媒体の一つとして空気を伴った
インジウムリン上の反射防止被膜として用いることは、
実際上理想的である。単一層反射防止被膜の場合、もし
反射防止被膜の屈折率がインジウムリンの屈折率の平方
根であるならば、最適の結果が得られる。（ホルン（Ｂ
ｏｒｎ）及びウオルフ（Ｗｏｌｆ）プリνシパル・オブ
・−オプテイクズ（ｐｒｊｎｃｉｐａＪｓ　ｏｆｑｐｔ
ｉｃｓ　　）、７クミラン社めｃＭｉ　ｌ　Ｉａｎ）１
９６４．６４頁参照のこと） １．３μｍの波長において、インジウムリンの屈折率は
３．２１で、そのため単一層反射防止材料の最適類折率
は１．７９である。Ａｔ２０’３の屈折率は１．７７で
、ヨで述べた用途に対し必要な値にほとんど正確に等し
い。上で述べた理由により、Ａ１２ｏ３は１．２ないし
１−６　μｍの波長範囲における光デバイス上の反射防
止被膜桐材として、きわめて有用である。典型的なデバ
イスはレーザ、発光ダイオード、及び光検出器である。

本発明はそのプロセスを使用できるデバイスについて述
べることにより、特によく説明できる。このデバイスが
、第１図に示されている。それは１．２ないし１．６μ
ｍの波長範囲で有用な光検出器である。光検出器が特に
詳細に第１図に示されている。

完全にするために、裏面電極１１は通常金のような導電
性金属で作り、上部電極１２もまだ通常金属で、典型的
な場合金で作られる。

光検出器で検出される光は、図示されているように、本
発明に従って作られた表面１３を横切ってデバイスに入
る。アルミニウム酸化物はこの表面からの反射を最小に
するような厚さである。

第２図ｊｄデバイスのもう一つの型を示し、その場合本
発明に従って作られるＡｔ２０．薄膜は、きわめて有用
である。このデバイスは１．２ないし１．６μｍの波長
範囲の放射を放射する発光ダイオードで、本発明に従っ
て作られる反射防止被膜２１を有している。また、一般
に金属で作られる各種の金属電極２２及びやはり金で作
られる　電極２３が示されている。ｐ−ＩｎＧａＡＳＰ
　２４、チタン層２５及び金属２６のような各種の化合
物半導体層も示されている。構造で特に重要なことは、
熱を分散させるだめデバイスをヘッダに固着させるエポ
キシ層２７である。エポキシが存在すると、しばしば製
作プロセスでデバイスを露出できる温度が限られる。

本発明に従って実験が行われ、反射を最小にするため第
１及び２図で述べたようなデバイス上に、反射防止被膜
を形成した。典型的な場合、層の厚さは１８５０オング
ストロームで、それは１３μｍの波長で最大の透過を生
じるように決められた。電子ビーム装置中の源は、きわ
めて純粋な単結晶、４１２０３であった。

真空容器はポンプで引かれ、約２．ＯＸ　Ｉ　Ｑ−’’
ｌ’ｏｒｒのバックグランド圧に到達した後、約７．５
Ｘ　１０　”ｐｏｒｒの圧力１で真空容器中に酸素を流
した。酸素はＡｔ２０３で被覆されつつある試料の表面
付近の真空容器中に流した。

被覆されつつあるデバイスは、堆積開始前に放射ヒータ
を用いて、約６０℃の表面温度に加熱した。これは薄膜
の固着性を確実にするために行った。被覆プロセス中、
表面温度ばＡｔ２０３表面からの熱放射のため、１６０
℃もの高温にしばしば達した。被覆されつつある表面を
このような適度に加熱することにより、確実に有用で固
着性の高い被膜が得られた。

光デバイス上の良好な反射防止被膜の有用性を示すだめ
に、一連の実験を行い、透過が増したこと及びそのよう
な被膜を用いて得られたデバイス特注が決められた。本
発明に従って反射防止被膜を形成する前後で、３組の発
光ダイオードの評価を行った。デバイス効率は光フアイ
バ中に結合されるパワーの大きさを′決めることにより
測定した。反射防止被膜によシ、光フアイバ中に結合さ
れるパワーが、約１．３／±０，０８だけ増加したこと
がわかった。この結果はそのような反射防止被膜を用い
ることにより、透過がきわめて改善されたことを示す。

加えて、この結果は非常に再現性がよく、試料間の一様
性がよいこともわかった。この改善は他の型の反射防止
被膜と比較してもよかった。本発明に従って酸素を加え
なかった時、改善は見られなかった。

第２の試験において、先の条件及び酸素流を用いて、端
面発光タイオードの端面全体を１８５０オングストロー
ムの厚さのＡｌ２Ｏ３層で被覆した。放射された光は４
０パ一セント以上改善された、やはりこの特性の改善は
、通常のプロセスで得られるものより、はるかに大きい
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従って作られる反射防止被膜を有する
プレーナＰＩＮフォトダイオードの側面図、 第２図は本発明に従って作られる反射防止被膜を有する
発光ダイオードを示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 光学的表面・・・１３ 被膜・・１２ ン・ライタート アメリカ合衆国０７９６０ニユージ ヤーシイ・モリス・モリスタウ ン・テリー・ドライヴ２ ０発　明　者　ジョージ・ジョン・ズイドズイツク アメリカ合衆国０７８３２ニユージ ヤーシイ・ウオーレン・コロン ビア・ボックス３３０ニー・ロー ド１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　少なくとも一つの放射透過用光学的表面から成シ、
   該光学的表面に真空容器中の電子ビーム堆積により形成
   ざｎた本質的にアルミニウム酸化物から成る被膜で被覆
   ζｎた光デバイス作成方法において、 電子ビーム堆積はｌ　Ｑ−３Ｔｏｒｒ以下の真空容器内
   圧力で行わ九、真空容器中の気体の酸素濃Ｉｆは体積で
   ３０パ一セント以上で、試料付近の酸素ａ度は電子ビー
   ム源付近より、少なくとも１０倍高いこと全特徴とする
   光デバイス作成方法。。 ２、特許請求の範囲第１項に記載さｎた方法に２いて、 真空容器中の気体の酸素濃度は、体積てして６０パ一セ
   ント以上であることを特徴さする光デバイス作成方法。 ３　特許請求の範囲第１又は第２項に記載烙九だ方法に
   ２１／−１で、 真空容器中の気体の鼠素濃度け、体積にして９０パ一セ
   ント以上であることを特徴とする光デバイス作成方法。 ４　特許請求の範囲第１又は第２又は第３項に記載式ｎ
   た方法において、 真空容器中の気体げ本質的に酸素力・ら成ることを特徴
   とする光デバイス作成方法。 ５　％許請求の範囲第１−４項のいずれかに記載された
   方法において、 真空容器中の圧力ｔｄ　］　０　’　　Ｔａｒｒ以下で
   あることｅ％徴とする光デバイス作成方法。 ６　％許請求の範囲第５項に記載された方法において、 圧力け１０　”ｐｏｒｒ以下であることを特徴とする光
   デバイス作成方法。 ７　％許請求の範囲第１−６項のいずれか１項に記載さ
   れた方法において、 少なくとも３０パーセントの酸素から成る気体が被覆ざ
   ｎつつめる表面付近の真空容器中に供給され、気体の流
   ｎけ被覆で！１つつある表面に向けられること全特徴と
   ブる光デバイス作成方法。 ８　％許請求の範囲第７項に記載さｔ′した方法に２い
   て、 気体は本質的１て酸素から成ることを特許とする光デバ
   イス作成方法。 ９　特許請求の範囲第８項に記載された方法において、 気体は１分当シυ、０１な力し】Ｏミリリットルの速度
   で真空容器中に加えられることを特徴とする光デバイス
   作成方法。 １０　　特許請求の範囲第９項に記載ざ′ｒした方法に
   おいて、 速１１分当ｐｏ、ｏ３ないし３．０ミリリΣトルである
   こと全特徴とする光デバイス作成方法。 １１　”　’特許請求の範囲第に゛】０項のいずｎかに
   記載された方法において、 光学的表面は５０なｌ、−、シ２５０℃間の温度である
   ことを特徴とする光デバイス作成方法。 １２、特許請求の範囲第１１項に記載された方法におい
   て、 温度範囲は５０ないし１６０℃であることを特徴とする
   光デバイス作成方法。 １３　　％許請求の範囲第１項に記載でれた方法におい
   て、 光デバイスは発光ダイオード又は光検出器又はレーザで
   あること全特徴とする光デバイス作成方法。 】４　特許請求の範囲第１−１３項のいずれかに記載さ
   れた方法において、 光学的表面は本質的にインジウムリンかｌ　　ら成るこ
   と′ｆ！：’％徴とする光デバイス作成方法。 １５　　特許請求の範囲第１−１４項のいずれかに記載
   された方法において、 被膜は反射防止被膜であることを特徴とする光デバイス
   作成方法。 】（３％許請求の範囲第１−１５項のいずれかに記載ざ
   ｉた方法において、 放射は０．５ないし２．０Ａｍの波長範囲であること全
   特徴とする光デバイス作成方法ゎ１７　　特許請求の範
   囲第１６項に記載された方法におして、 波長範囲は０．８ないし１，６μｍであるこ全特徴とす
   る光デバイス作成方法。 １８　　特許請求の範囲第１７項に記載さｆ′した方法
   において、 波長範囲は］・２ないし１・６μｍであること全特徴と
   する光デバイス作成方法。