JPS59106156A - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPS59106156A JPS59106156A JP21730682A JP21730682A JPS59106156A JP S59106156 A JPS59106156 A JP S59106156A JP 21730682 A JP21730682 A JP 21730682A JP 21730682 A JP21730682 A JP 21730682A JP S59106156 A JPS59106156 A JP S59106156A
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- Japan
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- wiring
- emitter
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- Granted
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011511 Diospyros Nutrition 0.000 description 1
- 244000236655 Diospyros kaki Species 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木発す」ばＮ Ｐ Ｎ 型のパワートランジスタの４Ｈ
’＋旨］旬の改良に関し、更に詳述すれば面積の増大を
招来することなく安全動作領域（Ａ、Ｓ、Ｏ，）を拡大
できるトランジスタの桿）造を提案するものである。
’＋旨］旬の改良に関し、更に詳述すれば面積の増大を
招来することなく安全動作領域（Ａ、Ｓ、Ｏ，）を拡大
できるトランジスタの桿）造を提案するものである。
安全動作領域を拡大する方法としては電流容−１丁１の
増大を図るべく所要領域の面積を広くする方法と、エミ
ッタ抵抗を形成する方法とか知られている。しかしなが
ら１］ａ者の方法では言うまでもなく面積が大となり、
寸た後者の方法においてもこれを形成するために特別の
領域を必要とし…）槓の増大が避けられなかった。
増大を図るべく所要領域の面積を広くする方法と、エミ
ッタ抵抗を形成する方法とか知られている。しかしなが
ら１］ａ者の方法では言うまでもなく面積が大となり、
寸た後者の方法においてもこれを形成するために特別の
領域を必要とし…）槓の増大が避けられなかった。
本発明ｄ：後者の方法、つまりエミッタ抵抗を形成する
方法を採用するにも拘らず、面積の増大を招来すること
かかいトランジスタの構造を提案するものである。
方法を採用するにも拘らず、面積の増大を招来すること
かかいトランジスタの構造を提案するものである。
以下本発明を図ｉｉｉに基き具体的に説明する。第１図
は本発明に係るＮＰＮ型のパワートランジスタを含むバ
イ ボ −ラ型ＩＣの留部の模式的平面バクーン図、第
２図は略示断面構造図である。第１図に実線にて囲続し
て示す紹（長い領域はｎ型のコレクタ領域１であって、
八長げ１．隔させて多数条形成されている。これらのコ
レクタ饋ｐｌ、１聞には第１は目こ実線にて囲、貌して
示す広幅１のｐ梨のベース領域２が形成されており、こ
のベース領域２内しこ位ｆｉ’７するようにしてｎ型の
エミッタ領域７（第１図に実線にて囲続して示す）３か
形成されている。これらの各領域１，２．３は第２図に
示すようにｐ−ザブストレート４上のｎエピタキシャル
層５上（こ形成される。コレクタ饋城１．ベース頗域２
及びＪ−ミツか領域：（の上層にＯＪ柑↓ｊに絶縁膜６
にで分ｑ＋絶ＨさｆｊだＡ−１の７４ ＋−／クタ配ｐ
Ｗ ７ （ＮＧ １図に破線で示す）、ベースｈ：、蝶
８ （１１ｊじく一点鎮線１″示′１）及び−ｃ、 ３
ツタ配線９（同じく一点鎮線一で示す）が形成さハ、士
Ｉｔ：（ｉの：コレクタ領域１、−く−ス領域２及びニ
ーミッタ領域３の夫々とは）・ツチングをイ＝ｆ ｌ〜
で示ずコシククトホ・−ルを介（〜（Ｊｇ 絖されてい
る。コレクタ配線７に１、コレクタ領域１の延設方向と
直交する方向に１νい収出１１１〜７ａ合で一側に有し
、この収出部７ａからコレクタ領域１の土方に位１．７
する）５１−分７ｂかｔｉ’ｉｉ目状に延びている。そ
してこの梢〕目状部分７１）と１佃合するＬうにしてエ
ミッタ配線９の（ｆ−１ｉｉ Ｌｆ状薄部分９ｂ形成さ
）Ｉており、コレクタ１”ｅ緑７の収出部７ａ形成側と
け反対の側に櫛Ｎ状部分９ｂの一端を一括する部分か延
設され、その一端部に］１に出ｊ’ｊｌｉ ９ ａを形
成［−である。エミッタ７１ｊｌ線９の櫛［１状部分９
ｂはエミッタ明域３の幅方向中央部に位１ｔ゛□１”し
てお峠、コレクタ配線７の櫛目状ｇ＋＜分７ｂとの間隙
を縫うようにしてベース配線８を位ｉ？：ｔせしめであ
る。このためベース配線８Ｕ［ジグザグ状（ＩＣ，、＝
ルクタ閑、〕保７とエミッタ蘭、線９の（ｌ′ｉ１１［
１状都勾７ｂ、９ｂ間に位置１２、エミッタ配線９のＩ
ｆ−Ｘ ａ口１に９ａと同側の反対側’１ｉｌｔ部に収
出？ｒＢ ８３を））づ）３ｙシである。
は本発明に係るＮＰＮ型のパワートランジスタを含むバ
イ ボ −ラ型ＩＣの留部の模式的平面バクーン図、第
２図は略示断面構造図である。第１図に実線にて囲続し
て示す紹（長い領域はｎ型のコレクタ領域１であって、
八長げ１．隔させて多数条形成されている。これらのコ
レクタ饋ｐｌ、１聞には第１は目こ実線にて囲、貌して
示す広幅１のｐ梨のベース領域２が形成されており、こ
のベース領域２内しこ位ｆｉ’７するようにしてｎ型の
エミッタ領域７（第１図に実線にて囲続して示す）３か
形成されている。これらの各領域１，２．３は第２図に
示すようにｐ−ザブストレート４上のｎエピタキシャル
層５上（こ形成される。コレクタ饋城１．ベース頗域２
及びＪ−ミツか領域：（の上層にＯＪ柑↓ｊに絶縁膜６
にで分ｑ＋絶ＨさｆｊだＡ−１の７４ ＋−／クタ配ｐ
Ｗ ７ （ＮＧ １図に破線で示す）、ベースｈ：、蝶
８ （１１ｊじく一点鎮線１″示′１）及び−ｃ、 ３
ツタ配線９（同じく一点鎮線一で示す）が形成さハ、士
Ｉｔ：（ｉの：コレクタ領域１、−く−ス領域２及びニ
ーミッタ領域３の夫々とは）・ツチングをイ＝ｆ ｌ〜
で示ずコシククトホ・−ルを介（〜（Ｊｇ 絖されてい
る。コレクタ配線７に１、コレクタ領域１の延設方向と
直交する方向に１νい収出１１１〜７ａ合で一側に有し
、この収出部７ａからコレクタ領域１の土方に位１．７
する）５１−分７ｂかｔｉ’ｉｉ目状に延びている。そ
してこの梢〕目状部分７１）と１佃合するＬうにしてエ
ミッタ配線９の（ｆ−１ｉｉ Ｌｆ状薄部分９ｂ形成さ
）Ｉており、コレクタ１”ｅ緑７の収出部７ａ形成側と
け反対の側に櫛Ｎ状部分９ｂの一端を一括する部分か延
設され、その一端部に］１に出ｊ’ｊｌｉ ９ ａを形
成［−である。エミッタ７１ｊｌ線９の櫛［１状部分９
ｂはエミッタ明域３の幅方向中央部に位１ｔ゛□１”し
てお峠、コレクタ配線７の櫛目状ｇ＋＜分７ｂとの間隙
を縫うようにしてベース配線８を位ｉ？：ｔせしめであ
る。このためベース配線８Ｕ［ジグザグ状（ＩＣ，、＝
ルクタ閑、〕保７とエミッタ蘭、線９の（ｌ′ｉ１１［
１状都勾７ｂ、９ｂ間に位置１２、エミッタ配線９のＩ
ｆ−Ｘ ａ口１に９ａと同側の反対側’１ｉｌｔ部に収
出？ｒＢ ８３を））づ）３ｙシである。
ベース削、線８Ｃ１収出部８ａからのｉ＋ｆｔ Ｋｆが
３Ａ’、 くなると途中での担り抗降下が無視てき々い
ことになＺ。
３Ａ’、 くなると途中での担り抗降下が無視てき々い
ことになＺ。
ので収出ｉ’：に８ａに近いｒ’；ｌ（分？′はその幅
寸法ｌ、全ムくし、遠い？１１り幻て゛ばぞの１ｉｌｊ
Ｑｉ ’−Ｊン去１２を狭くしである。
寸法ｌ、全ムくし、遠い？１１り幻て゛ばぞの１ｉｌｊ
Ｑｉ ’−Ｊン去１２を狭くしである。
従ってコレクタ配線７とエミッタ配線９との距離も萌−
省の部分では長く、後渚のｆｒ、Ｊｒ、分でｆｄ短くな
っている。なおｆｆ’、 ２図では左： １’！ＩＩに
収出部８ａに近いｆｉｔ♂分を、１／こ右側に収出部８
ａから遠い８１５分の断面（・１４珀を承１−７でいる
。
省の部分では長く、後渚のｆｒ、Ｊｒ、分でｆｄ短くな
っている。なおｆｆ’、 ２図では左： １’！ＩＩに
収出部８ａに近いｆｉｔ♂分を、１／こ右側に収出部８
ａから遠い８１５分の断面（・１４珀を承１−７でいる
。
そして−ゴーミツク１似域、９における、コンタクトホ
ール縁部からベース１貝ｊ戊２の鳥５にかけての部分、
つ甘りベース配線８の幅１が、イの抵損降ドを考１σ（
しで定められである１１１９分のＦ力の匪［ＪＮ１″え
にエミッタ１ｔＴｈ抗１０が形成１．である。
ール縁部からベース１貝ｊ戊２の鳥５にかけての部分、
つ甘りベース配線８の幅１が、イの抵損降ドを考１σ（
しで定められである１１１９分のＦ力の匪［ＪＮ１″え
にエミッタ１ｔＴｈ抗１０が形成１．である。
これによって周知の如く安全頓作１］ｒ↓］）１にの拡
大、特に銅２次破壊特例の＋ｉ７化が図れるこ々け勿論
、ＡＩのベース配線８のＩｌｌ！、１寸法に崗１“る必
ｊＤ Ｉ’ｌから上層のこのＡ１層ｉｒ＋４分により面
積が定寸り、−Ｆ層におけるエミッタ抵抗形成は金利の
ｆ′！ｌＩ分を利Ｊａｉｌする形で行えるので安全動作
頭載拡大のだめに［１１１槓が増加することが々い。し
かもベース配線８の幅又はエミ゛ンクり丁Ｉ域３の’Ｗ
ｌ’＋ Ｂ：ベース西己琴鼠８の１を尺１土５７Ｇ（Ｓ
８ａに近い程広いので、ベースバイアスか’、ｉ；ＶＪ
い部分に高いエミッタｊＬ＜、抗を配することかでき、
安全ＵＪ作領域の拡大に関するル没１〜さに応じたエミ
ッタ抵抗を形成することかできるという利点もある雪、
本発明はこの柿バソートランジスタの小環ｊ化又を寸Ｉ
Ｃの集積度向」−に賑めてイ〕効である。
大、特に銅２次破壊特例の＋ｉ７化が図れるこ々け勿論
、ＡＩのベース配線８のＩｌｌ！、１寸法に崗１“る必
ｊＤ Ｉ’ｌから上層のこのＡ１層ｉｒ＋４分により面
積が定寸り、−Ｆ層におけるエミッタ抵抗形成は金利の
ｆ′！ｌＩ分を利Ｊａｉｌする形で行えるので安全動作
頭載拡大のだめに［１１１槓が増加することが々い。し
かもベース配線８の幅又はエミ゛ンクり丁Ｉ域３の’Ｗ
ｌ’＋ Ｂ：ベース西己琴鼠８の１を尺１土５７Ｇ（Ｓ
８ａに近い程広いので、ベースバイアスか’、ｉ；ＶＪ
い部分に高いエミッタｊＬ＜、抗を配することかでき、
安全ＵＪ作領域の拡大に関するル没１〜さに応じたエミ
ッタ抵抗を形成することかできるという利点もある雪、
本発明はこの柿バソートランジスタの小環ｊ化又を寸Ｉ
Ｃの集積度向」−に賑めてイ〕効である。
図面は木発ｔ、ＩＪｊの実施例を示し、＜Ａ）１図（寸
模式的千面バクーン図、第２図は＋ｎＨ♀示ｔ１７＋’
１ｏｉ構′ｙＪ！ｊ図である。 １・・・コレクタｆｉ［（域２・・・ベースｉｆＪ域
３ ・・エミッタ領域 ７・・・コレクタ配線 ８・・
・ベース１ｅ、線９・・・エミッタ配線
模式的千面バクーン図、第２図は＋ｎＨ♀示ｔ１７＋’
１ｏｉ構′ｙＪ！ｊ図である。 １・・・コレクタｆｉ［（域２・・・ベースｉｆＪ域
３ ・・エミッタ領域 ７・・・コレクタ配線 ８・・
・ベース１ｅ、線９・・・エミッタ配線
Claims (1)
- １、ベース配線がエミツク配線及びコレクタ配線間に位
置して、これらの各配線か櫛目をなすように配置され、
ベース配線はその収出部に近い部分が遠い部分よりも広
幅をなすパターンヲ有するＮＰＮトランジスタにおいて
、ｌ’１記ベース妃線の下方にエミッタ抵抗を形成しで
あることを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21730682A JPS59106156A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21730682A JPS59106156A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59106156A true JPS59106156A (ja) | 1984-06-19 |
| JPH0148662B2 JPH0148662B2 (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=16702078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21730682A Granted JPS59106156A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59106156A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4769688A (en) * | 1985-05-03 | 1988-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Power bipolar transistor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49136167U (ja) * | 1973-03-22 | 1974-11-22 | ||
| JPS5386173A (en) * | 1977-01-08 | 1978-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern structure of transistor |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP21730682A patent/JPS59106156A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49136167U (ja) * | 1973-03-22 | 1974-11-22 | ||
| JPS5386173A (en) * | 1977-01-08 | 1978-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern structure of transistor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4769688A (en) * | 1985-05-03 | 1988-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Power bipolar transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148662B2 (ja) | 1989-10-20 |
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