JPS5896043A - 電解合成ジカルボン酸ジエステルの分離精製方法 - Google Patents
電解合成ジカルボン酸ジエステルの分離精製方法Info
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- JPS5896043A JPS5896043A JP56192056A JP19205681A JPS5896043A JP S5896043 A JPS5896043 A JP S5896043A JP 56192056 A JP56192056 A JP 56192056A JP 19205681 A JP19205681 A JP 19205681A JP S5896043 A JPS5896043 A JP S5896043A
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- JP
- Japan
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- dicarboxylic acid
- diester
- temperature
- cooling
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジカルボン啼モノエステルの箪解合成忙よりジ
カルボン酸ジエステルを得る場合の分離精製方法に関す
るっ ジカルどン酸モノエステルを非水曲媒中で白金′電極な
どを用いて電解酸化により21体を得ることはブラウン
−ウォーカー(Brown−wa 1kqr )反応と
して知られており、たとえば、セパシン酸ジエステルな
どがこの反応により合成されている、 ジカルボン酸ジエステルを電気化学的に合成する際に重
要なのは反応収率の向上と電解液からの目的生成物(ジ
カルボン酸ジエステル)の分離であめ。生成物の分離法
は特にプロセスの工業化に当たっては重要なことである
にもかかわらず、従来の多くの研究は反応収率の同上に
重点が置かれ、分離槽、#法についてはほとんど検討さ
れていなかったのが笑1青であった。電解終了液は、王
に、生成したジカルボン酸ジエステル、未反応カルIン
Inモノエステル、支持電解質(NaOHなど)、4媒
(メタノールなど)からなり、従来はこの′電解終了液
を常圧蒸留してCH,OHを除去し、5 wt% Na
2 Co、あるいはHCAを添加し償拌陵、静「ばして
分離し上層乞真空蒸留してジカルボン酸ジエステルY
4′ft製f ルア法である。しかしながら、この分離
法では(1)真全蒸留の際、両者の沸点が非常に近いた
め、ジカルボン酸ジエステル中にジカルボン啼モノエス
テルが混入し、純度が低下する。
カルボン酸ジエステルを得る場合の分離精製方法に関す
るっ ジカルどン酸モノエステルを非水曲媒中で白金′電極な
どを用いて電解酸化により21体を得ることはブラウン
−ウォーカー(Brown−wa 1kqr )反応と
して知られており、たとえば、セパシン酸ジエステルな
どがこの反応により合成されている、 ジカルボン酸ジエステルを電気化学的に合成する際に重
要なのは反応収率の向上と電解液からの目的生成物(ジ
カルボン酸ジエステル)の分離であめ。生成物の分離法
は特にプロセスの工業化に当たっては重要なことである
にもかかわらず、従来の多くの研究は反応収率の同上に
重点が置かれ、分離槽、#法についてはほとんど検討さ
れていなかったのが笑1青であった。電解終了液は、王
に、生成したジカルボン酸ジエステル、未反応カルIン
Inモノエステル、支持電解質(NaOHなど)、4媒
(メタノールなど)からなり、従来はこの′電解終了液
を常圧蒸留してCH,OHを除去し、5 wt% Na
2 Co、あるいはHCAを添加し償拌陵、静「ばして
分離し上層乞真空蒸留してジカルボン酸ジエステルY
4′ft製f ルア法である。しかしながら、この分離
法では(1)真全蒸留の際、両者の沸点が非常に近いた
め、ジカルボン酸ジエステル中にジカルボン啼モノエス
テルが混入し、純度が低下する。
(2) Na2ro3あるいはH(J添ZI+]後の
!置分離ノ際、ジカルボン酸ジエステルが水層に浴げこ
んだり、加水分解することにより、取出し収率が悪(な
る、 (3)楯榎利用できるのは、C,)(,0)I(4媒)
のみである、 (4)蒸留操作が2回會まれるので、製品品質おヨヒ省
エネルギーの観点から好1しくない、(5) ジカル
ボン酸ジエステルなどの有機物含有排水がプロセスから
生じる、 などの問題が生じる。
!置分離ノ際、ジカルボン酸ジエステルが水層に浴げこ
んだり、加水分解することにより、取出し収率が悪(な
る、 (3)楯榎利用できるのは、C,)(,0)I(4媒)
のみである、 (4)蒸留操作が2回會まれるので、製品品質おヨヒ省
エネルギーの観点から好1しくない、(5) ジカル
ボン酸ジエステルなどの有機物含有排水がプロセスから
生じる、 などの問題が生じる。
また、セノマシンl浚ジメチルエステル゛屯解合成の工
業化を目的とした分、4精製法として、亀解収4および
分離の際に間1唾と7よるアジピン酸モノメチルエステ
ルのナトリウム塩の除去、回収を図るため、イオン交換
樹脂の利用や電解前あるいは電解後に少畦の水を加える
方法を採用し、すべての原料が再使用できるプロセスも
報告されてAる(特公昭49−101323号公報、向
53−135921号公報、同55−158285号公
報、1町56−44782号公報)。これらの分離法は
従来法と比べて多くの点で改良されているものの、セパ
シン酸ジエステルの1Ij−離梢製に蒸留操作が2回以
上含まれる点や、アジピン酸モノメチルエステル、その
ナトリウム環および水の64度の注tK深い管理を盛装
とする点でプロセスが複雑とならざるを侍 5− ない。
業化を目的とした分、4精製法として、亀解収4および
分離の際に間1唾と7よるアジピン酸モノメチルエステ
ルのナトリウム塩の除去、回収を図るため、イオン交換
樹脂の利用や電解前あるいは電解後に少畦の水を加える
方法を採用し、すべての原料が再使用できるプロセスも
報告されてAる(特公昭49−101323号公報、向
53−135921号公報、同55−158285号公
報、1町56−44782号公報)。これらの分離法は
従来法と比べて多くの点で改良されているものの、セパ
シン酸ジエステルの1Ij−離梢製に蒸留操作が2回以
上含まれる点や、アジピン酸モノメチルエステル、その
ナトリウム環および水の64度の注tK深い管理を盛装
とする点でプロセスが複雑とならざるを侍 5− ない。
本発明は、以上のyO@従米従来の欠点ケ解消すること
?目的としてなされたものであり、高mrKのジカルボ
ン酸ジエステルを大きな回収率で得ることのできる5+
離梢製方法を提供することを目的とする。水沫は、単純
な床作で実測でき、原料の再利用率が高く、省エネルギ
ー的であり、さらに、完全りa−ズド化による無公害化
の可能な分離槽製法であるう すなわち、本発明の1は、ジカルボン啼モノエステルの
非水浴液を゛屯屏しジカルボン酸ジエステルを得るに際
し、′醒解終了咬には解液を低温冷却することによりジ
カルボン酸ジエステル乞沈澱、分離することを特徴とす
る電解合成ジカルボン酸ジエステルの分離精製方法であ
り、寸だ、他の1はこの分離精製方法において、低温冷
却するに先立って電解項中にF[’Il1合成の原料で
あるジカルボン酸モノエステル?添/71] jること
を特徴とする。
?目的としてなされたものであり、高mrKのジカルボ
ン酸ジエステルを大きな回収率で得ることのできる5+
離梢製方法を提供することを目的とする。水沫は、単純
な床作で実測でき、原料の再利用率が高く、省エネルギ
ー的であり、さらに、完全りa−ズド化による無公害化
の可能な分離槽製法であるう すなわち、本発明の1は、ジカルボン啼モノエステルの
非水浴液を゛屯屏しジカルボン酸ジエステルを得るに際
し、′醒解終了咬には解液を低温冷却することによりジ
カルボン酸ジエステル乞沈澱、分離することを特徴とす
る電解合成ジカルボン酸ジエステルの分離精製方法であ
り、寸だ、他の1はこの分離精製方法において、低温冷
却するに先立って電解項中にF[’Il1合成の原料で
あるジカルボン酸モノエステル?添/71] jること
を特徴とする。
第1図は本発明の実施の概略について示すフ 6−
ローシートである。ジカルボン酸モノエステル、メタノ
ールなどの溶媒および水酸1ヒナトリウム、水酸化カリ
ウムなどの支持電解質からなる電解液は所定の直気重に
より、たとえば50〜60℃の温度で′電解される。゛
眠消終了咬は、溶媒と支持電解質の他、生成したジカル
ボン酸ジエステルと残余のジカルボン酸モノエステル(
このうちの−足首はナトリウム’71として存在する。
ールなどの溶媒および水酸1ヒナトリウム、水酸化カリ
ウムなどの支持電解質からなる電解液は所定の直気重に
より、たとえば50〜60℃の温度で′電解される。゛
眠消終了咬は、溶媒と支持電解質の他、生成したジカル
ボン酸ジエステルと残余のジカルボン酸モノエステル(
このうちの−足首はナトリウム’71として存在する。
)を含み、この、ff冷ノ印することによりジカルボン
酸ジエステルが析出してぐる。
酸ジエステルが析出してぐる。
冷却操作は酸叫終了i[’2直j夛ブラインによって冷
却してもよいが、工業的には電解終了液乞減圧下に置を
メタノールなどの蒸発潜熱により冷却することが好まし
い。具体列を挙げて説明すれば、アジピンr投モノメチ
ルエステルからセパシン酸ジメチルをメタノール溶媒下
で電解合成した場合、電解終了液を101+1m Hg
の真望下で10〜60 rpmの攪拌を加えながら液中
のメタノールを約り0%蒸余させると(アジピン醒モノ
エステル20 wt%、(: NaOH) / [AM
]= 0.2の条件のと@)、゛電解終了液の温度は
約−16℃に達し、冷却に伴なって生成したセ・マシン
酸ジメチルの70−80チが結晶析出してくる。
却してもよいが、工業的には電解終了液乞減圧下に置を
メタノールなどの蒸発潜熱により冷却することが好まし
い。具体列を挙げて説明すれば、アジピンr投モノメチ
ルエステルからセパシン酸ジメチルをメタノール溶媒下
で電解合成した場合、電解終了液を101+1m Hg
の真望下で10〜60 rpmの攪拌を加えながら液中
のメタノールを約り0%蒸余させると(アジピン醒モノ
エステル20 wt%、(: NaOH) / [AM
]= 0.2の条件のと@)、゛電解終了液の温度は
約−16℃に達し、冷却に伴なって生成したセ・マシン
酸ジメチルの70−80チが結晶析出してくる。
結晶析出する七ツマシン酸ジメチルの純度は冷却温度に
よって変化し、たとえば−9,5℃において96%の線
区となる。
よって変化し、たとえば−9,5℃において96%の線
区となる。
このように電解終了液を単に冷却することによってジカ
ルlン・浚ジエステルのみン′亀ノ弾終了順から分離す
ることが可能であるが、電解終了液中のジカルボン酸モ
ノエステルのナトリウム塩の濃度が高いと、析出してく
るジカルボン酸ジエステル中にジカルゲン虐モノエステ
ルナトリウム項あるいはナトリウムイオンが含まれ、こ
の結果ジカルボン酸ジエステルは粘性を有するゼリー状
で得られ、そのままでは製品とならない。この問題の解
決は、支持電解質の#度を減少させるか、あるいは電解
終了後に゛岨ノ邦液中のジカルボン酸モノエステルのナ
トリウム遣ヲイオン父洟膜での除去によって達成できる
。しかしながら、前者の方法は浴電圧の増大?、後者の
方法はプロセスの複雑化を招くこと釦なり、必ずしも好
ましい方法ではない。不純物除去はメタノール中での再
砧晶や析出ジカルボン澱ジエステルのZ S r&のエ
ーテル洗浄によってなされるが、プロセス土工作が増加
する。
ルlン・浚ジエステルのみン′亀ノ弾終了順から分離す
ることが可能であるが、電解終了液中のジカルボン酸モ
ノエステルのナトリウム塩の濃度が高いと、析出してく
るジカルボン酸ジエステル中にジカルゲン虐モノエステ
ルナトリウム項あるいはナトリウムイオンが含まれ、こ
の結果ジカルボン酸ジエステルは粘性を有するゼリー状
で得られ、そのままでは製品とならない。この問題の解
決は、支持電解質の#度を減少させるか、あるいは電解
終了後に゛岨ノ邦液中のジカルボン酸モノエステルのナ
トリウム遣ヲイオン父洟膜での除去によって達成できる
。しかしながら、前者の方法は浴電圧の増大?、後者の
方法はプロセスの複雑化を招くこと釦なり、必ずしも好
ましい方法ではない。不純物除去はメタノール中での再
砧晶や析出ジカルボン澱ジエステルのZ S r&のエ
ーテル洗浄によってなされるが、プロセス土工作が増加
する。
不発明者らは電解終了液中のジカルゲン・投モノエステ
ルのナトリウム塩あるムはナトリウムイオンのaぜが商
い場合であっても、工程数ン増すことなく分離、精製す
ること?鋭意)莢討したM束、ジカルボン酸モノエステ
ルとNaOHとKOHなどとの親和力を逆に利用してジ
カルボン酸ジエステル馨分離、精製する方法を見出した
。
ルのナトリウム塩あるムはナトリウムイオンのaぜが商
い場合であっても、工程数ン増すことなく分離、精製す
ること?鋭意)莢討したM束、ジカルボン酸モノエステ
ルとNaOHとKOHなどとの親和力を逆に利用してジ
カルボン酸ジエステル馨分離、精製する方法を見出した
。
すなわち、電解終了後に冷却するに先立って原料である
ジカル&7[モノエステル’l ’as 、/10 L
、続いて冷却することにより高純度のジカルボン酸ジエ
ステルを得ることができる。具体列としてアジピンWモ
ノメチルCAM)からセパシン酸ジメチル(SD)’2
得る場合について説明すると、[NaOH] / (A
MI = 0.2、AM 64 g 1CHsOH25
2、2gの組成の1!解液乞電解し、絖Aて初 9− 期仕込み畦の40−60係のAMを添加した鏝、冷却す
ることにより純度99.8係のSD結晶を得ることがで
き、この値は従来の真空蒸留を用いた分離精製法の純度
(95〜98%)と比較しても愛れているっ 工業的な5+離柑襄デaセスでは第1図に示す如く屯ノ
眸終了後消費されたジカルボン酸モノエステルを添加し
、続いて攪拌混合後、溶媒を真空蒸発して冷却乞施し、
ジカルボン酸ジエステルの結晶χ析出させ、低温のま交
f過、分離する。f液は適当な液組成となるようにJl
c仝蒸発での回収メタノールを力nえ(必要があれば飛
赦分乞補充する]、次回の電解液とする。以降、同様の
操作(電解→モノニスデルの添加→溶媒の真孕蒸定→ジ
エステルの+離→P液と回収メタノールとで次回の電解
液組成とする)を様り返丁ことによりジカルボン識ジエ
ステル馨得ることができる。このように本発明の分碓梢
製方法を用いれば原料であるジカルボン酸ジエステルン
袖光するだけで、ジカルIン酸ジエステ 10− ルの生成率および純f’に下げることなく、電解操作を
繰り返丁ことができる。、柔り返し回数は2〜10回が
一役的でありla常5〜8回程度である。勿−1これ以
上の繰り返しも可i目である。
ジカル&7[モノエステル’l ’as 、/10 L
、続いて冷却することにより高純度のジカルボン酸ジエ
ステルを得ることができる。具体列としてアジピンWモ
ノメチルCAM)からセパシン酸ジメチル(SD)’2
得る場合について説明すると、[NaOH] / (A
MI = 0.2、AM 64 g 1CHsOH25
2、2gの組成の1!解液乞電解し、絖Aて初 9− 期仕込み畦の40−60係のAMを添加した鏝、冷却す
ることにより純度99.8係のSD結晶を得ることがで
き、この値は従来の真空蒸留を用いた分離精製法の純度
(95〜98%)と比較しても愛れているっ 工業的な5+離柑襄デaセスでは第1図に示す如く屯ノ
眸終了後消費されたジカルボン酸モノエステルを添加し
、続いて攪拌混合後、溶媒を真空蒸発して冷却乞施し、
ジカルボン酸ジエステルの結晶χ析出させ、低温のま交
f過、分離する。f液は適当な液組成となるようにJl
c仝蒸発での回収メタノールを力nえ(必要があれば飛
赦分乞補充する]、次回の電解液とする。以降、同様の
操作(電解→モノニスデルの添加→溶媒の真孕蒸定→ジ
エステルの+離→P液と回収メタノールとで次回の電解
液組成とする)を様り返丁ことによりジカルボン識ジエ
ステル馨得ることができる。このように本発明の分碓梢
製方法を用いれば原料であるジカルボン酸ジエステルン
袖光するだけで、ジカルIン酸ジエステ 10− ルの生成率および純f’に下げることなく、電解操作を
繰り返丁ことができる。、柔り返し回数は2〜10回が
一役的でありla常5〜8回程度である。勿−1これ以
上の繰り返しも可i目である。
不冷却分離方法で重要な因子は冷却条1牛であり、そこ
で冷却時1−につAて倹討ン行なった。
で冷却時1−につAて倹討ン行なった。
AM 64 g、 NaOH32g、 C′HsOH2
52,2gからなる′亀解孜乞逼解終丁1文、あらかじ
め水冷し500rn!!のビーカーに移しかえ、20
rpmのigl云条r牛下で−9,5℃の恒温槽に入れ
た。各時間ごとにサンプリングを行ない残存SD瀘乞ガ
スクロマトグラフィーにより分析し、傅うれた醪液残存
SD童と冷RJ時間との関係ン示した。
52,2gからなる′亀解孜乞逼解終丁1文、あらかじ
め水冷し500rn!!のビーカーに移しかえ、20
rpmのigl云条r牛下で−9,5℃の恒温槽に入れ
た。各時間ごとにサンプリングを行ない残存SD瀘乞ガ
スクロマトグラフィーにより分析し、傅うれた醪液残存
SD童と冷RJ時間との関係ン示した。
メタノール?蒸癒させなAで咀鱗終T液をそのまま冷却
するとtJ4時]Vdで平直に達し、浴液残存80者が
5.3 wt%となるのが判る。また、第3図は冷却時
間を10時1…とした場合の、浴液残存SD4と冷却温
度との関係を表わ丁グラフである。これらの結果から判
るように、−9,5℃の冷却では″亀解数320g中に
SDI 7 gが存在することになり、この条件で電解
すると浴電圧の上昇ン招ぐ、冷却温度を−15℃に低下
させると残存SD屓は9.9gとなる。つまり、゛亀5
解液中のメタノールを蒸発させないで単に冷却すると一
15℃以下の温度に冷却しなければ浴電圧の上昇を招く
こととなる。
するとtJ4時]Vdで平直に達し、浴液残存80者が
5.3 wt%となるのが判る。また、第3図は冷却時
間を10時1…とした場合の、浴液残存SD4と冷却温
度との関係を表わ丁グラフである。これらの結果から判
るように、−9,5℃の冷却では″亀解数320g中に
SDI 7 gが存在することになり、この条件で電解
すると浴電圧の上昇ン招ぐ、冷却温度を−15℃に低下
させると残存SD屓は9.9gとなる。つまり、゛亀5
解液中のメタノールを蒸発させないで単に冷却すると一
15℃以下の温度に冷却しなければ浴電圧の上昇を招く
こととなる。
冷却温度?低くすることはカルIン酸ジエステルの純1
1取り出し収率および浴′亀圧の点で好ましいものであ
るが、プロセスの省エネルギーの観点からは必ずしも好
まし力ことではなI八。
1取り出し収率および浴′亀圧の点で好ましいものであ
るが、プロセスの省エネルギーの観点からは必ずしも好
まし力ことではなI八。
望ましい方法は冷却温媛をあまり低下させないで残存S
Diを少な(する方法である。この方法は゛市解終T
液中の爵媒を減少させることによって可能となる。前記
の具体別に宿って説明すると、電解終了液中のメタノー
ルの6!A’aj真空蒸発させると−9,5℃の冷却温
度で残存SDは8.9g、−15℃で5.2gとなり、
冷却温rilLが−10〜−15℃であれば繰返レジ解
凍1′F:ン行なっても浴電圧は殆ど上昇しない。
Diを少な(する方法である。この方法は゛市解終T
液中の爵媒を減少させることによって可能となる。前記
の具体別に宿って説明すると、電解終了液中のメタノー
ルの6!A’aj真空蒸発させると−9,5℃の冷却温
度で残存SDは8.9g、−15℃で5.2gとなり、
冷却温rilLが−10〜−15℃であれば繰返レジ解
凍1′F:ン行なっても浴電圧は殆ど上昇しない。
このように浴媒の蒸発を利用した冷却分離方法は、浴媒
の回収、4解?改の冷却と同時に電解液中の未回収ジカ
ルゼン酸ジエステルのfY減少させる効果も竹する、+
1?徴ある方法である。
の回収、4解?改の冷却と同時に電解液中の未回収ジカ
ルゼン酸ジエステルのfY減少させる効果も竹する、+
1?徴ある方法である。
なお、不発明哲らの芙・躾によれば、セパシンを酸ジエ
ステル(SD)渭製過程に真望蒸留深1乍が入ると、S
D生成・≦の約10〜15係少ない取出し着であること
が明らかとなった。
ステル(SD)渭製過程に真望蒸留深1乍が入ると、S
D生成・≦の約10〜15係少ない取出し着であること
が明らかとなった。
X:@明の分離精製方法は、蒸留操作を一切言まなh冷
却分離プロセスなので、生成物(ジカルIン嘴ジェルチ
ル)の蒸留による分解、重合の心配もなく、シかも省エ
ネルギーのプロセスとすることができた。屯ls液はメ
タノールなどの浴媒、NaQHなどの支持電解度、カル
ゼン酸な込しエステルであり、温1iも最尚60℃程度
であるので、プラントm役時の各装置の材質は必ずしも
ステンレス鋼を1更用する必要はなく、製品の汚染?纒
ける慧味で部分的にステンレス#1w用い、その他は8
8−41、STP管にNiメッキあるいはCr メッキ
Y4丁程鍵で十分な耐食性を示し設置#賛も安価となる
。また、浴媒 13− の蒸発浩熱ビ利用丁れば、冷却に際しプラインなどの冷
却設備を必がとしないか、必要としても少gr771の
設備で足り、黒画操作が不要なことと相戻って極めて単
純なプロセスが可能となった。なお、従来は蒸発m熱の
大きなメタノールを蒸発させて除く必要があり、このこ
とも負担となっていた。
却分離プロセスなので、生成物(ジカルIン嘴ジェルチ
ル)の蒸留による分解、重合の心配もなく、シかも省エ
ネルギーのプロセスとすることができた。屯ls液はメ
タノールなどの浴媒、NaQHなどの支持電解度、カル
ゼン酸な込しエステルであり、温1iも最尚60℃程度
であるので、プラントm役時の各装置の材質は必ずしも
ステンレス鋼を1更用する必要はなく、製品の汚染?纒
ける慧味で部分的にステンレス#1w用い、その他は8
8−41、STP管にNiメッキあるいはCr メッキ
Y4丁程鍵で十分な耐食性を示し設置#賛も安価となる
。また、浴媒 13− の蒸発浩熱ビ利用丁れば、冷却に際しプラインなどの冷
却設備を必がとしないか、必要としても少gr771の
設備で足り、黒画操作が不要なことと相戻って極めて単
純なプロセスが可能となった。なお、従来は蒸発m熱の
大きなメタノールを蒸発させて除く必要があり、このこ
とも負担となっていた。
以上の特徴y!l′Mする本発明の低温冷1ifJ分離
消製万去は工業的観点から極めて優れた方法であり、t
tm合成ジカルボン酸(H(’)QC((J(ln(”
’OOH。
消製万去は工業的観点から極めて優れた方法であり、t
tm合成ジカルボン酸(H(’)QC((J(ln(”
’OOH。
n=6以上)のジエステル化合物の5j−離NHに好適
である。
である。
実癩例1
アジピン酸モノメチルCAM)64g、水IJt化ナト
ナトリウム2gおよびメタノール252.2 gからな
る亀′S液を、白金tffl(2ox2oxo、3Il
III+)’a=用r ’?It、 +!!、間距離2
mで、?lii (/ft、密度100 mA /cy
n”、温度60’e、畦論岨気望の120%の祇気當で
電解した。ぼ解終了淡下記に示す2通りの分離法によっ
てセ/?シン酸ジメ 14− チル(SD)の戚り出し収率、純1屍にっhて比較ン行
なった。世し、不法では一/v1終r陵にAMの添カロ
乞おこなっていない。
ナトリウム2gおよびメタノール252.2 gからな
る亀′S液を、白金tffl(2ox2oxo、3Il
III+)’a=用r ’?It、 +!!、間距離2
mで、?lii (/ft、密度100 mA /cy
n”、温度60’e、畦論岨気望の120%の祇気當で
電解した。ぼ解終了淡下記に示す2通りの分離法によっ
てセ/?シン酸ジメ 14− チル(SD)の戚り出し収率、純1屍にっhて比較ン行
なった。世し、不法では一/v1終r陵にAMの添カロ
乞おこなっていない。
(以下余白)
17−
不法は従来法と比較して分媒稍鯛プロセスがITR単で
あることが明瞭である。不法によれば従来法よりも高い
純度が得られるのが判る。−万、回収率は低下するので
、この点からは不法を回分式で実施するのは不利なこと
が判る。
あることが明瞭である。不法によれば従来法よりも高い
純度が得られるのが判る。−万、回収率は低下するので
、この点からは不法を回分式で実施するのは不利なこと
が判る。
大検1蛸2
電解液組成および纜解粂件は実施例1と同僚であるが、
電気室は理論値の140係として、木定明の冷却分離槽
製法ン用い嫌返し竜解乞行なった。線返し電導は、電聯
終了陵に、原料のAMP加え冷却により析出SDを除去
したf5液にメタノールを加え、第1回と同法な条件で
行ない、この4作を4回繰り返した。冷却条件は一15
℃、10時間で、艮Q間低蝋を深つために恒γ晶4”K
用いた。この結果を第2衣に下した。
電気室は理論値の140係として、木定明の冷却分離槽
製法ン用い嫌返し竜解乞行なった。線返し電導は、電聯
終了陵に、原料のAMP加え冷却により析出SDを除去
したf5液にメタノールを加え、第1回と同法な条件で
行ない、この4作を4回繰り返した。冷却条件は一15
℃、10時間で、艮Q間低蝋を深つために恒γ晶4”K
用いた。この結果を第2衣に下した。
18−
・業返し′厄piI操作に本発明の分囁梢製法を通用す
ることにより、回収率は77.4%から935憾に著し
く増大し、そのときの純tiも99.0〜998係であ
った。
ることにより、回収率は77.4%から935憾に著し
く増大し、そのときの純tiも99.0〜998係であ
った。
このように、本発明の分4梢製方法は繰返し電解に通用
することが工業上有利であるし、筐た、それが匝めて容
易なプロセスである。
することが工業上有利であるし、筐た、それが匝めて容
易なプロセスである。
第1図は本発明の実施例について下すフローシートであ
る。 第2図は溶液中に存在するSD破と冷却Q1山との関係
乞示すグラフである。 第3図は溶液中に存在するSD域と冷却温度との関係?
示すグラフである。
る。 第2図は溶液中に存在するSD破と冷却Q1山との関係
乞示すグラフである。 第3図は溶液中に存在するSD域と冷却温度との関係?
示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 ジカルボン酸モノエステルの非水溶液?電解しジ
カルボン酸ジエステルン得るに際し、電解終了後に電解
液ン低温冷却することによりジカルボン酸ジエステルン
沈澱、分離することケ特徴とする電解合成ジカルボン酸
ジエステルの分離精製方法。 2、 前記低温冷却を−5〜−30℃の温度範囲で1〜
8時間行なう特許請求の範囲第1項に記載の電解合成ジ
カルボン酸ジエステルの分離精製方法。 3、 前記低温冷却を−10〜−20℃の温度範囲で3
〜6時間行なう特許請求の範囲第2項に記載のtS合成
ジカルz:/酸ジエステルの分離n製方法。 4、 前記低温冷却を、前記°電解液の非水溶媒な蒸発
させて蒸発温熱を利用することにより行なう#許請求の
範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の電解合成ジ
カルボン酸ジエステルの合成方法、 5、 ジカルボン酸モノエステルの非水′16uを電解
しジカルボン酸ジエステルを得るに際し、電解終了醍の
電解液中にジカルボン酸モノエステルを添加し、ついで
この電Saを低11jlra却することによりジカルど
ン酸ジエステルを沈澱、0−離することを特徴とする電
解合成ジカルボン酸ジエステルの分離精製方法。 6、 前記低温冷却を−5〜−30℃の温度範囲で1〜
8時間行なう特許請求の範囲第5項に記載の′電解合成
ジカルボン酸ジエステルの分離fR製方法。 7、 前記低温冷却を−10〜−20℃の温度範囲で3
〜6時間行なう特、fF請求の範囲第6項に記載の電解
合成ジカルボン酸ジエステルの分離精製方法つ 8、 fjtI記1度温冷却を、前記醒解蔽の非水溶
媒を蒸発させて蒸発潜熱を利用することにより行なう%
lfF請求の範囲第5項ないし第7項のめずれかに記載
の電解合成ジカルボン酸ジエステルの合成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56192056A JPS5896043A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 電解合成ジカルボン酸ジエステルの分離精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56192056A JPS5896043A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 電解合成ジカルボン酸ジエステルの分離精製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5896043A true JPS5896043A (ja) | 1983-06-07 |
Family
ID=16284876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56192056A Pending JPS5896043A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 電解合成ジカルボン酸ジエステルの分離精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5896043A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03190838A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-20 | Monsanto Co | ブタンテトラカルボン酸および同エステルの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49101323A (ja) * | 1973-02-08 | 1974-09-25 |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192056A patent/JPS5896043A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49101323A (ja) * | 1973-02-08 | 1974-09-25 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03190838A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-20 | Monsanto Co | ブタンテトラカルボン酸および同エステルの製造方法 |
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