JPS5891597A - ダイナミツクリセツト機能を有する不揮発性フリツプフロツプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本−１は保護回路を有する集積回路、詳しくはある時点
で蓄積内容を蓄積エレメントに不揮発的に蓄積すること
ができ、蓄積され良デーメに従って復帰することができ
るフリップフロップに関するＯ 本発明によれば、電源がし中断された場合ツリツデフロ
ッ７’に蓄積されてい大情報を記憶し、電源が復帰され
る間自動的に７リツｆ７ａツｌをリセットすることがで
きる。

本発ＩＭｔｉ特にＭｏ８！１１のデ・臂イス、即ち、亭
導体（Ｓ）上の絶縁１（例えば酸化物０）０上に形成さ
れ良導電ｒ−ト（例えば金属Ｍ）を有するデ／ｆイスに
関する。

本発＃４による保護回路の目的は次の機能を達成するこ
とである。

一動作の安全性、特に ・不揮発性蓄積Ｍエレメントへフリッｆ　７　ａツブの
状態を書き込むこと。これは、いかなる動作状襲におい
ても可能である。

φ電源が不揮発性蓄積エレメントの状態から復帰する時
プリップフロップを°正確且つ自動的リセ、クトするこ
と。

・り令ット段階中以外蓄積エレメントによりツリツデフ
ロツｌが影響を受けないこと。

−使用の簡単さ ・保護機能に必要な特定の制御数の減少。

・蓄積及びリセット段階の速畜、特に出来るだけ短かい
ことが必要な記憶Ｏ速さ・ これらの必要性を満足させるなめ本発明Ｆｉ、不揮発性
蓄積機能を有する保護回路が連結され、蓄積及びリセッ
トの制御を電圧の修正のみで行うことのできる７リツデ
フ四ツグを提供することにある。

★ 間に接続され九相補端子Ｑ及びＱを有する従来型のＭＯ
８フリツデフ冒ツｌを有する不揮発性蓄積フリップフロ
ップを提供する。各々の蓄積分岐回路は、電気的にプロ
グラムし得るしきい値電圧を有する鐘１トランゾスメ１
ｍの不揮発性蓄積エレメントとコンデンサとの直列接続
關路を有する。各々のコンデン＋の端子は電源電圧に４
ｇ！続されている。

ｍ１分岐回路の蓄積ニレメン）０主端子の１方と制御端
子とは夫々端子Ｑ及びＱＫ＊続されてお）５第２分岐回
路の蓄積エレメントに関してはこの逆である。電源電圧
の値に対応して、次の機能、即ち、不揮発性蓄積回路か
ら独立したフνツデフロツｌの通常の動作、フリッｆｙ
ｖｓツｌの状態の１憶、蓄積、７リフ１フ０ツｆＯリセ
ツト機能が得られる。

上記従来型の７リツデフロツデは例えば相補型ＭＯ８）
ランシスＩ又はエンハンスメントおよびディプレージ目
ン型ＭＯ８）ランシス！で構成されている。蓄積エレメ
ントはＭＮＯ８（金属−窒化物一酸化物一牛導体）トラ
ンジスタであシ、その基板はソースと接続されてｉる。

これらの蓄積エレメントは又浮動ｒ−）型でもよ−、°
本発１１による不揮発性フリッｆ７＊ｙｆ、＠ち、蓄積
に無関係な轟オ動作、記憶、蓄積及びり七ットを可能に
する光め、アリツブフロラｆｅ）従来の動作を許容する
鮪ルベルと、蓄積ニレメン）ＯＬきい値を変更し得る第
２レベル間で電源電圧は変化し得る。ｔた、電源電圧は
除＊され１く、それが不揮発性璽し大時定数に関し電榔
電ＦＥの変化は遅く、中ヤｄクメンスは開放スイッチの
ように作動する０次にリセット期間中、電源電圧は急速
にその第ルベルで復帰され、中ヤΔＶ／ンヌは閉鎖スイ
ッチのように一時的に作動する。

本＊＠０利点によると、蓄積エレメントは、アリツブフ
ロラｌの内容が記憶される時にのみ動作ナイフ＃に＆る
ことに８！■されたい、フリッｆ７０ツｆＯ状態が費る
毎にこれらのエレメントの状態は変化しない、特Ｋ　Ｍ
ＮＯＩＩ　Ｉｔ　）ランゾヌタが蓄積エレメントとして
用いられる時この特徴は重要である。何故ならそのよう
なＭＮＯＩＩ　）ランジスタの動作サイクル１ｉ１０’
乃至１０＠サイクルの範囲の値に制限されているからで
ある。

本発明は前記利点を、又１つだけの制御サイクルによシ
特に簡単に迅速に、更に電源電圧の変イしに対し記憶が
おこなわれるという利点を有しているＯ これらの目的、特徴及び利点を、本発明の他の特徴や利
点と共に、＃ｌ付図ＷＫ関する次の好適臭体例の説明中
でよシ詳細に説明する。

フリツｆ７闘ツデを示す図ＫＦｉ入力／出力導体と、接
続点Ｑ及びＱと接続されたアリツブフロラｌの周辺とが
図示されなかつ九、それらは従来０方法でおこなわれる
。

第１図は本発明による回路な一般的に図式的に示す、こ
の回路は相補端子又は接続点ｑ及びＱ〜含む従来型の双
安ｔＦ：ｌりｆ７０ツｌを有してお９％これらＯ端子の
各々Ｆ１２つの論理状態の一方又は他方をＩＩ）得るが
、しかし決して同じ状態はｓａｍｅい。このフリッｌフ
ロップは例えば５−ル）０電＠　ＶＣＣと例えばアース
のような基準電圧Ｍｌ’ｌｌＫ接続されている。従って
２つの論理状態Ｑ及びＱは電源電圧ｖＣＣ又はアース電
圧に対応する。

通常のフリツノフロップの動作においては電圧ＶＣＣは
通常約５１ルトである。

７リツｆ７−ツデｌは揮発性である。ａち、電ｉｇｔｖ
ｃｃが除去されると、アリツブフロラ７”０１１１の状
ＩＩｌが失われる型式の４のである。電源を除去する＠
に記憶され大最後の情報を保護するため、フリツｆ７０
ツｌ出力の一方と電圧７００間に接続されている。蓄積
エレメント２及び４は２つの電気的に！ログ″）ムし得
るしきい値電圧を有するＭＯＳ　）ランゾスタであり、
２個の主端子と１個の制御端子を有する。この制御端子
はツリッグフロツデの相補端子の一方に接続され、壜た
こＯ相補端子の他方に主端子の一方が接続されている。

保護動作、即ち蓄積エレメント２及び４を適切な状態に
するためＫ、電源が除去される直前に電圧ｖＣＣを増加
させる。電源電圧を自発的にしゃ断する場合、これは実
行し易い、電源電圧が偶然し中断される場合には、電源
電圧の低下が発見されるやいなや短期間そのような高電
圧を供給する九めの回路が公知であシ、高電圧源は例え
ば７”　ｔ４イスの通常の動作中コンデンサに供給され
ているのである。従って高電圧が現れると、高電圧はフ
リツ７”　７　ｏツブの接続点Ｑ及びＱｆＭｌに印加さ
れ、制御端子と蓄積エレメント２及び４０各々に対する
主端子の１方との間で逆に作動する。蓄積エレメン）　
Ｏｆ　ａダラ−ｒｆルし１１−値電圧がアリツブフロラ
ｌの通常の動作電圧よりも高い場合、これは−ＩＩＩＩ
Ｋ通常のデバイスに見られる場合だが、この場合には相
補状■でＯ蓄積エレメント２及び４をセットすることが
可＊！になる。蓄積エレメント２及び４に蓄積され光状
箇によって、電源が復旧される時フリツｆ７ａツデをリ
セットする九めに用いられる方法については、説明を簡
略化する光め重置１１の好適臭体例ＯＩＫ嘴とともに以
下で詳細に説明する。

「電気的にデ謬ダラムし得るしきい値電圧埴■トツンゾ
スメＪｌｌＯ蓄積エレメントは、例えばＭＮＯｌｌ　（
金属−窒化物一酸化物一牛導体）−にルか、或いは最近
ではフートツタス（Ｆｉ＠ｔ・りトランジスタのような
浮動ｒ−）トランジスタである。実ＩＩＫは蓄積エレメ
ント２及び４は、双安定フリツｆ７■ツｆ１を構成する
エレメントと両立するようＫｌｌ造畜れ得るエレメント
の中から選択される。

例えばフロドックス型の浮動ｒ−１トランジスタを用い
る場合、よシ容易ＫＭ立し得る技術は現在ではエンへン
ヌメント／ディｌレージロンＩＩＮチャネルＭｏＳトラ
ンジスタを有する壇のＭＯ８技衝技術る。その代りＫ　
ＭＮＯａ蓄積エレメントは現在ではｃＭｏｓフリツｆ７
０ツデの製造と両立する。この具体例については一例と
して以下で説明し、本発明による不揮発性蓄積フリツｆ
７０ツｆＯ動作モードの眸細についてはこの具体例と関
連して説明する。

第２図に図示され九具体例では７ｖｙｆ７０ツｆ１＃ｉ
相補型ＭＯ８トランジスタ（０Ｍ０番）を有する。

それは４個のトランジスタテ１乃至〒４を含んでおり、
トランジスタ〒１及び〒３はＮチャネル型であシ、トラ
ンジスタ〒鵞及び〒４はＰチャネル■である。トランジ
スタＴＩ及び〒２はアースと電源電圧ｖＣＣ間に直列接
続され、トランジスタ〒３及びＴ４も同様に接続されて
いる。トランジスタ！！及び！雪のダートはトランジス
タ〒３及び〒４０ドレイン／ノーヌ接続点と接続されて
おり、トランジスタ〒３及び〒４０＋’−）はトランジ
スタｉ２及びＴｌのソース／ドレイン接続点と接続され
ている。トランジスタ〒３及び〒４のｒ−トＯ接続部に
対応する端子はＱで示され、トランジスタ〒１及びＴ２
（Ｄｒ−）の接続点はＱで示されている・ ζ０７リツデフロツデの動作についてはそれ自付加され
ている。ＩＩＩＩＡＱＫ接続された第７１分岐Ｆｉコン
テンナ３と直列接続されたＭＮＯＳエレメントｉＭｌを
含んでおり、その他端は電源電圧ｖＣＣに接続喋れてい
る。同様に接続点ｑと電憚電圧ＶＣＣ間で接続され九第
２分岐Ｆｉｍｏｗエレメント’ｒＭ２と；ンデンナＳと
を含む、　ＭＮＯＩ蓄積エレメントＴＭ１のｒ−）は接
続点ｑと接ｆｉ−ｇれており、エレメント丁Ｍ２のｆ−
）は接続点Ｑと接続されている。トランジスタＴＭＩ及
び７Ｍ２の各々のソースと基板は夫夫接続点Ｑ及び接続
点ＱＫ相互接続されている。

第２図には又トランジスタＴＭｌ及び’ｌ’Ｍ２の基板
端子及びドレイン端子間に現われる浮遊〆イオーＰが図
示されている。

第３図はダイナミック状態で作動する時の第２図の回路
の等価電気回路を示す、様々なエレメントに等価の中ヤ
ノ母シタンスに対応する複数のコンデンサと抵抗器が端
子ｖＣＣと基準端子Ｍ間に示され、ている。コンデンサ
３及び５は値Ｃ１例えば数１０μＦ乃至数ｐＦの間に含
まれる値を有する。

ＭＮＯ８エレメントはこれらのデバイスが導電状態に調
整されている時は低く（数中ロオーム）これらのデバイ
スがブロック状１１にセットされている時は高い（数百
メガオーム）等価の抵抗器１．及びＲ？Ｍ２を有する。

又電荷エレメントとして考えられ得る７リツグフロツデ
のトランジスタＴ２及び〒４は、夫々端子ｃａ”ｖｃ　
ｉｓ続され九トランシスＪＴ２或いは端子ＱＫ接続され
光トランジスタＴ４に関し。

Ｃ０★及び町、★或いはＣ＆。及びＲ４によ〉示されえ
等価のインピーダンスを有する。事実１図示され大対称
的な回路の場合、実質的ＫＲ０■ＲＬＱ★及びＣニー１
−Ｃ工大が得られる。Ｎチャネルトランジス／Ｔ１及び
Ｔ３は値Ｃ，を有する等価の；ンデンサとして図示され
ている。

電源端子ＶＣＣＫ印加され大電圧の変化を示す第４図に
＠Ｌ該デｄイスの動作にりいて説明する。

通常の動作の段階Ｉでは電源電圧ＶＣＣは例えばＳ−ル
トの７リツデフ■ツｆＯ通常の動作電圧である。この構
成ではニレメン）　’ｒｉｌｌ及び７Ｍ２Ｃ）ダートと
ソース−基板間で印加され大電圧は約５＃ルトであ）％
それはこれらのエレメントのしきい１・ 値状層を変えるには不充分である。従って７リツ屑４ １７０ツデの動作上Ｏ蓄積分岐の唯一の影響はＷａＳエ
レメントの存在による接続点Ｑ汽び♂δ付加的容量性負
荷にある０本発明０１１１１１な特徴によると注目すべ
きことに、これらのエレメントのグ四グラムを生起しな
いアリツブフロラｌの状態の変化の間ＭＮＯ８エレメン
トに印加されえ５Ｍシルト電圧はこれらのエレメントの
老化を生起しない。

これらの状態では双安定アリツブフロラｆは無限数の状
態の変化を提示し得る。

記憶の段階厘では端子ｖＣＣでの電圧は、　ＭＮｏｓエ
レメントのしきい値電圧に作用するため、基準電圧であ
るＩＩ４いレベルに壇で１例えばｌＳＩルトｔで瞬間的
に上る。この状態では１８＃ルトの正又は負の電圧がＭ
！ＩＪＯ１ｌエレメントＴ目及び’ｒＭ２のｒ−トとソ
ース−ｔａ覆板間印加される６’ｌＫ％　　７リツｆ　
ｙ　ａツブの最後の状態でｑが高レベル、Ｑが低レベル
にあると仮定すると、ニレメン）　ＴＭＩはそのｒ　ト
上ＫＯ＆ルトの電圧をそのソース及び基板上に１８−ル
トの電圧を印加され、他方ニレメン）７Ｍ２ｔｉそのｅ
−）上で１８−ルトの電圧をそのソース及び基板上でＯ
−ルトの電圧を印加されている。従ってニレメン）　’
ｒＭ１はその低いしきい値電圧に、ニレメン）　ＴＭ２
は高いしきい値電圧Ｋｆログラムされそいる。従ってＯ
Ｋ等しｖｈｒ−トーソース電圧に対しニレメン）　ＴＭ
Ｉはディｌレージ冒ンされ九状＠ＫＴｏＤ、即ちドレイ
ンとソース間で導電されておシ（低いインピーダンス）
、他方エレメント’ｆ’Ｍ２はエンハンスメン１］ＩＫ
６Ｌ即ちドレインとソース間でし中断されている（高い
インピーダンス）、ζＯ＆！憶段階はコンデンサ３及び
５の存在による静電流の流れなしに生じる。従って回路
の消耗は非常に低い。

もちろんＩｓｖから１８ＶへＯ電源電圧の変化は速いが
、しかしコンデン！３及びｓＯ中を循環する動電流を考
慮する場合充分ではない。

この配憶段階後、デノ考イスの通常の動作が復帰され、
ＭＮＯＩエレメントの記憶された状態によシ、記憶の時
に存在するその状態にフリップフロップをリセットする
ことが可能になる。しかし通常、記憶段階の次には、そ
の間にｔ皓、電圧ｖＣＣ及び制御信号ＣＢが零のレベル
にあるか或いは浮動している蓄積段階■が来る。再びメ
イナ電ツク状態のごく僅かな影響を４えるため１８Ｖか
ら０又は５Ｖへの電圧の変化がおこなわれる。

第４図の段階■に示されているようにフリップフロップ
をリセットするため、電源電圧ｖＣＣか賓然再印加され
る。

この状態における等価電気回路図では−１，■数キロオ
ーム、Ｒｔｍ２り数百メダオーム、０．０１ｐＦの範囲
でＣＬＱＩＩＣ５Ｑ＊、数中ロオームの範囲でＲＬ−Ｒ
ＬＱ＊テあり、ｃ、はｏ、１ｐｙｏ範囲である。

Ｂ１！の高い値から判断して接続点ＱＯ側のコンデンサ
５は作動していないと考えられ得る。従つて電源電圧の
変化ａｖｃｃ　Ｋ対し、その結果生じる変化ａｖ♂及び
−ｖＱは次０ｊｌｌｊｌ’ｔ’Ｔｏる。

ｄｙ＊−４７ｃｃ−隻ｉ５−＋　　ａｖｃｃ’　　　　
　ｃ＋ｃヨ＋Ｃ１ ｃ　、　ｃＮ及びＣ４の前記夫々の値では、即ちＣ）Ｃ
，）ＣＬでは、Ｖ−はｖＣＣのようにかなシ変化し、他
方Ｖ、祉わずかしか変化しない、従って７リツデフロ’
ｌｆは、ｖ”、ｙｖｃｃＫｒＬｎｔ、、他方ｖＱは基準
電圧ｋとど壕る状１１に位置し、これは初期記憶論理状
１１に対応する。

この結果を得ゐためＫは回路は実際メイナイツタ状態に
なければならず、即ち電−電圧ＶＣＣの立上）時間は大
きな容量性効果を得るのに充分短くなければならない、
換言すればこの立よｐ時間は時定数−ＬＣｗ及び１ｔｉ
ｕ　（ＣＴＣヨ）よりもかな）短くな叶れば電らな−、
前記数値ではこれらの時定数はマイターセカンドの範囲
にあるということが注目されゐ。

技術的〈は、第２図に図示され九回路はｄルク又は絶縁
基板上でｃｖｏｓ技術を用いて作製され得る。絶縁基板
の場合トランジスタは当然互いに絶縁されている。バル
ク技術の場合ＮチャネルトランジスタＴｌ及びＴ３とＭ
ＮＯＳ　ＮチャネルエレメントＴＭＩ及びＴＭ２とはｐ
ｇアイ２ンドに打込まれている。これらのアイランドは
アースか、或いは図示されたようＫこれらのアイランド
に含壕れゐＮチャネルトランジスタのンースかに接続さ
れている。浮遊ダイオードアイランｙ基板は所定の接合
命ヤ／ｆＶタンスを有してお）、その破壊電圧は回路に
印加された電圧よ如も高く、その浮遊電流はごく僅かで
ある。

した、＃記従来型のフリップフロップは対称的な蓋であ
り、例え蓄積ニレメン）　’ｒＭ１及び直の２つのしき
い値開の距離が減少し１．これらのｆ／４イスが老化し
九としても、満足し得るように作動するためには出来ゐ
だけ対称的でなければならなかさ った。又蓄積分岐の不在中に所与の状態に自動的に’Ｊ
−にットされる非対称アリツブフロップを提供し、この
ツリツプフレツデと連結された蓄積エレメントがその低
いインピーダンス状態にある時、そのような非対称フリ
ッグフ箇ツブに、このアリツブフロップを他Ｏ状態＆ｌ
−にットし得る１個の点対 蓄積分岐を連結させることが可能である。そのような非
対称ツリッグツ胃りデの制御モーＰ＃ｉ前記モーｙと同
じである。この構造の利点は用いられ友シリコンの表面
が減損するヒとであるが、欠点は非対称的フリツプフ田
ツデ社対称的ツリッデフロツプよ〕も感度が低いとｉう
ことであ）、これ拡特に、そのようなフリップフロップ
は満足すべ龜動作を提供するためＭＮＯ８ニレメンＦの
オツ状態とオン状態間のよ〉大暑な相異を必要とすると
いうことを意味する。

第Ｓ図及び第６１ｉｌは夫々そのような非対称回路のダ
イナ２ツク状態での具体例と等価電気回路図を示す、コ
ｙデンｔ３と蓄積エレメ／　）　ＴＭｌとを漫乱 含む蓄積分岐が抑制された。蓄積ニレメン）　’ｒＭ２
が高いインピーダンスを有する時、自動的リセッはその
ような状態が記憶された時接続点ｑでの〇上で復帰され
ゐことを可能にする。この結果を得るため１ＣはＣＭ及
びＣＸｚｊ）も高くなるように選択されねばならず、こ
れらの値はｃｌ、★及びＣ工よりも高い、しかし更Ｋｓ
　ＲＬ＠”はｉＬ、。より４低く、Ｃ□はＣ８−よｐも
高く、ｃ工★はｃＬＱよ）も高くすることによ〉非対称
が作られねばならない・ そのような非対称と前記関係とを得る九め、トランジヌ
タＩｒ：１及びｉ鵞の表面はトランジスタ〒３及びＴ４
の表面よりも高くしてよい。

第７図は本発明ｔ）　＄Ｊ　Ｏ＾具体例示しておｐｌこ
Ｏ具体例では従来の対称的フリップフロッグｌａもは中
椙補１１Ｍ０１ｉ）テｙジスタを含んでいないが、Ｌ＋
Ｌエンハンスメントデイデレーシ冒ン１１Ｍ０Ｂトツｙ
ジスＩＯ結合を含んでいる。このツリツブ７０ツデは４
＠のｙチャネルトランジスタテ１１乃至Ｔ１４を含んで
いる。トランジス／’ｒｌｌ及びＴ１２はトランジスタ
？１３及びＴ１４と同様直列Ｉｌ！続されている。トラ
ンジスタｉｌｌ及び丁１３はエンハンスメント型であ夛
、即ちそれらは通常オフ状態にあ夛、トランジスタテ１
２及びＴ１４はディプレージ璽ン臘であシ、即ち通常は
オンである。トランジスタＴＩ２及びＴ１３のｒ−）は
互いに接続されてお択トランゾスタＴｌｌ及び〒１２０
ドレイン／ソース接合に接続されている。トランジスタ
Ｔｌｌ及びＴ１４０ｒ−トはトランジスタテ１３友びＴ
１４のドレイン／ソース接続と相互接続されている。

蓄積分Ｖ蓄積エレメントとは第２図に関する前記説明と
同様に接続されている。第７図に図示された双安定フリ
ップフロップはそれ自体全知である。それについては、
本発明がフリップフロップの特定の型の使用に限定され
ないという事実を強調するためにのみ説明された。従来
の７リツプフロツグがエンハンスメント／ディグレージ
冒ン型Ｎチャネルトランジスタの結合を用いる場合、現
在ではそのようなフリップフロップと結合させることが
技術的に簡単であ夛、浮動ｒ−））ランジスタは蓄積エ
レメントＴＭＩ及び７Ｍ２を構成する。

前記変形は、特別に第２図に、よ〉一般的には館１図に
図示された基本回路になされ得ゐ変形の例にすぎない、
轟然本発明から外れることなく他の変形も可能であ如、
特に前記変形は結合され得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によゐ不揮発性フリップフロップの一般
的な図式図、第意図は従来型のフリップフロップが相補
蓋Ｍ０８トランジスタを含むことを特徴とする本発明に
よるデバイスの第１０具体例を示す説明図、第３図はＩ
イナ電ツタ状態での第意図の回路の等価電気回路図、第
４図はその様々な動作段階中デバイスに印加された電源
電圧を示す説明図、第５図はフリップフロップが対称的
でな−ことを特徴とする本発明によるデバイスの第２０
具体例を示す説明図、第６図はグイナにツク状態での第
５図の回路の等価電気回路図、第７図は従来のアリッグ
フ賞ツブがエンハンスメント／ディプレージ曹ン１１Ｍ
０１ｌ）ランジスタを鳴むことを特徴とする本発明によ
るデバイスの第３の具体例を示す説明図である。 １・・・フリツデフａツデ、２．４−・・蓄積エレメン
ト、３．トーコンデン賃、〒１．〒２．Ｔ３．〒４−ト
ランジスタ。 代理人斧暑士今　　村　　　　元

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　電源電圧と基準電圧間に接続された相補接続
   点Ｑ及び匂を有する従来ＩＩＭＤｓトランジスタフリッ
   ｌフ■ツｌを具備しえ不揮発性蓄積７リツ１７謬クデで
   あって、上記不揮発性蓄積７リツｆ７０ツデは更に少〈
   と％ｌりの蓄積分岐回路を有してか）１分岐ａｉｓｏ各
   々が不揮脅性蓄積エレメント（電気的Ｋ　ｆ　ｖｓダツ
   為され得るしきい値電圧ＭＤＩ　）ランジスりと；ンデ
   ンナとの直列ｍｓ回路を有してお勤、各々ｏ：１ｙｆｙ
   すの端子は電源電圧に接続されておｌ、Ｉ１１分岐回路
   の蓄積エレメントの主端子Ｃ）１方と制御端子とは夫々
   接続点ｑ及び接続点ＱＫ接続され％第２分岐回路Ｏ蓄積
   エレメｙ）に関しては逆Ｋ１１ｌ続されており、更に７
   リツｌツロツデの迷電Ｏ動作を可能にする第ルベルと、
   ７リツ７’７１１ツｆｔ）状ｓｌｔ記憶するため蓄積エ
   レメントを調整し得る筒型レベル間での電源電圧を変え
   るための手段を含んでお）％鍵記手段は又電圧を零から
   第ルベルに央然変えることが可能であり、従って７リツ
   ｔフロク／を記憶された状態に自動的にリセットするこ
   とを特徴とするメイナ々ツクリ竜ツト機能を有する不揮
   発性蓄積７リクノフＩ３フグ。
2. （２）従来蓋の７リツデツ四ツｆは相補型トランジスタ
   を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   Ｏ不揮発性蓄積フ９ツデフ―ツデ。
3. （３）　　従来型のツリツｆｙｓツーはエンハンスメン
   １ｒイデレーシ璽ン型トランジスタを有することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記職の不揮発性蓄積７リ
   ツｆ２０ツｌ。
4. （４）蓄積エレメントはＭＮＯ！ｌ　ｍｌであ）、その
   基板はそのソースに接続されていることを時機とする特
   許請求の範囲第２項に記載の不揮発性蓄積ツリッデフ關
   ツｌ。
5. （５）　　蓄積エレメントは浮動ｒ−）ｍｌ）！１１！
   であることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の
   不揮発性蓄積フリップフロップ。 ロツｆ＃′ｉ対称的であることを特徴とする特許請求０
   １１１！ｌｌ１１１［Ｋ記載（Ｄ不ｍｊｌ性１積ｙ　ｕ
   　ｙ　ｆ　ｙ　ｗツブ。 ン／ソース接続によシ４１１０接続点に接続されたフリ
   ップフロップのエレメントは第１接続点に接続されえエ
   レメントよ）もより大きな表面を占めることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の不揮発性蓄積７１）１
   ７’フーツグ。