JPS58805B2 - 絶縁電線 - Google Patents
絶縁電線Info
- Publication number
- JPS58805B2 JPS58805B2 JP15515678A JP15515678A JPS58805B2 JP S58805 B2 JPS58805 B2 JP S58805B2 JP 15515678 A JP15515678 A JP 15515678A JP 15515678 A JP15515678 A JP 15515678A JP S58805 B2 JPS58805 B2 JP S58805B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polypropylene
- molecular weight
- wire
- film
- average molecular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁電線、特に低分子量ポリプロピレン皮膜
によって潤滑性を付与したエナメル線に関するものであ
る。
によって潤滑性を付与したエナメル線に関するものであ
る。
従来、エナメル線の製造において、エナメル線は自動巻
線機において苛酷な機械的摩耗と伸長歪みを受け、この
ためにエナメル皮膜は機械的な損傷を受けやすく、この
損傷部から電気絶縁不良、即ちレアーショートを発生す
ることが多い。
線機において苛酷な機械的摩耗と伸長歪みを受け、この
ためにエナメル皮膜は機械的な損傷を受けやすく、この
損傷部から電気絶縁不良、即ちレアーショートを発生す
ることが多い。
本発明の目的は、自動巻線時の絶縁皮膜の機械力損傷を
低減するために皮膜に潤滑性を付与したエナメル線を提
供することにある。
低減するために皮膜に潤滑性を付与したエナメル線を提
供することにある。
本発明の特徴はエナメル皮膜に潤滑性を付与するために
低分子ポリプロピレンの薄膜を絶縁皮膜上に形成したこ
とにある。
低分子ポリプロピレンの薄膜を絶縁皮膜上に形成したこ
とにある。
本発明で用いる低分子ポリプロピレンとしては書法によ
り合成したものを用いても、或は市販品を用いてもどち
らでもよい。
り合成したものを用いても、或は市販品を用いてもどち
らでもよい。
市販の低分子ポリプロピレンとしては三洋化学(株)の
ビスコール660−P(平均分子量3.Or+、1.、
同じくビスコール550−P(平均分子量4,000)
、千葉ファインケミカル(株)のビスタックL(平均分
子量5,000〜20,000のグレード品)、ビスタ
ックCC(平均分子量io、ooo〜30,000のグ
レード品)等がある。
ビスコール660−P(平均分子量3.Or+、1.、
同じくビスコール550−P(平均分子量4,000)
、千葉ファインケミカル(株)のビスタックL(平均分
子量5,000〜20,000のグレード品)、ビスタ
ックCC(平均分子量io、ooo〜30,000のグ
レード品)等がある。
平均分子量が1,000〜30.000の低分子ポリプ
ロピレンの熱軟化点はいずれも160℃以下である。
ロピレンの熱軟化点はいずれも160℃以下である。
本発明において低分子ポリプロピレンの平均分子量を1
,000〜30,000とした理由は、1ρ00以下で
は余りに低分子のため脆く、十分なる機械的特性を発揮
出来ないためである。
,000〜30,000とした理由は、1ρ00以下で
は余りに低分子のため脆く、十分なる機械的特性を発揮
出来ないためである。
また、平均分子量が30,000以上の低分子ポリプロ
ピレンでは熱軟化点が高くなり、エナメル塗装時の高温
流動性が底下するためである。
ピレンでは熱軟化点が高くなり、エナメル塗装時の高温
流動性が底下するためである。
ポリプロピレンの熱軟化点を160℃以下とした理由は
エナメル塗装時における発泡を防止するためである。
エナメル塗装時における発泡を防止するためである。
即ち、熱軟化点が160℃以上のポリプロピレンを主成
分とする溶液のエナメル塗装では、焼付温度が200℃
以上となるため、ポリプロピレンの急激なる熱分解が生
じ、ポリプロピレン皮膜が発泡不良となるためである。
分とする溶液のエナメル塗装では、焼付温度が200℃
以上となるため、ポリプロピレンの急激なる熱分解が生
じ、ポリプロピレン皮膜が発泡不良となるためである。
潤滑層のポリプロピレンの皮膜厚さは薄く形成されてい
ればよく、特に限定されないが、実用上2μ以下で十分
である。
ればよく、特に限定されないが、実用上2μ以下で十分
である。
本発明において用いるエナメル線は実用されているエナ
メル線ならどれでもよく、例えばホルマール線、ポリウ
レタン線、ポリエステル線、ポリエステルイミド線、ポ
リアミドイミド線等の各種エナメル線を用いることが出
来る。
メル線ならどれでもよく、例えばホルマール線、ポリウ
レタン線、ポリエステル線、ポリエステルイミド線、ポ
リアミドイミド線等の各種エナメル線を用いることが出
来る。
以下に本発明の比較例および実施例を示す。
なお、潤滑性の評価は静摩擦係数の大小により行った。
比較例1
導体径1.0mm96皮膜厚0.036mmの1種ポリ
エステル線の静摩擦係数は0.13〜0.17であった
。
エステル線の静摩擦係数は0.13〜0.17であった
。
比較例2
平均分子量900のポリプロピレン5gをトルエン95
gに分散溶解させる。
gに分散溶解させる。
この溶液の入った塗装タンクへ導体径1.Omrrt9
Zf、皮膜厚Q、036mmの1種ポリエステル線を通
過させ、ダイスにより絞゛つてから炉長6m、炉温20
0℃の加熱炉中を22m1mmの速度で通過させて焼付
けした。
Zf、皮膜厚Q、036mmの1種ポリエステル線を通
過させ、ダイスにより絞゛つてから炉長6m、炉温20
0℃の加熱炉中を22m1mmの速度で通過させて焼付
けした。
得られた自己潤滑性エナメル線の潤滑層厚さは0.00
1mmであったが、爪でこすると潤滑層が脆く剥れてし
まった。
1mmであったが、爪でこすると潤滑層が脆く剥れてし
まった。
比較例3
平均分子量31,000でかつ熱軟化点が175℃のポ
リプロピレン5gをトルエン95.9に分散溶解させる
。
リプロピレン5gをトルエン95.9に分散溶解させる
。
この溶液を比較例1に準じて1種ポリエステル線LOm
rnにl上に塗布焼付けした。
rnにl上に塗布焼付けした。
得られた自己潤滑性エナメル線の外観は肌荒れと発泡が
生じ、その静摩擦係数は0.12〜0.13であった。
生じ、その静摩擦係数は0.12〜0.13であった。
実施例1
平均分子量1,000のポリプロピレン5gをトルエン
95!!−に分散溶解した。
95!!−に分散溶解した。
この溶液を比較例2に準じて1種ポリエステル線LOm
vt96上に塗布焼付けした。
vt96上に塗布焼付けした。
得られた自己潤滑性エナメル線の外観は良好で、爪でこ
すっても剥れず、その静摩擦係数は0109〜0.10
であった。
すっても剥れず、その静摩擦係数は0109〜0.10
であった。
実施例2
平均分子量4,000のポリプロピレン5gをトルエン
95gに分散溶解させる。
95gに分散溶解させる。
この溶液を比較例2に準じて1種ポリエステル線1.0
mm96上に塗布焼付けした。
mm96上に塗布焼付けした。
得られた自己潤滑性エナメル線の外観は良好で、爪でこ
すっても剥れず、その静摩擦係数は0.09〜0.10
であった。
すっても剥れず、その静摩擦係数は0.09〜0.10
であった。
実施例3
平均分子量30,000のポリプロピレン5gをトルエ
ン95.9に分散溶解させる。
ン95.9に分散溶解させる。
この溶液を比較例2に準じて1種ポリエステル線LOm
ytgi上に塗布燐寸けした。
ytgi上に塗布燐寸けした。
得られた自己潤滑性エナメル線の外観は良好で、爪でこ
すっても剥れず、その静摩擦係数0.09〜0.10で
あった。
すっても剥れず、その静摩擦係数0.09〜0.10で
あった。
本発明では潤滑性を付与するためにエナメル皮膜の上に
ポリプロピレンの薄膜を形成しているが、エナメルワニ
スの中にポリプロピレンを添加したのち塗布焼付しても
同様の効果をうろことができる0 しかし、この方法ではワニスに濁りが発生しやすく皮膜
と導体との密着性が低下する場合が多いので、導体上に
通常のワニスを塗布焼付した方が望ましい。
ポリプロピレンの薄膜を形成しているが、エナメルワニ
スの中にポリプロピレンを添加したのち塗布焼付しても
同様の効果をうろことができる0 しかし、この方法ではワニスに濁りが発生しやすく皮膜
と導体との密着性が低下する場合が多いので、導体上に
通常のワニスを塗布焼付した方が望ましい。
低分子ポリプロピレンの皮膜をエナメル皮膜のような絶
縁皮膜上に形成することによって絶縁皮膜に潤滑性が付
与され、自動巻線時の機械的損傷が低減し、レアーショ
ート不良を防止することができ、コイルの信頼性が向と
する。
縁皮膜上に形成することによって絶縁皮膜に潤滑性が付
与され、自動巻線時の機械的損傷が低減し、レアーショ
ート不良を防止することができ、コイルの信頼性が向と
する。
また、この潤滑性が付与されるため、コイル挿入力が向
上し、エナメル線間が密に巻かれ、コイルの占積量が増
加する。
上し、エナメル線間が密に巻かれ、コイルの占積量が増
加する。
また、ポリプロピレンは疎水性であるため、水分の浸透
を防止し、疎水性が一段と向上する。
を防止し、疎水性が一段と向上する。
自動巻線時の機械的損傷を低減するためにナイロンをオ
ーバコートしたものに比べて、低分子ポリプロピレンは
処理ワニスとの接着性がよく、また導体上にワニスを塗
布焼付した上にポリプロピレンを添加したワニスを塗布
焼付すれば簡単なダブルコートのために製造工程が簡単
で量産性が更に改善される。
ーバコートしたものに比べて、低分子ポリプロピレンは
処理ワニスとの接着性がよく、また導体上にワニスを塗
布焼付した上にポリプロピレンを添加したワニスを塗布
焼付すれば簡単なダブルコートのために製造工程が簡単
で量産性が更に改善される。
第1図は本発明の一実施例である絶縁電線の横断面図を
示したものである。 1:絶縁電線、2:導体、3:エナメル皮膜、4:ポリ
プロピレン層。
示したものである。 1:絶縁電線、2:導体、3:エナメル皮膜、4:ポリ
プロピレン層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1平均分子量1,000〜30,000であって熱軟化
点が160℃以下の低分子ポリプロピレンの皮膜を絶縁
皮膜上に形成してなることを特徴とする絶縁電線。 2低分子ポリプロピレンの皮膜の厚さを2μ以下とした
特許請求の範囲第1項記載の絶縁電線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15515678A JPS58805B2 (ja) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | 絶縁電線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15515678A JPS58805B2 (ja) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | 絶縁電線 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5581416A JPS5581416A (en) | 1980-06-19 |
JPS58805B2 true JPS58805B2 (ja) | 1983-01-08 |
Family
ID=15599747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15515678A Expired JPS58805B2 (ja) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | 絶縁電線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58805B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117605U (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-24 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4749894A (en) * | 1985-03-11 | 1988-06-07 | Ebara Corporation | Submersible motor using a water-tight wire as the primary winding |
FR2792450B1 (fr) * | 1999-04-15 | 2001-06-01 | Cit Alcatel | Fil electrique de bobinage resistant en immersion totale |
-
1978
- 1978-12-15 JP JP15515678A patent/JPS58805B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117605U (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-24 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5581416A (en) | 1980-06-19 |
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