JPS5875923A - ゲ−トタ−ンオフサイリスタの点弧制御装置 - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタの点弧制御装置

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Publication number
JPS5875923A
JPS5875923A JP56175334A JP17533481A JPS5875923A JP S5875923 A JPS5875923 A JP S5875923A JP 56175334 A JP56175334 A JP 56175334A JP 17533481 A JP17533481 A JP 17533481A JP S5875923 A JPS5875923 A JP S5875923A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
energy
transistor
thyristor
voltage source
gate turn
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56175334A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Mizohata
文雄 溝畑
Shinichiro Hayashi
伸一郎 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP56175334A priority Critical patent/JPS5875923A/ja
Publication of JPS5875923A publication Critical patent/JPS5875923A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/73Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ゲートターンオフサイリスタの点弧制御装
置に関する。
ゲートターンオフサイリスタの消弧には、点弧エネルギ
ーに比してかなり、大^な消弧エネルギーを必要とする
為、上記した種類の点弧制御装置は、従来、点弧用と消
弧用の2種類の電源を具えており、この為、回路構成が
複雑となり、信頼性が低下する恐れがあるという欠点が
あった。
この発明は、上記した従来のもの\欠点を除去する為に
なされたもので、変圧器に複数タップを設けて一つの交
流電源から、点弧エネルギー、消弧エネルギー及び負バ
イアス電圧を夫々与えるだめの正電圧源、2つの負電圧
源を得る構成としたことにより、従来に比して全体の回
路構成を簡単にし、信頼性を高めることがでAるゲート
ターンオフサイリスタの点弧制御装置を提供することを
目的とする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
図において、1は変圧器で、その−次巻線n1には交流
の矩形波電圧が印加される。変圧器1の二次巻線n、は
、中性点タップT0の他、中間のタップ’r、 l T
tを有し、両巻線端のタップT3. T4が夫々ダイオ
ード6.7を介して共通の信号線1”2に接続されると
共に中間のタップ’r、’、 ’r、の間にダイオード
ブリッジ8が接続されている。この為、ダイオードブリ
ッジ8は、中間タップT1及びT2の夫々と中性点タッ
プ3間の巻線部分2及び3の誘起電圧を整流して直流側
端子8a、8bに夫々正電圧と負電圧を出力し、かくし
て正電圧源9と負電圧源10が作られる。まだ、ダイオ
ード6及び7は、夫々巻線部分2,4及び3,5に誘起
される電圧を整流して絶対値において上記負電圧より大
きい負電圧を出力し、負電圧源11を作る。
正電圧源9の電圧は、電流制限抵抗13、点弧側のトラ
ンジスタ14を介してゲートターンオフサイリスタGT
Oのゲート−カソード間に加えられる。トランジスタ1
40ベース・エミッタ間にはトランジスタ15が挿入さ
れており、該トランジスタ150ペースは抵抗16およ
びトランジスタ17のコレクターエミツクを介して負電
圧源10側に接続されている。18はフォトカプラーで
あって、そのトランジスタ18a  はトランジスタ1
70ペースと中性点タラ110間に挿入され、人力18
bには点弧指令信号が入力される。
トランジスタ17のコレクタ電位は、ダイオード19を
介して消弧用のトランジスタ210ベースに与えられ、
該ベースは更に抵抗20を介して中性点タップT。に接
続されている。このトランジスタ21は負電圧源10側
とトランジスタ14のエミッタ間に挿入されており、そ
のコレクタ電位は電流制限抵抗22を介してトランジス
タ24のベースに与えられる。トランジスタ24け中性
点タップT。と負電圧源11側との間に挿入されており
、ベースは更にダイオード23を介して中性点タップT
。側に接続されている。トランジスタ24のコレクタ電
位は、抵抗25.27及びコンデンサ26からなる微分
回路を介して消弧用のトランジスタ28のベースに与え
られる。該トランジスタ28は正電圧源9側と負電圧源
11111!1間に挿入されている。29はコンデンサ
であって、中性点タップT0と負電圧源11との間に挿
入されている。30及び31は夫々ツェナーダイオード
及び阻止ダイオードである。
次に、この装置の動作VCついて説明する。
点弧指令信号がフォトカプラー18の人力18bに加え
られると、該フォトカプラー18が導通し、トランジス
タ17が導通ずる。トランジスタ17の導通により、正
電圧源9から該トランジスタ15のエミッターベース、
抵抗16を通してベース電流が流れる為トランジスタ1
5が導通し従ってトランジスタ14が導通する。この結
果、正電圧源9から、電流制限抵抗13、トランジスタ
14、ゲートターンオフサイリスGTOのゲートカソー
ド間を通って変圧器1の中性点タップT。に電流(点弧
信号)が流れる。この時、トランジスタ21はオフされ
ている為、他のトランジスタ24 、28も非導通状態
にある。。
次に、ゲートターンオフサイリスタGTOを非導通にす
る為、点弧指令信号の供給を止めると、トランジスタ1
7,15.14は非導通となり、上記点弧信号は無くな
るが、トランジスタ17の非導通によりダイオード19
がカットオフされる為、変圧器1の中性点タップT。か
ら抵抗20を通してトランジスタ210ベース電流が流
れ該トランジスタ21が導通する。トランジスタ21が
導通すると、トランジスタ24が導通し、抵抗25.2
7及びコンデンサ26からなる微分回路を通してパルス
がトランジスタ28のベースに供給されるので該トラン
ジスタ28が微小時間だけ導通する。
この結果、コンデンサ29に、図示極性に充電されてい
た電荷がゲートター/オフサイリス□りGTOのゲート
−カソード間、トランジスタ28のコレクタ、エミッタ
を通って放電されるため、ゲートターンオフサイリスタ
は瞬時に大缶な消弧エネルギーを受けて非導通となる1
、ゲートターンオフサイリスタGTOが非導通となった
後は、トランジスタ21が導通している為、中性点タッ
プT。、ゲートターンオフサイリスタGTOのゲート−
カソード間、トランジスタ21を通して負電圧源10の
電圧が負バイアス電圧としてゲートターンオフサイリス
タGTOのゲート、カソード間に加わる。
以上の如く、この発明によれば、装置を交流電源から絶
縁する変圧器の二次巻線に複数のタップを設けて一つの
上記交流電流から、点弧エネルギーを供給する正電圧源
、消弧エネルギーを与える負電圧源及び負バイアス電圧
を与える他の負電圧源を得る構成としたことにより、ゲ
ートターンオフサイリスタのゲート−カソード間に、点
弧に当って上記正電圧源を挿入する回路、消弧に当って
上記消弧エネルギーを短時間放出せしめる回路と上記他
の負電圧源を挿入する回路を設ければよいので、従来に
比して全体の回路構成を簡単にすることができ、信頼性
を高めることがで勇る上、小形化による経済的効果を得
ることがでへる。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明によるゲートターンオフサイリスタの点弧
制御装置の実施例の回路図である。 図において、1・・・変圧器、 2〜5・・・巻線部分、  6,7・・・ダイオード、
8・・・ダイオードブリッジ、9・・正電圧源、10・
・・負電圧源、  11・・・負電圧源、14.15,
17,21.24.28・・・トランジスタ、18・・
・フォトカプラー、29・・・コンデンサ、n2・・・
二次巻線、To・・・中性点タップ、T1〜T、・・・
タップ、 GTO・・・ゲートターンオフサイリスタ。 代理人  葛 野 信 −

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 点弧指令信号に応答して点弧エネルギー、消弧エネルギ
    ーをゲートターンオフサイリスタに与する点弧制御回路
    において、変圧器二次巻線に中性点タップを設け、両端
    電圧を整流して上記消弧エネルギーを与える第1の負電
    圧源とすると共に更に複数のタップを設け、該タップ電
    圧を整流して上記点弧エネルギーを与える正電圧源と消
    弧期間中上記ゲートターンオフサイリスタに負バイアス
    電圧を与える第2の負電圧源を得ることを特徴とするゲ
    ートターンオフサイリスタの点弧制御装置。
JP56175334A 1981-10-30 1981-10-30 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの点弧制御装置 Pending JPS5875923A (ja)

Priority Applications (1)

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JP56175334A JPS5875923A (ja) 1981-10-30 1981-10-30 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの点弧制御装置

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JP56175334A JPS5875923A (ja) 1981-10-30 1981-10-30 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの点弧制御装置

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Publication Number Publication Date
JPS5875923A true JPS5875923A (ja) 1983-05-07

Family

ID=15994249

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56175334A Pending JPS5875923A (ja) 1981-10-30 1981-10-30 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの点弧制御装置

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JP (1) JPS5875923A (ja)

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