JPS5875855A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、樹脂封止型半導体装置に間し、更に詳しくは
、耐湿性および高温電気特性に優れた樹脂封止型半導体
装置に関する。

樹脂封止型半導体装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）　
、大規模集積回路（ＬＳＩ）、）ランジスタ、ダイオー
ド等の半導体素子を、外部雰囲気や機械的衝撃から保護
するために１熱硬化性樹脂を用いて封止して成るもので
ある。

半導体素子の封止技術として、従来社、金属やセラミッ
クス等を用いるハムメチツタ封止が採用されていたが、
最近では、経済的に有利であるという理由から、樹脂封
止が主流を占めている。

かかる半導体封止用樹脂としては、大量生産に適する低
圧）ランスファ成形法に使用可能な、低圧成形用エポキ
シ樹脂組成物が一般に広く使用されている。しかしなが
ら、例えば、エポキシ梅脂、ノーラックｆｌｙエノール
樹脂硬化剤、イ之ダゾール硬化促進剤等から成るニーキ
シ樹脂組成物を、トランスファ成形して得られる従来の
樹脂封止型半導体装置には次のような欠点がある。即ち
、（１）耐湿性が劣るために１アル１ニウム電極などが
腐食劣化すること、 （２）　　高温時における電気特性が劣り、特に、リー
ク電流が増加するために、半導体素子の機能が低下する
こと、 である。これらのうち（１）につψて説明するとＳ樹脂
封止型半導体装置は高温高温雰囲気下で使用または保存
することがあるので、そのような条件下にお−ても信頼
性を保証・しなければならない。耐湿性の品質保証のた
めの信頼性評価試験としては、ｓ　ｓ’ｔｔたは１２０
℃の飽和水蒸気中に暴露する加速評価法が行なわれてい
る。最近では電圧を印加して更に加速性を高めたバイア
ス印加型の評価試験も実施されている。

しかし工４キシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体装
置では、封止樹脂が吸湿性を有するために、水分が外部
雰囲気から封止樹脂層を介して、或い社封止樹脂とり−
ド７し一ムの界面を通って内部に浸入し、半導体素子の
表面にまで到達する。

この水分と封止樹脂中に存在する不純物等の作用の結果
として樹脂封止型半導体装ｗｈアル１＝ウム電極、配に
等の腐食による不良を発生する。またバイアス電圧を印
加した場合には、その電気化学的作用によってアルミニ
ウム電極、配線の腐食による不良が特に奢しく多発する
。

次に（２）について説明すると、樹脂封止型半導体装置
は高温条件下で使用することがあるので、そのような条
件におい′Ｃも信頼性を保証しなければならない。その
ための評価試験としては８０℃〜１５０℃でバイアス電
圧を印加して信頼性を評価する加速試験か一般的である
。

このような試験において例えば、半導体表面が外部電荷
に鋭敏なＭＯ８構造を有する素子や、逆バイアスが印加
されたＰＮ接合を有する素子略に特に著しく多発する不
良として、チャネリングによるリーク電流の増加する現
象がある。この現象は電圧が印加された素子の表面に接
している封止樹脂層に電界が作用するととｋより発生す
るものと考えられる。

従来の樹脂封止型半導体装置は上記した欠点を有するも
のであるために１その改良が求められていた。本発明は
、かかる欠点を解消せんとしてなされたものであり、そ
の目的は、優れた耐湿性および高温電気特性を有する樹
脂封止型半導体装置を提供するｋある。

本発明者らは、上記目的を達成すべく紗意研兜を重ねた
結果、イミメゾール痔の硬化促進剤か上記欠点を形成す
る主要因であることを解明した。

そして、半導体を封止する樹脂体の成形材料として、次
に示すエポキシ樹脂組成物を使用することｋより、半導
体装置の耐湿性および高温電気特性が向上することを見
出し、本発明を完成するに＠つな・ 即ち、本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子と
該半導体素子を被覆する樹脂封止体とを具備して成る樹
脂封止製半導体装置にお−て、前記樹脂封止体が、 （荀　工４キシ当量１７０〜３００を有する）がラック
フッｆキシ樹脂、 （ｂ）　　ノがラック型フェノール樹脂、（Ｃ）　　有
機ホスフィン化合物、 および （ｄ）　　有機リン醗化合物 を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴と
するものである。

以下において、本発明を更に詳しく説明する。

本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、次のものから成る
。

本発明において使用されるエポキシ樹脂は、エポキシ当
量が１７０〜３００の値を有するノがう、ツタ型エポキ
シ樹脂であれば、いかなるもので１使用可能であり、例
えば、フェノール性がラック型エポキシ樹脂、タレゾー
ルノボラックフッ４キシＩ脂、八−ｒン化フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂略が挙げられる。かかるエポキ
シ樹脂は、１種もしくは２種以上のものを混合して用い
ることができ、更に１これらに他のニーキシ樹脂を混合
して用−て４よい。他のエポキシ樹脂としては、例工ば
、ビスフェノールム溜エポキシ樹脂１１１のグリシジル
エーテルフッ４キシ樹脂、グリシツルエステルフッｌキ
シ樹脂、ダリシジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族
工Ｉキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、彼素環式ニーキシ
樹脂、ハロゲン化工ｆキシ樹脂等が挙けられ、これらか
ら選ばれた１柚もしくは２種以上のものを、ノがラック
型エポキシ樹脂に対し、ｓＯ重量−以下の量で配合する
ことがで禽る・また、本発明において使用されるエポキ
シ樹脂は、樹脂中に残存する塩素がアルにウム電極等の
腐食劣化の原因のひとつとなるために１含有される塩素
イオンｔｊ　１０　ｐｐｍ以下、加水分解性塩素は０．
１重量襲以下のものであることが望ましい。

本発明にお−て硬化剤として使用されるノボラック型フ
ェノール樹脂としては、例えば、フェノールノーラック
樹脂、クレゾールノがランク樹脂、ｔｅｒｔ−プチルフ
ェノールノがラック樹脂、ノニルフェノールツメラック
樹脂等が挙けられ、これらから選ばれた１種もしくは２
種以上のものが使用される。かかるノーラック１１フエ
ノール樹脂は、成形時における流動性等の作業性を考慮
すると、その軟化点が６０〜１２０℃の範囲内にあるこ
とが好ましく、また、低分子量の７工ノール成分は樹脂
特性劣化の原因となることから、常温におけろ水可溶性
のフェノール樹脂成分量が３重量襲以下であることが好
ましい。

ノがラック型フェノール樹脂の配合量は、エポキシ樹脂
中のエポキシ基の量との関係から適宜選択することが望
ましく、フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエ
ポキシ樹脂のエポキシ基の数の比が０．５〜１．５の範
囲にあることが望ましい。

フェノール性水酸基数／エポキシ基数の比が０．５未満
、或いは１．５を超えると、反応が充分に進行せず、硬
化物の特性が低下する。

本発明にお−て使用される有機ホスフィン（［１物は、
硬化促進剤としての機能を有するものであり、かかる化
合物を配合せしめることにより、半導体装置の耐濃性お
よび高温電気特性の向上ｔ・もたらされる。

仁のような有機ホスフィン化合物は、次記一般式ＣＩ）
　　　　ＲＩ Ｒ１＋　ｐ　　　　　　　（１） ３ 〔式中、Ｒ１１Ｒ１およびＲｓは、同一で４％なってい
てもよく、水素原子、アルキル基、フェニル基、）リル
基略のアリール基、シクロヘキシル基等のシフ−アルキ
ル基等で示される（式中、Ｒはアルカンを表わし、Ｒ’
およびＲ＃は、同一でも興なっていてもよく、水素原子
、アルキル基、フェニル基、）リル基略のアリール基、
シクロヘキシル基等のシタロアルキル基な表わす。ただ
し、Ｒ’およびｍｌが水素原子の場合を除く。） で示される基のように有機ホスフィンを含む有機基であ
って奄よい・ただし、Ｒ，、Ｒ，およびＲ３がすべて水
素原子である場合を除く。〕で示されるものであり、例
えば、トリフェニルホスフィン、トリノチルホスフィン
、トリシフ關へキシルホスフィン、メチルジフェニルホ
スフィン等の第３ホスフィン化合瞼、ブチル７エエルホ
スフイン、ジフェニルホスフィノ等の第２本スフィン化
合物、フェニルホスフィン、オクチルホスフィン尋の第
１ホスフィン化合物、およびビス（ジフェニルホスフィ
ノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エ
タン等の第３ビスホスフィン化合物が挙けられ、これら
から成る群より選ばれる１１１ＩＩもしくは２種以上の
１のが使用される。

これらの中でも、アリール本スフィン化合物を使用する
ことが好ましく、とりわけ、トリフェニルホスフィンな
どのトリアリールホスフィンが最も好ましい。

かかる有機ホスフィン化合物は、エポキシ樹脂およびフ
ェノール樹脂の総量に対して０．００１〜２０重量−の
量で配合することが好ましく、特に好ましくは、０．０
１〜５重量囁である。

本発明にお−て使用畜れる有機リン酸化合物は、分子内
にリン原子Ｋ［＊結合する酸素原子を有するもの、また
社、前記酸素原子の一部または全部が、イオウ、セレン
、およびテルルかも成る群より選ばれる１種もしく社２
種以上の原子により置換されたものを有する有機リン酸
化合物であればいかなるものでも使用可能であり、これ
らとしては、例えｄ、有機リン酸、有機リン酸エステル
、有機リン酸ア之ド、有機リン拳イミド、有機リン酸塩
等のモノリン酸化合物や、１分子内に２１ｉｉ以上のリ
ン原子を有する−１）９ン酸化合物等が挙けられる・こ
れらの有機リン酸化合物は、有機ホスフィン化合物との
相互作用によって、有機ホスフィン化合物単独使用の場
合より半導体装電の耐湿性および高温電気特性をより一
層改善することを目的として添加されるものである。

上記有機リン酸化合物のうち、有機リン酸は、リン原子
に直接結合する水酸基を有するものであり、これらとし
ては、例えｄ１エチルホスホン酸、フェニルホスホン酸
、（４−エチル７エエル）ホスホン酸、シクロヘキシル
ホスホン酸、メチレンビスホスホン醸、エチリデンビス
ホスホン酸、ジブチルホスフィン醗、ジフェニルホスフ
ィン酸、ブチルホスフィナス醗、フェニルホスフィナス
酸、ノエチルホスフイナス酸、ジフェニルホスフィナス
市等が挙けられる。

有機リン醸エステル化舎物は、リン原子に直接結合する
水酸基の水素原子の少なくとも１つが、アルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基等で置換されたものであり
、これらとしては、例えば、リン酸トリメチル、リン酸
トリエチル、リン酸）リブチル、リン醸、トリオクチル
、リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸タ
レシルジフェニル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸
シリメタクリｐキシプロピル、リン酸トリアリル、トリ
ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル等
のリン酸トリエステル化合物；りン醗ツメチル、リン酸
ジプチル、リン酸ノオクチル、リン酸ジフェニル、リン
酸ジクレシル、リン酸オクチル７エエル、リン酸ジアク
リロキシエチル等のリン酸ジエステル化合物；リン酸エ
チル、リン酸ブチル、リン酸オクチル、リン酸ドデシル
、リン酸オクタデシル、リン酸オレイル、リンｆａ７エ
二ル、リン酸メタクリｐキシンロビル等のリン酸モノエ
ステル化合物；亜リン酸トリエチル、亜すン蒙トリイソ
グロビル、亜リン酸トリオレイル、龜リン酸トリフェニ
ル、亜リン酸トリクレジル、亜すン酸トリステナリル、
蔦リン酸アリルジプチル等の亜すン酸トリエステル化合
物；亜リン酸ジイソプロピル、亜リン酸ジドデシル、亜
リン酸ジオレイル、亜リン酸ジフェニル、亜りン＃Ｉ２
チルフェニル等の亜すン酸ジエステル化合物；亜リン酸
ブチル、亜リン酸オレイル、亜リン酸ステアリル、亜リ
ン酸フェニル等の亜すン醗モノエステル化合物；次亜す
ン厳ジプチル、次亜リン＄　Ｓ）フェニル、次亜リン酸
オクチル、次亜リンｍフェニル等の次鈑すン酸エステル
化合瞼；エチルホスホン酸ジメチル、フェニルホスホン
酸ジエチル、フェニルホスホン酸ソフェニル、フェニル
ホスホン酸メチル、フェニルホスホン酸７善工を等のホ
スホン酸エステル化合物；ジエチルホスフィン酸メチル
、ジエチルホスフィン酸メチル、ジフェニルホスフィン
酸フェニル、エチルホスフィン酸フェニル、フェニルホ
スフィン酸フェニル等のホスフィン酸エステル化合物；
ブチルホスホナス酸ソエチル、フェニルホスホナス酸ジ
ツチル〜フェニルホスホナス醗ジフェニル等のホスホナ
ス酸エステル化合物；ジエチルホスフィナス酸プロピル
、ジフェニルホスフィナス＃フェニル、フェニルホスフ
ィナス酸フェニル、！チルホスフィナス酸エチル、フェ
ニルホスフィナス酸ブチル、ホスフィナス酸オクタｒシ
ル、ホスフィナス！１７エ二ル等のホスフィナス酸エス
テル化合物等が挙けられる。

リン酸アミド化合物は、上記リン酸エステル化合物のエ
ステル結合部位の一部または全部をア曙ド基に置換した
ものであり、これらとしては、例えげ、ヘキサメチルリ
ン酸トリアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド％　Ｎ
’−シクロヘキシル−Ｎ、　Ｎ、Ｎ’、　Ｎ’−テレチ
ェチルリン醗トリアミド、ヘキサキス（２−ヒトルキシ
エチル）リン酸アミド、Ｎ、　Ｎ’、　Ｎ“、Ｎ″−テ
シライソゾロぎルビｐリン酸アミド、ヘキサエチル亜リ
ン酸トリアミド、ヘキサメチル亜リン酸トリアミド、フ
ェニルホスホナス酸テＦラメチルシア之ド、Ｎ、　Ｎ’
−ジ７工二ルジアミドリンｌＩフェニルエステル、Ｎ、
Ｎ’２／シクロヘキシルシア之ドリン酸エチルエステル
、Ｎ−ジプチルアｔドリン酸、Ｎ、　Ｎ’−ジフェニル
シフ１ドリン酸ミＮ−ジエチルアミドリン酸モツプチル
エステル略が挙けられる。

リン酸イＲＰ化合物は、上記リン酸アミド化合物のアミ
ド結合部位がイ之ド基であるものであり、これらとして
は、例えば、フェニルイミドリン酸トリエチルエステル
、フェニルイミドリン酸トリツチルエスーテル等が挙げ
られる。

有機リン酸塩化合物社、前記有機リン酸及び有機リン酸
エステル化合物等のカルシウム塩、バリウム塩、アルミ
ニウム塩、コパルＹ塩、鉄塩、亜鉛塩、ナトリウム塩、
マグネシウム塩、アンモニウム塩等であり、これらとし
ては、例えば、フェニルホスホン酸カルシウム、ドデシ
ルホスホン酸バリウム、ソオクチルホスフイン酸ナトリ
ウム等が挙けられる。

また、本発明の有機リン蒙化合物は、上記した有機リン
酸化合物において、リン原子に直接結合している酸素原
子の一部また社全部が、イオウ、セレノおよびテルルか
ら成る群より選ばれる１種もしくｌｌ１２種以上の原子
により置換されたものであってもよい。かかる有機リン
醗化合物としては、例えば、フェニルチオホスホン酸、
フェニルジチオホスホン酸、フェニルセレノホスホン酸
、プチルテルノホスホン酸、ジフェニルチオホスフィン
酸、フェニルチオホスフィナス醗等の有機リン酸−；チ
オリン酸トリブチル、チオリン酸トリオクチル、チオリ
ン酸トリフェニル、チオリン酸トリクレジル、チオリン
酸ゾオクチル、チオリン酸ジフェニル、チオリンーオタ
タデシル、チオリン酸フェニル、千オ亜すン酸Ｆリオレ
イル、チオ亜リン酸トリ７エ二ル、チオ亜すン酸シトｒ
シル、チオ亜すン酸ジフェニ、ル、チオ亜リン酸オレイ
ル、千オ亜リン酸ステアリル、フェニルチオホスホン酸
ジエチル、フェニルチオホスホン酸ジフェニル、フェニ
ルチオホスホン酸７エ刑ル、チオ次亜リン酸ジフェニル
、／／フェニルチオホスフィン酸フェニル等の有機リン
酸エステル類；ヘキサメチルチオリン酸トリアミド、ヘ
キサエチルチオ亜リン酸トリアミド等の有機リン酸アミ
ド類等が挙けられる。

更に１本発明の有機リン酸化合物は、１分子中にリン原
子を２個以上有する有機ポリリン酸化合物であつ【もよ
−０かかる有機ポリリン酸化合物としては、次記一般式
（ｎ） （式中％　Ｒ４〜Ｒ，ａ、同一でも異なり【いてもよく
、水素原子、水酸基、炭素原子Ｗ１１〜４０を有するア
ルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、シフ
−田ヘキシル基等のシクロアルキル基、リン酸エステル
残基、リン酸アミドへ基、リン酸塩残基な表わし、Ｒ８
は、酸素原子、炭素原子数１〜４０を有するアルキレン
基、フェニレン基、シリレン基等のアリーレン基、シク
ロヘキシレン基略のシクロアルキレン基を表わし、Ｒｓ
及びＲ８は、ユニット毎に同一で１異なっていてもよい
。また、ｎ　ｉｆ　１以上の整数である。ただし、Ｒ４
〜Ｒ１の少なくとも１つは有機基である。） で示される化合物、また社次記一般式（ｍ）− （式中、Ｒ，、Ｒ，、は、同一でも異なって−てもよく
、★たＲ３゜は、ユニット毎に同一でも異なっていても
よく、水素原子、水酸基、炭素原子数１〜４０を有する
アルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、シ
クロヘキシル基等のシクロアルキル基、リン酸エステル
残基、リン酸ア虐ド残基、リン酸塩残基な表わし、Ｒ□
、　Ｒ，Ｉけ、同一でも異なっていてもよく、またＲＩ
！はユニット毎に同一でも興っていてもよく、酸素原子
、炭素原子数１〜４０を有するアルキレン基、フェニレ
ン基。

トリレン基等のアリーレン基、シクロヘキシレン基等の
シフ四アルキレン基を表わし、ｍは２以上の整数である
。ただし、Ｒ０〜Ｒ１２の少なくとも１つは有機基であ
る。） で示される環状ポリリン−化合物が挙けられる。

本発明において使用される有機リン酸化合物は、上記し
た有機リン酸化合物から成る群より選ばれる１１ｍもし
くは２種以上の屯のが使用される。

かかる有機リン醸化合物は、エポキシ樹脂およびフェノ
ール樹脂の総量に対して０．００１〜１０ｊ１１量憾の
量で配合することが好ましい。

本発明のエポキシ樹脂組成物社、上記した成分の他に、
無機質充填剤および各種添加剤を含むものであってよい
。

上記無機質充填剤としては、例えｄ１石英ガラス粉末、
結晶性シリカ粉末、ガラス繊維、タルク、アルミナ粉末
、ケイ酸カルシウム粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バ
リウム粉末、マグネシア粉末塾が挙けられ、これらから
成る群より１ｌｔｆれる１棟もしくは２種以上のものが
使用される。これらのうちで、石英ガラス粉末、結晶性
シリカ粉末を用ψることが、高純度および低熱診張係歌
を有することから好まし−０ かかる無機質充填剤の配合蓋は、使用するエポキシ樹脂
、フェノール樹脂および無機質充填剤の柚１ｉＩ＋によ
って適＊ＪＩ訳する必要があるが、例えｄ１トランスフ
ァ成形に使用する場合には、エポキシ樹脂およびフェノ
ール樹脂の総置に対し、重量比で１．５〜４倍程度が好
ましい。また−１無機質充填剤の粒径は、適宜選択して
使用すれｄよく、粒子の粗いものと細かいものを組み合
わせて混合することにより、成形性を改善することがで
きる。

また、各種添加剤としては、例えば、天然ワックス類、
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金１ｊｌ＆塩、噛アミド
類、エステル類、ノ臂ファイン類等の陰型剤、塩素化パ
ラフィン、ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三
酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック等の着色
剤、およびシランカツノリング剤等を、目的に応じ、適
宜添加配合したものであってよい。

以上の組成から成るエポキシ樹脂組成物を、半導体封止
用成形材料として調製するＫは、通常の方法を用いれば
よく、例えば、所定の１合篇の原料混合物を、ミキサー
等によって充分混合後、史に熱田−ル等による溶融混合
処理を施すか、またはニーダ−等による混合処理を施す
ことにより、容易にエポキシ樹脂組成物から成る成形材
料を得ることができる。

本発明にかかるエポキシ樹脂組成物を混合するには、そ
れぞれ秤量した各成分を同時に混合してもよいが、一部
の成分な予め混合しておき、かかる混合物に残りの成分
を加えたものでもよい。後者の場合には、２柚もしくは
それ以上の成分を、粉＊状謝で混合するか、歳いは加熱
溶融して混合し、てもよい。本発明において社、有機本
スフィン化合物と有機リン酸化合物を予め溶融混合した
ものを使用することができる・有機リン酸化合物がエポ
キシ樹脂および硬化剤に分散しにくい場合または有機リ
ン酸化合物の配合量が少ない場合には、有機ホスフィン
化合物と有機リン酸化合物を予め混合して才、＜ことか
好ましψ。

本発明の樹脂封止型半導体装ｍｕ、上記エポキシ樹脂組
成物から成る成形材料を用−て、例えば、ＩＣ，ＬＳＩ
、　　）ランジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導
体装置を封止することによシ製造することができる。か
かる封止方法は、一般に採用されている方法でよく、例
えに、低圧トランスファ成形法、インジエクシ四ン成形
法、圧縮成形法、注型法等が挙けられ、なかでも、低圧
シランスファ成形法を用いることが好ましい。更に、特
殊な封止法である、溶剤型または非港剤型組成物を用い
て半導体表面を被覆する封止法や、所謂ジャンクション
コーティングとしての局部的な封止法によることも可能
である。尚、封止ＩＩＭ＆の硬化ＯＣ除しては、１５０
℃以上の温度において硬化せしめることが好ましい。

以下にお−て、実施例を描け、本発明を史に鮮しく説明
する。

実施例１〜７ エポキシ樹脂としてエポキシ当社２２０を有するタレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂を用い、硬化剤として分
子量８００を有するフェノールノがラック樹脂を用い、
有機ホスフィン化合物としてトリ７エエルホスフインを
用−１有機リン酸化合物としてフェニルホスホン酸、リ
ン陳トリフェニル、亜リン酸トリステアリル、亜すンｆ
ｓジ７工二ル、リン酸オクタデシルカルシウム塩、トリ
ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル、
チオリン醸トリフェニルを用い、他に、石英ガラス粉末
（無機質充填剤）、三酸化アンチモン（ＩＩ燃剤）、カ
ルナバワックス（ｍｌ型剤）　、カーボンブラック（着
色剤）およびｒ−グリシドキシグロビルトリメトキシシ
ラン（シランカップリング剤）を用いて、表−ＩＫ示す
ような配合（重量Ｎ）でエポキシ樹脂組成物（実施例１
〜７）を調―した。同時に、比、較例として、有機ホス
フィン化合物または有機リン瞭化合物を用いなかったも
の、或いは硬化促進剤としズイミダゾール化合物（２−
メチルイミダゾール）を用いたもの（比較例１〜５）を
それぞれ調製した。

表−１ かかるニーキシ樹脂組成物を、それぞれミキサーにより
混合し、次いで加熱ロールにより混錬して成形材料を得
た。

このようにして得た成形材料を用いて、トランスファ成
形を行ない、ＭＯ８１１集積回路を樹脂封止した・封止
は、高周波予熱器で９０℃に加熱した成形材料を１７５
℃で２分間モールドし、更に１１８０℃で３時間アフタ
キュアすることｋより行なった。

上記方法により、それぞれのエポキシ樹脂組成物な用い
て、１００ｇ宛樹脂封止型牛導体装置を作製し、次の試
験を行なった。

（１）　　耐湿試験（バイアスＰＣＴ）：１２０℃、２
気圧の水蒸気中にお−てＩＯＶ印加し、腐食によりアル
ミニウム配線の断線が発生した不良品の累積不良率（襲
）を経時的に調べた。

、、１１： （２１ＭＯＳ−ＢＴ試験：１００℃のオープン中におψ
て、オフセットｒ−）ＭＯＳ　　ＦＥＴ回路にドレイン
電圧ｓｖ、オフセットｒ−シ電圧５ｖを印加して、リー
ク電流値が初期値の１００倍以上に増加した時１点を↑
良と見做し、発生した不良品の累積不良率（％）を経時
的に調べた。

耐湿試験の結果を表−２に、高温電気特性な＾ぺるため
のＭＯＳ−ＢＴ試験の結果を表−３にそれぞれ示す。

崗、比較例３および４＃′ｉ硬化速度が遅いため成形で
き表かった。

表−３ 表から明らかなように、本発明に係わる工４キシ４１１
脂組成物を用いて封止した樹脂封止掴半導体装置は、ア
ル１ニウム配線等の腐食が大きく低減され、リーク電流
の増加による半導体素子の機能低下もなく、耐湿性およ
び高温電気特性が極めて優れたものであることが確認さ
れた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と該半導体、素子を被覆する樹脂封止体
   とを具備して成る樹脂封止型半導体装置において、前記
   樹脂封止体が翫 （ｊＬ）　　エポキシ当量１７０〜３００を有するノボ
   ラックフッ４キシ樹脂、 （ｂ）　　ノボラックｌ！Ｉフェノール樹脂、（ｃ）　
   　有機ホスフィン化合物、 および （ｄ）　　有機リン酸化合物 を含むニーキシ樹脂組成物゛の硬化物であることを特徴
   とする樹脂封止型半導体装置０２、有機リン酸化合物が
   、有機リン酸、有機リン酸エステル、有機リン酸アミド
   、有機リン酸イミドおよび有機リン酸塩から成る群より
   選ばれる１種もしくは２種以上のものである特許請求の
   範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。 ３、有機リン酸化金物がリン原子に直接語−合する酸素
   原子を有するものである特許請求の範囲第１項記載の樹
   脂封止型半導体装置。 ４、有機リン酸化合物が、リン原子に直壁結合する酸素
   原子の一部また社会部が、イオウ、セレンおよびテルル
   から成る群より選ばれる１種もしく社２種以上の原子に
   より置換されたものである特許−求の範囲第３項記載の
   梅脂封止−半導体装置。 ５、有機ホスフィン化合物が、エポキシ樹脂およびフェ
   ノール樹脂の総量に対し０．００１〜２０重量襲配合さ
   れて成る特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体
   装置。 ６、有機リン酸化合物が、エポキシ樹脂およびフェノー
   ル樹脂の総量に対し０．００１〜１０重量憾配合されて
   成る特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置
   。 ７、　ニーキシ樹脂組成物として、有機ホスフィン化合
   物と有機リン酸化合物とを予め粉体混合または溶融混合
   して成る混合物を用−る特許請求の範囲第１項記載の樹
   脂封止型半導体装置。 ８　エポキシ樹脂組成物が、更に、無機質充填剤を含ん
   で成る特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装
   置。