JPS5855437A - 塩化ビニルモノマ−を選択的に吸着回収する方法 - Google Patents
塩化ビニルモノマ−を選択的に吸着回収する方法Info
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- JPS5855437A JPS5855437A JP15065181A JP15065181A JPS5855437A JP S5855437 A JPS5855437 A JP S5855437A JP 15065181 A JP15065181 A JP 15065181A JP 15065181 A JP15065181 A JP 15065181A JP S5855437 A JPS5855437 A JP S5855437A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低沸点成分を含む塩化ビニル七ツマ−から塩化
ビニルモノ！−（以下単ＫＶＣＭと略称する）を選択的
かつ高収率下に吸着回収する方法に関するもＯである。
ビニルモノ！−（以下単ＫＶＣＭと略称する）を選択的
かつ高収率下に吸着回収する方法に関するもＯである。
重合原料であるＶＣＭｔｐＫは微量のエチレン、プロピ
レン、メチルクロライド勢の低沸点成分が含まれてｉる
が、当該重合原料を塩化ビニル重合プロセスに用いた場
合、ＶＣＭＯ重合によって未反応残留ガス中にはＶＣＭ
の他に上記低沸点成分が濃縮して残留することｋなる・ 従って未反応残留ＶＣＭを再び重合原料として回収再有
用する場合、上記低沸点成分の蓄積が生じ、ＶＣＭ重合
の障害とを多重合製品の品質の低下を生ずる・ 一方活性炭は一般に有機性物質をよく吸着するが、その
中て炭素数の多いもＯｍ、又極性の弱いもの程優先的に
吸着する選択吸着性をもつことがｉられている。
レン、メチルクロライド勢の低沸点成分が含まれてｉる
が、当該重合原料を塩化ビニル重合プロセスに用いた場
合、ＶＣＭＯ重合によって未反応残留ガス中にはＶＣＭ
の他に上記低沸点成分が濃縮して残留することｋなる・ 従って未反応残留ＶＣＭを再び重合原料として回収再有
用する場合、上記低沸点成分の蓄積が生じ、ＶＣＭ重合
の障害とを多重合製品の品質の低下を生ずる・ 一方活性炭は一般に有機性物質をよく吸着するが、その
中て炭素数の多いもＯｍ、又極性の弱いもの程優先的に
吸着する選択吸着性をもつことがｉられている。
そこで従来において４ｈこの活性炭の特性を利用し低沸
点成分を含むＶＣＭ原料ガスよＩＶｃＭＯ遥択吸着なら
σに脱着回収を行う方法として低沸点成分を含むＶＣＭ
原料ガスを固体徴収剤層に導入し該吸着剤ＫＶＣＭを吸
着させ、該吸着剤がＶＣＭで破過される前に前記ＶＣＭ
原料ガスの導入を止め、吸着剤からＶＣＭＩ回収する方
法が提案されている（％開昭５１−７６２０３号）。
点成分を含むＶＣＭ原料ガスよＩＶｃＭＯ遥択吸着なら
σに脱着回収を行う方法として低沸点成分を含むＶＣＭ
原料ガスを固体徴収剤層に導入し該吸着剤ＫＶＣＭを吸
着させ、該吸着剤がＶＣＭで破過される前に前記ＶＣＭ
原料ガスの導入を止め、吸着剤からＶＣＭＩ回収する方
法が提案されている（％開昭５１−７６２０３号）。
これ（対し本発明は複数Ｏｆ！に着床を使用してこれに
低沸点成分を含むＶＣＭ原料ガスを直列に導入し、ＶＣ
Ｍの破過帯が導入方向前段の吸着床から後段の吸着床に
移行した時点で上記低沸点成分を含むＶＣＭ原料ガスの
導入を前段吸着床から後段吸着床に切換えてＶＣＭＯ吸
着を続行すると共ＫＶＣＭＪｉ科ガスの導入を止めた前
段吸着床の吸着剤を加熱してＶＣＭを真空減圧下に回収
するようにしたもので、更に又上記のＶＣＭの破過帯の
移行を低沸点成分及び／又ｉｊＶｃＭＯ吸着熱に起因す
る局部的温度上昇によって検出すること轡を特徴とした
ものである・今ＶＣＭ原料ガスに含まれる低沸点成分と
してメチルクロライド（以下率ＫＭｅＣＬと記す）をｆ
ｌＫとると、Ｍ＠ＣＬはＶＣＭＫ比し活性炭に対する選
択吸着特性が弱いため、Ｍ＠Ｃ７はＶＣＭが活性炭Ｋａ
着されると共に押し出され、ＶＣＭ破過帯の前方にＭｅ
ＣＬが換纏して存在する。
低沸点成分を含むＶＣＭ原料ガスを直列に導入し、ＶＣ
Ｍの破過帯が導入方向前段の吸着床から後段の吸着床に
移行した時点で上記低沸点成分を含むＶＣＭ原料ガスの
導入を前段吸着床から後段吸着床に切換えてＶＣＭＯ吸
着を続行すると共ＫＶＣＭＪｉ科ガスの導入を止めた前
段吸着床の吸着剤を加熱してＶＣＭを真空減圧下に回収
するようにしたもので、更に又上記のＶＣＭの破過帯の
移行を低沸点成分及び／又ｉｊＶｃＭＯ吸着熱に起因す
る局部的温度上昇によって検出すること轡を特徴とした
ものである・今ＶＣＭ原料ガスに含まれる低沸点成分と
してメチルクロライド（以下率ＫＭｅＣＬと記す）をｆ
ｌＫとると、Ｍ＠ＣＬはＶＣＭＫ比し活性炭に対する選
択吸着特性が弱いため、Ｍ＠Ｃ７はＶＣＭが活性炭Ｋａ
着されると共に押し出され、ＶＣＭ破過帯の前方にＭｅ
ＣＬが換纏して存在する。
そこでＶＣＭＯ飽和吸着層部にはＭ＠Ｃ４は下記の２成
分系混合吸着式 ％式％ ＮＶＣＭはＶＣＭの飽和吸着量 ＮｖｃＭ” はＶＣＭ及びＭ＠Ｃｔの二成分の全圧
に等しい圧で単独に存在する場合のＶＣＭＯ飽和吸着量 ＮＭ＠Ｃ１扛Ｍ・Ｃｔの飽和吸着量 ＮＭ、ｃｔ” はＶＣＭ及びＭ＠ＣＬの二成分の全
圧に等しい圧で単独に存在する場合のＭ ｅ ＣＬの飽
和吸着量 て決定される量て存在する。
分系混合吸着式 ％式％ ＮＶＣＭはＶＣＭの飽和吸着量 ＮｖｃＭ” はＶＣＭ及びＭ＠Ｃｔの二成分の全圧
に等しい圧で単独に存在する場合のＶＣＭＯ飽和吸着量 ＮＭ＠Ｃ１扛Ｍ・Ｃｔの飽和吸着量 ＮＭ、ｃｔ” はＶＣＭ及びＭ＠ＣＬの二成分の全
圧に等しい圧で単独に存在する場合のＭ ｅ ＣＬの飽
和吸着量 て決定される量て存在する。
本発明はこの原ｍを利用してＶＣＭＯ回収とそのＩ収Ｖ
ＣＭに含まれるＭｅＣｊＯＶＣＭに対する比率を低下す
るようにしたものである。
ＣＭに含まれるＭｅＣｊＯＶＣＭに対する比率を低下す
るようにしたものである。
以下に本発明を活性炭を用いたＮ１ガス、Ｍ＠Ｃｔ。
ｖＣＭｏｌｌ＆合物の分離について説嘴する。崗活性炭
はその原料により性能が異るが、その活性炭ａ［Ｋ制約
されるものではない。
はその原料により性能が異るが、その活性炭ａ［Ｋ制約
されるものではない。
活性炭を充填した複数の吸着床にＮ、ガス、Ｍ・Ｃｔ及
びＶＣＭｏ混合物を原料ガスとして直列に導入すると、
前段の吸着床からは最初ＫＮ、ガスが流出し次いで濃縮
され友ＭｅＣＬが流出し最後１１ＣＶＣＭが流出するが
、更に原料ガスの導入を続けると流出物中ＯＭｅｃｔｇ
度が減少し、ついには原料ガスと同じ組成のガスが流出
する。
びＶＣＭｏ混合物を原料ガスとして直列に導入すると、
前段の吸着床からは最初ＫＮ、ガスが流出し次いで濃縮
され友ＭｅＣＬが流出し最後１１ＣＶＣＭが流出するが
、更に原料ガスの導入を続けると流出物中ＯＭｅｃｔｇ
度が減少し、ついには原料ガスと同じ組成のガスが流出
する。
そこで本発明ではＶＣＭ破過帯が前段吸着床より後段吸
着床へ移行した時点で低沸点成分を含むＶＣＭＯ導入を
前段吸着床から後段吸着床に切換えて後段吸着床を次工
程の前段吸着床としてＶＣＭを吸着させ、他方ガスの導
入を止めた当該前段の吸着床はその吸着剤を加熱してＶ
ＣＭを真♀減圧下に脱着回収する。この工程の繰返しＫ
よってＶＣＭの選択的吸着とその脱着回収を工業的に高
＊＠本かつ有利に実施するよう和したものである・ 又本発明では上記のＶＣＭ破過帯の移行を次ＯようＫＭ
＠Ｃｔ及び／又＃ｉＶＣＭ０１＆着熱に起因する局部的
温度上昇によって検出することＫも特徴を有している。
着床へ移行した時点で低沸点成分を含むＶＣＭＯ導入を
前段吸着床から後段吸着床に切換えて後段吸着床を次工
程の前段吸着床としてＶＣＭを吸着させ、他方ガスの導
入を止めた当該前段の吸着床はその吸着剤を加熱してＶ
ＣＭを真♀減圧下に脱着回収する。この工程の繰返しＫ
よってＶＣＭの選択的吸着とその脱着回収を工業的に高
＊＠本かつ有利に実施するよう和したものである・ 又本発明では上記のＶＣＭ破過帯の移行を次ＯようＫＭ
＠Ｃｔ及び／又＃ｉＶＣＭ０１＆着熱に起因する局部的
温度上昇によって検出することＫも特徴を有している。
即ち吸着床ｏｓｈｍ的温度上昇社濃縮されたＭ＠ＣＬ破
過帯の通過に伴って現われ、これがｊｌ過ぎると−たん
−下し次にＶＣＭ破過帯の通過忙より再びしかも急激な
温度上昇を来九し、ｖＣＭ破過帯の通過に伴って再び温
ｆは低下する。
過帯の通過に伴って現われ、これがｊｌ過ぎると−たん
−下し次にＶＣＭ破過帯の通過忙より再びしかも急激な
温度上昇を来九し、ｖＣＭ破過帯の通過に伴って再び温
ｆは低下する。
そこで本発明で社上記Ｏ慧ｇｃ１及び／又＃ｉｖＣＭ値
通帯の移行を前段吸着床のガス出口側或いは後段吸着床
のガス入口ｌＩＫ設置した温度検出器によシＭ＠ＣＬ及
び／又はＶＣＭｔｖ各破過帝の通過に伴う上記ＯＪＱ部
的部層温度上昇て検出し、ｖＣＭ破過帯の前段吸着床よ
り後段吸着床への移行を確実に知るよう和したものであ
る。
通帯の移行を前段吸着床のガス出口側或いは後段吸着床
のガス入口ｌＩＫ設置した温度検出器によシＭ＠ＣＬ及
び／又はＶＣＭｔｖ各破過帝の通過に伴う上記ＯＪＱ部
的部層温度上昇て検出し、ｖＣＭ破過帯の前段吸着床よ
り後段吸着床への移行を確実に知るよう和したものであ
る。
＠Ｍ＠ＣＬ破過帯の通過帯伴なって現われる温度上昇と
ＶＣＭ破過帯の通過に伴なって現われる温度上昇を比較
すると、前者より後者の方がその温度が高いので、工業
的ＫＦＪ後者０１１ｆ上昇を検出して吸着床の切換えを
した方が好ましい。
ＶＣＭ破過帯の通過に伴なって現われる温度上昇を比較
すると、前者より後者の方がその温度が高いので、工業
的ＫＦＪ後者０１１ｆ上昇を検出して吸着床の切換えを
した方が好ましい。
また温度検出器は後段ガス吸着床のｌス入ロ儒に設置す
る方がＶＣＭ破過帯の前段吸着床よシ俵段数着床へＯ移
行を直接知りうる利点はあるが、後段吸着床のガス入口
＠に温度検出器を設電する＃ｃ＃′ｉ装鐙的に難点があ
る。
る方がＶＣＭ破過帯の前段吸着床よシ俵段数着床へＯ移
行を直接知りうる利点はあるが、後段吸着床のガス入口
＠に温度検出器を設電する＃ｃ＃′ｉ装鐙的に難点があ
る。
そこで前段吸着床のガス出口ｌＩｋ温度検出器を設置し
、これをタイマーと組合せて温度検出器による検出時と
前段吸着床から後段吸着床へのＶＣＭ破過帯の移行時ま
での時間差をタイマーに与えること（よりＶＣＭ破過帯
の前段吸着床より後段吸着床への移行を間接的に５Ｄる
ようにするのが装置的に＃ｉ有利である。
、これをタイマーと組合せて温度検出器による検出時と
前段吸着床から後段吸着床へのＶＣＭ破過帯の移行時ま
での時間差をタイマーに与えること（よりＶＣＭ破過帯
の前段吸着床より後段吸着床への移行を間接的に５Ｄる
ようにするのが装置的に＃ｉ有利である。
このようｋして本発明によれば温度検出信号によって或
いは又温度検出器の位置によっては温度検出信号とメイ
！僅号と和よって原料ガスの前段吸着床から後段数着床
への導入切換えを調整制御するＯでＭ＠ＣＣ１１ＶＣよ
り確実に分離することが可能となる・ 次に原料ガスの導入を止めた当該前Ｒｆ！に着床社任意
の方法で加熱し真空減圧下ＫＶＣＭを脱着回収するが、
王妃の加熱方法として＃ｉ吸着床を間接的ｋかつ９０〜
２００ Ｋ：の温にに加熱するのが好ましく、又真空減
圧ＦｉＯ，０１Ｔｏｒｒ （ｍＨｇ ） ＞ら２５０Ｔ
ｏｒｒの範囲で行うことが好ましい・ 同、その際この真空減圧の範囲であれば吸着床（非凝縮
性ガスを吹込んても差支えない。
いは又温度検出器の位置によっては温度検出信号とメイ
！僅号と和よって原料ガスの前段吸着床から後段数着床
への導入切換えを調整制御するＯでＭ＠ＣＣ１１ＶＣよ
り確実に分離することが可能となる・ 次に原料ガスの導入を止めた当該前Ｒｆ！に着床社任意
の方法で加熱し真空減圧下ＫＶＣＭを脱着回収するが、
王妃の加熱方法として＃ｉ吸着床を間接的ｋかつ９０〜
２００ Ｋ：の温にに加熱するのが好ましく、又真空減
圧ＦｉＯ，０１Ｔｏｒｒ （ｍＨｇ ） ＞ら２５０Ｔ
ｏｒｒの範囲で行うことが好ましい・ 同、その際この真空減圧の範囲であれば吸着床（非凝縮
性ガスを吹込んても差支えない。
脱着回収終了後の前段吸着末社非凝縮性不活性ガスにて
復圧し吸着床を好ましくは０〜５０℃の範囲まで冷却器
し、ｆ！、ｓｔ擾段ｔｌ床区Ｌしｌ１、ろ。
復圧し吸着床を好ましくは０〜５０℃の範囲まで冷却器
し、ｆ！、ｓｔ擾段ｔｌ床区Ｌしｌ１、ろ。
以下に本発明Ｏ実ＩＩＩＡＮＩＩ！を図面を参照して説
明する・ 第１図においてＭｅＣｔ等の低沸点成分を含むＶＣＭは
拠ガスをキャリヤーとした原料ガスとして原料ガス導入
パイプ（６）を経て前段の吸着筒（２−１）０下部に導
入され、そこに充填された活性炭層α）に先ずＭｅＣｔ
が次−でＶＣ，、Ｍが選択的に夫々吸着され、中ヤリャ
ーＯＮ、ガスは後段の吸着筒（２−ｂ ）を介して流出
ガスパイプ（ηより流出される。
明する・ 第１図においてＭｅＣｔ等の低沸点成分を含むＶＣＭは
拠ガスをキャリヤーとした原料ガスとして原料ガス導入
パイプ（６）を経て前段の吸着筒（２−１）０下部に導
入され、そこに充填された活性炭層α）に先ずＭｅＣｔ
が次−でＶＣ，、Ｍが選択的に夫々吸着され、中ヤリャ
ーＯＮ、ガスは後段の吸着筒（２−ｂ ）を介して流出
ガスパイプ（ηより流出される。
置した温度発信器（５−ＪＬ）を通過するときＫ Ｍ
ｓ ＣＬの吸着熱に起因する局部的温度上昇及びＶＣＭ
Ｏ吸着熱に起因する局部的温度上昇を該温［Ｉａ信器
（Ｓ−りで夫々検知することによって各破過帯の通過を
知ることができる・ このようにして活性炭層ａ）中を上昇通過する間に濃縮
されたＭｅＣＬｕ直列吸着パイプ（ト４）を経て後段の
吸着１１ （２−ｂ ）の下部に導入されるが、ｖＣＭ
の破過帯が後段吸着ｆｉｌ（２−ｂ）の下部に移行した
時点で前段吸着１１（２−１’）への原料ガスの供給を
止め該原料ガスを後段吸着筒（２−ｂ ）の下部に引続
き導入する・ 上鮎の原料ガスの導入を前段吸着＊（２−りから後段吸
着筒（２−ｂ ）に切換える操作は前述の如く温度発信
器（５−１）によってＶＣＭ破過帯の通過を検出すると
同時に一定の時間差をもたせ友タイマー作動によってこ
れを行う・ 後段吸着筒（２−ｂ）ｅｃ導入された原料ガスについて
も前段吸着筒（２−４）における前述の操作と全く同様
廻してＭｅＣｔ及びＶＣＭＯ選択的吸着が行われる。（
５−ｂ）ｔｊその温度発信器であり、又Ｃ３−ｂ）は濃
縮Ｍｅｃｔを前段吸着筒（２−４）に送る乏めの直列吸
着パイプを示す。
ｓ ＣＬの吸着熱に起因する局部的温度上昇及びＶＣＭ
Ｏ吸着熱に起因する局部的温度上昇を該温［Ｉａ信器
（Ｓ−りで夫々検知することによって各破過帯の通過を
知ることができる・ このようにして活性炭層ａ）中を上昇通過する間に濃縮
されたＭｅＣＬｕ直列吸着パイプ（ト４）を経て後段の
吸着１１ （２−ｂ ）の下部に導入されるが、ｖＣＭ
の破過帯が後段吸着ｆｉｌ（２−ｂ）の下部に移行した
時点で前段吸着１１（２−１’）への原料ガスの供給を
止め該原料ガスを後段吸着筒（２−ｂ ）の下部に引続
き導入する・ 上鮎の原料ガスの導入を前段吸着＊（２−りから後段吸
着筒（２−ｂ ）に切換える操作は前述の如く温度発信
器（５−１）によってＶＣＭ破過帯の通過を検出すると
同時に一定の時間差をもたせ友タイマー作動によってこ
れを行う・ 後段吸着筒（２−ｂ）ｅｃ導入された原料ガスについて
も前段吸着筒（２−４）における前述の操作と全く同様
廻してＭｅＣｔ及びＶＣＭＯ選択的吸着が行われる。（
５−ｂ）ｔｊその温度発信器であり、又Ｃ３−ｂ）は濃
縮Ｍｅｃｔを前段吸着筒（２−４）に送る乏めの直列吸
着パイプを示す。
他方原料ガスの導入を止めた前段吸着筒（２−１）はそ
の活性炭層α）を加熱して真空発生設備（真空ポンプ）
（４）の作動により前段吸着筒（２−１）の内部を減圧
和することによって活性炭層α）［吸着されていたＶＣ
Ｍｔ説着させ冷却器０）で冷却して回収ＶＣＭパイプ（
９）を経てＶＣＭを回収する。このようにして前段吸着
筒（２−８）及び後段吸着筒（２−ｂ ’）での原料ガ
スの選択的吸着操作と各吸着筒に濃縮散着されたＶＣＭ
の脱着操作とを順次交互に反覆して行い、原料ガスから
連続してＶＣＭを選択的に吸着回収することができる。
の活性炭層α）を加熱して真空発生設備（真空ポンプ）
（４）の作動により前段吸着筒（２−１）の内部を減圧
和することによって活性炭層α）［吸着されていたＶＣ
Ｍｔ説着させ冷却器０）で冷却して回収ＶＣＭパイプ（
９）を経てＶＣＭを回収する。このようにして前段吸着
筒（２−８）及び後段吸着筒（２−ｂ ’）での原料ガ
スの選択的吸着操作と各吸着筒に濃縮散着されたＶＣＭ
の脱着操作とを順次交互に反覆して行い、原料ガスから
連続してＶＣＭを選択的に吸着回収することができる。
て操作に余裕をもたせるか或はいずれか１つの吸着筒を
予備として留保しうる例を示し友もので操作の本質はＩ
ＩＥＩ図Ｏ場合と同機である。
予備として留保しうる例を示し友もので操作の本質はＩ
ＩＥＩ図Ｏ場合と同機である。
以下に本発明の効果を明らかにするため第１図の装皺を
用いて行った具体的な実施例を示す。
用いて行った具体的な実施例を示す。
実施例
間接的に加熱、冷却を行うことができるジャケットを備
えた内径５２−７■、長さ２ｓの銅鋼製の前段吸着筒及
び後段吸着筒に夫々活性炭２０ＪＯｆを充填し又破過帯
Ｏ通過を検出するためＯ＠度針は充填活性炭層のガス流
出側より下方１００■の位置に夫々設置したー 先ず前段吸着筒の前記充填層＃Ｃ凡３５鳴、Ｎ＠Ｃｊ（
１１４鳴、ＶＣＭ６４．８６唾の混合ガスを原料ガスと
して常圧にて１４５ｔ／ｓｍ（空塔速度１０２ｃ＋＋ｗ
／ｓ＊）０流速で導入した・ この前段吸着筒の充填層Ｋｓ？いては原料ガスＯ導入開
始後、２時間４６分経過して上記ｏｗＦｔ計Ｏ指示温ｔ
＃ｉｓｏ℃に上昇したが、２時間５６分で−たん温ｆが
下降し、続いて温ｔｏ上昇が始ま９３時間１分に最高９
０℃まで上昇し再び温ｆ＃ｉ下がった。
えた内径５２−７■、長さ２ｓの銅鋼製の前段吸着筒及
び後段吸着筒に夫々活性炭２０ＪＯｆを充填し又破過帯
Ｏ通過を検出するためＯ＠度針は充填活性炭層のガス流
出側より下方１００■の位置に夫々設置したー 先ず前段吸着筒の前記充填層＃Ｃ凡３５鳴、Ｎ＠Ｃｊ（
１１４鳴、ＶＣＭ６４．８６唾の混合ガスを原料ガスと
して常圧にて１４５ｔ／ｓｍ（空塔速度１０２ｃ＋＋ｗ
／ｓ＊）０流速で導入した・ この前段吸着筒の充填層Ｋｓ？いては原料ガスＯ導入開
始後、２時間４６分経過して上記ｏｗＦｔ計Ｏ指示温ｔ
＃ｉｓｏ℃に上昇したが、２時間５６分で−たん温ｆが
下降し、続いて温ｔｏ上昇が始ま９３時間１分に最高９
０℃まで上昇し再び温ｆ＃ｉ下がった。
上記０５０℃の上昇温ｆｔｆＭ＠Ｃ４破過帯Ｏ通過を示
し、又９０℃の上昇温度はＶＣＭ破過帯の通過を示して
いる・ 前記０１１２針？９０℃Ｏビーク温ｆを検知後タイマー
作動によって原料ガスの前段吸着筒への導入を１４分間
継続させてから、前段吸着筒への原料ガスの導入を止め
、これを後段吸着筒に切換えて引続き原料ガスを後段吸
着筒へ導入した。
し、又９０℃の上昇温度はＶＣＭ破過帯の通過を示して
いる・ 前記０１１２針？９０℃Ｏビーク温ｆを検知後タイマー
作動によって原料ガスの前段吸着筒への導入を１４分間
継続させてから、前段吸着筒への原料ガスの導入を止め
、これを後段吸着筒に切換えて引続き原料ガスを後段吸
着筒へ導入した。
一方原料ガスの導入を止めた前段吸着筒はこれを加熱し
て充填層温度を１３０℃とし真！２ポンプにて４Ｔ＠ｒ
ｒまで減圧し、鋏充填層に吸着されているＶＣＭを脱着
回収した― 次に前段吸着筒の充填層はこれを４０ｔ：に冷却し次工
程にシける後段吸着筒として使用し、以下この操作を繰
返し行った・ そとて上記の吸着筒からの流出ガス及び回収ガスをガス
クロマド分析し夫々の濃度を測定した。
て充填層温度を１３０℃とし真！２ポンプにて４Ｔ＠ｒ
ｒまで減圧し、鋏充填層に吸着されているＶＣＭを脱着
回収した― 次に前段吸着筒の充填層はこれを４０ｔ：に冷却し次工
程にシける後段吸着筒として使用し、以下この操作を繰
返し行った・ そとて上記の吸着筒からの流出ガス及び回収ガスをガス
クロマド分析し夫々の濃度を測定した。
その結果を下記に示す。
ａ）流出ガス＃Ｉｆ
Ｎ露ガス ９９．５％から１００％
ＭｅＣ１未検出からｓ、ｏｏｏｐｐｍ
ＶＣＭ ＩＰＰｍ以下
（２）回収ガス組成
Ｎ、ガス ０．３６３鳴
ＭｅＣｔ Ｏ，１０７％
ＶＣＭ ９９．５３１
これ！ｔ）ＶＣＭＯ回収’Ｊ１１９９．９８唾以上、Ｍ
＠Ｃ１Ｏ除去率５０鳴という結果が得られた。
＠Ｃ１Ｏ除去率５０鳴という結果が得られた。
従って本発明によればＶＣＭからＭｅＣｔを５０唾以上
除去すると共に、流出ガス中のｖＣＭｆｌｋｆをｌｐｐ
ｍ以下とし、高収車下でＶＣＭ−ＩＩｘｉｉｉ１収でき
たことを示している。
除去すると共に、流出ガス中のｖＣＭｆｌｋｆをｌｐｐ
ｍ以下とし、高収車下でＶＣＭ−ＩＩｘｉｉｉ１収でき
たことを示している。
図面はいずれも本発明方法を適用したフローの例示図で
あり、第１８ｉ！Ｆｉ２床方式を、菖２図は３床方式を
夫々示す。 ｌ・−・・・・・・活性炭層 ２・・・−・−・・吸着筒 ３−・−・・・・冷却器 ４・・・・・・・−・真空発生設備 ５・・・−・・・・温度発信器 ６−−−−・・・・原料ガス導入パイプ７・・・・・・
・・・流出ガスパイプ ８−＝−・・１伺吸着パイプ ９−−−−−回収ＶＣＭパイプ 特許出願人 オルガノ株式会社 代理人 弁理士 高 橋 章
あり、第１８ｉ！Ｆｉ２床方式を、菖２図は３床方式を
夫々示す。 ｌ・−・・・・・・活性炭層 ２・・・−・−・・吸着筒 ３−・−・・・・冷却器 ４・・・・・・・−・真空発生設備 ５・・・−・・・・温度発信器 ６−−−−・・・・原料ガス導入パイプ７・・・・・・
・・・流出ガスパイプ ８−＝−・・１伺吸着パイプ ９−−−−−回収ＶＣＭパイプ 特許出願人 オルガノ株式会社 代理人 弁理士 高 橋 章
Claims (1)
- ｌ 低沸点成分を含む塩化ビニルモノ！−を複数の吸着
床ＫＩＩ列に導入して塩化ビニルモノマーを導入方向前
段（Ｄ＠、着床に吸着させ、塩化ビニル七ツマー破過帯
の移行を低沸点成分及び／又蝶塩化ビニルモノ！−の吸
着熱に起因する局部的温度上昇によって検出し、該破過
蕾が前段吸着床よ）ｉ１段吸着床へ移行した時点で上記
低沸点成分を含む塩化ビニルモノマーの導入を前段吸着
床から後段数着床に切換えて後段吸着床を次工程の前段
吸着床として塩化ビニルモノマーを吸着させ、又他方前
記の導入を止めた前段吸着床社七の吸着剤を加熱して塩
化ビニル七ツマ−を真空減圧下（脱着ｌ収することを特
徴とする塩化ビニル七ツマ−を選択的に＠着−収する方
法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15065181A JPS5855437A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 塩化ビニルモノマ−を選択的に吸着回収する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15065181A JPS5855437A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 塩化ビニルモノマ−を選択的に吸着回収する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855437A true JPS5855437A (ja) | 1983-04-01 |
| JPS6340409B2 JPS6340409B2 (ja) | 1988-08-11 |
Family
ID=15501497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15065181A Granted JPS5855437A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 塩化ビニルモノマ−を選択的に吸着回収する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855437A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249165A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-03 | 東京高圧株式会社 | 低温輸送方法及び装置 |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15065181A patent/JPS5855437A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249165A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-03 | 東京高圧株式会社 | 低温輸送方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6340409B2 (ja) | 1988-08-11 |
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