JPS58207798A - トランスジユ−サ - Google Patents
トランスジユ−サInfo
- Publication number
- JPS58207798A JPS58207798A JP9087982A JP9087982A JPS58207798A JP S58207798 A JPS58207798 A JP S58207798A JP 9087982 A JP9087982 A JP 9087982A JP 9087982 A JP9087982 A JP 9087982A JP S58207798 A JPS58207798 A JP S58207798A
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- Japan
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- base
- conductive
- ring
- conductive layer
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/01—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１光明の技術分野］
本発明はエレク１〜レット形」ンデンυ・マイクロホン
等に好適するトランスジューサに関りる。
等に好適するトランスジューサに関りる。
［１明の技術的前傾Ｊ
１−ンンスジ」−９、例えばエレクトレット形コンデン
サ・マイクしｊホンは、第１図に示すように、電（４１
１の−ｈの土表面にルクトレット化された＾分！誘電体
層２を形成しＣ構成した固定？［３を、１１１１形の基
台４の上端に支持させ、この固定電極３の上端にスペー
サリング５を介して振動膜６の張架され１．：股リング
７を柚重ね、金属製ケース８をこれら１ｋｘ ｖＪ１１
２６、膜リング７、スペーサリング５おＪ、び話合４に
被ｔｉ’ｌｎ台４の十偉１で折曲するようにかしめた構
造を有している。
サ・マイクしｊホンは、第１図に示すように、電（４１
１の−ｈの土表面にルクトレット化された＾分！誘電体
層２を形成しＣ構成した固定？［３を、１１１１形の基
台４の上端に支持させ、この固定電極３の上端にスペー
サリング５を介して振動膜６の張架され１．：股リング
７を柚重ね、金属製ケース８をこれら１ｋｘ ｖＪ１１
２６、膜リング７、スペーサリング５おＪ、び話合４に
被ｔｉ’ｌｎ台４の十偉１で折曲するようにかしめた構
造を有している。
なお、符号９および１０は、同定電極３に設けた連通孔
および電極１から一体的に突出して基台４を間通ずる外
部出力端子である。
および電極１から一体的に突出して基台４を間通ずる外
部出力端子である。
このルり］−レット形」ンデンザ・マイクロホンは、固
定電極３の外部出力端？１０を一方を出ノＪ端とし、振
ｖＪ膜７に形成された尋′１１ｉ薄膜（図示せず）に接
続された金属製ケース８を他りの出力端どして、固定電
極３と振動膜６間の間隔の変化に応じた容量変化を介し
て音戸ｊ信号を外部に出力づるものである。
定電極３の外部出力端？１０を一方を出ノＪ端とし、振
ｖＪ膜７に形成された尋′１１ｉ薄膜（図示せず）に接
続された金属製ケース８を他りの出力端どして、固定電
極３と振動膜６間の間隔の変化に応じた容量変化を介し
て音戸ｊ信号を外部に出力づるものである。
［を景技術の問題点］
しかしながらこのように構成された従来のルクトレツト
形コンデン１ノ・マイク【コホンは、基台４、固定電極
３、スペーサリング５および膜リング７をそれぞれ積層
してＬからキｔシップ状のケース８を被ヒてかしめた構
造となっているので、各構成部品間の気密が保ら難く特
性がばらつき易い欠点がある。
形コンデン１ノ・マイク【コホンは、基台４、固定電極
３、スペーサリング５および膜リング７をそれぞれ積層
してＬからキｔシップ状のケース８を被ヒてかしめた構
造となっているので、各構成部品間の気密が保ら難く特
性がばらつき易い欠点がある。
さらにま１＝、構成部品が多いことから、形状が小型化
しにクク、組立が面倒で製造コストの低減を達成し難い
難点がある。
しにクク、組立が面倒で製造コストの低減を達成し難い
難点がある。
［発明の目的］
本発明はこのような欠点を解消するためになされたもの
で、部品点数が少なく構造が簡単で、各構成部品間の気
密も十分な特性の安定した安価なトランスジューりの提
供を目的とする。
で、部品点数が少なく構造が簡単で、各構成部品間の気
密も十分な特性の安定した安価なトランスジューりの提
供を目的とする。
［発明の概要］
この目的を達成するために本発明は、絶縁基板の下面に
この絶縁基板より大径の導電層を設け、上面にはこの絶
縁基板より小径の電極およびこの電極と間隔をおいてこ
れを囲む支持層を形成し、この支持層に上記電極と所定
の間隔で対向する振動膜を引鵞架するとともに、上記導
電層を曲げ加工して上記絶縁基板および支持層に被せて
なることを特徴し、スパー１ノリングおよびケースを省
略しく形状の小形化Ｊｊ Ｊ、び嶋産性の向−［を図っ
たもの−（°ある。
この絶縁基板より大径の導電層を設け、上面にはこの絶
縁基板より小径の電極およびこの電極と間隔をおいてこ
れを囲む支持層を形成し、この支持層に上記電極と所定
の間隔で対向する振動膜を引鵞架するとともに、上記導
電層を曲げ加工して上記絶縁基板および支持層に被せて
なることを特徴し、スパー１ノリングおよびケースを省
略しく形状の小形化Ｊｊ Ｊ、び嶋産性の向−［を図っ
たもの−（°ある。
］ｙこ明の実施例」
以下本発明の詳細を図面を参照しつつ説明りる。
なお従来例と共通ずる部分には同一の符号をイ・１づ。
第２図〜第４図は木弁明の１−′＞ンスジ−１−りの一
実施例を■レクＩ−レッＩ・彫工１ンデンサ・マイクＩ
Ｉ ／ｊ・ンを例にして示づ縦断面図、横断面図および
底面図である。
実施例を■レクＩ−レッＩ・彫工１ンデンサ・マイクＩ
Ｉ ／ｊ・ンを例にして示づ縦断面図、横断面図および
底面図である。
図に４３いて、円盤状の絶縁基数１１の一方の主表面（
図中上向）の中央には絶縁基板１１より６小径の電極１
が同心円状に形成されており、電極１の表面にはエレク
トレット 体層２が被るされて固定電極３が４Ｍ成されている。
図中上向）の中央には絶縁基板１１より６小径の電極１
が同心円状に形成されており、電極１の表面にはエレク
トレット 体層２が被るされて固定電極３が４Ｍ成されている。
絶縁基数１１の上面において、固定電極３の周囲にこれ
と所定の間隔をおいて環状の導電性支持リング１２が形
成されており、導電性支持リング１２には振動膜６が、
固定電極３ど所定の間隔を ＩＪ３いて対向するよ
．うに張架されている。づなわち、支持リング１２は、
スペーサＪ３よび振動膜６の支１、′１層として機能し
でいる。
と所定の間隔をおいて環状の導電性支持リング１２が形
成されており、導電性支持リング１２には振動膜６が、
固定電極３ど所定の間隔を ＩＪ３いて対向するよ
．うに張架されている。づなわち、支持リング１２は、
スペーサＪ３よび振動膜６の支１、′１層として機能し
でいる。
振動膜６は、ブーノスブックフィルムと、その下面に蒸
６等によって被着された導電ＷＩ膜から構成され゛（お
り、その導電薄膜が導電性支持リング１２と接触するよ
うに張架されている。
６等によって被着された導電ＷＩ膜から構成され゛（お
り、その導電薄膜が導電性支持リング１２と接触するよ
うに張架されている。
絶縁基板１１の他方の主表面（図中下面）中央には、小
さい円形の外部用ツノ電極１３が形成され、まｌこ一ト
１ｍには後述１６大径の導電層１４が形成され（いる。
さい円形の外部用ツノ電極１３が形成され、まｌこ一ト
１ｍには後述１６大径の導電層１４が形成され（いる。
この導電［１４は、アース電極を兼ねており、絶縁基板
１１の下面において、外部出力電極１３およびその周辺
Ｍｉ傍を除いて全面に被猶されるとともに、絶縁基板１
１および導電性支持リング１２の周…ｊに沿って立し上
がるように折曲されて、−ての先端が１＃電性支持リン
グ１２上面で内側へ折曲されるようにかし６）加工され
、絶縁基板１１および導電性支持リング１２を覆ってシ
ールドケースを構成している。
１１の下面において、外部出力電極１３およびその周辺
Ｍｉ傍を除いて全面に被猶されるとともに、絶縁基板１
１および導電性支持リング１２の周…ｊに沿って立し上
がるように折曲されて、−ての先端が１＃電性支持リン
グ１２上面で内側へ折曲されるようにかし６）加工され
、絶縁基板１１および導電性支持リング１２を覆ってシ
ールドケースを構成している。
なお、図中符号１６は、電極１、絶縁基板１１および外
部出力電極１３を貫通するスルー小−ルＣあり、その中
には＊極１と外部用ツノ電極１３を電気的に接続４る導
電塗料１７が充填され−（いる。
部出力電極１３を貫通するスルー小−ルＣあり、その中
には＊極１と外部用ツノ電極１３を電気的に接続４る導
電塗料１７が充填され−（いる。
このように構成された］−レクトレッ１−形」ンデンリ
・ンイクＵホンは、＊極１に導電塗料１７を介しく接続
された外部出力電極１３を一方の出力端どし、振動膜６
の導電簿膜に導電性支持リング１２を介して接続された
シールドケース１５を他りの出力端どして、Ｂ源からの
音波が振動膜６を振動させることにより固定電極３と振
動膜６間の容舖変化を介して出力型バーを得るものであ
る。
・ンイクＵホンは、＊極１に導電塗料１７を介しく接続
された外部出力電極１３を一方の出力端どし、振動膜６
の導電簿膜に導電性支持リング１２を介して接続された
シールドケース１５を他りの出力端どして、Ｂ源からの
音波が振動膜６を振動させることにより固定電極３と振
動膜６間の容舖変化を介して出力型バーを得るものであ
る。
そしく、本発明のルり１−レフ１−形コンデンザ・マイ
ク日ホンは、次に承りようなｈ法により極めて菌中に製
造される。
ク日ホンは、次に承りようなｈ法により極めて菌中に製
造される。
まず、第５図に示１ように、円盤状の絶縁Ｍ根１１の上
面に導電層１８を形成するとともに、下向には絶縁基板
１１よりも面積の人きなケースとなる導電層１４を形成
し、これらを貫通ずるスルーホール１６を穿設づる。
面に導電層１８を形成するとともに、下向には絶縁基板
１１よりも面積の人きなケースとなる導電層１４を形成
し、これらを貫通ずるスルーホール１６を穿設づる。
次に、第６図に示すように、絶縁基板１１の上面の導電
１ｉｆ１８を従来公知のノオエッチング１１Ｌｔ等の化
学的処理や切削などの機械的処理により絶縁基板１１よ
り小径の電極１を形成づる一方、絶縁基板１１の下面の
Ｓ電層１４において、スルーホール１６の近傍に外部出
力電極１３を形成すべく同様にフｌエツチング加工し、
電極１の上面にエレクトレッ］・化された高分子誘電体
層２を被着する。
１ｉｆ１８を従来公知のノオエッチング１１Ｌｔ等の化
学的処理や切削などの機械的処理により絶縁基板１１よ
り小径の電極１を形成づる一方、絶縁基板１１の下面の
Ｓ電層１４において、スルーホール１６の近傍に外部出
力電極１３を形成すべく同様にフｌエツチング加工し、
電極１の上面にエレクトレッ］・化された高分子誘電体
層２を被着する。
その後、第７図に示′りように、振動膜０を張架した導
電性支持リング１２を絶縁基板１１上に固定電極３ど接
触しないように被着し、スルーホール１６に導電塗料１
７を充填し、絶縁基板１１下面に接着された導電層１４
の絶縁基板１１から突出Ｊる部分を矢印に示すように絞
り加工し、導電層１４によって絶縁基板１１および導電
性支持リング１２を被せて製造される。
電性支持リング１２を絶縁基板１１上に固定電極３ど接
触しないように被着し、スルーホール１６に導電塗料１
７を充填し、絶縁基板１１下面に接着された導電層１４
の絶縁基板１１から突出Ｊる部分を矢印に示すように絞
り加工し、導電層１４によって絶縁基板１１および導電
性支持リング１２を被せて製造される。
このように構成されＩこエレクトレット形コンデンサ・
マイク゛ロホンは、シールドケース１５が絶縁基板１１
に接着された導電１１４の一部を曲げ加工して形成され
る一方、振動膜６の張架された導電性支持リング１２が
スペーサリングを兼ねているので、構成部品が減少４る
とどｂに各構成部品間の気密を十分保つことが可能とな
って、特性が安定４るうえ製造組立が￥１′易となる。
マイク゛ロホンは、シールドケース１５が絶縁基板１１
に接着された導電１１４の一部を曲げ加工して形成され
る一方、振動膜６の張架された導電性支持リング１２が
スペーサリングを兼ねているので、構成部品が減少４る
とどｂに各構成部品間の気密を十分保つことが可能とな
って、特性が安定４るうえ製造組立が￥１′易となる。
しかし、絶縁基板１１に導引１４．１８を構成しｌこも
のとし−（、内向プリント基板を用いることがμＩ能で
あり、これを用いて製造するならば、一度に多数のルり
１−レット形コンデン４）・マイク［］小ンを製造する
ことがて・さ・るので、量産性が良好となる。
のとし−（、内向プリント基板を用いることがμＩ能で
あり、これを用いて製造するならば、一度に多数のルり
１−レット形コンデン４）・マイク［］小ンを製造する
ことがて・さ・るので、量産性が良好となる。
なお、本発明の１−ランスジＪ−りは、高分子誘電体層
２ど振動膜６を組合せた一般的なトランスジｒ−りに広
く応用可能であり、ルクトレッ１〜形ｌンデンリ“・マ
イク［］小ンにＪ３いても、高分子誘電体層は電極に形
成りる場合のみならす゛振動膜に形成する場合におい【
ら実施可能であることはいうまでもない。
２ど振動膜６を組合せた一般的なトランスジｒ−りに広
く応用可能であり、ルクトレッ１〜形ｌンデンリ“・マ
イク［］小ンにＪ３いても、高分子誘電体層は電極に形
成りる場合のみならす゛振動膜に形成する場合におい【
ら実施可能であることはいうまでもない。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の１〜ランスジ、１−１ノは
、絶縁基板の下面にこの絶縁基板より大径の導電層を設
け、上面にはこの絶縁基板より小径の電極お山びこの電
極を囲む支ＰＪｗｉとしての導電性支持リングを形成（
）、この導電性支持リングに振動膜を張架するとともに
、曲げ加工した導電層を上記絶４４ Ｍ板Ｊ３よび導電
性支持リングに被せたので、別個に作られるスペーサリ
ングやシールドケースの省略が可能となっ′Ｃ構成部品
が極めて少なく、また絶縁基板の裏面に被着した導電層
がケースを兼ねるので各構成部品間の気密が十分保たれ
、特性が安定−４る′うえ組立が容易となり、製造コス
トの低減を図ることが可能となる。
、絶縁基板の下面にこの絶縁基板より大径の導電層を設
け、上面にはこの絶縁基板より小径の電極お山びこの電
極を囲む支ＰＪｗｉとしての導電性支持リングを形成（
）、この導電性支持リングに振動膜を張架するとともに
、曲げ加工した導電層を上記絶４４ Ｍ板Ｊ３よび導電
性支持リングに被せたので、別個に作られるスペーサリ
ングやシールドケースの省略が可能となっ′Ｃ構成部品
が極めて少なく、また絶縁基板の裏面に被着した導電層
がケースを兼ねるので各構成部品間の気密が十分保たれ
、特性が安定−４る′うえ組立が容易となり、製造コス
トの低減を図ることが可能となる。
さらに、両面プリント基板を用いてＩＩることがｉ４能
で量産性が真好となる。
で量産性が真好となる。
第１図は従来のトランスジューサを示づ断面図、第２図
〜第４図は本発明のトランスジ」−りの一実施例を承り
縦断面図、横断面図および底面図、第５図・〜第７図は
第２図に示すトランスジューサの製造過程を説明する断
面図である。 １・・・・・・・・・・・・電極 ２・・・・・・・・・・・・高分子誘電体層３・・・・
・・・・・・・・固定電極 ５）・・・・・・・・・・・・スペーサリング６・・・
・・・・・・・・・振動膜 ７・・・・・・・・・・・・股リング ξ３・・・・・・・・・・・・ケース １１・・・・・・・・・・・・絶縁Ｍ板１２・・・・・
・・・・・・・導電性支持リング１３・・・・・・・・
・・・・外部出ノ〕′４ｉ極１／ｌ・・・・旧・・・・
・導電層（ケース）１５・・・・・・・・・・・・シー
ルドケース代理人弁理Ｆ 須 山 仏 −
〜第４図は本発明のトランスジ」−りの一実施例を承り
縦断面図、横断面図および底面図、第５図・〜第７図は
第２図に示すトランスジューサの製造過程を説明する断
面図である。 １・・・・・・・・・・・・電極 ２・・・・・・・・・・・・高分子誘電体層３・・・・
・・・・・・・・固定電極 ５）・・・・・・・・・・・・スペーサリング６・・・
・・・・・・・・・振動膜 ７・・・・・・・・・・・・股リング ξ３・・・・・・・・・・・・ケース １１・・・・・・・・・・・・絶縁Ｍ板１２・・・・・
・・・・・・・導電性支持リング１３・・・・・・・・
・・・・外部出ノ〕′４ｉ極１／ｌ・・・・旧・・・・
・導電層（ケース）１５・・・・・・・・・・・・シー
ルドケース代理人弁理Ｆ 須 山 仏 −
Claims (1)
- 絶縁Ｍ＆の下面にこの絶縁基板より大径の導電層を設り
、１面には前記絶縁基板より小径の電極およびこの電極
と間隔をおいでこれを囲む支持層を形成し、この支持層
に前記電極と所定の間隔で対向りる振動膜を張架すると
ともに、前記棚ｕｉ層を曲げ船上して前記絶縁基板およ
び支持層に被せ゛（なることを特徴ど°りるトランスジ
ユーサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9087982A JPS58207798A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | トランスジユ−サ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9087982A JPS58207798A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | トランスジユ−サ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207798A true JPS58207798A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=14010742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9087982A Pending JPS58207798A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | トランスジユ−サ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207798A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5335286A (en) * | 1992-02-18 | 1994-08-02 | Knowles Electronics, Inc. | Electret assembly |
| JP2009267782A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Hosiden Corp | エレクトレットコンデンサマイクロホン |
| CN103517190A (zh) * | 2012-06-21 | 2014-01-15 | 亚德诺半导体股份有限公司 | 驻极体电容麦克风 |
| CN106163432A (zh) * | 2014-04-11 | 2016-11-23 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有薄膜压电传感器的针 |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP9087982A patent/JPS58207798A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5335286A (en) * | 1992-02-18 | 1994-08-02 | Knowles Electronics, Inc. | Electret assembly |
| JP2009267782A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Hosiden Corp | エレクトレットコンデンサマイクロホン |
| US8238587B2 (en) | 2008-04-25 | 2012-08-07 | Hosiden Corporation | Electret condenser microphone |
| CN103517190A (zh) * | 2012-06-21 | 2014-01-15 | 亚德诺半导体股份有限公司 | 驻极体电容麦克风 |
| CN103517190B (zh) * | 2012-06-21 | 2016-12-28 | 应美盛股份有限公司 | 驻极体电容麦克风及制造用于该麦克风的壳体的方法 |
| CN106163432A (zh) * | 2014-04-11 | 2016-11-23 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有薄膜压电传感器的针 |
| CN106163432B (zh) * | 2014-04-11 | 2019-11-08 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有薄膜压电传感器的针 |
| US10952704B2 (en) | 2014-04-11 | 2021-03-23 | Koninklijke Philips N.V. | Needle with thin film piezoelectric sensors |
| US11864948B2 (en) | 2014-04-11 | 2024-01-09 | Koninklijke Philips N.V. | Needle with thin film sensors |
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