JPS58192330A - シリコンウエハ−の表面酸化処理方法 - Google Patents
シリコンウエハ−の表面酸化処理方法Info
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- JPS58192330A JPS58192330A JP57075728A JP7572882A JPS58192330A JP S58192330 A JPS58192330 A JP S58192330A JP 57075728 A JP57075728 A JP 57075728A JP 7572882 A JP7572882 A JP 7572882A JP S58192330 A JPS58192330 A JP S58192330A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- silicon wafer
- wafers
- formation
- ultraviolet rays
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリコンウェハーの表面酸化処理方法に関す
るもので、さらＫＷ−言すれば、シリコンウェハーの表
面を良好に酸化処理することを目的としたものである。
るもので、さらＫＷ−言すれば、シリコンウェハーの表
面を良好に酸化処理することを目的としたものである。
半導体素子を製作するに際し、まず平板状となったＮ型
またはＰａのシリコンウェハーの表面に電気絶縁性の二
酸化ケイ素の被膜を形成しなければならない場合がある
。
またはＰａのシリコンウェハーの表面に電気絶縁性の二
酸化ケイ素の被膜を形成しなければならない場合がある
。
すなわち、ｊＰ１図に示す如く、シリコンウェハー１の
要求される側の表面に、この表面を酸化させることによ
り均一に二酸化ケイ素の酸化被膜２を生成するのである
。
要求される側の表面に、この表面を酸化させることによ
り均一に二酸化ケイ素の酸化被膜２を生成するのである
。
従来、このシリコンウェハー１表面の酸化被膜２の生成
は、密閉された加熱チャンバー内にシリコンウェハーを
配置しておき、このチャンバー内に水蒸気または酸素を
供給し、チャンバー内の温度を約１ｏｏｏ℃程度まで加
熱し、約６０分程度の時間をかけてシリコンウェハー１
の表面に酸化被膜２を生成していた。
は、密閉された加熱チャンバー内にシリコンウェハーを
配置しておき、このチャンバー内に水蒸気または酸素を
供給し、チャンバー内の温度を約１ｏｏｏ℃程度まで加
熱し、約６０分程度の時間をかけてシリコンウェハー１
の表面に酸化被膜２を生成していた。
上記した従来方法の場合、チャンバー内のｍ度は例えば
約１０００℃程度の高＠度に常時保持し。
約１０００℃程度の高＠度に常時保持し。
高温度であるがために、′４Ｎ膜２の生成膜厚管理のた
めに＠度維持を極めて精密に行なう必要があった。
めに＠度維持を極めて精密に行なう必要があった。
また、供給する水蒸気や酸素の１をも極めて精密に制御
する必要がある。
する必要がある。
このよ”５に従来の酸化被膜２の生成方法によると、シ
リコンウェハー１に対する加熱＠度が平均して１０００
℃程度と極めて高温となること、および加熱＠度を大幅
に増減変化させる必要があること等により、極めて膨大
な電力が消費されることになり、このような膨大な電力
の消費ＶＣもかかわらず、酸化被膜２の生成に長時間を
要し、さらにシリコンウェハー１に対する加熱温度が高
いことおよびこの加熱温度が大幅に増減されることによ
り平板状となったシリコンウェハー１に熱膨張。
リコンウェハー１に対する加熱＠度が平均して１０００
℃程度と極めて高温となること、および加熱＠度を大幅
に増減変化させる必要があること等により、極めて膨大
な電力が消費されることになり、このような膨大な電力
の消費ＶＣもかかわらず、酸化被膜２の生成に長時間を
要し、さらにシリコンウェハー１に対する加熱温度が高
いことおよびこの加熱温度が大幅に増減されることによ
り平板状となったシリコンウェハー１に熱膨張。
収縮による寸法精度のバラツキおよび歪が発生するとい
う欠点をもっていた。
う欠点をもっていた。
本発明は、上記した従来例における欠点および不満を解
消すべく創案されたもので、以下本発明を図面を参照し
て説明する。
消すべく創案されたもので、以下本発明を図面を参照し
て説明する。
本発明は、密閉されかつ加熱された酸素雰囲気内で、シ
リコンウェハー１の酸化表面処理の要求された側の表面
に紫外線を照射し、もってこの紫外線の照射されたシリ
コンウニ・・−１の飛開を効率良く酸化させて酸化被膜
２を生成するのである。
リコンウェハー１の酸化表面処理の要求された側の表面
に紫外線を照射し、もってこの紫外線の照射されたシリ
コンウニ・・−１の飛開を効率良く酸化させて酸化被膜
２を生成するのである。
すなわち２例えば矛２図に示す如く、密閉された加熱室
３内に反射ｖｉ１５と組合された紫外線ランプ４を配設
しておき、この加熱室３内に１表面処理をしたい側の表
面を紫外線ランプ４に向けてシリコンウェハー１を位置
させ、υ口熱室３に設けられた供給口６から酸素を加熱
室３内に満たした状態で、加熱室３内を所望ｍ度に加熱
すると共に紫外線ランプ４を点灯して紫外線をシリコン
ウニ・・＝１の表面に照射する。
３内に反射ｖｉ１５と組合された紫外線ランプ４を配設
しておき、この加熱室３内に１表面処理をしたい側の表
面を紫外線ランプ４に向けてシリコンウェハー１を位置
させ、υ口熱室３に設けられた供給口６から酸素を加熱
室３内に満たした状態で、加熱室３内を所望ｍ度に加熱
すると共に紫外線ランプ４を点灯して紫外線をシリコン
ウニ・・＝１の表面に照射する。
この紫外線の照射により、紫外線の照射を受けたシリコ
ンウェハー１の表面は酸化し易い状態となり、酸化被膜
２の生成が促進される。
ンウェハー１の表面は酸化し易い状態となり、酸化被膜
２の生成が促進される。
なお、このシリコンウェハーｌの表面に紫外線を照射す
る紫外線ランプ４としては、加熱室３内の酸素をオゾン
に生成する波長およびオゾンを活性化させる。すなわち
Ｏ３→０．十０ ０変化を促進させる波長の紫外線を生
体として発生するものを使用するのが良い。
る紫外線ランプ４としては、加熱室３内の酸素をオゾン
に生成する波長およびオゾンを活性化させる。すなわち
Ｏ３→０．十０ ０変化を促進させる波長の紫外線を生
体として発生するものを使用するのが良い。
上記した本発明方法によりシリコンウェハー１の表面に
酸化被膜２を生成した場合、加熱室３内の温度および酸
化被膜２の生成に要する時間は大幅に減少される。
酸化被膜２を生成した場合、加熱室３内の温度および酸
化被膜２の生成に要する時間は大幅に減少される。
例えば加熱室３内の＠度を７００℃とした場合、１所望
の酸化被膜２を生成するのに約３０分で良く。
の酸化被膜２を生成するのに約３０分で良く。
雰囲気＠度が低いにもかかわらず、酸化被膜２生成に要
する時間は約牛分に減少させることができ。
する時間は約牛分に減少させることができ。
また加熱室３内の温度を２００℃とした場合、所望の酸
化被膜２を生成するのに約６０分を要したが、従来に比
べて同一時間をかけて酸化被膜２を生成した場合、加熱
室３内の加熱温度は約５分の１の２００℃程度で良いと
いう結果を得た。
化被膜２を生成するのに約６０分を要したが、従来に比
べて同一時間をかけて酸化被膜２を生成した場合、加熱
室３内の加熱温度は約５分の１の２００℃程度で良いと
いう結果を得た。
また、上記した酸化被膜２の生成作業時において、加熱
室３内の温度は設定された一定＠度のままで良く、従来
例の如く、酸化被膜２生成期間中に加熱温度を増減変化
させる必要は全くない。
室３内の温度は設定された一定＠度のままで良く、従来
例の如く、酸化被膜２生成期間中に加熱温度を増減変化
させる必要は全くない。
以上の説明から明らかな如く１本発明ｖＣよ０／リコン
ウエハーの表面処理方法は、酸化被膜２の生成に要する
加熱温度が低くて良いので、（Ｎ費成刀が大幅に少なく
てすみ、加熱温度を増減父化させないで良いので、＠度
制御が簡単となって成形操作が容易となると共に成形さ
れるシリコンウェハーに寸法誤差が発生したり歪が発生
したりする不都合がなくなり、また酸化被膜２の生成に
要する時間も大幅に短ｍ′ｆ′ることができるので、短
時間により多くのシリコンウェハーの表面処理を達成す
ることができる等多くの優れた作用効果を有するもので
ある。
ウエハーの表面処理方法は、酸化被膜２の生成に要する
加熱温度が低くて良いので、（Ｎ費成刀が大幅に少なく
てすみ、加熱温度を増減父化させないで良いので、＠度
制御が簡単となって成形操作が容易となると共に成形さ
れるシリコンウェハーに寸法誤差が発生したり歪が発生
したりする不都合がなくなり、また酸化被膜２の生成に
要する時間も大幅に短ｍ′ｆ′ることができるので、短
時間により多くのシリコンウェハーの表面処理を達成す
ることができる等多くの優れた作用効果を有するもので
ある。
矛１図は、シリコンウニノ・−の表面に酸化被膜を形成
した構造を示す一部拡大ＷＴ直図である。 矛２図は。本発明方法を実紬するための装置例を示す簡
略構成図である。 符号の説明 １・・・シリコンウェハー、２・・・酸化被膜。 ３・・・加熱室、４・・・紫外線う／プ。 発明者 宮 本 滑 出願人 株式会社オーク製作所 代表者 矢 崎 好 夫 ・ 二１Ｆ４ヌ
した構造を示す一部拡大ＷＴ直図である。 矛２図は。本発明方法を実紬するための装置例を示す簡
略構成図である。 符号の説明 １・・・シリコンウェハー、２・・・酸化被膜。 ３・・・加熱室、４・・・紫外線う／プ。 発明者 宮 本 滑 出願人 株式会社オーク製作所 代表者 矢 崎 好 夫 ・ 二１Ｆ４ヌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 密閉されかつ加熱された酸素を含む雰囲気内で。 シリコンウェハーの酸化表面処理の要求された側の表面
に紫外線を照射するシリコンウェハーの表面酸化処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075728A JPS58192330A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | シリコンウエハ−の表面酸化処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075728A JPS58192330A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | シリコンウエハ−の表面酸化処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192330A true JPS58192330A (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=13584616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075728A Pending JPS58192330A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | シリコンウエハ−の表面酸化処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192330A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206230A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62174925A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Sharp Corp | 炭化珪素半導体の酸化方法 |
| JPS6450534A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Seiko Instr & Electronics | Method of forming oxide film of element semiconductor |
| US5480492A (en) * | 1992-11-10 | 1996-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for removing organic or inorganic contaminant from silicon substrate surface |
| WO2001098563A2 (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-27 | Infineon Technologies North America Corp. | Orientation independent oxidation of silicon |
| CN105932097A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-09-07 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片的氧化方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4996300A (ja) * | 1973-01-19 | 1974-09-12 | ||
| JPS50130369A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-15 | ||
| JPS5421172A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Nec Corp | Manufacture for semiconductor device |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP57075728A patent/JPS58192330A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4996300A (ja) * | 1973-01-19 | 1974-09-12 | ||
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206230A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
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| WO2001098563A3 (en) * | 2000-06-16 | 2002-05-30 | Infineon Technologies Corp | Orientation independent oxidation of silicon |
| CN105932097A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-09-07 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片的氧化方法 |
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