JPS58185500A - シリコン膜製造法 - Google Patents
シリコン膜製造法Info
- Publication number
- JPS58185500A JPS58185500A JP6685082A JP6685082A JPS58185500A JP S58185500 A JPS58185500 A JP S58185500A JP 6685082 A JP6685082 A JP 6685082A JP 6685082 A JP6685082 A JP 6685082A JP S58185500 A JPS58185500 A JP S58185500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon film
- single crystal
- film
- laser beam
- mechanochemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非晶質又は多結晶シリコン膜から、弐面が平
坦な単結晶シリコン膜を得る方法に、関するものである
。
坦な単結晶シリコン膜を得る方法に、関するものである
。
最近の著しいＬＳＩ技術の過膜に伴い、ＭＯＳデバイス
の高速化や三次元化を目指し、例えば石英ガラス基板上
に単結晶シリコン膜を形成する研究が盛んに行われるよ
うＫなった。周知のごとくこのような研究では主として
レーザビームアニールや電子ビームアニーールが多く用
いられている。
の高速化や三次元化を目指し、例えば石英ガラス基板上
に単結晶シリコン膜を形成する研究が盛んに行われるよ
うＫなった。周知のごとくこのような研究では主として
レーザビームアニールや電子ビームアニーールが多く用
いられている。
レーザビームアニールによる単結晶化は、例えば石英ガ
ラス基板上に多結晶シリコン膜を堆積しておき、アルゴ
ンレーザビームを照射して多結晶シリコン膜を溶融して
単結晶化するような方法が用いられる。このよ５な方法
では通常、レーザビームアニール後のシリコン膜表面は
大きな凹凸を有し、平坦性が著しく損われている。又、
良い平坦性を保つようなアニール条件を用いると、アニ
ールされたシリコン膜の結晶学的な配向性が損われる。
ラス基板上に多結晶シリコン膜を堆積しておき、アルゴ
ンレーザビームを照射して多結晶シリコン膜を溶融して
単結晶化するような方法が用いられる。このよ５な方法
では通常、レーザビームアニール後のシリコン膜表面は
大きな凹凸を有し、平坦性が著しく損われている。又、
良い平坦性を保つようなアニール条件を用いると、アニ
ールされたシリコン膜の結晶学的な配向性が損われる。
このような表面凹凸は、ＭＯＳデバイス等の製造を困難
にしており、実用化への一つの大きな問題点となってい
るのが現状である。
にしており、実用化への一つの大きな問題点となってい
るのが現状である。
本発明はこのような従来の問題点を解決する新しいシリ
コン膜製造法を提供するもので、レーザビームアニール
により非昂質又は多結晶シリコン膜を単結晶化したのち
、メカノケミカルボリジングを施して該単結晶化したシ
リコン膜表面を平坦化する事を特徴とする。
コン膜製造法を提供するもので、レーザビームアニール
により非昂質又は多結晶シリコン膜を単結晶化したのち
、メカノケミカルボリジングを施して該単結晶化したシ
リコン膜表面を平坦化する事を特徴とする。
メカノケミカルボリジングは、例えば７リコンウエーハ
に対してはシリカ（Ｓｉｏりの微粉末な弱アルカリ液＆
Ｃ＠濁させ友研摩液と、ポリフレタン系の布を使ってボ
リシングを行うもので、砥粒（Ｓｉｎ、）とシリコンウ
ェーハとの摩擦によるウェーハの微小量の摩耗と、摩擦
中の発ｆＩＩ！に１１温度上昇による研摩液中へのシリ
コンの溶去作用とのバランスによって１０Ｘ前後の凹凸
を有する表面を作り出している。このようなメカノケミ
カルボリジングは、シリコンウェーハ等の基板材料を加
工する際の最終工程に用いられており、加工された単結
晶基板表面は歪みがなく、高品質の結晶性が維持されて
いる。
に対してはシリカ（Ｓｉｏりの微粉末な弱アルカリ液＆
Ｃ＠濁させ友研摩液と、ポリフレタン系の布を使ってボ
リシングを行うもので、砥粒（Ｓｉｎ、）とシリコンウ
ェーハとの摩擦によるウェーハの微小量の摩耗と、摩擦
中の発ｆＩＩ！に１１温度上昇による研摩液中へのシリ
コンの溶去作用とのバランスによって１０Ｘ前後の凹凸
を有する表面を作り出している。このようなメカノケミ
カルボリジングは、シリコンウェーハ等の基板材料を加
工する際の最終工程に用いられており、加工された単結
晶基板表面は歪みがなく、高品質の結晶性が維持されて
いる。
このような従来の利用例では、ボリノングされる基板表
面の研摩加工量は％Ｋ１１ｌ限がないが、本発明で用い
られるレーザビームアニール後のシリコン漠表面のボリ
シングでは、シリコ／膜表面の凹凸量が数千１〜１μｍ
程度と太き（、しかもシリコンの平均膜厚が０．５〜１
μｍ程度と非常に薄いため、研摩加工量が大きく制限さ
れる。このような制限のもとで、１μｒｍｍ度の凹凸を
低減させることはシリコンウェーハの加工にみられるよ
うな従来のボリシングに比べて容易ではな（このような
凹凸量が大きくしかも膜厚の小さなシリコン膜表面へ平
坦化をメカノケミカルボリジングにより行った例はいま
だない。
面の研摩加工量は％Ｋ１１ｌ限がないが、本発明で用い
られるレーザビームアニール後のシリコン漠表面のボリ
シングでは、シリコ／膜表面の凹凸量が数千１〜１μｍ
程度と太き（、しかもシリコンの平均膜厚が０．５〜１
μｍ程度と非常に薄いため、研摩加工量が大きく制限さ
れる。このような制限のもとで、１μｒｍｍ度の凹凸を
低減させることはシリコンウェーハの加工にみられるよ
うな従来のボリシングに比べて容易ではな（このような
凹凸量が大きくしかも膜厚の小さなシリコン膜表面へ平
坦化をメカノケミカルボリジングにより行った例はいま
だない。
本５ｈ明は種々の実験を試みた結果、レーザビームアニ
ールで形成されたシリコン膜表面の凹凸がメカノケミカ
ルボリジングにより者しく低減されしかも結晶性を損５
ことなくサブミクロンの厚さのシリコン膜を最終的に得
ることができることを新た（見出したことに基づくもの
である。
ールで形成されたシリコン膜表面の凹凸がメカノケミカ
ルボリジングにより者しく低減されしかも結晶性を損５
ことなくサブミクロンの厚さのシリコン膜を最終的に得
ることができることを新た（見出したことに基づくもの
である。
以下実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
本発＃ＡＫおける一実施例のｌＲ層を第１図〜第３図に
示す。
示す。
２１１図は、レーザビームアニールを施す前のシリコン
膜を含む基板断面の概略図である。厚さ約３５０μｍで
、表面に溝加工を施した石英ガラス基板ｌ上に、化学相
堆積（ＣＶＤ）法により厚さ約Ｏ１り一程度の多結晶シ
リコン膜２を堆積した。石英ガラス基板表面の溝は幅が
丘μｍ１深さα５廊の正方形で、溝加工は通常のレジス
ト膜パターニング及びドブイエッチング技術を用いた。
膜を含む基板断面の概略図である。厚さ約３５０μｍで
、表面に溝加工を施した石英ガラス基板ｌ上に、化学相
堆積（ＣＶＤ）法により厚さ約Ｏ１り一程度の多結晶シ
リコン膜２を堆積した。石英ガラス基板表面の溝は幅が
丘μｍ１深さα５廊の正方形で、溝加工は通常のレジス
ト膜パターニング及びドブイエッチング技術を用いた。
次に直径約５００μｍの連続発振ネオジム・ヤグ（Ｎｄ
：ＹＡＧ）レーザな用い多結晶シダコン膜２をアニール
して単結晶化を行った。アニール条件としては、例えば
基板加熱温度として３００ ℃ｐレーザスキャン速度と
して１０ ｗｘ ／ ＆ｅＣを用いた。このようなアニ
ールを施した後の状態の概略図を第２図に示す。レーザ
ビームアニールにより多結晶シリコンＭｌす溶融するた
め、溶融時に７１ｊコンの移動が起こる結果シリコン膜
表面に凹凸が生じる。レーザアニール後のシリコ／膜表
面の凹凸は数千λ〜１ｐｍ＄ｉ度と大きい。次に、この
ようなシリコン膜表面にメカノケミカルボリジング加工
を施した。ステンレス製定板に第２図のようなりエーハ
を接着し、研摩液としてシリカの微粉末（ＳｉＯ，、０
，０１μｍ）を弱アルカリ液Ｋｍ濁させたものを用い、
１１０〜１３０．９Δの圧力を印加してボリシングを行
った。その結果第３図に示すような、石英ガラス基板表
面に形成された溝の内部にのみｆ！！面が平坦な単結晶
シリコン膜３を島状に形成することができた。
：ＹＡＧ）レーザな用い多結晶シダコン膜２をアニール
して単結晶化を行った。アニール条件としては、例えば
基板加熱温度として３００ ℃ｐレーザスキャン速度と
して１０ ｗｘ ／ ＆ｅＣを用いた。このようなアニ
ールを施した後の状態の概略図を第２図に示す。レーザ
ビームアニールにより多結晶シリコンＭｌす溶融するた
め、溶融時に７１ｊコンの移動が起こる結果シリコン膜
表面に凹凸が生じる。レーザアニール後のシリコ／膜表
面の凹凸は数千λ〜１ｐｍ＄ｉ度と大きい。次に、この
ようなシリコン膜表面にメカノケミカルボリジング加工
を施した。ステンレス製定板に第２図のようなりエーハ
を接着し、研摩液としてシリカの微粉末（ＳｉＯ，、０
，０１μｍ）を弱アルカリ液Ｋｍ濁させたものを用い、
１１０〜１３０．９Δの圧力を印加してボリシングを行
った。その結果第３図に示すような、石英ガラス基板表
面に形成された溝の内部にのみｆ！！面が平坦な単結晶
シリコン膜３を島状に形成することができた。
１１４図ＬＪＬｌ、（”ｌ ＃第５図ｔＱ ｔ （１１
１１Ｋ、メカノケミカルボリジング前後でのシリコン膜
表面の凹凸及び券面４真を示す。第４図、第５図でｔＪ
ＬＩは表面段差測定器によって調定されたシリコン膜表
面の凹凸状態、（ｂ）は光学顕微鏡写真である。溝の大
きさは一辺１２μｍの正方形である。
１１Ｋ、メカノケミカルボリジング前後でのシリコン膜
表面の凹凸及び券面４真を示す。第４図、第５図でｔＪ
ＬＩは表面段差測定器によって調定されたシリコン膜表
面の凹凸状態、（ｂ）は光学顕微鏡写真である。溝の大
きさは一辺１２μｍの正方形である。
第４図、第５図から、メカノケミカルボリジングにより
最大１１Ｌｍｉ！度のシリコ・／膜表面の凹凸が０−１
μｍ以下の凹凸に低減されでいることがわかる。メカノ
ケミカルボリジング後のシリコン膜の結晶性をＸｌ！ロ
ッキングカーズ及び化学液による腐蝕偉の顕微鏡観察に
より評価した結果、各溝内のシリコン膜は、基板面に垂
直方向にほぼ＜１００＞配向した良好な単結晶であるこ
とが確認された。
最大１１Ｌｍｉ！度のシリコ・／膜表面の凹凸が０−１
μｍ以下の凹凸に低減されでいることがわかる。メカノ
ケミカルボリジング後のシリコン膜の結晶性をＸｌ！ロ
ッキングカーズ及び化学液による腐蝕偉の顕微鏡観察に
より評価した結果、各溝内のシリコン膜は、基板面に垂
直方向にほぼ＜１００＞配向した良好な単結晶であるこ
とが確認された。
以上は石英ガラス基板上の多結晶シリコン膜をレーザビ
ームアニールした実施例について述べ九が、例えば基板
としてシリコンウェーハやサファイヤ等の他の単結晶基
鈑を用いた場合についてもレーザビームアニール後のシ
リコン膜表面の凹凸を本発明の方法により低減すること
ができた。
ームアニールした実施例について述べ九が、例えば基板
としてシリコンウェーハやサファイヤ等の他の単結晶基
鈑を用いた場合についてもレーザビームアニール後のシ
リコン膜表面の凹凸を本発明の方法により低減すること
ができた。
以上、述べたようにレーザビームアニールしたｆｆ１Ｋ
メカノケミカルボリシング工程を施すことにより、レー
ザビームアニールされたシリコン膜表面の凹凸量を０．
１μｍ以下に低減することができこのような表面凹凸が
著しく低減された単結晶シリコン膜を得ることを可能に
した本発明は、従来実用化への１つの問題点となったＭ
ＯＳデバイス等の裏造を十分可能ならしめるものとして
ＬＳＩ分野に多大の効果を発揮するものである。
メカノケミカルボリシング工程を施すことにより、レー
ザビームアニールされたシリコン膜表面の凹凸量を０．
１μｍ以下に低減することができこのような表面凹凸が
著しく低減された単結晶シリコン膜を得ることを可能に
した本発明は、従来実用化への１つの問題点となったＭ
ＯＳデバイス等の裏造を十分可能ならしめるものとして
ＬＳＩ分野に多大の効果を発揮するものである。
第１図はレーザビームアニールを施す前のシリコン膜な
含む基板断面の＠略図である。 第２図はレーザビームアニールを施した後のシリコン膜
を含む基板断面の概略図である。 第３図は、レーザビームアニールを施したのち、メカノ
ケミカルボリジングを行った後のシリコン膜を含む基板
断面の概略図である。 第４図ｔ＆Ｉ 、 （ｂｌはメカノケミカルボリジング
を−行う前のシリコン膜表面の凹凸〔（ＪＬｌ〕及び表
面の顕！ｉ鏡写真（ｔｂ＋ ）である。 Ｍ ５ ａｔＪＬＩ ｐ （ｂｌはメカノケミカルボリ
ジングｋｔ丁りた後のシリコン膜表面の凹凸いユ１〕及
び表面のｌａ像鏡写真［： （ｂｌ ］である。（ｂｌ
で格子状σ）［８は石英ガラス面である。 図において、１は石英ガラス＆仮であり、２は多耐晶シ
リコン裏、３は単結晶シリコン膜ｔ；オド士麩丞士− 工ｆ 代；六 ′ −白 ！、Ｉｔ：、 ＋−１ｊオ
１ ロ ４ 第２凹 ｆ １！］ （４） （ｂ）Ｃ
（１） （、ｂ）手続補正
力（方式） 持許庁長官 殻 ｌ、東注の表示 昭和５７年 特 針 ゛顧第６６
８５０号事注との関係 出 Ｑ（ｊ 人
東卓舒１：、巷Ｉに芝Ｉｉｊ″ｔ１３３番ｌシ）−（４
２３） 日本電気株式会社 １″、：ノちと 関本忠弘 ４代理人 〒１０８ 東京都、巷１７Σ／Ｌｉ−１１３７番１ｉ
１．：、 ｌｌ子ｊｚ −’、 ［！’Ｉヒル微賃
写真である。」と補正する。 ＆ 補正命令の日付 昭和５７年７月２７日（発送日） ＆ 補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 Ｌ 補正の内容
含む基板断面の＠略図である。 第２図はレーザビームアニールを施した後のシリコン膜
を含む基板断面の概略図である。 第３図は、レーザビームアニールを施したのち、メカノ
ケミカルボリジングを行った後のシリコン膜を含む基板
断面の概略図である。 第４図ｔ＆Ｉ 、 （ｂｌはメカノケミカルボリジング
を−行う前のシリコン膜表面の凹凸〔（ＪＬｌ〕及び表
面の顕！ｉ鏡写真（ｔｂ＋ ）である。 Ｍ ５ ａｔＪＬＩ ｐ （ｂｌはメカノケミカルボリ
ジングｋｔ丁りた後のシリコン膜表面の凹凸いユ１〕及
び表面のｌａ像鏡写真［： （ｂｌ ］である。（ｂｌ
で格子状σ）［８は石英ガラス面である。 図において、１は石英ガラス＆仮であり、２は多耐晶シ
リコン裏、３は単結晶シリコン膜ｔ；オド士麩丞士− 工ｆ 代；六 ′ −白 ！、Ｉｔ：、 ＋−１ｊオ
１ ロ ４ 第２凹 ｆ １！］ （４） （ｂ）Ｃ
（１） （、ｂ）手続補正
力（方式） 持許庁長官 殻 ｌ、東注の表示 昭和５７年 特 針 ゛顧第６６
８５０号事注との関係 出 Ｑ（ｊ 人
東卓舒１：、巷Ｉに芝Ｉｉｊ″ｔ１３３番ｌシ）−（４
２３） 日本電気株式会社 １″、：ノちと 関本忠弘 ４代理人 〒１０８ 東京都、巷１７Σ／Ｌｉ−１１３７番１ｉ
１．：、 ｌｌ子ｊｚ −’、 ［！’Ｉヒル微賃
写真である。」と補正する。 ＆ 補正命令の日付 昭和５７年７月２７日（発送日） ＆ 補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 Ｌ 補正の内容
Claims (1)
- レーザビームアニールにより非晶質又は多結晶シリコン
膜を単結晶化した後メカノケミカルボリジングを施して
、該単結晶化したシリコン膜表面を平坦化する事を特徴
とするシリコン膜製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6685082A JPS58185500A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | シリコン膜製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6685082A JPS58185500A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | シリコン膜製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185500A true JPS58185500A (ja) | 1983-10-29 |
Family
ID=13327731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6685082A Pending JPS58185500A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | シリコン膜製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185500A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6284509A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62176978A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-08-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 結晶成長用基板およびその製造方法 |
| JPS63182809A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Canon Inc | 結晶基材の製造方法 |
| JPH074121A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-10 | Riken Light Metal Ind Co Ltd | 簡易テント支柱 |
| US6506669B1 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6685082A patent/JPS58185500A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176978A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-08-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 結晶成長用基板およびその製造方法 |
| JPS6284509A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63182809A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Canon Inc | 結晶基材の製造方法 |
| JPH074121A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-10 | Riken Light Metal Ind Co Ltd | 簡易テント支柱 |
| US6506669B1 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor |
| US6534353B1 (en) | 1998-06-30 | 2003-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a thin-film transistor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5869387A (en) | Process for producing semiconductor substrate by heating to flatten an unpolished surface | |
| JP3169120B2 (ja) | 半導体鏡面ウェーハの製造方法 | |
| JPH06104229A (ja) | ウェーハの製造方法 | |
| TW202028547A (zh) | 高平整度、低損傷大直徑單晶碳化矽基材及其製備方法 | |
| TWI427688B (zh) | 製造平滑晶圓之方法 | |
| JP4792146B2 (ja) | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、露光用マスクの製造方法、反射型マスクブランクスの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
| JPH05507390A (ja) | 基板の薄化エッチングのための方法 | |
| JPH069194B2 (ja) | 改良された平坦さを持つウェーハからの集積回路 | |
| JPS58185500A (ja) | シリコン膜製造法 | |
| JPH0775219B2 (ja) | Ｘ線露光マスクの製造方法 | |
| JP2004299018A (ja) | ＳｉＣ単結晶基板等の研磨による超平滑結晶面形成方法 | |
| JPH02109332A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2001085648A (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ | |
| Deng et al. | Damage-free and atomically-flat finishing of single crystal SiC by combination of oxidation and soft abrasive polishing | |
| JPH11126771A (ja) | 半導体ウエーハのエッチング方法およびこの工程を有する半導体ウエーハの製造方法 | |
| JP2021508088A (ja) | 複合単結晶薄膜 | |
| JP2604488B2 (ja) | 接合ウエハおよびその製造方法 | |
| Takezawa et al. | Fabrication of a diamond-based imprint mold by applying diamond CVD on silicon master molds for a glass microlens array | |
| JP2018207097A (ja) | 半導体用基板およびその製造方法 | |
| Quang et al. | Study of the polishing performance of yag crystals through the balance between chemical and mechanical actions | |
| JP3578238B2 (ja) | シリコンウェーハの加工方法 | |
| JP2577090B2 (ja) | 結晶半導体膜の形成方法 | |
| JPS6047427A (ja) | Ｂｓｄを付与した半導体基板 | |
| JPH11274162A (ja) | 半導体基板とその製造方法 | |
| JPH10275759A (ja) | Ｘ線マスクブランクの製造方法及びｘ線マスク用ｘ線透過膜の製造方法 |