JPS58158549A - Ｎｏ↓２ガス検知器 - Google Patents
Ｎｏ↓２ガス検知器Info
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- JPS58158549A JPS58158549A JP4204582A JP4204582A JPS58158549A JP S58158549 A JPS58158549 A JP S58158549A JP 4204582 A JP4204582 A JP 4204582A JP 4204582 A JP4204582 A JP 4204582A JP S58158549 A JPS58158549 A JP S58158549A
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- JP
- Japan
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- gas
- tin oxide
- oxide film
- temperature
- film
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、膜状酸化錫をＮｏ２ガス感応体とするＮＯ２
ガス検知器に関し、２種類の好適な結晶粒径を有した膜
状酸化錫を各々、温度検知体、ガス感応体とすることで
、温度特性の安定したＮ０２ガス検知器を提供すること
を目的とする。
ガス検知器に関し、２種類の好適な結晶粒径を有した膜
状酸化錫を各々、温度検知体、ガス感応体とすることで
、温度特性の安定したＮ０２ガス検知器を提供すること
を目的とする。
従来、Ｎ０２ガスの正確・簡便かつ連続的な測定法とし
て、酸化錫膜をガス感応体とする、いわゆる半導体式ガ
ス検知器が提案されている。Ｎ０２ガスが酸化錫膜に吸
着することで酸化錫膜の電気抵抗が増加することを利用
している。通常は、ガスの吸着・脱着をすみやかに行わ
せて高応答速度を得るために、ガス感応体を１５０〜４
００℃に加熱して用いられる。ガスの検知は、被検ガス
とガス感応体である酸化錫の表面との一種の化学反応（
化学吸着・脱着反応）に依っていることから、被検ガス
に接するガス感応体表面の温度を一定に保つことは、ガ
ス検知器を構成する上で十分考慮されねばならない要件
となっている。
て、酸化錫膜をガス感応体とする、いわゆる半導体式ガ
ス検知器が提案されている。Ｎ０２ガスが酸化錫膜に吸
着することで酸化錫膜の電気抵抗が増加することを利用
している。通常は、ガスの吸着・脱着をすみやかに行わ
せて高応答速度を得るために、ガス感応体を１５０〜４
００℃に加熱して用いられる。ガスの検知は、被検ガス
とガス感応体である酸化錫の表面との一種の化学反応（
化学吸着・脱着反応）に依っていることから、被検ガス
に接するガス感応体表面の温度を一定に保つことは、ガ
ス検知器を構成する上で十分考慮されねばならない要件
となっている。
特に、Ｎ０２ガス検知に際しては、Ｎ０２ガスは被検ガ
ス中の０２とでＮ０２＃Ｎｏ＋Ｖ２ｏ２ の平衡関係
が成り立っており、この平衡関係は５５０℃以トではほ
とんど右側にかた寄りＮ０２はほとんどＮｏとして存在
する。５！：３０’Ｃ以下では、温度に応じてＮ０２と
Ｎｏの存在割合が決まることから、先述し／ζようにガ
ス感応体表面の温度を一定に保つことは、高精竺のすな
わち温度特性の安定したＮ０２ガス検知器を得る上で不
可欠なことである。
ス中の０２とでＮ０２＃Ｎｏ＋Ｖ２ｏ２ の平衡関係
が成り立っており、この平衡関係は５５０℃以トではほ
とんど右側にかた寄りＮ０２はほとんどＮｏとして存在
する。５！：３０’Ｃ以下では、温度に応じてＮ０２と
Ｎｏの存在割合が決まることから、先述し／ζようにガ
ス感応体表面の温度を一定に保つことは、高精竺のすな
わち温度特性の安定したＮ０２ガス検知器を得る上で不
可欠なことである。
被検ガスと接するガス感応体をできる限り一定に保つだ
めに、第１図に示すような、一方の面に面状ヒーターを
備え、もう一方の面に薄膜状のガス感応体１を備えだ電
気絶縁性基板より構成されるガス検知器が提案されてい
る。
めに、第１図に示すような、一方の面に面状ヒーターを
備え、もう一方の面に薄膜状のガス感応体１を備えだ電
気絶縁性基板より構成されるガス検知器が提案されてい
る。
なお第１図において、３はガス感応体１に一定の動作温
度を与えるための、例えば、タングステン粉末とかモリ
ブデン粉末とか酸化ルテニウム粉末とかの導電材料とガ
ラス粉末との混合物を主体とする導電ペーストを好適な
形に面状に印刷・焼付することで得られる抵抗体より成
る面状ヒーターである。４は、ガス感応体ｌの電気抵抗
の変化を検出するだめの白金等より成る電極である。２
はアルミナ（人１２０３ ） を主体とする電気絶縁
性基板である。
度を与えるための、例えば、タングステン粉末とかモリ
ブデン粉末とか酸化ルテニウム粉末とかの導電材料とガ
ラス粉末との混合物を主体とする導電ペーストを好適な
形に面状に印刷・焼付することで得られる抵抗体より成
る面状ヒーターである。４は、ガス感応体ｌの電気抵抗
の変化を検出するだめの白金等より成る電極である。２
はアルミナ（人１２０３ ） を主体とする電気絶縁
性基板である。
ガス感応体１の温度は、従来第２図（Ａ）に示したよう
に、ガス感応体１に熱電対５を接着することで、あるい
は、第２図（Ｂ）に示しだように、面状ヒーター３に、
熱電対すを接着することで、あるいは、面状ヒーターの
温度と抵抗値の関係を用いて測られ制御されていだが、
後の２者の場合は、ガス感応体１が被検ガスと接する面
の温蔗を直接測っていないことから、これらの測定値を
用いてのガス感応体１の温度制御は、例えば、被検ガス
の流量が変化して面状ヒーター３からの熱の伝達速度に
変化をき／こした場合、面状ヒータ３の温度は設定値に
一定に制御されていても、ガス感応体１の温度は必ずし
も一定に制御されず、ガス検知器の゛温度特性に不安定
さをもたらす欠点があった。また、第２図（Ａ）で示さ
れる方法では、ガス感応体の１部分の温度を測定してい
るのみであること、また、ガス感応体１に直接接して熱
電対６が配置されていることから、熱電対がヒートシン
クとして働き、ガス感応体の温度に不均一さを招き、や
はり、ガス検知器の温度特性に不安定さをもたらす欠点
があった。
に、ガス感応体１に熱電対５を接着することで、あるい
は、第２図（Ｂ）に示しだように、面状ヒーター３に、
熱電対すを接着することで、あるいは、面状ヒーターの
温度と抵抗値の関係を用いて測られ制御されていだが、
後の２者の場合は、ガス感応体１が被検ガスと接する面
の温蔗を直接測っていないことから、これらの測定値を
用いてのガス感応体１の温度制御は、例えば、被検ガス
の流量が変化して面状ヒーター３からの熱の伝達速度に
変化をき／こした場合、面状ヒータ３の温度は設定値に
一定に制御されていても、ガス感応体１の温度は必ずし
も一定に制御されず、ガス検知器の゛温度特性に不安定
さをもたらす欠点があった。また、第２図（Ａ）で示さ
れる方法では、ガス感応体の１部分の温度を測定してい
るのみであること、また、ガス感応体１に直接接して熱
電対６が配置されていることから、熱電対がヒートシン
クとして働き、ガス感応体の温度に不均一さを招き、や
はり、ガス検知器の温度特性に不安定さをもたらす欠点
があった。
本発明は、先述した欠点を除き、結晶粒径が好適に選ば
れた温度検知用の酸化錫膜が設けられた同一基板面に、
結晶粒子径が好適に選ばれたＮ０２ガス検知用の酸化錫
膜を設けることで、温度特性の安定したＮＯ２ガス検知
器を提供するものである。
れた温度検知用の酸化錫膜が設けられた同一基板面に、
結晶粒子径が好適に選ばれたＮ０２ガス検知用の酸化錫
膜を設けることで、温度特性の安定したＮＯ２ガス検知
器を提供するものである。
第３図（Ａ）〜（Ｆ）は、５ｎ０２結晶の（１１０）面
に帰属されるＸ線回折ピークの半値巾よりデバイ・シェ
ーラ一式（結晶粒径Ｄ−にλ／βｃｏｓθ、には１に近
い係数、λは回折測定に用いたＸ線の波長、β：＝Ｂ−
ｂ、Ｂは被検体の半値巾、ｂは回折装置に固有の値で十
分結晶粒の発達した例えば粒径が１０〜５０μの５ｉｎ
２単結晶粉末の回折ピークの半値ｒｌＪである。）で力
えられる結晶粒径が、２８４室温の乾燥窒素ガスふん囲
気中・・・・・・曲線〔１〕、室温の相対湿度〜１００
％の窒素ガスふん囲気中・・・・・・曲線〔２〕、ＮＯ
２濃度が〜９ ｍ）ｌ）ｍの乾燥窒素ふん囲気中・・・
・・・曲線〔３〕、での電気抵抗と温度との関係を示し
ている。
に帰属されるＸ線回折ピークの半値巾よりデバイ・シェ
ーラ一式（結晶粒径Ｄ−にλ／βｃｏｓθ、には１に近
い係数、λは回折測定に用いたＸ線の波長、β：＝Ｂ−
ｂ、Ｂは被検体の半値巾、ｂは回折装置に固有の値で十
分結晶粒の発達した例えば粒径が１０〜５０μの５ｉｎ
２単結晶粉末の回折ピークの半値ｒｌＪである。）で力
えられる結晶粒径が、２８４室温の乾燥窒素ガスふん囲
気中・・・・・・曲線〔１〕、室温の相対湿度〜１００
％の窒素ガスふん囲気中・・・・・・曲線〔２〕、ＮＯ
２濃度が〜９ ｍ）ｌ）ｍの乾燥窒素ふん囲気中・・・
・・・曲線〔３〕、での電気抵抗と温度との関係を示し
ている。
また下表は、各酸化錫膜の作製条件を示している。
第３図（ム）〜（Ｆ）から明らかなように、結晶粒子径
が１４０人以上である３つの膜の電気抵抗値は、膜が晒
されるガスふん囲気にほとんど関係なく、特にＮｏ２ガ
スの存在により変化することなく、温度にのみ依存する
。
が１４０人以上である３つの膜の電気抵抗値は、膜が晒
されるガスふん囲気にほとんど関係なく、特にＮｏ２ガ
スの存在により変化することなく、温度にのみ依存する
。
本発明は以上の実験事実から得られた酸化錫膜の特異な
性質を利用しているものである。
性質を利用しているものである。
以下に具体的に本発明の詳細な説明する。
第４図（ム）、■）は、本発明の一実施例である結晶粒
径が１４０人を越える酸化錫膜７により２組以上の電極
対を有する一方の面が被覆され、かつ電極対の少なくと
も１組（電極９と電極１０の組）が結晶粒径が１４０Ａ
以下の酸・化錫膜でさらに被われたＮ０２ガス検知器を
示す。
径が１４０人を越える酸化錫膜７により２組以上の電極
対を有する一方の面が被覆され、かつ電極対の少なくと
も１組（電極９と電極１０の組）が結晶粒径が１４０Ａ
以下の酸・化錫膜でさらに被われたＮ０２ガス検知器を
示す。
純度が９６％の厚さＱ、５ｍｍ、広さ５ｍｍ角のアルミ
ナ基板１３の一方の面に酸化ルテニウムを主体とする導
電ペーストを印刷・焼き付けることで面状ヒーター１４
が設けられる。もう一方の面には、白金を主体とする導
電ペーストを印刷・焼き付けすることで電極９．電極１
０．電極１１．電極１２が形成される。
ナ基板１３の一方の面に酸化ルテニウムを主体とする導
電ペーストを印刷・焼き付けることで面状ヒーター１４
が設けられる。もう一方の面には、白金を主体とする導
電ペーストを印刷・焼き付けすることで電極９．電極１
０．電極１１．電極１２が形成される。
次に、金属錫をターゲットとして、アルゴンガス圧ＰＡ
ｒと酸素ガス圧Ｐｏ２の比が１：１．全ガス圧２・５ｐ
ａのふん囲気で、基板温度〜１００℃で反応性スパッタ
リング法により、電極９． １０゜１１．１２がすべて
被われるように酸化錫膜が形成される。その後、大気中
７９５℃で２時間焼成することで結晶粒径が１４ＯＡを
越える厚さ３００００身 Ａ酸化錫膜が形成される。
ｒと酸素ガス圧Ｐｏ２の比が１：１．全ガス圧２・５ｐ
ａのふん囲気で、基板温度〜１００℃で反応性スパッタ
リング法により、電極９． １０゜１１．１２がすべて
被われるように酸化錫膜が形成される。その後、大気中
７９５℃で２時間焼成することで結晶粒径が１４ＯＡを
越える厚さ３００００身 Ａ酸化錫膜が形成される。
次に、電極１１および１２をマスキングして、再度、先
述しだのと同一の条件下で反応性スパッタリング法によ
り、結晶粒径が６４Ａの酸化錫膜が、電極９および電極
１０−ヒに、酸化錫薄膜７を介して３０００Ａの厚さに
形成される。
述しだのと同一の条件下で反応性スパッタリング法によ
り、結晶粒径が６４Ａの酸化錫膜が、電極９および電極
１０−ヒに、酸化錫薄膜７を介して３０００Ａの厚さに
形成される。
電極９と電極１０と、酸化錫膜８がＮ０２ガス検知用と
して供され、電極１１と電極１２と、酸化錫薄膜７とが
温度検知用に供される。
して供され、電極１１と電極１２と、酸化錫薄膜７とが
温度検知用に供される。
第５図は、本発明によるＮＯ２ガス検知器が実用に供さ
れた状態を示す。
れた状態を示す。
図において、１５は電極１１と電極１２と酸化錫膜７と
で構成される温度検知用素子、１６は電極９と電極１０
と酸化錫膜８とで構成されるＮＯ２ガス検知素子を示す
。１９および２０は１ＭΩの抵抗器、１８は１．ＯＶの
直流定電圧源、１７は素子加熱用の面状ヒーターを示す
。２１は面状ヒーター１７に、温度検知素子１５の信号
とあらかじめ設定された温度値を比較することで制御さ
れた定電流を供給する温度コントローラー、２２はガス
検知素子の信号の増巾変換器である。
で構成される温度検知用素子、１６は電極９と電極１０
と酸化錫膜８とで構成されるＮＯ２ガス検知素子を示す
。１９および２０は１ＭΩの抵抗器、１８は１．ＯＶの
直流定電圧源、１７は素子加熱用の面状ヒーターを示す
。２１は面状ヒーター１７に、温度検知素子１５の信号
とあらかじめ設定された温度値を比較することで制御さ
れた定電流を供給する温度コントローラー、２２はガス
検知素子の信号の増巾変換器である。
Ｎ０２を含むガスふん囲気での温度特性および第４図（
Ａ）ｔ （Ｂ）で示される構造より明らかなように、従
来の検知器とは異なり、Ｎ０２ガス感応体と同種の材料
より成るが、ＮＯ２ガスに感応しない温度検知体がガス
感応体の設けられている同一基板面内に設けられており
、ガス感応体が経験するガス測定条件（特に被検ガスの
流量）の変化に伴うガス感応体表面の温度変化を正確に
かつ迅速に検知することができ、この信号を例えば第５
図に示した温度コントローラーに与えることで動作温度
の安定した、すなわち温度特性の安定したＮ０２ガス検
知器を提供することができる。
Ａ）ｔ （Ｂ）で示される構造より明らかなように、従
来の検知器とは異なり、Ｎ０２ガス感応体と同種の材料
より成るが、ＮＯ２ガスに感応しない温度検知体がガス
感応体の設けられている同一基板面内に設けられており
、ガス感応体が経験するガス測定条件（特に被検ガスの
流量）の変化に伴うガス感応体表面の温度変化を正確に
かつ迅速に検知することができ、この信号を例えば第５
図に示した温度コントローラーに与えることで動作温度
の安定した、すなわち温度特性の安定したＮ０２ガス検
知器を提供することができる。
なお、本発明に従う結晶粒径が１４ＯＡを越える酸化錫
膜として、先述したいわゆる反応性スパッタリング法に
よる厚みが数１００ＯＡの膜を大気中で約８００℃以上
で加熱処理して得られる膜でも良いし、まだ、５ｎ０４
をアンモニア水で加水分解して得られるα−スズ酸あ
るいは、金属粉末を濃硝酸中で酸化することで得られる
β−スズ酸の）色比澱物を低融アルカリガラス粉末と混
合して０ 得られるペーストを印刷塗布し、いずれも約６００℃以
」＝で加熱焼成することで得られる酸化錫膜であっても
良い。
膜として、先述したいわゆる反応性スパッタリング法に
よる厚みが数１００ＯＡの膜を大気中で約８００℃以上
で加熱処理して得られる膜でも良いし、まだ、５ｎ０４
をアンモニア水で加水分解して得られるα−スズ酸あ
るいは、金属粉末を濃硝酸中で酸化することで得られる
β−スズ酸の）色比澱物を低融アルカリガラス粉末と混
合して０ 得られるペーストを印刷塗布し、いずれも約６００℃以
」＝で加熱焼成することで得られる酸化錫膜であっても
良い。
ま／ζ、本発明に従う結晶粒径が１４０人以Ｆである酸
化錫膜として、先述した反応性スパッタリング法による
厚み数１００ＯＡの膜でも良いし、また、金属錫を酸素
ガスふん囲気中で加熱蒸発させる、いわゆるガス中蒸着
法で得られる膜厚みが数μにおよぶ酸化錫膜でも良いし
くただし、この際の酸素ガス圧は０．１〜Ｑ、５Ｔｏｒ
ｒであること、また膜形成後は大気中で４５０℃以」二
の加熱をしないことが肝要である。）、さらには、先述
した、α−スズ酸あるいはβ−スズ酸を主成分とするペ
ーストを印刷塗布し、α−スズ酸の場合は４５０’Ｃ以
下で加熱焼成、β−スズ酸の場合は４００℃以下で加熱
焼成することで得られる膜厚み数μの酸化錫膜であって
も良い。
化錫膜として、先述した反応性スパッタリング法による
厚み数１００ＯＡの膜でも良いし、また、金属錫を酸素
ガスふん囲気中で加熱蒸発させる、いわゆるガス中蒸着
法で得られる膜厚みが数μにおよぶ酸化錫膜でも良いし
くただし、この際の酸素ガス圧は０．１〜Ｑ、５Ｔｏｒ
ｒであること、また膜形成後は大気中で４５０℃以」二
の加熱をしないことが肝要である。）、さらには、先述
した、α−スズ酸あるいはβ−スズ酸を主成分とするペ
ーストを印刷塗布し、α−スズ酸の場合は４５０’Ｃ以
下で加熱焼成、β−スズ酸の場合は４００℃以下で加熱
焼成することで得られる膜厚み数μの酸化錫膜であって
も良い。
前記両膜の配置は、第４図（Ａ）Ｉ （Ｂ）のような構
造に限らず、両膜を別々に並べても良いし、また、両膜
を同一の大きさにして完全に重ね合わせてもｌｌ 良い。
造に限らず、両膜を別々に並べても良いし、また、両膜
を同一の大きさにして完全に重ね合わせてもｌｌ 良い。
第１図および第２図（Ａ）ｌ （Ｂ）はそれぞれ従来の
Ｎ０２ガス検知器の断面図、第３図（Ａ）〜（ｒはそれ
ぞれ酸化錫膜の電気抵抗と温度との関係を示す図、第４
図（Ａ）は本発明の一実施例である１Ｎ０２ガス検知器
の斜視図、第４図の）は同図（Ａ）の線ａ −ａ’に沿
った断面図、第５図は本発明によるＮＯ２ガス検知器が
実用に供された状態を示す図である。 ｌ・・・・・・ガス感応体、２．１３・・・・・・基板
、４，９゜１０．１１，１２・・・・・・電極、７，８
・・・・・・酸化錫膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 （Ａｌ （ｆ３ 擢工夷（Ｃ） 傷度（°Ｃ）（ＤＩ
（Ｆ １７（’Ｃ１ ２８４− ラ＆榎（・Ｃ） （Ｆ） う益痕（′Ｃ） 第４図 第５図 ＝２８５−
Ｎ０２ガス検知器の断面図、第３図（Ａ）〜（ｒはそれ
ぞれ酸化錫膜の電気抵抗と温度との関係を示す図、第４
図（Ａ）は本発明の一実施例である１Ｎ０２ガス検知器
の斜視図、第４図の）は同図（Ａ）の線ａ −ａ’に沿
った断面図、第５図は本発明によるＮＯ２ガス検知器が
実用に供された状態を示す図である。 ｌ・・・・・・ガス感応体、２．１３・・・・・・基板
、４，９゜１０．１１，１２・・・・・・電極、７，８
・・・・・・酸化錫膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 （Ａｌ （ｆ３ 擢工夷（Ｃ） 傷度（°Ｃ）（ＤＩ
（Ｆ １７（’Ｃ１ ２８４− ラ＆榎（・Ｃ） （Ｆ） う益痕（′Ｃ） 第４図 第５図 ＝２８５−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ ５ｎ０２結晶の（１１０）面に帰属されるＸ線回折
ピークの半値巾よりデバイ・シェーラ式を用いて算出さ
れる結晶粒径が１４０Ａ以下の酸化錫膜よりなるＮＯ２
ガス感応体と、同結晶粒径が１４０ムを越える酸化錫膜
よシなり上記ガス感応体の動作温度を検出するための温
度検出体とが絶縁性基板上に設けられたことを特徴とす
るＮｏ２′ガス検知器。 ■ ガス感応体が温度検出体の少なくとも一部を覆うよ
うにして設けられたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のＮＯ２ガス検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4204582A JPS58158549A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | Ｎｏ↓２ガス検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4204582A JPS58158549A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | Ｎｏ↓２ガス検知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158549A true JPS58158549A (ja) | 1983-09-20 |
| JPH038507B2 JPH038507B2 (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=12625147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4204582A Granted JPS58158549A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | Ｎｏ↓２ガス検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0297732A2 (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-04 | General Motors Corporation | Method for patterned tin oxide thin film element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811845A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｎｏ↓２ガス検知方法 |
| JPS58106450A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｎｏ２ガス検知方法 |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP4204582A patent/JPS58158549A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811845A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｎｏ↓２ガス検知方法 |
| JPS58106450A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｎｏ２ガス検知方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0297732A2 (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-04 | General Motors Corporation | Method for patterned tin oxide thin film element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038507B2 (ja) | 1991-02-06 |
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