JPS58150842A - ガラス−含有複合材料のガラス含量を測定する方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は複合材料中のガラスおよびそＯ鍮Ｏ威分の亀の
一定に関する。飼えば、ガラス強化ｌツスチツクスのガ
ラス量を一定することがしｄしば望まれている。

１１！１０％黴として、本発明は複合材料忙中性子を通
過させ、ガラス中に含有されているホク嵩に吸収される
中性子の１ｉ覆を一定することによって複合材料中のガ
ラスの量を迅速、正確且り比駿的安価に測定する技術に
関する。好ましい態様において、ホク紫はアイソトープ
、Ｂｌ・である；Ｉ！に、複数の位置でガラスの量を一
定するＩｆＫｍ科と中性子源ｆの間に相対運動を起こす
段階がある；゛中性子は熱中性子のエネルギ一単位を持
つ：そして、吸収される中性子の程度は一定峙間にわた
って平均化されている。

第２のｑ？黴として、中性子の代りにｒ纏が使用される
。好ましい態様として、材料Ｆｉ−ＩＩｒＩｌ樹脂から
成っている；成分は（臭素、アンチモノ、チタンあるい
は塩素を含む）−燃性化合物、！イカ、炭酸カルシウム
、ガラス、メルクあるいは３酸化アルミニウムから成る
群から選択される；中性子畝収は、２つの成分の量の一
定、卸ち、１つはｒ纏および中性子の吸収および他はγ
線のみの吸収を一定せしめる同一のサンプルでも測定さ
れる；一定されるべき成分は、無視出来る量で複合材料
中に存在する麹の元素の原子番号より大きな原子番号の
元素から構成されているので、複合材料中のγ線吸収は
一定されるべき成分によって著しく影畳される；ガラス
および有機樹脂の場合、成分は原子番号が１１以上の元
素を富んでいない；エネルギーの違う２種類のγ線が複
合材料を通過させられる；線源と検知器を分割するパス
に沿う形状寸法あるいは全質量を＃ｊ定するためにエネ
ルギーの高いγ線が使用される、形状寸法あるいは全質
量および該成分の量の両者および成分の１１−を決定す
る二つの醐定値の間の比率に鋭敏な測定をなさ°しめる
エネルギーの低いｒ！Ｉが使用される。

第６の％微として、複合材料中の成分の量を分析する装
置が提供される。この装置ｔｉ中性子のビームあるいは
γ線あるいはこの両者を＠＃ｖ＋に陶けて照射する手段
、ビームが＃材料からｍえ後てビームの強度を検知する
手段およびｌｌ１ｉｉ！ＯＩＩ係から鉄成分の量を決定
する手段から成って−る・好ましい態様において、ビー
ムは中性子でありそして中性子源は中性子源、周囲がパ
ラフィンであるモデレータ−および保護外輪から構成さ
れていゐ；中性子検知器は一部分がＢｏｒａｆｌ＠ｘＯ
ｊＥｌ龜ホウ素デム物質に包まれたＨ０３検知器から成
る：ｔ７ｆルを中性子あるいはγ線源と検知器の８０パ
スにスライドして出し入れするナノズルホルｌ−が毅け
られている；コンピューター７”　Ｈ＊　’ｌ　ｔ−１
ｊ’そり−およびそれらのソフトウェア−が提供される
Ｏ 第４の％黴として、テストサンプル中０威分０量を重量
−で定量する橡に検量０ためのサンプルとテストサンプ
ルの両者が同じ容積および重量を維持する手段が提供さ
れる。好ましい態様において、検定されるべきＩｔ科は
ペレット状でそして検定されるべきサンプルの重量と容
量は、崗じ重量のペレットを検量に［ｒ川するサングル
ホルダーに置きそして振盪し、攪拌しあるいは該ペレッ
トを較正検量Ｋ１ｍ！用すると四じ容量にバッキングす
ることによって検量用サンプルと同じに維持される。

検量用サンプルおよびテストサンプルの重量を測定する
段階および得られた結果がテストサンプル中の成分の重
量−を指示する様な関係式で計算されて得られた結果を
補正する段階が提供される。

他の特徴において、連続生産環境においても測定が可能
なことである。好ましい態様において、一定結果は複合
材料の生産に使用される成分の量をコントロールするた
めに使用される。

本発明はシート状およびペレット状複合材料中のガラス
含量の変化を検査する実用的な技術を提供することであ
る。フェンダ−の様な自動車部品社傷や異常なガラスｔ
Ｉｉが存在する場所を比較的急速に走査され得る。そし
て平均値からサンプル−サンプル変位をチェックして不
適格の分散を見出し得る。

本発明の他の利点および％徴は以下用らかにされる。

以下に好ましい態様を示す◎ 第１図は好ましい第１０態様の略図である。

第２図はガラス−強化１合材料で出来たーー車部品の傷
を走査するために使用される一橡Ｏ略−である。

第３図は他の態様の透Ｉ１図である。

１８４図は鋏他様０＠定エニツ）０内−を示す一分透視
図である。

第５図Ｆｉ測定ユニットの内部を示すためＥｌ１分的に
切断した平面図である。

１４６図は測定エニツ）〇一部を切ｊＩＷ１１つた正−
立面図である。

第７−９図は最も好ましい一様の回路部品Ｏ略図である
。

最初Ｏ好ましい態様を示す纂１およびＩＩ２■に、中性
子源１０、中性子検知！）１２およびガラス、有機樹脂
および他の成分を含有する複合Ｉｔ科１４が示されてい
る。開口部を持つ中性子徴収ホク諷含有シート１６は中
性子ビームをコリメートする◎中性子源から複合材料１
４を経て検知器へ照射される中性子Ｎの中には材料のガ
ラス中に存在する、Ｂ１０ａ子によって吸収されるもの
がある。このホウ素アイソトープは熱中性子の優れた吸
収材である。ガラスおよび複合材料の他の多くの元素は
中性子吸収力が極めて弱い０ 中性子源１０はシリンダー状のパラフィンモデレータ１
８に堀人された５４μＣのＣ，２５２源から成る。Ｃ，
源から発生する高エネルイーの中性子はパラフィンで減
速されて熱（あるいは低エネルギー）中性子が線源１０
から放出される。線源および検知器の間は代表的には１
〜６インチの間隙がある。検知！１２はヘリウム−６比
ガカウンターである。

実際に使用する場合、複合材料は、第２図に示唆されて
いる様に、複合材料中のガラスの立体分布を測定する様
に走査機構の線源および検知器に関して移動され得る。

この様な走査機構は不適当な量のガラスが存在する傷を
検査するために使用され得る。

次Ｋ１１ｇ２のそして今のところ最も好ましい１榔にお
いて一定ユニット５０、マイク四プーセツナー（Ａｐｐ
ｌ・■　および！イクロコンビエー！−）、プリンター
５４、コントロールスイッチ５ＢおよびＣＲＴディスグ
レイ６０がｌｌｌＳ−６１１に示されている０銅定ユニ
ツト５０はトラック６４０上の＆エツトの正面から水平
に円筒にスライドするスライド式サンゾルホルダー６２
　（頂５ＫＴｏるナンｌルを受ける友めの矩形の平行六
面体Ｏ小璽−口ＩＩ）を有している。該ユニットの中に
はシャーシー６６の上のトラック６４と共Ｋｉｌ定され
て−ゐ中性子検知器６８および中性子１１７０があ為口
Ｔａｍｐ＠ｒｐｒｏｏｆスクリューがシャーシー６６、
正面パネル７２および後部内部パネル７４を一定する。

検知器６Ｂはパネル７４の開口Ｓ（図示されていない）
を通して移−され得る〇 検知器６８は中性子源およびサングルの方向に向けられ
た開口１１８２を除いては中性子歇収Ｂｏｒａｆｌ＠ｘ
外飯８０　（Ｂｉｓｃｏ　Ｃｏｒｐ、―α０４ｔｍ７ｇ
４Ｂ１０）で収９巻かれているステンレススティールリ
ー検知器７８　　（Ｒｅｕｔｅｒ−８ｔｏｋｅｓモデル
Ｒ８−Ｐ４−１６Ｌ１６−２１５　　およびロールドア
ルミニウム外輪）から成る。

中性子源７０はプレス嵌めアルミニウムおよびキャップ
で密閉された円柱状のアルミニウム缶（Ｚｅｒｏ　Ｃｏ
ｒｐ　、　ＺＴＲ−１４０：直径８．７５インチ；長さ
６．６３インチ；厚さ０．０４０インチ）の内部でステ
ンレススチールのいる巻線によりパラフィンモデレータ
−の内部につり下げられている５４ｓＣのＣｆ２５２　
（Ａｍｅｒｍｈａｍ　Ｃｏｒｐ、、０６５４４４（ＡＮ
８１　）　５ＦＣ（７）　（ＩＡＥＡ　）Ｃａｐｓｕｌ
＠Ｘ、　１゜Ｃｏｄ＠ＣＶＮ、１　）から成る。アルミ
ニウム缶は中性子源を保鰻し且つ火事の場合はパラフィ
ンを含ｈサンプルホルダー６２は頂部で簡単に注がれる
ペレットを保持するためあるいは固体シート状材料を垂
直方向に支持するため（？６１えば、スプリングフラン
ジあるいは他の手段）に採用される。

第７−９図に、一定ユニットの回路部品の概略図が示し
である。第７図は中性子検知器から受けたパルスを増巾
するパルス増巾器を示している。

ＩＲＢ＆！ｌＦｉパルス増巾ｗｈ（右下）、２個Ｏ電源
おヨびインタ７エイスを富む回路全体を示している。

ｌ！９図は！イクロコンビエーターに一定時１ＩＩＩ１
１０秒間隔毎忙中性子検出ｏｓｉ数を供給するインタフ
ェイスＯ回路部品を示している。カウンターはパルス増
巾器、から受けたパルスをカウントし且つその総和を１
０秒毎にバッファーに転送する０マイクロコンピュータ
−は１０秒間隔毎にバッファーの容量が供給される。

マイクロコンピュータ−で使用されるソフトウェア−は
明細書の終りに添付しである。

特別なタイプの複合材料すンプルの一定を検量するため
には２つの一定がさされる；！８．を醜みとる第１検知
器が、ガラス含量が少ない（好ましくは約２０ｇ１以下
）という点を除いてはテストされるべき複合材料と同じ
ターグットと共ＫＩ！吊されそして１１！２読みとりＩ
８３が、ガラス含量が幾分多い（好ましくは約２０襲以
上）という点を除いては複合材料と同じターグットと共
にｆＩｌ用されも当然のことだが、テストされる債會Ｉ
ｉｒ科のガラス含量は前もって正確に知ることは出来な
いそして品質管ｊｌあるいはプロセス制御に利用出来る
他の情報から評価されねｄならない。

Ｋ８を読みとるパックグラウンド検知器がカドミニウム
あるいはホウ素の様に殆ど完全に中性子を吸収するター
ビットとしての吸収材と共に使用される。この読みは中
性子バックグラウンド信号を測定する。検知器読みは秒
当りのカウント数の形であり中性子到達の周波数を表わ
す。パックグラウンド読みはサンプルの違いによって変
化しないから−に＠定ｆれはコンピューターソフトウェ
ア−に打ち込める。

検知器読みＩ、　（一定時間間隔で検知された中性子の
数）と特定の複合材料中に存在するガラスの量との間の
関係式ＶｉＩｓ＝　（ＩｏＩｎ）ｅｘＰ　（Ｋａｄａ　
）ｅｘｐ　（−ＫＲＭｌｌ）　＋ＩＢ　　で表わされる
。ここでｌ８１１”８２およびＩＢｔｆ丁でに定義した
通り、■。はビーム照射されたサンプルなしの信号、Ｋ
ＧＩＩｉガラスによる中性子を吸収率（その大部分は、
Ｂｆｔから発生する）、ＭＧはビーム中の単位面積当り
のガラス０量である、Ｋ１は中性子吸収と材料の残部、
即ちガラス以外の全ｓＯ率である（Ｋｌは〜よ）それ程
小さくない）そして−紘材料０！ｌｌｌ０単鉦−積漁り
の量である。

複合材料Ｍｃは４十ＭＩＫ等しいから上述０式はＩｇ＝
　（ＩｏＩＢ）ｅｘＰ　（Ｖ−Ｈ−Ｍｃ）ｅｘＰ　（Ｋ
１橿−−＋ＩＢとなる。ここで、未知０？唯一９０１１
１１で現われそして他の術語は与えられたタイプＯＩＩ
会Ｉｔ科において一定である。この式は未知ｏ４に対し
てセミログ紙にニア″ロットすると直線になる０斎し、
２つの既知の標準ガラスｔａｐ、＊とＦ、慢シよびＩ　
およびＩ８！を一定すると、スロー！および１ １量ｇスペースの線の切片が計算されそして未知のガラ
ス含量ＦＸは と示される。ここで、Ｉ８Ｘは未知物質の検知１ＩＩｌ
ｌみである。

この式はＦＩ］ｒＦ′１＋Ｇ１ｎ　（ＩＢＩ　１１）　
Ｇｉｎ　（Ｉｇｚ−１１）と変換され得、ここで、未知
物質によって変化するＩＢｘ以外は総て検量測定によっ
て決定される定数である。かくて、一旦特定のタイプの
材料の検量−線が作られると、ガラス含量は容易に決定
され得る。

検量−線が変化する範囲はＩＢＩおよび”８２の測定の
正確だけで社なく、複合材料中の非ガラス成分の吸収お
よび分散率−が、２つの検量標準に対する非ガラス成分
の比率の大きな変化のためそれ鴨大きく変化しないとい
う仮説にも依存するＯＫｍは通常恥より小さいからこの
仮説ｔｉ通常変化し、他の成分中の非常に小さな変化か
に８　　あるいはガラス信号に対する中性子透過に大き
な変化をもたらすこと社ない０ より正確でない検１ｉＦｉ（１１好ましい２０％工り更
に離れた検量測定をすること　（然しなから、非線形が
容易に目立つ様になる）あるいは（２）唯一つの検量測
定を使用し且つ前述した（ＩＣ４紙上）直線関係のスｐ
−ゾを仮定することによって１に宴れみ・検量測定が実
Ｉ！Ｏ欄定に接近した時に後者は可成り良く作用する、
なぜなら社ス四−プ紘多（ＯＩタイプサンプルで可成り
似過っているからで′ｈ為・本発明Ｏ飯能を使用するに
！！＆って、種々ＯＪＬ　ａａミツト作動されそしてソ
フトウェア−が円板ドライブを経て負荷される０ゾ讃グ
ラムは日付をｆＷンプトすることによって始まる。ｆａ
ｒツム５ｇ１ｉを完了するためＫｌｌ！用されている款
射−１［０生滅期を自動的に補正するのでこれは正１１
に鍮めることが型費である。次に、オペレーター〇本節
が入れられる。ついで、！ログラムはオプシ曹ンＯリス
トを表わす；（１）検量（２）分析（３）検量リスト（
４）分析リスト（５）インストラクシｌンあるいは（６
）エフシトグログラム０分析を完了する＃に、検量社コ
ンピューターメモリーにインプットされなければならな
い。検量を完了するために、ガラス含量が既知の２つの
サンプルが必要である。検量モードは中−〆−ドにエン
トリーをタイ！することによって選択される。ついで、
ディスタが検量１口ｒ９ムを負衝し、そしてそれは先ず
最初にグラスティックのタイプを求めるであろう。つい
で、一定の検量Ｓｔのために普通の時間リストからの選
択がなされる０次に、纂１補正サンプル中のガラスの重
量％がインプットされる。次いて、グルグラムはサンプ
ルが検量のために製造されたかということを問う。つい
で、検量サンプルがホルダーに入れられそしてホルダー
は、ホルダーが正面パネルと共にフラッシュされるのを
ｉｉｇする測定モジュールの中にスライドして入れられ
る。入力がキーボードになされ検量測定が進行する。最
初の検量が完了するまでの経過時間はモニターに秒で指
示される。最初の検量測定が完了し友ら音が発生する。

次ぎに、第２検量サンダルの含量−が入れられ、そして
、第２検蓋サンプルが測定モジュールに挿入される。音
が第２検皺が完了したことを指示しそして検量精度が−
で知らされる。ついで、検量はディスクメモリーに保存
されるｏｌＫ検量が実施される。

実際に検量あるいは検定を始めるには、検定モードはキ
ーボードをＩ！用して選択されそして！−グ２ムＦｉプ
ラスチックのタイプとサンダル０４ｍを求める。ついで
、あらかじめ定めた検ｌ！精ＩＩＯ時間リストが塊われ
そして１つが選択されなければならなｉ。塊われるｌ’
ｌｆ表が曽の精ｊ［ｌｌ１ｌ！に基づｂて最新のところ
までｍシ込まれた４０″ｔ’ある口ついて、未知のサン
プルが一定モジュールＯ中に置かれているサングルホル
ダーの中に置かれそしてキーボードに入力することによ
りて検定が一輪される。ピカッと光る信号が検定が進行
中であることを指示しそして１０秒毎Ｋ１ｍ存時間およ
びガラス含量および精度が畿９込まれる。音が検定が完
了し良ことを指示し、そしてガラス含量および検定摺度
が示される。ついで、！ログ２ムが検定を保存すべきか
否かを問う。６個のオゾシ曹ン０最初のリストを戻るこ
とＫよって７アイルされている検量リストが得られる０
検量フアイルは＃１１諭されるかある込はプリントされ
得る。

本発明の装置は、基本的には、単位重量＠夛よりも本位
容量肖）の饅がラスで媚定されるが、これはよ？望まし
い臘である。これはビームがｑｌｆ１１１Ｊ定毎ＫＩ′
Ｗｌじ面積を通過するためである。然しなから、谷横一
定から電蓋細足へ転換することは田米る。成形産業で使
用されるプラスチックペレットの如き特定の物質の場合
、一定重量のペレットをサンプルホルダーに置きそして
振とり、攪拌あるいは充てんすることによって、サンプ
ルによって占められている答槓が検１１ｉ樟準物質によ
って占められている容積と同じになる様にがさ充てん密
度が変化させられる。このことは、ペレットの高さをサ
ンプルホルダーの線と比較しく或いけ線の尚さて電子銀
を使Ｉ＋４することによって）、ついで振とうして高さ
を上けるか戚い＃′ｉ、硬い表向の上のホルダーを軽く
たたいて充てんを緊密にしそして高さを低くめることに
よって容易に達成され得る。

この方法で各サンダルは一定の容積および一定の重量を
持ちそして単位重蓋当９のチガラスが測定され得る。仁
の技術はサンプル間のペレットの多孔１の変化をも計数
する０サンダル間にペレット充てんが均一に残存してい
るのを′ｉｌＩ保（従って、希望する容積を達成するた
めの振とりあるい轄充てんというＳ題を軽易にする）す
るためにはペレットを一定の高さからサングルホルダー
に注ぐのが最もよい。

答積或いは電量の相違のわずかな補正は手動或は修飾ソ
フトウェア−により１皺外挿することによって成される
。厚さが一定のシート状物質の場合、２つの検量サンプ
ルを使用するととによってガラスの重量−の形で直ＩＩ
応答される。厚さの小さな補正も手動又は修飾ソフトウ
ェア−により−型外挿することによって成され得る。

重量が極めて違うサンプルの場合又は極めて精度が要求
される場合、基本となる計算に対数が取り入れられる前
に質量を考成しなければならない。

天びんによる秤鎗の様に手動技術或は超音波或は高エネ
ルイー透過率の様に自動技術を使用することによって、
重量或は質量データが一定され得るそして計算を達成す
るコンピューターに供給される０ 単位ビーム面積当シの一定重量を達成する勉の技術は、
静かに開閉出来て頂部の表面がホルダーの規定された線
にマツチする迄ペレットの高さを調節し得るアコーデオ
ン状の側面をホルダーの一面に設けることである。これ
Ｋよシビーム通路にある一定重量のサンダルが形成され
る。

他の態様はフレイムに包含される。例えは、測定特開は
変化され得る　（長時間の測定は、検知器読み暇９をよ
り平均化せしめるので通常非常に正確である；代表的な
測定時間は１秒〜１時間の範囲である）。他の線源およ
び検知器も使用され得る；電子中性子源あるいはアメリ
カン−リチウムａ源が使用される；そして検知器は特に
サイズが重要な光電子増倍管を有するＢＰ、あるいはＬ
ｉＩ（Ｅｕ）シンチレータ−クリスタルの如き他の中性
子検知管であり得る。又、線源および検知器はボータプ
ルなバッテリー亀カニニット中に包俟されそしてエレク
トロニクスが加えられてテストされている構造材中のガ
ラスのパーセンテージの表示装置が設けられる。Ｉ＆収
性ホウ素からのα粒子放出を一定することによって中性
子吸収も又測定される。

検定は、中性子の代りにあるい祉中性子Ｋｍえるにｒ線
をＩ！柑して実施され得るＯｒ締はガラスの中のシリコ
ーンＫｌｋ収され、そしてそれ故ホウ素が使用されてい
ないガラスに対しては有用である。ｒａ！も複合材料中
の他の多くの成分、例えば離燃剤（主として臭素、アン
チモン、チタン或は塩素が含まれる）、マイカ、嶽酸カ
ルシウム、三酸化アルミニウムおよびメルクＫｌｌ収さ
れる。

γ線を使用する場合、複合材料の他の総ての元素（添加
材および基礎物質）の原子番号が検定される添加材の原
子番号より実質的に小さいことが好ましい。このことは
、ガえば、ガラスおよびグラスチックにおいて正しい、
なぜならばシリコーン（原子番号１４）ｉｉｌｌｍ（Ｊ
［子番号８）０原子番号よりはるかに太き＆原子番号を
有しているからである。然しながら、若し三酸化アルミ
ニウムが複合材料に添加されたらアルミニウム（原子番
号１６）による吸収はシリコーンによる吸収に干渉され
る。それ故にガラスを検定すゐ場合は複合材＠（ガラス
に比べて無視出来る量を除いては）中に原子番号１１以
上の如何なる元素も存在しないことが好ましい。ｒｋも
中性子と一緒に使用され得る。その様な２種類のビーム
を使用する手段はガラスおよびシリコーンに近い原子番
号を有する元素を有する添加材を官有する複合材料を検
定する場合に特に有用である。この様な場合、中性子測
定はガラスの量を指示し、ｒｉｌｌ醐定はガラスと他の
添加材の結合量を指示する。ついで他の添加材の量が２
つの測定の違いから計算される。

エネルギーの違う２つのｒ線を使用すると、サンプルの
形状寸法には無関係（例えば、ペレットの充てん密度に
無関係）な測定あるいは（例え法物品を走査検定する場
合の様な線源と検知器の間のスペースに無関係な）測定
が可能である。例えに、（サンダルが鉛の様な重元素を
富んでいないことが必要な）低ＫｅＶ＃ｉｌＪ定の場合
はガラス含量および形状大きさに鋭敏な側足が提供され
、高ＫｅＶ醐定の場合形状大きさのみに鋭敏な測定か提
供される。それ故、２つの比率がガラス含量の醐定籠を
提供する。

ｒ線を使用する本発明の好ましい態様は、エネルギーの
異なる二つのｒ線を放出する２つ０１００−〇カドミニ
ウム１０９ｍ源とＣｄ−テルル化合物ソリッドステー）
ｒｆｌｉ検知ＩＩ　（ＲａｄｉａｔｉｏｎＭｏｎｉｔｏ
ｒｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅｓ、　Ｉｔｓｅ、、　Ｍｏｄｅ
ｌ　Ａ１０１Ｂ４　）を有している０線源は中性子検知
器の附近に暖９付けられており検知器は中性子１橡の附
近Ｋｌｊｊ付けられているのでビームは中性子ビームに
沿ってしかも反対方向に向かう。２つの線源は、ｒ−線
ビームのターデッド面積を中性子ビームのターデッド面
積に広げるために使用される。

ｒ線の利点は中性子より大きなアウトプット信号を出す
ということおよびｒ＠ｏｊ１１蔽は簡単なので為強度の
線源が使用され得るということであｐｌこれらにより高
い精寂が得られる０ 他の態様は上述した中性子あるいはｒ−纏一定を７”ｏ
セス制御に使用して製造工程のアウトプットを連続的に
検定することである。例えば、ペレット状の複合材料の
製造において、キャビテイーをペレットで周期的に充て
んしそしてキャビティーを横切って中性子又はｒ線を照
射する配置が考えられる。この配置により、ガえｄ５が
ラスープラスチック複合材料のガラス含量がほぼ実時間
（リアルタイム）で測定される。好ましいパーセンテー
ジから測定された変数は複合材料に株加されるガラス量
を自動的に制御するために使用される。この場合、エレ
クトロニクスが、平均化された検知器信号と、ラインが
正規に走っている時にセットされる参考レベルとを直接
比較し且つ検知器と参考信号の相違を利用して複合材料
中に使用されるガラスの量を制御すれば十分であるので
コンピューターは必ずしも必景でない。

他の態様は、例えはへりコグターブレードおよびタンク
アーマを検査するための比較検知器である。ヘリコプタ
−グレードの場合、小さなｌｓ源がへりコグターブレー
ドの中に挿入されそして検知器が外表面を横切って走る
　この場合１Ｍ源と検知器の間の距離に変化があるので
前述したエネルギーの異なる２つのｒ線を使用する方法
が特に有用である。ブレードの中のガラスの絶対量を一
定する代りに、ガラス含量の希望する立体分布ｔ）ｆ。

ットと検知器がブレードの表面を横切る時に発生する実
際の立体分布のプロットが比較される０

【図面の簡単な説明】

第１図は好ましいｗ４１の態様の略図である、。 １！２図はガラス−強化置台材料で出来た自動車部品の
傷を走査するために使用される一様の略図である。 第６図は他の態様の透視図である。 ！４図は該他機の′ｔｓ足二ニットの内部を示す部分透
視図である。 第５図は測定ユニットの内部を示すために部分的に切断
した平面図である。 第６図は測定ユニツ）Ｏ一部を切９取った正両立面図で
ある。 第７図、第８図、第９図は鍛も好ましい態様の（ロ）路
部品の略図である。 手続補正書（方式） 昭和９ご年９月ｔＱ日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和く′ノ年　９ｊ合願第　２３の１７　　号カラ７−
　’ｆ；　ａ　才４４才ｊＦＩａ力”ｙ　ｌ　”：　ｆ
　ｔ、　：４’ｉ　′５−Ｔ　ｓ幻；、プノ１−”ＬＳ ３、補正をする者 事件との関係　　　出　願　人 住所 ｑλ喚°１、　ラＬ　’Ｌ　ｌ’し・／゛七−ン゛ｌン
ク　ティノ＼イｔスイ１．クーけ′【、−チアド ４、代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、イ、ガラスー富有徐合材料を中性子線源にさらし、 口、ガラスに含まれているホウ素によって吸収される中
   性子の￥Ｍ［を＃１定し、そしてハ、中性子の吸収程度
   に基づいてガラス含量を足置することから成るガラス−
   ｉ＆有複合材料のガラス含量を一定する方法。 ２、＃ホウ素がアイソ）−ｆ、Ｂ”である特許請求の範
   囲第１項に記載の方法。 ３、＃測定方法が、中性子が麹合材料に衝突した後該櫂
   合材料を通過する中性子の数を検知することから威る特
   許請求の範囲第１項坪記教の方法。 ４、　６１１合材料と該ｌ１ｉｉｌ源の間に相対運動を
   起こさせて複数の位置でガラスの普を＃１定する段階を
   更ＶＣ含む特許請求の範囲第１項に記載Ｏ方法。 ５、該相対運動が骸複合材料中の該ガラスの立体分布を
   測定するための走査連動である特許請求の範囲第１項に
   記載の方法０ ６、　９中性子が熱中性子のエネルギーレベルを有して
   いる特許請求の範囲第１項に配賦の方法０７、　中性子
   の吸収の＠度の測定が一定時間平均化されている特許請
   求の範囲第１項に記載の方ｆ＆。 ８、イ、複合材料１ｒｔｉｌ源にさらし、ロウ複合材料
   中の特定成分によって吸収されるγ−線の程度を測定し
   、そして ハ、γ−線の吸収１！ｆＫ基づいて該特定成分の量を定
   量することから成る複合材料中の特定成分の量を定量分
   析する方法。 ９、＃複合材料が有機樹脂である特許請求の範囲第り項
   に記載の方法。 １０、＃複合材料が有機樹脂である特許請求の範囲Ｗ、
   ８項に記載の方法０ １１、　　骸特定成分が臭素、アンチモン、チタンある
   いは塩素を言む離燃社；マイカ；炭蒙カルシクム；がラ
   ス；タルク；あるいは三酸化アルミニウムから成る群か
   ら選択される特許請求の範囲第１０項に記載の方法。 １２、イ、Ｉ１合材料を中性子Ｍ諒にさらし、口ｔ％定
   酸成分よって吸収される中性子の程度を画定し；そして ハ、ｒ−線および中性子の吸収の程度を定量することを
   更に含む 特許請求の範囲１ｇ８項に記載の方法。 １３、ｒ−線および中性子の両者を吸収する成分および
   ｒ−線のみを吸収する成分の二つの成分があり且つ両成
   分の量が吸収＃ｊ定に基づいて定量される特許請求の範
   囲第１２１ｉに記載の方法。 １４　　ｉｌｌ定されるべき成分が、該複合材料中に発
   見される無視出来る程の量の他の元素の原子番号より大
   きな原子番号を有する元素から成り、それによって該複
   合材料中のｒ−線吸収が主として一定されるべき成分に
   影響される特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 １５６　　成分がガラスであり、＃複合材料がガラスお
   よび有りｌ樹脂から成りそして原子番号が１１以上の元
   素を持つ成分が存在しない特許請求の範囲＠１４項に記
   載の方法。 １６、　　エネルギーの異なる２つのｒ線が複合材料を
   通過させられる特許請求０ＷＡＨ諷８項に記載の方法。 １７、　　高エネルギーｒ線が線源と検知器を分割する
   パスに沿って形状大きさと全質量な闘定丁社めに使用さ
   れ、低エネルヤーｒ纏が５ｇ１ｉｉ：を形状大きさある
   いは全質量と複合材料０量０両方に鋭敏にするために使
   用されそしてこの２っ〇一定の間の比率が複合材料の量
   を定量するために使用される特許請求の範ｉ８１第１６
   項に記載の方法。 １８、　　複合材料中の成分の量を検定する１ｉｌｌＫ
   して、イ、中性子あるいはｒｔｍあるいはこの両者のＣ
   −ムを複合材′ｐ＃に照射する手段、 口、ビームが複合材料から放出された後ビームの強度を
   検知する手段、および ハ、下記の式から成分を声量する手段から成る複合材料
   中の成分の亀を検定する装置；ここで、１．は完全な吸
   収材が複合材料と置き換った時ＫＩ！察されるバッググ
   ラウンド強度、ＩＨ□は第１の検量サンプルホルダーさ
   れる強ＩＩ、□はｌｌ！２の検量サンプルＫｍ察される
   強度、Ｆ８は第１の検量サングルの成分の皺そしてＦ２
   　は検量サンプルの成分の量である。 １９、　　ビームが中性子である特許請求の範ＩＬｆ！
   １８項に記載の装置。 加、　ビームがｒ線である特許請求の範囲第１８項に記
   載の製置。 ２１、　　中性子を照射する皺手段が中性子！！！源、
   胸辺がパラフィンのモデレータ−および保護外箱から成
   る特許請求の範囲第１９項に記載の装置。 ２２、中性子の強１を検知する該手段が一部ホウ素イム
   物質で色値された曳　検知器から成る特許請求の範囲ｗ
   ４２１項に記載の装置。 ２３、　　サンプルホルダーを中性子線源あるいはγ線
   源とその検知器の間のパスにスライドして出し入れする
   ための手段を１！に含む特許請求の範−累２２項に記載
   のＷ＆麹。 ２４、イ、中性子およびｒ＠０両者あるいはエネルギー
   の異なる二つのｒＩＩを被合材料Ｋｌｌ射する手段； 口９両方のビームの強度を検知する手段、および ハ、二つのタイプの放射線を徴収する成分と一つのタイ
   プのみの放射−を吸収する成分の二つの成分の量を定量
   する様に％げ−ムて一定した強度の関係を０２剛する手
   段から成る特許請求の範囲第１８項に記載ｖｉａ置。 ２５、定量する該手段がコンピューターゾルセラを−、
   メモリーおよびソフトウェア−から成る特許請求の範囲
   ＠１８項に記載の製置０ ２６、イ、複合材料に中性子あるいはｒ線あるいはこの
   両者のビームを照射すること、 口、シームが複合材料から放出された酸ビームの強度を
   検知すること、および ハ、複合材料中の成分の−を下記の関係式から定量する
   ことから成る複合材料中の成分の量を検定する方法； ここで、■Ｂ＃′ｉ完全な吸収材が複合材料に着き換っ
   たとに観察されるパックグラウンド強ｆ、ＩＢ□は第１
   の検量サンダルで観察される強度、工８゜は＠２の検量
   サンプルで観察される強度、Ｆ□Ｆｉ第１の検量サンダ
   ル中の成分の量およびＦ２は第２の検量サンプル中の、
   ＪｉＫ分の量である。 ｎ、テストサンプル中の成分の量を電量するように検量
   およびテストサンプルの両者に同じ容積および重量を維
   持することを更に含む特許請求の範囲ｌｌ！２６項に記
   載の方法。 詔、検定されるべき物質がペレット状であり検定される
   べきサンダルの重量と容積が、検量に使用したサンプル
   ホルダーに同じ重量のペレットを置きついで振とうし、
   攪拌しあるいは充てんして該ペレットを検量に使用する
   ものと同じ容積にすることにより検量サンプルと岡じに
   維持される特許請求の範１１１１２７項に記＠０２Ｆｋ
   。 ２９、検量サンプルとテストサングル０重量を１Ｉ１１
   ｉ！することおよび該関係式で計算されたＷ呆を補正し
   て七〇＠果がテストすンゾル中Ｏ威分を重量嘩で指示す
   る様にすることをＩ！に富む特許請求の範囲第２８項に
   記載の方法。 （資）、１１合材料中のある成分の量を検定する装置に
   して： イ、Ｉ［金材料に放射線のビームを照射する手段（ここ
   で１方のビームはγ線で６９、他方Ｏビームは中性子か
   鍛初のビームとはエネルギーの興なるγ線である） μ、ビームが複合Ｉｉｔ科から放出された鰻で会ビーム
   の強度を検知する手段、および ハ、各ビームで一定された強Ｗｔ＊用して複合材料中の
   複数の成分の量を定量する手段、ζこで１方の成分は両
   方Ｏタイプの放射線を吸収り他方の成分＃ｉ１つのタイ
   プのみ０放射赫を１ｌｌＥする成分である、から成る複
   合歓書中の成分０量を検定するｉｊ随。 ３１、該一定が複合材料の連続生産の間のある段階でイ
   ンターバルをもたして実施される特許請求の範［１８１
   項に記載の方法。 ３２、該一定が該生産・に使用される鉄成分の置を変え
   るために使用される特許請求の範囲第６１項に記載の方
   法。 ３３、鋏糊定が複合材料の連続生産の間ある段階でイン
   ターバルをもたして実施される特許請求の範囲第８項に
   記載の方法。 ３４、該一定が該生産に使用される該成分の量を変える
   ために使用される特許請求の範囲第３６項に記載の方法
   。 ３５、骸銅定が＃複合材料の連続生産の間実施されそし
   て皺生産に使用される該複合材料の量を測定に従って調
   節する手段を爽に富む特許請求の範囲第１８項に記載の
   鉄酸。 ３６、該立体分布が希望する立体分布と北壁されて＃複
   合材料中の流れを見付ける特許請求の範囲第５］ＪＫ紀
   軟の方法。