JPS58130276A - スパツタリングタ−ゲツトの製造法 - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトの製造法Info
- Publication number
- JPS58130276A JPS58130276A JP1148182A JP1148182A JPS58130276A JP S58130276 A JPS58130276 A JP S58130276A JP 1148182 A JP1148182 A JP 1148182A JP 1148182 A JP1148182 A JP 1148182A JP S58130276 A JPS58130276 A JP S58130276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- target
- spattering
- shaped body
- erosion area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタリングターゲットの製造法に係り、マ
グネトロンスパッタによってスパッタ材より高融点素材
表面に形成したエロージョンエリアにスパッタ材を熔融
固化充填することにより、スパッタ材を無駄なくスパッ
タリングに際して用いられるようになり、かつスパッタ
リングに際しての雰囲気を悪くすることなく、スパッタ
リングが良好に行なえるものとなるスパッタリングター
ゲットの製造法を提供することを目的とする。
グネトロンスパッタによってスパッタ材より高融点素材
表面に形成したエロージョンエリアにスパッタ材を熔融
固化充填することにより、スパッタ材を無駄なくスパッ
タリングに際して用いられるようになり、かつスパッタ
リングに際しての雰囲気を悪くすることなく、スパッタ
リングが良好に行なえるものとなるスパッタリングター
ゲットの製造法を提供することを目的とする。
平板マグネトロンスパッタは、例えば第１図に示す如く
、チェンバー１の下部に配されるスパッタ材よりなるタ
ーゲット２の下部に磁石３．３’、３“を配設し、ター
ゲツト面近傍にターゲラ） ＋ｆｆｉに平行な磁場を作
用させながら、この磁場に直交する放電プラズマをター
ゲツト面に集中させて、高速スパッタを行なっている。
、チェンバー１の下部に配されるスパッタ材よりなるタ
ーゲット２の下部に磁石３．３’、３“を配設し、ター
ゲツト面近傍にターゲラ） ＋ｆｆｉに平行な磁場を作
用させながら、この磁場に直交する放電プラズマをター
ゲツト面に集中させて、高速スパッタを行なっている。
伺、第１図中、４はヨーク、５はターゲット冷却用の冷
却水注入口、６は排水口、７は基板である。
却水注入口、６は排水口、７は基板である。
上記のようにしてスパッタリングが行なわれると、ター
ゲット表面上の磁場は一様な分布でないので、磁場の大
きな部分のみが集中的に多くスパッタされ、その結果タ
ーゲット２は第２図に示す如く凹状のエロージョンエリ
ア８が形成されるようになる。この為、スパッタ材でタ
ーゲット全体を構成していると、スパッタ材としての利
用効率は低く、スパッタ材が高価なものである場合には
極めて不経済なものとなる。特に、上記のようにして行
なわれるスパッタリングにおいては、スパッタリング中
にターゲット２の温度が高くなるので、通常ターゲット
の下面が冷却水等によって冷却されるのであるが、この
冷却に際してはターゲットの厚みがある程度なければ、
チェンバー１内は真空であり、ターゲット下部は冷却水
によって加圧されているので、ターゲットが変形してし
まうようになる。従って、ターゲット全体をスパッタ材
で構成していると、より一層不経済なものとなる。
ゲット表面上の磁場は一様な分布でないので、磁場の大
きな部分のみが集中的に多くスパッタされ、その結果タ
ーゲット２は第２図に示す如く凹状のエロージョンエリ
ア８が形成されるようになる。この為、スパッタ材でタ
ーゲット全体を構成していると、スパッタ材としての利
用効率は低く、スパッタ材が高価なものである場合には
極めて不経済なものとなる。特に、上記のようにして行
なわれるスパッタリングにおいては、スパッタリング中
にターゲット２の温度が高くなるので、通常ターゲット
の下面が冷却水等によって冷却されるのであるが、この
冷却に際してはターゲットの厚みがある程度なければ、
チェンバー１内は真空であり、ターゲット下部は冷却水
によって加圧されているので、ターゲットが変形してし
まうようになる。従って、ターゲット全体をスパッタ材
で構成していると、より一層不経済なものとなる。
そこで、第３図に示す如く、ターゲットをスパッタ材と
は異なる素材１０で構成しておき、スパッタリングに際
してエロージョンエリアが形成されるであろうと予想さ
れる位置に凹部を形成し、この凹部に同形状のスパッタ
材片１１を圧入したりあるいは接着剤を用いて接着する
ことによってターゲット１２を作り、このようなターゲ
ットを用いてスパッタリングを試みたのであるが、例え
ばスパッタ材片を単に圧入することによって構成したタ
ーゲットの場合には、スパッタ材片１１と素材１０との
間に微細な空隙があり、スパッタリング中にこの微細な
空隙部より脱ガスが生じ、良好なスパッタが行なえず、
又、スパッタ材片を接着剤によって接着したターゲット
の場合には、接着剤による汚染等があり、良好な結果が
得られない。又、素材１０に形成する四部の位置及び形
状は形成されるであろう二ローションエリアを予測して
構成するので、どうしても凹部を精密に形成できず、場
合によっては素材１０の材料もスパッタリングに際して
スパッタされるようになり、好ましくない。
は異なる素材１０で構成しておき、スパッタリングに際
してエロージョンエリアが形成されるであろうと予想さ
れる位置に凹部を形成し、この凹部に同形状のスパッタ
材片１１を圧入したりあるいは接着剤を用いて接着する
ことによってターゲット１２を作り、このようなターゲ
ットを用いてスパッタリングを試みたのであるが、例え
ばスパッタ材片を単に圧入することによって構成したタ
ーゲットの場合には、スパッタ材片１１と素材１０との
間に微細な空隙があり、スパッタリング中にこの微細な
空隙部より脱ガスが生じ、良好なスパッタが行なえず、
又、スパッタ材片を接着剤によって接着したターゲット
の場合には、接着剤による汚染等があり、良好な結果が
得られない。又、素材１０に形成する四部の位置及び形
状は形成されるであろう二ローションエリアを予測して
構成するので、どうしても凹部を精密に形成できず、場
合によっては素材１０の材料もスパッタリングに際して
スパッタされるようになり、好ましくない。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下その実施
例について説明する。
例について説明する。
まず、第４図ａに示すように、スパッタ材より高融点の
材料を用意し、この材料をターゲット形状に加工して、
ターゲット形状体２ｏを作る。
材料を用意し、この材料をターゲット形状に加工して、
ターゲット形状体２ｏを作る。
次に、このターゲット形状体２ｏを、例えば第１図に示
すような平板マグネトロンスパッタリング装置に装着し
、通常のマグネトロンスパッタを行ない、ターゲット形
状体２０にエロージョンエリア２１を形成する（第４図
ｂ）。
すような平板マグネトロンスパッタリング装置に装着し
、通常のマグネトロンスパッタを行ない、ターゲット形
状体２０にエロージョンエリア２１を形成する（第４図
ｂ）。
そして、マグネトロンスパッタによってエロージョンエ
リア２１の形成されたターゲット形状体２゜を、平板マ
グネトロンスパッタリング装置より取り出し、第４図Ｃ
に示す如く、ターゲット形状体２０のエロージョンエリ
ア２１にスパッタ材料の細片２２を載置し、これをスパ
ッタ材料が熔融する温度まで加熱し、スパッタ材料を液
状にしてエロージョンエリアの窪部に溜めた後、冷却す
ることによって、スパッタ材料がエロージョンエリア２
１に隙間なく充填され、第４図ｄに示すようなターゲッ
ト２３が作られる。尚、２４はエロージョンエリア２１
に熔融充填固化したスパッタ材である。
リア２１の形成されたターゲット形状体２゜を、平板マ
グネトロンスパッタリング装置より取り出し、第４図Ｃ
に示す如く、ターゲット形状体２０のエロージョンエリ
ア２１にスパッタ材料の細片２２を載置し、これをスパ
ッタ材料が熔融する温度まで加熱し、スパッタ材料を液
状にしてエロージョンエリアの窪部に溜めた後、冷却す
ることによって、スパッタ材料がエロージョンエリア２
１に隙間なく充填され、第４図ｄに示すようなターゲッ
ト２３が作られる。尚、２４はエロージョンエリア２１
に熔融充填固化したスパッタ材である。
上記のようにして作られたターゲットを、このターゲッ
ト形状体にエロージョンエリアを形成するのに用いた平
板マグネトロンスパッタリング装置と同一構成のスパッ
タリング装置に装着してスパッタリングを行なう場合に
は、このスパッタに際してはエロージョンエリアに設け
られているスパッタ材がほぼ１００％利用されるように
なり、スパッタ材には無駄がなくなり、極めて経済的な
ものとなる。又、スパッタ材として用いられない部分は
スパッタ材より低コストの素材で構成しておケバ、スパ
ッタ材として用いられる部分のみを高価なスパッタ材で
充填しておけばよく、ターゲットの構成コストはそれだ
け低コストなものとなる。
ト形状体にエロージョンエリアを形成するのに用いた平
板マグネトロンスパッタリング装置と同一構成のスパッ
タリング装置に装着してスパッタリングを行なう場合に
は、このスパッタに際してはエロージョンエリアに設け
られているスパッタ材がほぼ１００％利用されるように
なり、スパッタ材には無駄がなくなり、極めて経済的な
ものとなる。又、スパッタ材として用いられない部分は
スパッタ材より低コストの素材で構成しておケバ、スパ
ッタ材として用いられる部分のみを高価なスパッタ材で
充填しておけばよく、ターゲットの構成コストはそれだ
け低コストなものとなる。
又、スパッタ材の充填は、エロージョンエリアであるの
で、スパッタリングに際してスパッタ材以外の素材がス
パッタされることもなく、極めて好ましいものとなる。
で、スパッタリングに際してスパッタ材以外の素材がス
パッタされることもなく、極めて好ましいものとなる。
又、スパッタ材はエロージョンエリアに熔融充填固化さ
れるものであるので、ターゲット形状体よりスパッタ材
が剥離したりすることなく、又スパッタ材とターゲット
形状体との間に隙間なく、従ってスパッタリングに際し
てチェンバー内の雰囲気が悪くなったりすることなく、
又、ターゲットの冷却効率も良好であり、スパッタが良
好に行なわれる。
れるものであるので、ターゲット形状体よりスパッタ材
が剥離したりすることなく、又スパッタ材とターゲット
形状体との間に隙間なく、従ってスパッタリングに際し
てチェンバー内の雰囲気が悪くなったりすることなく、
又、ターゲットの冷却効率も良好であり、スパッタが良
好に行なわれる。
伺、スパッタ材として例えば金を用いる場合にはターゲ
ット形状体の素材としてモリブデン又はタングステン等
のように、スパッタ材が熔融した場合にこの熔融スパッ
タ材がターゲット形状体によく濡れる材質でターゲット
形状体を構成しておくと、スパッタ材が固化した場合に
ターゲット形状体のエロージョンエリアに極めて隙間な
く充填されるようになるので、ターゲットとして好まし
いものとなる。
ット形状体の素材としてモリブデン又はタングステン等
のように、スパッタ材が熔融した場合にこの熔融スパッ
タ材がターゲット形状体によく濡れる材質でターゲット
形状体を構成しておくと、スパッタ材が固化した場合に
ターゲット形状体のエロージョンエリアに極めて隙間な
く充填されるようになるので、ターゲットとして好まし
いものとなる。
上述の如く、本発明に係るスパッタリングターゲットの
製造法は、スパッタ材より高融点の素材表面にマグネト
ロンスパッタによってエロージョンエリアを形成し、そ
の後この二ローションエリアにスパッタ材を熔融固化充
填するので、このようにして作られたターゲットをスパ
ッタリングに際して用いるとスパッタ材のみがほぼ１０
０％利用できるようになり、スパッタ材を無駄なく用い
ることができ、又スパッタ材として用いられない部分を
スパッタ材より低価格な素材で構成しておけば極めて低
コストなものとなり、又スパッタリングに際してはスパ
ッタ材のみがスパッタされるので不純物が混ざるといっ
たこともなく、極めて良好ニスハツタサレ、さらにはス
パッタ材はエロージョンエリアに隙間なく充填されるの
で、スパッタに際してチェンバー内が汚染されることな
く、かつ冷却効率よくターゲットが冷却され、スパッタ
リングが良好に行なわれるものとなる等の特長を有する
。
製造法は、スパッタ材より高融点の素材表面にマグネト
ロンスパッタによってエロージョンエリアを形成し、そ
の後この二ローションエリアにスパッタ材を熔融固化充
填するので、このようにして作られたターゲットをスパ
ッタリングに際して用いるとスパッタ材のみがほぼ１０
０％利用できるようになり、スパッタ材を無駄なく用い
ることができ、又スパッタ材として用いられない部分を
スパッタ材より低価格な素材で構成しておけば極めて低
コストなものとなり、又スパッタリングに際してはスパ
ッタ材のみがスパッタされるので不純物が混ざるといっ
たこともなく、極めて良好ニスハツタサレ、さらにはス
パッタ材はエロージョンエリアに隙間なく充填されるの
で、スパッタに際してチェンバー内が汚染されることな
く、かつ冷却効率よくターゲットが冷却され、スパッタ
リングが良好に行なわれるものとなる等の特長を有する
。
第１図は平板マグネトロンスパッタリング装置の説明図
、第２図はスパッタＩＪ ７グが行なわれたターゲット
の説明図、第３図はターゲットの説明図、第４図ａ −
ｄは本発明に係るスパッタリングターゲットの製造法の
１実施例の工程説明図である。 ２０・・・ターゲット形状体、２１ ・・エロージョ
ンエリア、２２・・・スパッタ材細片、２３・・・ター
ゲット、２４・・スパッタ材。 特許出願人 日本ビクター株式会社 代 理 人 宇 高 克 ：己 ゛克・′ 手続補正書 昭和５７年３月λθ日 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５’７−１１４８１号 ２、発明の名称 スパッタリングターゲットの製造法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 日本ビクター株式会社 ４、代理人 東京都千代田区神田佐久間町ニー１１）、（７９００）
宇 高 克 巳５、補正の対象 図面中筒ユ図 ６、補正の内容 別紙の通り 第１図
、第２図はスパッタＩＪ ７グが行なわれたターゲット
の説明図、第３図はターゲットの説明図、第４図ａ −
ｄは本発明に係るスパッタリングターゲットの製造法の
１実施例の工程説明図である。 ２０・・・ターゲット形状体、２１ ・・エロージョ
ンエリア、２２・・・スパッタ材細片、２３・・・ター
ゲット、２４・・スパッタ材。 特許出願人 日本ビクター株式会社 代 理 人 宇 高 克 ：己 ゛克・′ 手続補正書 昭和５７年３月λθ日 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５’７−１１４８１号 ２、発明の名称 スパッタリングターゲットの製造法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 日本ビクター株式会社 ４、代理人 東京都千代田区神田佐久間町ニー１１）、（７９００）
宇 高 克 巳５、補正の対象 図面中筒ユ図 ６、補正の内容 別紙の通り 第１図
Claims (1)
- スパッタ材より高融点の素材表面にマグネトロンスパッ
タによって二ローションエリアを形成シ、その後このエ
ロージョンエリアにスパッタ材ヲ熔融固化充填すること
を特徴とするスパッタリングターゲットの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148182A JPS58130276A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | スパツタリングタ−ゲツトの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148182A JPS58130276A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | スパツタリングタ−ゲツトの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130276A true JPS58130276A (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=11779240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1148182A Pending JPS58130276A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | スパツタリングタ−ゲツトの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130276A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62174372A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-31 | Shinku Yakin Kk | スパツタリングタ−ゲツト |
| US5066381A (en) * | 1988-04-15 | 1991-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Target unit |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1148182A patent/JPS58130276A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62174372A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-31 | Shinku Yakin Kk | スパツタリングタ−ゲツト |
| US5066381A (en) * | 1988-04-15 | 1991-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Target unit |
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