JPS58106830A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS58106830A JPS58106830A JP20501281A JP20501281A JPS58106830A JP S58106830 A JPS58106830 A JP S58106830A JP 20501281 A JP20501281 A JP 20501281A JP 20501281 A JP20501281 A JP 20501281A JP S58106830 A JPS58106830 A JP S58106830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- pressure
- sample
- valve
- reserve chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Details Of Valves (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、電子ぜ一ム露光装置の改良に関する。
発明の技術的背景とその問題点
近時、半導体ウェー八やマスク等の試料に微細なノ臂タ
ーyを形成するものとして、電子ビーム露光装置が用い
られているが、この装置は一鍾に第1図に示す如(構成
されでいる。試料室lの上1114::は電子殻2、レ
ンを系1および偏向系(図示せず)等からなる電子光学
鏡筒4が設けられ、試料室1の側部にはr−)パルプ5
を介して予備室Cが連設されている。試料室1内にはX
−Y方向に移動可能な試料ステージ7が配置され、この
ステージr上に試料Iが載置されるものとなっている。
ーyを形成するものとして、電子ビーム露光装置が用い
られているが、この装置は一鍾に第1図に示す如(構成
されでいる。試料室lの上1114::は電子殻2、レ
ンを系1および偏向系(図示せず)等からなる電子光学
鏡筒4が設けられ、試料室1の側部にはr−)パルプ5
を介して予備室Cが連設されている。試料室1内にはX
−Y方向に移動可能な試料ステージ7が配置され、この
ステージr上に試料Iが載置されるものとなっている。
また、試料室1内は図示しない真空Iンデにより真空排
気され、予備室C内は真空ボンデ9により真空排気され
ている。そして、上記試料室1および予備室Cの外壁面
には冷却水配管1−が取着され、各室1−内は冷却され
るものとなっている。
気され、予備室C内は真空ボンデ9により真空排気され
ている。そして、上記試料室1および予備室Cの外壁面
には冷却水配管1−が取着され、各室1−内は冷却され
るものとなっている。
しかしで、電子銃2から発射された電子ビーム(図中1
点鎖線で示す)をレンズ系Jおよび偏向系により収束偏
向して、試料ステージr上(二試料10表面に焦点を結
ぶことにより、試料1が露光される。このとき、試料1
は複数枚まとめで処理されるよう予め予備室−内に収容
されでおり、試料’111での露光が終了するとr −
トΔルゾIが開かれ試料室1を予備室Cとの間で試料I
が壷透され交換されるものとなっている。Aターン形成
を0.1(/llIgk)或いはそれ以下の位置精度で
行うためには、試料8の熱変形を極力押さえる必要があ
るが、この目的のために従来装置では前記冷却水配管1
0等の冷却系を設け、予備室−と試料室1(特6ニステ
ージr周辺)とが同一温度となるよう温度制御している
。
点鎖線で示す)をレンズ系Jおよび偏向系により収束偏
向して、試料ステージr上(二試料10表面に焦点を結
ぶことにより、試料1が露光される。このとき、試料1
は複数枚まとめで処理されるよう予め予備室−内に収容
されでおり、試料’111での露光が終了するとr −
トΔルゾIが開かれ試料室1を予備室Cとの間で試料I
が壷透され交換されるものとなっている。Aターン形成
を0.1(/llIgk)或いはそれ以下の位置精度で
行うためには、試料8の熱変形を極力押さえる必要があ
るが、この目的のために従来装置では前記冷却水配管1
0等の冷却系を設け、予備室−と試料室1(特6ニステ
ージr周辺)とが同一温度となるよう温度制御している
。
ところが、上述した従来装置にあっては試料go温度制
御が必ずしも十分行われているとは量えず、電子ビーム
露光本来の精度を損っていた。すなわち、予備室σ内に
は複数枚の試料8が収容され、大気圧から高真空に排気
されるが、短時間に排気が完了するよう予備室6の排気
プy/タタyスを大きくしでいるため、大気からの排気
開始時の急激な排気によって予備室6内の気体が断熱膨
張を起こす、その結果、予備室C内の試料1の温度は大
きく低下する。一度冷やされた試料1は真空中であるが
ために、正規の温度まで回復するのに長時間を要する。
御が必ずしも十分行われているとは量えず、電子ビーム
露光本来の精度を損っていた。すなわち、予備室σ内に
は複数枚の試料8が収容され、大気圧から高真空に排気
されるが、短時間に排気が完了するよう予備室6の排気
プy/タタyスを大きくしでいるため、大気からの排気
開始時の急激な排気によって予備室6内の気体が断熱膨
張を起こす、その結果、予備室C内の試料1の温度は大
きく低下する。一度冷やされた試料1は真空中であるが
ために、正規の温度まで回復するのに長時間を要する。
試料1の熱変形を1例えばαl(声詭〕以内(二押さえ
るには試料Iの温度変化は±9,1(’C)l、か許さ
れないが、排気初期の断熱膨張により試料Iにはl・〜
意・(’C)の温度変化が起こり得る。そして、この変
化した温度を元の設定温度に復帰させるには意゛〜4時
間を要する。このため、生産性を着しく低下させる大き
な要因となる。また、上述した間層を避けるため排気コ
ンダクタンスを小さくすることが考えられるが、この方
法では断熱膨張を押さえることはできても排気時間が従
来より数倍も畏(なり、結局装置稼動率低下を招く。
るには試料Iの温度変化は±9,1(’C)l、か許さ
れないが、排気初期の断熱膨張により試料Iにはl・〜
意・(’C)の温度変化が起こり得る。そして、この変
化した温度を元の設定温度に復帰させるには意゛〜4時
間を要する。このため、生産性を着しく低下させる大き
な要因となる。また、上述した間層を避けるため排気コ
ンダクタンスを小さくすることが考えられるが、この方
法では断熱膨張を押さえることはできても排気時間が従
来より数倍も畏(なり、結局装置稼動率低下を招く。
そこで最近、前記試料8の温度低下および排気時間の長
時間化を防ぐものとして、排気コンダクタンスを可変に
方法が考案された。すなわち、大気からの排気開始時に
は小さいコンダクタンスで断熱膨張を緩和し、予備室内
の真空度がある程度高(なった時点で大きなコンダクタ
ンスとし短時間排気を可能とするものであり。
時間化を防ぐものとして、排気コンダクタンスを可変に
方法が考案された。すなわち、大気からの排気開始時に
は小さいコンダクタンスで断熱膨張を緩和し、予備室内
の真空度がある程度高(なった時点で大きなコンダクタ
ンスとし短時間排気を可能とするものであり。
具体的には真空度をモニタしながら、予備室と排気系と
の間に設けたバルブのコンダクタンスを制御する構造と
なっている。
の間に設けたバルブのコンダクタンスを制御する構造と
なっている。
しかしながら、このような装置では真空庫を七二ダする
モニタ装置およびこのモニタ装置のモニタ出力に応じて
バルブの:yy/クタyスを制御する制御装置が必要と
なり、Vステムの複雑化および装置製造コストの増大を
招き好ましくない。
モニタ装置およびこのモニタ装置のモニタ出力に応じて
バルブの:yy/クタyスを制御する制御装置が必要と
なり、Vステムの複雑化および装置製造コストの増大を
招き好ましくない。
発明の目的
本発明の目的は、予備室を真空書ニするための排気時間
の長大化および予備室内の試料の温度低下を防止するこ
とができ、かつ装置構成の簡略化をはかり得る電子V−
ム露光装置を提供することにある。
の長大化および予備室内の試料の温度低下を防止するこ
とができ、かつ装置構成の簡略化をはかり得る電子V−
ム露光装置を提供することにある。
発明の概要
本発明は、予備室と真空排気系との間に予備室および真
空排気系の圧力差に応じてその排気プy/クタyスが自
動的に可変する/ぐルデを設け、かつこのバルブのコン
ダクタンスが予備室の圧力が真空排気系の圧力な上欄る
とき小となり、予備室および真空排気系の各圧力が略等
しいとき大となiよう1;シたものである。
空排気系の圧力差に応じてその排気プy/クタyスが自
動的に可変する/ぐルデを設け、かつこのバルブのコン
ダクタンスが予備室の圧力が真空排気系の圧力な上欄る
とき小となり、予備室および真空排気系の各圧力が略等
しいとき大となiよう1;シたものである。
発明の効果
本発明によれば、予備室内の圧力が真空排気系の圧力を
大幅に1硼るとき、つまり予備室の真空排気開始時には
バルブのコンダクタンスが小となるため、予備室内の気
体の断熱膨張を抑えることができ、試料の温度低下を小
さくすることができる、さらに、予備室内の圧力と真空
排気系の圧力とが略等しいとき、つまり予備室の真空排
気開始より一定時間過ぎたのちはパルプのコンダクタン
スが大となるため、排気時間が増大することを防止でき
る。また%バルブが自動的に可変するためそエタ装置や
制御装置を設ける必要がなくl置構成の簡略化をはかり
得る。
大幅に1硼るとき、つまり予備室の真空排気開始時には
バルブのコンダクタンスが小となるため、予備室内の気
体の断熱膨張を抑えることができ、試料の温度低下を小
さくすることができる、さらに、予備室内の圧力と真空
排気系の圧力とが略等しいとき、つまり予備室の真空排
気開始より一定時間過ぎたのちはパルプのコンダクタン
スが大となるため、排気時間が増大することを防止でき
る。また%バルブが自動的に可変するためそエタ装置や
制御装置を設ける必要がなくl置構成の簡略化をはかり
得る。
発明の実施例
第2図は本発明の一実施例に係わるパルプ構造を示す断
面図である。前記予備11gと真空−ンデクとの間に設
けられた排気管11は、その内径が予備室l側で大きく
形成され、ここに弁板容部が設けられている。排気管1
1の弁板容部11aにはばね12を介して小さな貫遥口
11を有する弁14が設けられている。上記ばね11は
予備室−と真空1yf#との各圧力が略等し1 いとき弁14を予備室−側に押し出し、弁14と排気管
110予備富側開口との間にすきまかあ(ように作られ
ている。また、予備室−の圧力が真空1yfりの圧力を
ある程度上棚るときは弁14により真空Iyf側に圧縮
され、これにより上記すきまが閉じられるものとなって
いる。
面図である。前記予備11gと真空−ンデクとの間に設
けられた排気管11は、その内径が予備室l側で大きく
形成され、ここに弁板容部が設けられている。排気管1
1の弁板容部11aにはばね12を介して小さな貫遥口
11を有する弁14が設けられている。上記ばね11は
予備室−と真空1yf#との各圧力が略等し1 いとき弁14を予備室−側に押し出し、弁14と排気管
110予備富側開口との間にすきまかあ(ように作られ
ている。また、予備室−の圧力が真空1yfりの圧力を
ある程度上棚るときは弁14により真空Iyf側に圧縮
され、これにより上記すきまが閉じられるものとなって
いる。
このような構成であれば、予備室−の排気開始時には、
予備室C側の圧力は略大気圧で、dIyfs側の圧力は
急激に小さくなるので第3図(a)に示す如く弁14が
Iyfzl側に押しつけられ、排気管IIの予備室側開
口と弁14との間のすきまは閉じられる。このため、予
備室Cは弁14の貫通孔11を通じて大きいコンダクタ
ンスで排気される。したがって、予備室σ内の気体の断
熱膨張は小さくなり、試料8の温度低下は極めて小さい
ものとなる。
予備室C側の圧力は略大気圧で、dIyfs側の圧力は
急激に小さくなるので第3図(a)に示す如く弁14が
Iyfzl側に押しつけられ、排気管IIの予備室側開
口と弁14との間のすきまは閉じられる。このため、予
備室Cは弁14の貫通孔11を通じて大きいコンダクタ
ンスで排気される。したがって、予備室σ内の気体の断
熱膨張は小さくなり、試料8の温度低下は極めて小さい
ものとなる。
一方、排気がある程度進むと、予備室Cと真空−ンfり
との圧力差が小さくなり、第3図(時に示す如く弁14
は予備*ζ側に押しやられ、その結果前記すきまかあ(
、このため、予備室Cは上記すきまおよび貫通孔14を
介して大きなコンダクタンスで排気されることになる。
との圧力差が小さくなり、第3図(時に示す如く弁14
は予備*ζ側に押しやられ、その結果前記すきまかあ(
、このため、予備室Cは上記すきまおよび貫通孔14を
介して大きなコンダクタンスで排気されることになる。
このように予備IIlの排気開始時には小さなコンダク
タンスで、排気がある程度進むと大きなコンダクタンス
で自動的に排気されることになる。したがって、予備W
111内の気体の断熱膨張に起因する試料1の温度低下
を小さく抑えることができると共に、排気時間の短縮化
をはかり得る。さらに、パルプの構造が極めて簡単であ
り、かつモニタ装置や制御装置も必要としないので、全
体構成が簡略化される等の効果を奏する。
タンスで、排気がある程度進むと大きなコンダクタンス
で自動的に排気されることになる。したがって、予備W
111内の気体の断熱膨張に起因する試料1の温度低下
を小さく抑えることができると共に、排気時間の短縮化
をはかり得る。さらに、パルプの構造が極めて簡単であ
り、かつモニタ装置や制御装置も必要としないので、全
体構成が簡略化される等の効果を奏する。
なお1本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い0例えば、前記弁に設けた貫通孔の大きさ、ばねの強
さおよびすきま等は、/ンプの排気適度、予備室の容積
および基板温度変化の許容量等の条件に応じて適宜定め
ればよい。
い0例えば、前記弁に設けた貫通孔の大きさ、ばねの強
さおよびすきま等は、/ンプの排気適度、予備室の容積
および基板温度変化の許容量等の条件に応じて適宜定め
ればよい。
また、電子光学鏡筒や試料室等の構成も、仕様に応じて
適宜変更できるのは勿論のことである。
適宜変更できるのは勿論のことである。
その他1本発明の要曾を1脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
第1mlは電子V−ム露光装置の概略構成を示す模式図
、第2図は本発明の一実施例装置に用いたパルプ構造を
示す断面図、第3図(a)■は上記実施例パルプの作用
を説明するための断面図である。 1・・・試料室、4・・・電子光学鏡筒、5・・・r−
)パルプ、C−予備室、1−・試料ステーN、Jt・−
試料、#−真空Iンプ、f#−・・冷却水配管、11−
排気管、J j−・・ばね、11−貫通孔、14・・・
弁。 出願人代運人 弁理士 鈴 江 武 彦138−
、第2図は本発明の一実施例装置に用いたパルプ構造を
示す断面図、第3図(a)■は上記実施例パルプの作用
を説明するための断面図である。 1・・・試料室、4・・・電子光学鏡筒、5・・・r−
)パルプ、C−予備室、1−・試料ステーN、Jt・−
試料、#−真空Iンプ、f#−・・冷却水配管、11−
排気管、J j−・・ばね、11−貫通孔、14・・・
弁。 出願人代運人 弁理士 鈴 江 武 彦138−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 11) 電子ビーム露光書=供される試料が配置され
る真空排気された試料室と、この試料室に連接して設け
られ上記試料を露光前および露光後に収容する予備室と
、この予備室を真空排気する真空排気系と、上記予備室
と真空排気系との間に設けられ該予備室および真空排気
系の圧力差に応じてその排気コンダクタンスが可変せら
れる14ルプとを員備し、上記パルプは前記予備室の圧
力が前記真空排気系の圧力より上欄るときそのコレダク
タンスが小となり、前記予備室および真空排気系の圧力
が略等しいときそのプンダクタンスが大となるものであ
ることを特徴とする電子ビーム電光装置。 (2) 前記IQルブは、前記予備室と真空排気系と
の圧力差により上記予備室および真空排気系の連通路を
1111gする微小貫通孔が設けられた弁。 この弁を予備盲側に押圧するばねからなるものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子V−ム
露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20501281A JPS58106830A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20501281A JPS58106830A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58106830A true JPS58106830A (ja) | 1983-06-25 |
JPH038099B2 JPH038099B2 (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=16499981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20501281A Granted JPS58106830A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58106830A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100775870B1 (ko) | 2006-11-02 | 2007-11-13 | 양용찬 | 진공 흡착 시스템 |
CN102478028A (zh) * | 2010-11-26 | 2012-05-30 | 政相工业有限公司 | 文氏管构件及含有该构件的手、气动两用唧筒 |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP20501281A patent/JPS58106830A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100775870B1 (ko) | 2006-11-02 | 2007-11-13 | 양용찬 | 진공 흡착 시스템 |
CN102478028A (zh) * | 2010-11-26 | 2012-05-30 | 政相工业有限公司 | 文氏管构件及含有该构件的手、气动两用唧筒 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH038099B2 (ja) | 1991-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5259735A (en) | Evacuation system and method therefor | |
US5340460A (en) | Vacuum processing equipment | |
JPH02245232A (ja) | 高真空装置 | |
US4408469A (en) | Refrigerator cryostat | |
JPS58106830A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
US3492598A (en) | Method for processing gas discharge devices | |
US6402479B1 (en) | Apparatus for pumping out transfer chambers for transferring semiconductor equipment | |
JPS59133365A (ja) | 真空装置 | |
JPH02166274A (ja) | 真空成膜装置 | |
Heinemann et al. | An ultrahigh vacuum multipurpose specimen chamber with sample introduction system for in situ transmission electron microscopy investigations | |
JPH0831743A (ja) | Cvd装置の汚染防止方法及びその装置 | |
JPS5812700B2 (ja) | 電子線装置 | |
JPS5583143A (en) | Exhaust system for electron beam equipment | |
JPH01125933A (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
JPS627269B2 (ja) | ||
JPS58210161A (ja) | 高真空処理のための高速排気システム | |
US3258193A (en) | Vacuum method | |
JP2684456B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH02107775A (ja) | 処理装置及びその排気方法 | |
WO1994018695A1 (en) | Apparatus for heat treatment | |
JPH01181518A (ja) | X線露光装置用ヘリウムチャンバ | |
JPH0770733A (ja) | 半導体製造装置及び真空排気方法 | |
JPS6269509A (ja) | 低圧cvd装置 | |
JPS61101686A (ja) | 真空排気装置 | |
JPS60257049A (ja) | イオン源用真空排気装置 |