Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filedfiledCritical
Priority to JP1796474ApriorityCriticalpatent/JPS5624371B2/ja
Publication of JPS50113176ApublicationCriticalpatent/JPS50113176A/ja
Publication of JPS5624371B2publicationCriticalpatent/JPS5624371B2/ja
Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor met een geisoleerde stuurelektrode, waarbij een door een tegen oxydatie maskerende laag vrijgelaten deel van het oppervlak van een siliciumlichaam aan een oxydatiebehandeling wordt onderworpen ter verkrijging van een althans gedeeltelijk in het siliciumlichaam verzonken siliciumoxydelaag.