JPH1184398A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH1184398A JPH1184398A JP9250194A JP25019497A JPH1184398A JP H1184398 A JPH1184398 A JP H1184398A JP 9250194 A JP9250194 A JP 9250194A JP 25019497 A JP25019497 A JP 25019497A JP H1184398 A JPH1184398 A JP H1184398A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリクス型液晶表示装置に関
し、リペアラインとバスラインとの間のメタルクロス部
における層間短絡を防止する。 【解決手段】 液晶を封止するシール３を、バスライン
５とこのバスライン５と異なった層準で形成される修復
用配線層４との交差部と投影的に重ならない様に配置す
ると共に、修復用配線層４及びバスライン５の内、アク
ティブマトリクス基板１側に位置する層をＡｌを含む導
電層で構成する。
し、リペアラインとバスラインとの間のメタルクロス部
における層間短絡を防止する。 【解決手段】 液晶を封止するシール３を、バスライン
５とこのバスライン５と異なった層準で形成される修復
用配線層４との交差部と投影的に重ならない様に配置す
ると共に、修復用配線層４及びバスライン５の内、アク
ティブマトリクス基板１側に位置する層をＡｌを含む導
電層で構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に関するもので、特に、下層のバスラ
イン或いはリペアラインがＡｌ等の柔らかい金属で構成
されたアクティブマトリクス型液晶表示装置に関するも
のである。
ス型液晶表示装置に関するもので、特に、下層のバスラ
イン或いはリペアラインがＡｌ等の柔らかい金属で構成
されたアクティブマトリクス型液晶表示装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置はＡＶ機器や、パー
ソナルコンピュータ等の表示装置として用いられてお
り、より高画質のものが求められているが、この液晶表
示装置は大きく分けて、アクティブマトリクス型液晶表
示装置と単純マトリクス型液晶表示装置とがあり、この
内、前者のアクティブマトリクス型液晶表示装置が高画
質用として用いられている。
ソナルコンピュータ等の表示装置として用いられてお
り、より高画質のものが求められているが、この液晶表
示装置は大きく分けて、アクティブマトリクス型液晶表
示装置と単純マトリクス型液晶表示装置とがあり、この
内、前者のアクティブマトリクス型液晶表示装置が高画
質用として用いられている。
【０００３】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、個々の画素に対応してアクティブマトリクス基板上
にマトリクス状に配置された多数のゲートバスラインと
ドレインバスラインに駆動電圧を印加し、ゲートバスラ
インとドレインバスラインとの交差部に配置された薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を選択駆動することにより、対
応する所望の画素をドット表示するように構成されてい
る。
は、個々の画素に対応してアクティブマトリクス基板上
にマトリクス状に配置された多数のゲートバスラインと
ドレインバスラインに駆動電圧を印加し、ゲートバスラ
インとドレインバスラインとの交差部に配置された薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を選択駆動することにより、対
応する所望の画素をドット表示するように構成されてい
る。
【０００４】この様なアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、バスラインに断線が発生した場合に、断
線を救済する手法として、他層に配置された予備配線と
当該バスラインとをレーザ照射等で電気的に接続をと
り、断線したバスラインの他方から信号を供給すること
が一般的である。
装置において、バスラインに断線が発生した場合に、断
線を救済する手法として、他層に配置された予備配線と
当該バスラインとをレーザ照射等で電気的に接続をと
り、断線したバスラインの他方から信号を供給すること
が一般的である。
【０００５】ここで、図３及び図４を参照して、従来の
アクティブマトリクス型液晶表示装置、及び、従来の断
線修復方法を説明する。図３参照図３は、ＴＦＴの要部
断面図であり、透明ガラスからなるＴＦＴ基板２１上に
例えば厚さ１５０ｎｍのＣｒ膜を堆積させてパターニン
グすることによってゲートバスライン（図示せず）、ゲ
ート電極２２、及び、リペアライン（図示せず）を形成
したのち、その上に例えば厚さ４００ｎｍのＳｉＮ膜を
堆積させてゲート絶縁膜２３とする。
アクティブマトリクス型液晶表示装置、及び、従来の断
線修復方法を説明する。図３参照図３は、ＴＦＴの要部
断面図であり、透明ガラスからなるＴＦＴ基板２１上に
例えば厚さ１５０ｎｍのＣｒ膜を堆積させてパターニン
グすることによってゲートバスライン（図示せず）、ゲ
ート電極２２、及び、リペアライン（図示せず）を形成
したのち、その上に例えば厚さ４００ｎｍのＳｉＮ膜を
堆積させてゲート絶縁膜２３とする。
【０００６】次いで、厚さ１５ｎｍのα−Ｓｉ膜２４、
及び、厚さ１２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させたのち、ゲ
ート電極２２をマスクとしたセルフアライン露光を利用
してＳｉＮ膜をパターニングし、次いで、露光マスクに
より再度パターニングすることによってチャネル保護膜
２５を形成する。
及び、厚さ１２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させたのち、ゲ
ート電極２２をマスクとしたセルフアライン露光を利用
してＳｉＮ膜をパターニングし、次いで、露光マスクに
より再度パターニングすることによってチャネル保護膜
２５を形成する。
【０００７】次いで、オーミックコンタクト層となる厚
さ３０ｎｍのｎ+ 型α−Ｓｉ膜２６、及び、ドレインバ
スライン、ソース電極２７、及び、ドレイン電極２８と
なるＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の導電膜を堆積させたのち、
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によってＴｉ／Ａｌ
／Ｔｉ構造の導電膜乃至α−Ｓｉ膜２４を一括してパタ
ーニングすることによって、α−Ｓｉ膜２４、ｎ+ 型α
−Ｓｉ膜２６、ドレインバスライン、ソース電極２７、
及び、ドレイン電極２８からなるＴＦＴ素子部を形成す
る。
さ３０ｎｍのｎ+ 型α−Ｓｉ膜２６、及び、ドレインバ
スライン、ソース電極２７、及び、ドレイン電極２８と
なるＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の導電膜を堆積させたのち、
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によってＴｉ／Ａｌ
／Ｔｉ構造の導電膜乃至α−Ｓｉ膜２４を一括してパタ
ーニングすることによって、α−Ｓｉ膜２４、ｎ+ 型α
−Ｓｉ膜２６、ドレインバスライン、ソース電極２７、
及び、ドレイン電極２８からなるＴＦＴ素子部を形成す
る。
【０００８】次いで、全面にＳｉＮ膜等の透明な保護膜
２９を堆積させたのち、ソース電極２７に対するコンタ
クトホール３０を形成し、次いで、全面にＩＴＯ膜を堆
積して所定のパターンにエッチングすることによって画
素電極３１を形成して画素部が完成する。
２９を堆積させたのち、ソース電極２７に対するコンタ
クトホール３０を形成し、次いで、全面にＩＴＯ膜を堆
積して所定のパターンにエッチングすることによって画
素電極３１を形成して画素部が完成する。
【０００９】なお、従来のＴＦＴのゲート電極２２、ゲ
ートバスライン、及び、リペアラインとして、Ｃｒ膜を
用いているのは、エッチングの加工精度が高いため、
他の金属に比べて耐酸性が高いためＩＴＯ膜のエッチ
ング工程において酸性ガスを使用できるため、及び、
Ｃｒは耐熱性金属であるので、ヒロックを防止するため
にゲート絶縁膜を高温で成膜することができる等のため
である。
ートバスライン、及び、リペアラインとして、Ｃｒ膜を
用いているのは、エッチングの加工精度が高いため、
他の金属に比べて耐酸性が高いためＩＴＯ膜のエッチ
ング工程において酸性ガスを使用できるため、及び、
Ｃｒは耐熱性金属であるので、ヒロックを防止するため
にゲート絶縁膜を高温で成膜することができる等のため
である。
【００１０】図４参照 図４は、従来の断線修復方法の説明図であり、アクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、ドレインバスライン３
４及びゲートバスライン（図示を省略）等を形成したＴ
ＦＴ基板２１と、共通電極を設けると共に、画素電極以
外からの光漏れを防ぐために設けたＢＭ（ブラックマト
リクス）、及び、ＣＦ（カラーフィルタ）を設けた透明
ガラス基板からなる対向基板３２とをシール剤３３を介
して対向させ、その間の空間に液晶が注入されている。
ブマトリクス型液晶表示装置は、ドレインバスライン３
４及びゲートバスライン（図示を省略）等を形成したＴ
ＦＴ基板２１と、共通電極を設けると共に、画素電極以
外からの光漏れを防ぐために設けたＢＭ（ブラックマト
リクス）、及び、ＣＦ（カラーフィルタ）を設けた透明
ガラス基板からなる対向基板３２とをシール剤３３を介
して対向させ、その間の空間に液晶が注入されている。
【００１１】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
において、ドレインバスライン３４に断線部３５が生じ
た場合、ゲート電極及びゲートバスラインと同時に形成
したＣｒ膜からなるリペアライン３６と、断線部３５が
生じたドレインバスライン３４との交差箇所、即ち、メ
タルクロス部にレーザ光を照射し、電気的接続を取って
おり、この場合、断線部３５が生じたドレインバスライ
ン３４に対する信号が矢印で示す信号供給方向３９のよ
うに両側から供給されることになる。
において、ドレインバスライン３４に断線部３５が生じ
た場合、ゲート電極及びゲートバスラインと同時に形成
したＣｒ膜からなるリペアライン３６と、断線部３５が
生じたドレインバスライン３４との交差箇所、即ち、メ
タルクロス部にレーザ光を照射し、電気的接続を取って
おり、この場合、断線部３５が生じたドレインバスライ
ン３４に対する信号が矢印で示す信号供給方向３９のよ
うに両側から供給されることになる。
【００１２】なお、従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置におけるシール剤３３は、無駄なスペースをな
くし、且つ、表示特性に影響を与えないように、対向基
板３２より内側１．２５ｍｍの位置に幅１ｍｍのシール
剤３３が配置されており、この位置はリペアライン３６
と投影的に重なる位置である。
表示装置におけるシール剤３３は、無駄なスペースをな
くし、且つ、表示特性に影響を与えないように、対向基
板３２より内側１．２５ｍｍの位置に幅１ｍｍのシール
剤３３が配置されており、この位置はリペアライン３６
と投影的に重なる位置である。
【００１３】一方、近年の液晶表示パネルの高精細化に
伴い、表示品質の向上が必要になり、そのためには、バ
スラインを低抵抗化して信号遅延を小さくする必要があ
るが、従来、上述の理由によってＣｒを用いて構成して
いたゲートバスラインを、シート抵抗の小さなＡｌ等の
低抵抗材料を用いて構成することが試みられており、そ
れに伴ってリペアラインもＡｌ等の低抵抗材料によって
構成されることになる。
伴い、表示品質の向上が必要になり、そのためには、バ
スラインを低抵抗化して信号遅延を小さくする必要があ
るが、従来、上述の理由によってＣｒを用いて構成して
いたゲートバスラインを、シート抵抗の小さなＡｌ等の
低抵抗材料を用いて構成することが試みられており、そ
れに伴ってリペアラインもＡｌ等の低抵抗材料によって
構成されることになる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様なゲー
トバスラインにＡｌ等の低抵抗材料を用いた液晶表示パ
ネルにおいては、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせ
工程で、リペアラインとドレインバスラインとの間に層
間短絡が多発し、製品にはならないものが発生した。
トバスラインにＡｌ等の低抵抗材料を用いた液晶表示パ
ネルにおいては、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせ
工程で、リペアラインとドレインバスラインとの間に層
間短絡が多発し、製品にはならないものが発生した。
【００１５】図５（ａ）参照 即ち、この様なリペアライン３６とドレインバスライン
３４との間の層間短絡は、リペアライン３６とドレイン
バスライン３４との交差部、即ち、メタルクロス部４１
で発生するものであり、この様な層間短絡の発生はメタ
ルクロス部４１とシール剤３３とが投影的に重なってい
る場合に多発することが判明した。
３４との間の層間短絡は、リペアライン３６とドレイン
バスライン３４との交差部、即ち、メタルクロス部４１
で発生するものであり、この様な層間短絡の発生はメタ
ルクロス部４１とシール剤３３とが投影的に重なってい
る場合に多発することが判明した。
【００１６】図５（ｂ）参照 図５（ｂ）は、図５（ａ）の破線の円で囲まれたメタル
クロス部４１を拡大したものであり、このメタルクロス
部４１において、シール剤３３の中にギャップ保持のた
めに含まれているファイバスペーサ４２によってドレイ
ンバスライン３４及びリペアライン３６が局所的に押圧
されることになる。
クロス部４１を拡大したものであり、このメタルクロス
部４１において、シール剤３３の中にギャップ保持のた
めに含まれているファイバスペーサ４２によってドレイ
ンバスライン３４及びリペアライン３６が局所的に押圧
されることになる。
【００１７】この様なファイバスペーサ４２による押圧
の結果、軟質のＡｌ等によって構成されている下層のリ
ペアライン３６の層厚が局所的に薄くなり、その結果、
空間的な歪みからゲート絶縁膜と同時に形成される層間
絶縁膜４３にクラック４４が発生する。
の結果、軟質のＡｌ等によって構成されている下層のリ
ペアライン３６の層厚が局所的に薄くなり、その結果、
空間的な歪みからゲート絶縁膜と同時に形成される層間
絶縁膜４３にクラック４４が発生する。
【００１８】この様なクラック４４が発生すると、押圧
に伴う応力によってリペアライン３６を構成するメタ
ル、即ち、Ａｌ等がクラック４４に沿って這い上がり、
メタル這い上がり部４５が形成されてリペアライン３６
とドレインバスライン３４とが短絡するものであり、断
面ＴＥＭ（断面透過電子顕微鏡写真）でもこの様なメタ
ルの這い上がりが確認されている。
に伴う応力によってリペアライン３６を構成するメタ
ル、即ち、Ａｌ等がクラック４４に沿って這い上がり、
メタル這い上がり部４５が形成されてリペアライン３６
とドレインバスライン３４とが短絡するものであり、断
面ＴＥＭ（断面透過電子顕微鏡写真）でもこの様なメタ
ルの這い上がりが確認されている。
【００１９】しかし、ゲートバスライン及びリペアライ
ン３６にＣｒを用いた従来の液晶表示パネルにおいて
は、この様な層間短絡は発生していないので、この様な
層間短絡はリペアライン３６を構成するＣｒとＡｌの硬
度の差に起因するものと考えられる。
ン３６にＣｒを用いた従来の液晶表示パネルにおいて
は、この様な層間短絡は発生していないので、この様な
層間短絡はリペアライン３６を構成するＣｒとＡｌの硬
度の差に起因するものと考えられる。
【００２０】したがって、本発明は、リペアラインと、
ドレインバスライン等のバスラインとの間のメタルクロ
ス部における層間短絡を防止することを目的とする。
ドレインバスライン等のバスラインとの間のメタルクロ
ス部における層間短絡を防止することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置
において、液晶を封止するシール３を、バスライン５と
このバスライン５と異なった層準で形成される修復用配
線層４との交差部と投影的に重ならない様に配置すると
共に、修復用配線層４及びバスライン５の内、アクティ
ブマトリクス基板１側に位置する層をＡｌを含む導電層
で構成することを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置
において、液晶を封止するシール３を、バスライン５と
このバスライン５と異なった層準で形成される修復用配
線層４との交差部と投影的に重ならない様に配置すると
共に、修復用配線層４及びバスライン５の内、アクティ
ブマトリクス基板１側に位置する層をＡｌを含む導電層
で構成することを特徴とする。
【００２２】この様に、バスライン５と修復用配線層４
との交差部と、アクティブマトリクス基板１と対向基板
２との間に設けられるシール３とが投影的に重ならない
ようにすることによって、シール３の押圧によってバス
ライン５と修復用配線層４との間の層間絶縁膜にクラッ
クは生ずることがなく、したがって、クラックに伴う層
間短絡を防止することができる。
との交差部と、アクティブマトリクス基板１と対向基板
２との間に設けられるシール３とが投影的に重ならない
ようにすることによって、シール３の押圧によってバス
ライン５と修復用配線層４との間の層間絶縁膜にクラッ
クは生ずることがなく、したがって、クラックに伴う層
間短絡を防止することができる。
【００２３】なお、異なった層準とは、高さ方向におい
て異なった位置に形成された層を意味するものであり、
また、バスライン５は、ドレインバスラインとゲートバ
スラインの両方を意味し、且つ、シール３は交差部に対
して周辺側でも、或いは、画素部側に設けても良いもの
である。
て異なった位置に形成された層を意味するものであり、
また、バスライン５は、ドレインバスラインとゲートバ
スラインの両方を意味し、且つ、シール３は交差部に対
して周辺側でも、或いは、画素部側に設けても良いもの
である。
【００２４】この様なシール３に関する配置関係を採用
することによって、アクティブマトリクス基板１側に位
置する層をＡｌを含む導電層、即ち、低比抵抗層で構成
して動作速度を高めることができる。なお、この場合の
Ａｌを含む導電層とは、Ａｌ或いはＡｌ合金の単独層、
Ａｌ或いはＡｌ合金と他の導電体層との積層体を意味す
るものである。
することによって、アクティブマトリクス基板１側に位
置する層をＡｌを含む導電層、即ち、低比抵抗層で構成
して動作速度を高めることができる。なお、この場合の
Ａｌを含む導電層とは、Ａｌ或いはＡｌ合金の単独層、
Ａｌ或いはＡｌ合金と他の導電体層との積層体を意味す
るものである。
【００２５】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、シール３が、交差部よりアクティブマトリクス基板
１の周辺側に配置することを特徴とする。
て、シール３が、交差部よりアクティブマトリクス基板
１の周辺側に配置することを特徴とする。
【００２６】この様に、シール３を交差部よりアクティ
ブマトリクス基板１の周辺側に配置することによって、
表示枠６を必要以上に狭めることがなく、表示特性に悪
影響を与えることがない。
ブマトリクス基板１の周辺側に配置することによって、
表示枠６を必要以上に狭めることがなく、表示特性に悪
影響を与えることがない。
【００２７】（３）また、本発明は、上記（１）におい
て、修復用配線層４がバスライン５よりアクティブマト
リクス基板１側に位置することを特徴とする。
て、修復用配線層４がバスライン５よりアクティブマト
リクス基板１側に位置することを特徴とする。
【００２８】上記のシール３に関する配置関係を採用す
ることによって、逆スタガ構造のＴＦＴを用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置においても、従来、Ｃｒ
を用いていたゲートバスライン及び修復用配線層４を低
比抵抗のＡｌを含む層で構成することが可能になる。
ることによって、逆スタガ構造のＴＦＴを用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置においても、従来、Ｃｒ
を用いていたゲートバスライン及び修復用配線層４を低
比抵抗のＡｌを含む層で構成することが可能になる。
【００２９】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、バスライン５がドレインバ
スラインであることを特徴とする。
（３）のいずれかにおいて、バスライン５がドレインバ
スラインであることを特徴とする。
【００３０】この様に、通常、ドレインバスラインは表
面段差がある上層側に設けられるので断線が発生しやす
いため、ドレインバスラインに対してゲートバスライン
の製造工程を利用した修復用配線層４を設ける必要があ
る。
面段差がある上層側に設けられるので断線が発生しやす
いため、ドレインバスラインに対してゲートバスライン
の製造工程を利用した修復用配線層４を設ける必要があ
る。
【００３１】
【発明の実施の形態】ここで、本発明の実施の形態を図
２を参照して説明するが、本発明に用いるＴＦＴは、ゲ
ートバスライン及びリペアラインを構成する導電材料以
外は、図３に示した従来のＴＦＴと同様である。
２を参照して説明するが、本発明に用いるＴＦＴは、ゲ
ートバスライン及びリペアラインを構成する導電材料以
外は、図３に示した従来のＴＦＴと同様である。
【００３２】図２参照 まず、ＴＦＴの構成を説明すると、透明ガラスからなる
ＴＦＴ基板１１上に、例えば、１００ｎｍのＡｌ膜及び
５０ｎｍのＴｉ膜を順次堆積させてパターニングするこ
とによってゲートバスライン（図示せず）、ゲート電
極、及び、リペアライン１２を形成したのち、その上に
例えば厚さ４００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させてゲート絶
縁膜とする。
ＴＦＴ基板１１上に、例えば、１００ｎｍのＡｌ膜及び
５０ｎｍのＴｉ膜を順次堆積させてパターニングするこ
とによってゲートバスライン（図示せず）、ゲート電
極、及び、リペアライン１２を形成したのち、その上に
例えば厚さ４００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させてゲート絶
縁膜とする。
【００３３】次いで、厚さ１５ｎｍのα−Ｓｉ膜、及
び、厚さ１２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させたのち、ゲー
ト電極をマスクとしたセルフアライン露光を利用してＳ
ｉＮ膜をパターニングし、次いで、露光マスクにより再
度パターニングすることによってチャネル保護膜を形成
する。
び、厚さ１２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させたのち、ゲー
ト電極をマスクとしたセルフアライン露光を利用してＳ
ｉＮ膜をパターニングし、次いで、露光マスクにより再
度パターニングすることによってチャネル保護膜を形成
する。
【００３４】次いで、オーミックコンタクト層となる厚
さ３０ｎｍのｎ+ 型α−Ｓｉ膜、及び、ドレインバスラ
イン１３、ソース電極、及び、ドレイン電極となるＴｉ
（２０ｎｍ）／Ａｌ（７５ｎｍ）／Ｔｉ（８０ｎｍ）構
造の導電膜を堆積させたのち、ＲＩＥによってＴｉ／Ａ
ｌ／Ｔｉ構造の導電膜乃至α−Ｓｉ膜を一括してパター
ニングすることによって、α−Ｓｉ膜、ｎ+ 型α−Ｓｉ
膜、ドレインバスライン１３、ソース電極、及び、ドレ
イン電極からなるＴＦＴ素子部を形成する。
さ３０ｎｍのｎ+ 型α−Ｓｉ膜、及び、ドレインバスラ
イン１３、ソース電極、及び、ドレイン電極となるＴｉ
（２０ｎｍ）／Ａｌ（７５ｎｍ）／Ｔｉ（８０ｎｍ）構
造の導電膜を堆積させたのち、ＲＩＥによってＴｉ／Ａ
ｌ／Ｔｉ構造の導電膜乃至α−Ｓｉ膜を一括してパター
ニングすることによって、α−Ｓｉ膜、ｎ+ 型α−Ｓｉ
膜、ドレインバスライン１３、ソース電極、及び、ドレ
イン電極からなるＴＦＴ素子部を形成する。
【００３５】次いで、全面にＳｉＮ膜等の透明な保護膜
を堆積させたのち、ソース電極に対するコンタクトホー
ルを形成し、次いで、全面にＩＴＯ膜を堆積して所定の
パターンにエッチングすることによって画素電極を形成
して画素部が完成する。
を堆積させたのち、ソース電極に対するコンタクトホー
ルを形成し、次いで、全面にＩＴＯ膜を堆積して所定の
パターンにエッチングすることによって画素電極を形成
して画素部が完成する。
【００３６】次いで、ドレインバスライン１２及びゲー
トバスライン等を形成したＴＦＴ基板１１と、共通電
極、ＢＭ（ブラックマトリクス）、及び、ＣＦ（カラー
フィルタ）を設けた透明ガラス基板からなる対向基板１
５とを、その中にギャップ保持のためのファイバスペー
サを含んだシール剤１４を介して対向させ、その間の空
間に液晶を注入する。
トバスライン等を形成したＴＦＴ基板１１と、共通電
極、ＢＭ（ブラックマトリクス）、及び、ＣＦ（カラー
フィルタ）を設けた透明ガラス基板からなる対向基板１
５とを、その中にギャップ保持のためのファイバスペー
サを含んだシール剤１４を介して対向させ、その間の空
間に液晶を注入する。
【００３７】この場合、シール剤１４の位置は、ドレイ
ンバスライン１３とリペアライン１２とのメタルクロス
部と投影的に重ならないように配置する必要があり、特
に、表示枠１６を不必要に狭めないように、メタルクロ
ス部より周辺側、即ち、外側に配置することが望まし
い。なお、場合によっては、メタルクロス部より画素部
側、即ち、内側に配置しても良いものである。
ンバスライン１３とリペアライン１２とのメタルクロス
部と投影的に重ならないように配置する必要があり、特
に、表示枠１６を不必要に狭めないように、メタルクロ
ス部より周辺側、即ち、外側に配置することが望まし
い。なお、場合によっては、メタルクロス部より画素部
側、即ち、内側に配置しても良いものである。
【００３８】この様に、本発明の実施の形態において
は、シール剤１４をメタルクロス部と投影的に重ならな
いように配置しているので、シール剤１４の押圧によっ
てリペアライン１２とドレインバスライン１３とを分離
する層間絶縁膜にクラックが発生することがなく、した
がって、クラックに起因する層間短絡が発生することが
ないので、信号遅延の少ない高精細なアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の製造歩留りが向上する。
は、シール剤１４をメタルクロス部と投影的に重ならな
いように配置しているので、シール剤１４の押圧によっ
てリペアライン１２とドレインバスライン１３とを分離
する層間絶縁膜にクラックが発生することがなく、した
がって、クラックに起因する層間短絡が発生することが
ないので、信号遅延の少ない高精細なアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の製造歩留りが向上する。
【００３９】なお、本発明の実施の形態においては、下
層側となるリペアラインをＡｌ／Ｔｉの２層構造で構成
しているが、必ずしも、２層構造に限られるものでな
く、Ａｌの単独層でも良いものであり、且つ、用いるＡ
ｌ層としても純粋なＡｌである必要はなく、Ｓｃ等を含
んだＡｌ合金を用いても良いものである。
層側となるリペアラインをＡｌ／Ｔｉの２層構造で構成
しているが、必ずしも、２層構造に限られるものでな
く、Ａｌの単独層でも良いものであり、且つ、用いるＡ
ｌ層としても純粋なＡｌである必要はなく、Ｓｃ等を含
んだＡｌ合金を用いても良いものである。
【００４０】また、本発明は、ドレインバスライン１３
に対してリペアライン１２を設けているが、ゲートバス
ラインに対してもリペアラインを設けても良いものであ
り、この場合にはドレインバスライン１３の製造工程を
利用してリペアラインを構成することになるが、シール
剤１４をゲートバスラインとリペアラインとのメタルク
ロス部と投影的に重ならないように配置すれば良く、そ
れによって、ゲートバスラインとリペアラインとの間の
層間短絡を防止することができる。
に対してリペアライン１２を設けているが、ゲートバス
ラインに対してもリペアラインを設けても良いものであ
り、この場合にはドレインバスライン１３の製造工程を
利用してリペアラインを構成することになるが、シール
剤１４をゲートバスラインとリペアラインとのメタルク
ロス部と投影的に重ならないように配置すれば良く、そ
れによって、ゲートバスラインとリペアラインとの間の
層間短絡を防止することができる。
【００４１】また、本発明の様なシール剤の配置構成を
採用した場合には、ドレインバスライン、ゲートバスラ
イン、及び、リペアラインに用いられる導電材料に対す
る硬度の制限がなくなるため、より低比抵抗の導電材料
の使用が可能になる。
採用した場合には、ドレインバスライン、ゲートバスラ
イン、及び、リペアラインに用いられる導電材料に対す
る硬度の制限がなくなるため、より低比抵抗の導電材料
の使用が可能になる。
【００４２】また、本発明の実施の形態においては、α
−ＳｉからなるＴＦＴをアクティブ素子として説明した
が、アクティブ素子はα−ＳｉＴＦＴに限られるもので
はなく、多結晶Ｓｉを用いたＴＦＴでも良い。
−ＳｉからなるＴＦＴをアクティブ素子として説明した
が、アクティブ素子はα−ＳｉＴＦＴに限られるもので
はなく、多結晶Ｓｉを用いたＴＦＴでも良い。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、液晶を封止するために
用いるシール剤を、ドレインバスライン等のバスライン
とリペアラインとのメタルクロス部と投影的に重ならな
いように配置しているので、硬度の小さな低比抵抗の導
電材料を用いた場合にも、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼
り合わせる工程において、バスラインとリペアラインと
の間に層間短絡が発生することがなく、高精細なアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の製造歩留りの向上に寄
与するところが大きい。
用いるシール剤を、ドレインバスライン等のバスライン
とリペアラインとのメタルクロス部と投影的に重ならな
いように配置しているので、硬度の小さな低比抵抗の導
電材料を用いた場合にも、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼
り合わせる工程において、バスラインとリペアラインと
の間に層間短絡が発生することがなく、高精細なアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の製造歩留りの向上に寄
与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態の説明図である。
【図３】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
用いるＴＦＴの説明図である。
用いるＴＦＴの説明図である。
【図４】従来の断線修復方法の説明図である。
【図５】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
問題点の説明図である。
問題点の説明図である。
１ アクティブマトリクス基板 ２ 対向基板 ３ シール ４ 修復用配線層 ５ バスライン ６ 表示枠 １１ ＴＦＴ基板 １２ リペアライン １３ ドレインバスライン １４ シール剤 １５ 対向基板 １６ 表示枠 ２１ ＴＦＴ基板 ２２ ゲート電極 ２３ ゲート絶縁膜 ２４ α−Ｓｉ膜 ２５ チャネル保護膜 ２６ ｎ+ 型α−Ｓｉ膜 ２７ ソース電極 ２８ ドレイン電極 ２９ 保護膜 ３０ コンタクトホール ３１ 画素電極 ３２ 対向基板 ３３ シール剤 ３４ ドレインバスライン ３５ 断線部 ３６ リペアライン ３７ レーザ接続箇所 ３８ レーザ接続箇所 ３９ 信号供給方向 ４０ 表示枠 ４１ メタルクロス部 ４２ ファイバスペーサ ４３ 層間絶縁膜 ４４ クラック ４５ メタル這い上がり部
Claims (4)
- 【請求項１】 液晶を封止するシールを、バスラインと
該バスラインと異なった層準で形成される修復用配線層
との交差部と投影的に重ならない様に配置すると共に、
前記修復用配線層及びバスラインの内、アクティブマト
リクス基板側に位置する層をＡｌを含む導電層で構成す
ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項２】 上記シールが、上記交差部よりアクティ
ブマトリクス基板の周辺側に配置することを特徴とする
請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 上記修復用配線層が、上記バスラインよ
りアクティブマトリクス基板側に位置することを特徴と
する請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項４】 上記バスラインが、ドレインバスライン
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9250194A JPH1184398A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9250194A JPH1184398A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1184398A true JPH1184398A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17204224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9250194A Pending JPH1184398A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1184398A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100535358B1 (ko) * | 2000-07-04 | 2005-12-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자 |
| CN101369079A (zh) * | 2007-08-15 | 2009-02-18 | 奇美电子股份有限公司 | 液晶显示面板以及应用此液晶显示面板的液晶显示器 |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP9250194A patent/JPH1184398A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100535358B1 (ko) * | 2000-07-04 | 2005-12-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자 |
| CN101369079A (zh) * | 2007-08-15 | 2009-02-18 | 奇美电子股份有限公司 | 液晶显示面板以及应用此液晶显示面板的液晶显示器 |
| CN103257496A (zh) * | 2007-08-15 | 2013-08-21 | 奇美电子股份有限公司 | 液晶显示面板以及应用此液晶显示面板的液晶显示器 |
| CN103257496B (zh) * | 2007-08-15 | 2016-03-09 | 群创光电股份有限公司 | 液晶显示面板以及应用此液晶显示面板的液晶显示器 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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