JPH11507766A - 電子部品を静電的損傷から保護するための表面実装型装置と方法 - Google Patents

電子部品を静電的損傷から保護するための表面実装型装置と方法

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JPH11507766A
JPH11507766A JP9502323A JP50232397A JPH11507766A JP H11507766 A JPH11507766 A JP H11507766A JP 9502323 A JP9502323 A JP 9502323A JP 50232397 A JP50232397 A JP 50232397A JP H11507766 A JPH11507766 A JP H11507766A
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ヌハレーン,アンドリュー,ジェイ.
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リッテルフューズ,インコーポレイティド
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Abstract

(57)【要約】 プリント回路基板又は薄膜ハイブリッド回路技術において使用される表面実装型の小型の薄膜状過電圧保護装置。この表面実装型装置(SMD)は、電子部品に対する静電気放電(ESD)損傷を防ぐように構成されている。この回路保護装置は三つのサブアセンブリから構成されている。第1のサブアセンブリは、基体キャリア、電極、保護装置(60)をPC基板に接続するための端子パッドを具えている。第2のサブアセンブリは、非線型特性を有する電圧可変ポリマー材料を具えており、第3のサブアセンブリは回路保護装置の他のエレメントを保護するカバーコートを具えている。

Description

【発明の詳細な説明】 電子部品を静電的損傷から保護するための表面実装型装置と方法 技術分野 本発明は、広義には電気回路を保護するための表面実装型装置(SMD)に関 する。詳しくは、本発明は、電気回路における静電気放電に対する保護のための 表面実装型装置に関する。 背景技術 プリント配線(PC)基板はすべての種類の電気・電子装置に益々利用されつ つある。これらのPC基板に形成される電気回路は、従来の大型の電気回路等と 同じく、電気的過電圧に対して保護される必要がある。この保護は、物理的にP C基板に取付けられた周知の静電気放電装置によって行われることが多い。 こうした装置の例としては、シリコンダイオードや金属酸化物バリスタ(MO V)が挙げられる。しかし、これらの装置には幾つかの欠点がある。第一に、周 知のようにこれらのタイプの装置には老化の問題が多く発生する。第二に、これ も周知のように、これらのタイプの装置は破滅的な損傷を生じることがある。第 三に、これらのタイプの装置は、ショートした場合に焼損したり故障することが ある。PC基板の製造に際してこれらの装置を使用する場合には、他の多くの欠 点が思い当たる。 従来から、或る種の材料が、電子回路内の高速の過渡的過電圧パルスに対する 保護を与えることが判っている。これらの材料には、少なくとも、米国特許4, 097,834、4,726,991、4,977,357及び5,262,7 54に開示された材料が含 まれている。しかし、これらの材料を微小電子回路に組み込んで効果的に使用す るには、多くの時間とコストを要する。本発明は、これら及びその他の問題点を 軽減し、解決することを目的とする。 発明の概要 本発明は、三つの材料のサブアセンブリを含む薄膜型静電気放電保護用表面実 装型装置(ESD/SMD)である。第一のサブアセンブリは基体キャリアを具 えている。 この第一の基体キャリア・サブアセンブリは、その上面に制御された幅を有す る間隙によって互いに分離された一対の電極を有するキャリアベースと、該キャ リアベースの側面と底面を被覆する端子パッドとを具えている。第2のサブアセ ンブリ即ち電圧可変ポリマー材料は前記一対の電極の間に付与され、これらの間 の間隙を架橋している。第3のサブアセンブリ即ちカバーコートは、第1の基体 サブアセンブリの上面の前記ポリマー材料と電極の上に載せられている。この第 3サブアセンブリは、第2サブアセンブリと電極及び該電極に接続された端子パ ッドの一部を覆う保護層を提供し、後述するように衝撃や酸化等の影響からこれ らを守る。 第3のサブアセンブリ即ち保護層は、ポリウレタンやポリカーボネート等のポ リマー材料で作られている。更に、最も好ましい基体材料は、FR−4エポキシ 又はポリイミドである。 本発明のその他の態様によれば、薄膜状の表面実装型ESD/SMDが提供さ れる。詳しくは、この装置は、導電性金属で作られた電極を有する。第1の導電 性金属は、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミ、及びこれらの導電性金属の合金 を含む群から選ばれることが望ましいが、これらに限定されるものではない。本 発明のESD/SMDの電極用の好ましい金属の一つは、銅である。 第1の導電性金属即ち電極は、種々の形状で第1サブアセンブリ上に成層され る。写真平版技術、機械的及びレーザー処理技術を利用して、非常に小さい複雑 な形状の電極と適正な間隙幅を得ることができる。この技術が電気化学的及び物 理的蒸着技術(PVD)によって形成された超薄膜コーティングと組み合わせら れると、この小型保護装置60の電極間の間隙を制御して、過電圧から回路を保 護することが可能になる。 このESD/SMDの基体の上面に電極を形成することによって、高精度の二 次的作業としてレーザー処理法を使用して間隙幅を調整し、これによって装置を 規格に合わせることが可能となる。 本発明のその他の特長と利点は、図面を参照して以下の説明によって明らかに なるであろう。 図面の簡単な説明 図1は、本発明の小型ESD/SMDを製造するのに使用される銅めっきされ たFR−4エポキシシートの斜視図である。 図2は、図1の線2−2線に沿う図1のシートの一部の断面図である。 図3は、図1のFRエポキシシートの斜視図であり、その銅めっき層は剥がさ れ、それぞれが幅W1と長さLを有する複数のスロットが該シートの四分割領域 において打ち抜かれている。 図4は、図3の打ち抜かれたシートの一部の斜視図であるが、これには銅めっ き層が再付与されている。 図5は、各箇所が紫外線不透過物質のパターン付きパネルでマスクされた後の 図4の再び銅めっきされたシートの平らな上向き面の斜視図である。 図6は、図5の反対側の斜視図であり、図5の再びめっきされた シートからストリップ状に銅めっき層が除去された後の状態を示す。 図7は、図6のストリップ26の上面57の斜視図であり、点線で直線状領域 40を示す。 図8は、銅めっき浴に浸漬し、次いでニッケルめっき浴に浸漬して、付加的な 銅層とニッケル層がベースの銅層の端子パッド部分の上に形成された、単一のス トリップ26の斜視図である。 図9は、図8のストリップの斜視図であるが、錫−鉛浴に浸漬されて端子パッ ドの銅とニッケル層の上にもう一つの層が形成されている状態を示す。 図10は、電圧可変ポリマーのストリップが付与された領域が描かれている図 9のストリップを示す。 図11は、図10のストリップを示すが、該ストリップ26の間隙25にポリ マー材料43が付与されている。 図12は、図11のストリップを示すが、電極21とポリマー材料43の上に はカバーコート56が付与されている。 図13は、ダイヤモンドカッターを用いて平行面に沿ってストリップを切断し 、個々の装置を形成する、いわゆるダイシング作業の後に、最終的に得られた本 発明のESD/SMDを示す。 図14は、このESD/SMDの製造プロセスのスクリーン捺染ステップを実 行するのに使用されるスクリーン捺染機の正面図である。 発明の詳細な説明 本発明は多くの異なった形態が可能であるが、図に示す好適実施例に基づいて 本発明を詳細に説明する。しかし、これは本発明の原理を説明するもので、本発 明の広範な態様ははこれに限定されるも のではないことを理解するべきである。 本発明の好適実施例の一つを図13に示す。この薄膜状回路装置は、プリント 回路基板又は厚膜状ハイブリッド回路技術に使用される、表面実装型のサブミニ チュア過電圧保護装置である。この装置に与えられた名前の一つは、静電気放電 保護用表面実装型装置(ESD/SMD)である。この表面実装型装置(SMD )は、電子部品に対する静電気放電(ESD)損傷を防ぐように構成されている 。このESD/SMD装置は、それが種々のサイズで製造可能なようにレイアウ トされ、設計されている。表面実装型装置の標準の工業用サイズの一つは、一般 的に125ミルの長さと60ミルの幅とを有する。このサイズは本発明に適用可 能であり、単に「1206」サイズの装置と呼称する。しかし、本発明は、他の すべての表面実装型装置の標準サイズ、例えば1210、0805、0603、 0402等に対しても使用可能であり、更に非標準サイズのものに対しても使用 可能であることを理解すべきである。本発明の保護装置は、低電力に対する保護 用に一般に使用されているシリコンダイオードやMOV技術に代替するものとし て設計されている。 この保護装置は、広義には、三つの材料のサブアセンブリから構成されている 。図から明らかなように、第1のサブアセンブリは、基体キャリア即ち基体13 と、電極21と、保護装置60をPC基板に接続するための端子パッド34、3 6とを具えている。第2のサブアセンブリは電圧可変ポリマー材料43を具え、 第3サブアセンブリはカバーコート56を具えている。 前記第1サブアセンブリ即ち基体キャリアア・サブアセンブリは、制御された 幅W2の間隙によって分離された二つの電極21を上面に有するキャリアベース 13と、上面57の被覆端子34、36と、前記第1サブアセンブリ13の底面 58と、側面59を具えて いる。第2のサブアセンブリ即ち電圧可変ポリマー材料43は、前記両電極21 の間に設置され前記間隙25を効果的に架橋している。カバーコート56は、基 体サブアセンブリの上面57上の前記ポリマー材料43と電極との上に載置され 、端子パッド34、36の上面57を覆っている。第3のサブアセンブリは、自 動組立の際に発生する衝撃に対する保護と、使用の際の酸化その他の影響からの 保護のために設けられている。 更に詳しくは、第1の基体サブアセンブリは、半硬質エポキシ材料製のキャリ アベース13を有する。この材料は、プリント回路基板産業で使用される標準的 な基体材料とほぼ同じ物性を示し、したがって、この装置とプリント基板の熱的 並びに機械的特性が非常に適合したものとなる。他のタイプの材料でも使用可能 である。 この第1サブアセンブリは、更に、一つの連続層即ちフィルムとして、前記パ ッド34、36の一部をなす二つの金属電極21を有する。図から明らかなよう に、これらのパッド34、36は複数の層、即ち電極21を形成するベースの銅 層44と、追加の銅層36と、ニッケル層48と、前記パッド34、36の残余 を形成する錫−鉛層50から構成されている。別の実施例においては、追加の銅 層46が電極21(図示しない)の第2の銅層を形成し、該電極21の厚さを増 している。パッドのベースと電極の銅層は、(1)後述する好適実施例における めっき等の電気化学的プロセス、又は(2)物理的な蒸着(PVD)によって、 同時に形成される。過電圧状態が生じた場合に、こうした同時成層によって、パ ッド34、36、電極21、第2サブアセンブリ43の間に良好な導通が得られ る。この種の成層によって製造も円滑に行われ、電極21を含む各層の厚さを精 密に制御することが可能になる。基体即ちコア13上にベースの銅層44を設け た後、前述のように導電性金属の付加層 46、48、50が端子パッド上に設けられる。これらの付加層は、それぞれ写 真平版及び成層技術によって、これらのパッドの上の形成される。 これら二つの金属電極は、それが一層の厚さであろうと二層(又はそれ以上) の厚さであろうと、制御された幅W2の間隙25によって分離されている。基体 サブアセンブリは、保護装置の上面57、底面58、側面59に前記二つの端子 パッド34、36を具備することも可能である。端子パッド34、36の底面5 8及び/又は側面59は、この装置をプリント基板に取付け、該基板から電極2 1へ至る電気経路を提供するのに使用される。前述のように、電極21と端子パ ッドは基体材料13に成層された銅シート44によって構成されている。その他 の層は、電気化学的又は物理的蒸着法(PVD)のどちらかで形成されると共に 、基体上面の電極と基体13の底面の端子パッド34、36との間の良好な連続 した経路を確保する。このやり方は、表面実装型組立技術による製造を容易にし 、端子パッドを被覆することが可能になる。電極21同士の間の間隙幅W2は、 写真平版技術とエッチングプロセスとによって形成される。写真平版プロセスの 性質上、電極の金属層の分離幅W2の非常に精密な制御が可能となる。電極21 を分離しているこの間隙25は、基体13の上面を横断する直線に沿って延在し ている。この間隙の適正なサイズと形状によって、過電圧の際の適正なトリガー 電圧とクランプ電圧並びに高速の応答時間と確実な作用が得られる。電極の金属 層は所望の物理的、電気的、金属学的特性が得られるように、種々の金属や合金 、例えばCu,Ag,Ni,Ti,Al,NiCr,TiNから選択可能である 。 間隙25と端子パッド34、36の物理的寸法と幅を規定するためには、写真 平版技術、機械的技術又はレーザー処理技術が採用さ れる。続いて、写真平版と蒸着によって、特定の厚さになるまで端子パッドにC u,Ni,Sn/Pb等の追加の成層が行われる。 電圧可変ポリマー材料43は、高速の過渡的過電圧パルスに対する保護を与え る。このポリマー材料43は、過電圧状態に対して非線型電気応答を行う。この ポリマー43は、有機樹脂又は絶縁媒体中に分散された細かく粉砕された粒子で ある。このポリマー材料43は、絶縁性結合剤中に均一に分散された導電性粒子 からなる。このポリマー材料43は、粒子同士の間隔と結合剤の電気的性質に基 づく非線型抵抗特性を有する。このポリマー材料は多くのメーカーから入手可能 であり、前述の特許にも開示されている。 カバーコート56のサブアセンブリは、金属成層、パターン形成、ポリマー4 3の付与プロセスの後で、基体/ポリマーのサブアセンブリの上面に設けられ、 ポリマー材料43を保護する手段を提供するとともに、ピックアンドプレース( pick-and-place)表面実装技術による自動化された組立装置のための平らな表面 を提供する。このカバーコート56は、保護装置60の性能を劣化させる電極2 1とポリマー43の過剰な酸化を防ぐ。このカバーコート56は、プラスチック 、ポリマー、エポキシ類等の種々の材料で形成可能である。カバーコート56は 、この保護装置60にマークを付けるための担持体としても役立つ。このマーク はインキ移転プロセスやレーザーマーキング法によって、各層の間やカバーコー ト56の表面に設けられる。 この保護装置60は、次のプロセスで製造される。図1と2には、銅めっき層 12を有するFR−4エポキシの中実シート10が示されている。この銅めっき 層12とFR−4エポキシの基体13は、図2に最も判りやすく示されている。 この銅めっきされたFR−4エポキシシート10は、Allied Signal Laminate S ystems,Hoos ick Falls,New York から0200BED130C1/CIGFN0200C1/C1A2Cのパーツとして入手 可能である。FR−4エポキシが好ましい材料であるが、前述のように化学的、 物理的、構造的にPC基板を形成している材料と同じものであれば、どんなもの でもよい。この中実シート10用の別の好適な材料としては、ポリイミドが挙げ られる。FR−4エポキシとポリイミドは、PC基板産業で使用される標準的基 体材料と殆ど同じ物性を有する材料の中に入っている。この結果、保護装置60 とこの保護装置60が取付けられるPC基板とは、熱的及び機械的に互いに非常 に適合した特性を持つこととなる。本発明の保護装置60の基体は、所望のアー ク経路形成特性を有するとともに、過電圧に伴うエネルギーの急速な解放が生じ た場合にも、充分な機械的可撓性がそのまま残っている。 この保護装置60を製造するプロセスの次の段階において、通常のエッチング プロセスによって中実シート10から銅めっき層12が除去される。この通常の エッチングプロセスでは、塩化第二鉄溶液によって基体から銅を除去する。 この段階が終了した後、図2のすべての銅層12は中実シート10のFR−エ ポキシ基体13から除去されるが、この残存エポキシ基体13は、初めから銅層 を付与されなかった「清浄な」FR−4エポキシシートとは異なるものである。 詳しくは、エッチングによって銅層12が除去された後に、エポキシ基体13の 表面には化学的にエッチングされた表面が残る。エポキシ基体13のこの処理表 面は、本発明の表面実装型保護装置60の製造に必要な次工程の処理に対する強 い感受性を持っている。 次にこの処理された、銅を除去された表面を有するFR−4エポキシシート1 0に、図3に示すように、該シート10の四分割領域に沿ってスロット14を打 ち抜く。図3において、これら四つの領 域は鎖線によって目で見えるように区分されている。スロット14の幅W(図4 )は約0.0625インチである。各スロット14の長さL(図3)は約5.1 25インチである。 打ち抜きが完了すると、図3に示すエッチングされ且つ打ち抜かれたシート1 0に、再び銅めっきが施される。この二度目の銅めっきは、図3のエッチングさ れ且つ打ち抜かれたシートを無電解銅めっき浴中に浸漬することによって行われ る。この銅めっき法は周知の技術である。 この銅めっきの結果、シート10の露出した両面に沿って均一な厚さの銅の層 が設けられる。例えば、図4に示すように、このステップによって得られた銅め っき18は、(1)シート10の平らな上面22と、(2)スロット14の少な くとも一部を形成する垂直な割れ目領域16とを覆っている。これらの割り目領 域16は最終的な保護装置60の端子パッド34、36の一部を形成するので、 銅でめっきされている必要がある。銅めっきの厚さの均一性は、ユーザーの最終 的な必要性に応じて決められる。 めっきが終わって図4の銅めっき構造を得られると、該構造の全露出表面をい わゆるフォトレジスト・ポリマーで被覆する。 フォトレジストで被覆した後に、再めっきされた銅シート20の上に別の透明 マスクを載せる。これらのパターン付きパネルは紫外線不透過物質で作られ、図 5に示すパターン30にほぼ類似したサイズと形状のものである。これらのパネ ルを有するこのマスクを再銅めっきされた銅シート20の上に載せることによっ て、再銅めっきされたシート20の上方を向いた平らな表面22は、紫外線の影 響から効果的に遮断される。 パターン30は基本的に電極21とポリマー・ストリップ43の形状とサイズ を決めることが、次の説明によって判るであろう。次 のステップによって端子パッド34、36の残りの部分が形成される。電極21 とポリマー・ストリップ43の幅、長さ、形状は、紫外線不透過性パネルのパタ ーンのサイズと形状を変更することによって変えられることが判るであろう。例 えば、本発明の一実施例によれば、図示のとがった隅部19の代わりに、丸い隅 部(図示しない)としている。事実、隅部19を丸くするほうがよいことが判っ た。 このようにして、このステップにおいて、電極21同士の間のには間隙25が 形成され、電極21には切り欠き23が設けられる。上に述べたように、写真平 版技術、機械的技術及びレーザー処理技術を利用して、非常に小さい、複雑な、 そして込み入った電極21と間隙25を形成することができる。電極21の形状 を適宜に修正して、得られた保護装置60に特殊な電気的特性を持たせることが 可能である。間隙の幅W2を変更して、過剰な負荷が加わった際のトリガー電圧 とクランプ電圧を変更することができる。この装置構造によって、前述の構造の 装置と同様なトリガー電圧並びにクランプ電圧の定格が得られる。ESD波形と して2kV,4kV,8kVのピーク電圧を用いて、テストを行った。2ミルと 4ミルの間隙幅を使用した場合には、100〜150Vのトリガー電圧と30〜 50Vのクランプ電圧とが得られた。 このステップにおいて、補助的にシートの裏側をフォトレジスト材料で被覆し 、フォトレジストで被覆された後に、別の透明マスクを再めっきされた銅シート の上に載せる。長方形のパネルはこの透明マスクの一部である。この長方形パネ ルは紫外線不透過物質で作られ、図6に示すパネル28のサイズに対応するサイ ズを有する。基本的には、これらのパネルを有するこのマスクを再めっきされた 銅シート20上に載せることによって、再めっきされた銅シート2 0の平らな下向き面28の複数のストリップ20を、紫外線の影響から有効に遮 断することができる。 長方形のパネルは、基本的には、幅広の端子パッド34、36及びストリップ 26の底面58の下面の中央部28の形状とサイズを規定するものである。この ようにして、フォトレジストマスクによって、ストリップ26の底面58の中央 部28から、銅めっきが除去される。この再めっきされた銅シート20の断面の 斜視図が図6に示されている。 次に、再めっきされ且つフォトレジストで被覆されたシート20の全体、即ち 該シート20の上面57、底面58及び側面59が紫外線に曝される。この再め っきシート20は、マスクの正方形のパネルと長方形のストリップによって被覆 されていないフォトレジスト全体が硬化するのに充分な時間をかけて紫外線の照 射を受ける。その後、これらの正方形パネルと長方形ストリップを具えたマスク は、再めっきシート20から除去される。これらの正方形パネルの下に前から存 在しているフォトレジストは、硬化されないで残っている。この未硬化のフォト レジストは再めっきシート20から溶剤を用いて洗浄される。 再めっきシート20の残りの部分の上にある硬化したフォトレジストは、プロ セスの次のステップに対する保護層を提供する。詳しくは、この硬化フォトレジ ストは、その領域の下に存在している銅が除去されないように防いでいる。パタ ーン付きパネルの下に存在しているフォトレジストは硬化されないので、こうし た保護機能は持たない。したがって、エッチングによってこれらの領域から銅を 除去することが可能となる。このエッチングは、塩化第二鉄溶液によって行われ る。 銅が除去された後、図5、6に示すように、マスクのパターン付 きパネルと長方形ストリップの下の領域は全く被覆されていない。これらの領域 は透明エポキシの領域28と30とを有している。 次に、再めっきシート20は薬品浴中に入れられ、残っていたすべての硬化フ ォトレジストがシート30の以前に硬化した領域から除去される。 本明細書においては、隣り合うスロット14同士の間のシート20の前記部分 が、ストリップ26を構成している。このストリップは図4に示すように寸法D を有し、これが装置の長さを規定する。本明細書に記載された複数の操作が終了 すると、このストリップ26は最終的に多数の片に裁断され、各片が本発明のE SD/SMD即ち保護装置60となる。 図6から判るように、ストリップ26の底面58は、その周縁に沿って銅めっ きされた領域を有する。ストリップ26の底面58のこれらの領域34と36は パッド部分を形成している。これらのパッドは、最終的に、完成された保護装置 58全体をPC基板に対して固定するための手段としての機能を有する。 図7は、図6のストリップ26の上面57の斜視図である。これらのストリッ プ26の下面の中央部分28の反対側にほぼ対応して、上面38の側に直線状領 域40が存在している。これらの直線状領域40は、図7の点線によって規定さ れている。 図7を、本発明の次の製造ステップに関連して説明する。このステップにおい て、フォトレジスト・ポリマーはストリップ26の上面側の各直線状領域40に 沿って付与される。これらの直線状領域40をフォトレジストで被覆することに よって、フォトレジスト・ポリマーは間隙25と電極21にも付与される。これ らの電極21は導電性金属、例えば銅で作られている。次にフォトレジストは紫 外線で処理され、直線状領域40で硬化する。 フォトレジストが硬化しているので、ストリップ26がめっきのために金属を 含む電解液の浴に浸漬された場合、金属はこの直線状領域40に付着しない。 更に、前述のように、ストリップ26が電解めっき浴に浸漬された場合、スト リップ26の底面58の中央部分28にはめっきが行われない。この金属部分を 以前に被覆していた銅は除去され、シート20のベースをなすエポキシが露出す る。電解めっきプロセスを行っても、金属はこの露出したエポキシには付着せず 、したがってめっきされない。 ストリップ26全体を銅電解めっき浴中に浸漬し、次にニッケル電解めっき浴 中に浸漬する。その結果、図8に示すように、銅層46とニッケル層48がベー スの銅層44の上に形成される。これらの銅層46とニッケル層52とがそれぞ れ形成された後、図9に示すように追加の錫−鉛電解浴を介して同じ領域に錫− 鉛層52が形成される。次に、直線状領域40で硬化したフォトレジスト・ポリ マーが除去される。 次に、図10と11に示すようにポリマー材料43が付与される。このポリマ ー43は種々のやり方で付与することが可能である。例えば、図14に示すスク リーン捺染機を用いて、後述するスクリーン捺染機の使用法に準じてポリマー4 3を付与してもよい。更に、ポリマー43のチューブを用いて手によってポリマ ー43を付与してもよい。他の自動化された手段によってポリマー43を付与す ることも可能である。領域42内と領域41同士の間にポリマーが付与・成層さ れると、シート20は加熱処理されて、ポリマー43が固化し、図11のストリ ップ26に似たストリップ26が得られる。 保護装置60の製造の次のステップは、ストリップ26の上面5 7の殆どの長さを横断して保護層56(図12)を設けることである。この保護 層56は、本発明の保護装置60の第3のサブアセンブリであり、電極21とポ リマー・ストリップ43の領域を覆う比較的密なシールを形成する。このように 、保護層56は、PC基板への取付けの際に酸化と衝撃に対する保護を与える。 この保護層は、真空ピックアップ工具を使用するピックアンドプレース型作業を 行うための表面を提供する手段としての機能も有する。 この保護層56は、過電流状態において可溶性リンク42で生じる溶融、イオ ン化、アーク放電を制御するのに役立つ。この保護層56即ちカバーコート材料 は、特に可溶性リンク42の断裂に重大な影響を有する所望のアーク放電鎮静特 性を与える。 カバーコート56の付与は、装置本体の形状を規定する簡単な固定具を用いる 一回の処理ステップで行うことが可能である。この製造方法は、物理的及び環境 的な損傷からの電極21、間隙25及びポリマー43の保護に関して、現在の方 法より優れたものである。コーティング56は、電極間隙25を、クランピング 法即ちダイモールド法ほど厳しく位置決めなくてもよいやり方で付与される。コ ーティングの付与に先立って、該コーティングには染料が混ぜられ、色でコード 化された電圧規格の保護装置60を提供する。 スクリーン捺染によるカバーコート付与プロセスが使用される場合には、保護 層56は、ポリマー好ましくはポリウレタンのゲル又はペーストからなり、射出 成形によるカバーコートの付与の場合には、ポリカーボネート接着剤が好ましい 。好適なポリウレタンはダイマックス(Dymax)によって作られる。その他の類 似のゲル、ペースト及び接着剤も、使用されるカバーコート付与プロセスに応じ て、本発明に好適に使うことができる。ポリマーの他に、保護層56はプラスチ ック、コーティング、エポキシ類であってもよい。 この保護層56は、図14に示す普通のスクリーン捺染機を使用するスクリー ン捺染プロセスによってストリップ26に付与される。スクリーン捺染は、ダイ モールドを使用する射出成形プロセス等の、カバーコート56の付与のための他 のプロセスよりも迅速に行えることが判明した。詳しくは、スクリーン捺染機を 使用するスクリーン捺染プロセスによれば、射出成形の場合に比して、生産量を 少なくとも2倍にできることが判明した。このスクリーン捺染機は、Affiliated Manufacturers,Inc.of Northbranch,New Jersey によって、モデルCP−8 85として製造されている。 スクリーン捺染プロセスにおいて、材料はシート20の一つの四分割領域のす べてのストリップ26に対して同時に付与される。スクリーン捺染プロセスを使 用すれば、カバーコート材料は直接紫外線に曝されるが、射出成形プロセスの場 合は、紫外線はフィルターを通じて照射される必要がある。したがってスクリー ン捺染プロセスの場合には、材料は射出成形プロセスよりも迅速に硬化する。更 に、スクリーン捺染プロセスの場合には、射出成形プロセスの場合よりも、高さ と幅が均一なカバーコート56が製造される。この均一性のために、このフュー ズのテストや包装を比較的迅速な自動化プロセスで行うことが可能になる。射出 成形プロセスの場合には、カバーコート56の高さと幅にある程度のバラツキが あるので、テスト装置や包装装置にこの保護装置60を正確に整列させることが 難しい。 スクリーン捺染機は、スライド可能なプレート70、ベース72、スキージー アーム74、スキージー76、オーバーレイ78を具えている。オーバーレイ7 8はベース72の上に取付けられ、スキージー76はベース72とオーバーレイ 78の上方にスキージーアーム74に可動に取付けられている。プレート70は ベース72と オーバーレイ78の下方をスライド可能である。オーバーレイ78は、カバーコ ート56の幅に対応する平行な開口80を有する。 スクリーン捺染プロセスは、シート20の下に接着テープを取付けることによ って開始される。接着テープを取付けられたシート20は、接着テープをプレー ト70とフューズシート20との間に挟んで、プレート70上に載せられる。次 に、カバーコート56の材料がオーバーレイ78の一方の端に注入器によって供 給される。プレート70はオーバーレイ78の下方をスライドし、シート20を オーバーレイ78の下に平行開口80と正確に一致するように位置決めする。次 にスキージー76は下降して、オーバーレイ78の上面の材料を越えてオーバー レイ78に接触する。次に、スキージー76は開口80が存在しているオーバー レイ78を横断して移動し、カバーコート56の材料を、開口80を通じてシー ト20の各ストリップ26上に押し出す。こうして、カバーコートは、電極21 、間隙25、ポリマー・ストリップ43(図12、13)を被覆する。次にスキ ージー76は上昇し、シート20はオーバーレイ78から解放される。オーバー レイ78の開口80は、図12、13に示すように、保護層がパッド34、36 と部分的に重なるように、充分に広く設定されている。その上、カバーコートの 材料として使用される材料の、ペースト又はゲル領域での粘度は、該材料56が シート20上に拡げられた後、流れ拡がってほぼ平らな上面49を形成するが、 スロット14内には流れ込まないような粘度であることを要する。ストリップ2 6のシート20は、次に紫外線チャンバ内で硬化される。この硬化プロセスの終 わりに、ポリウレタンのゲル又はペーストは固化し、保護層56(図12、13 )を形成する。 無色の透明なカバーコートは美的観点から喜ばれるが、別のタイ プのカバーコートも使用可能である。例えば、色付きの透明カバーコート材料も 使用可能である。これらの色付き材料は、透明カバーコート材料に染料を添加す ることで簡単に製造できる。これらの色付き材料を使うことで、カラーコーディ ングを行うことが可能である。換言すれば、異なる色のカバーコートを異なる規 格に対応させることにより、ユーザーが所与の保護装置60の規格を知る簡単な 手段が提供される。これら両コーティングは透明なので、ユーザーはこれを設置 する前及び使用中に、ポリマー・ストリップを目で検査することができる。 こうして、ストリップ26はいわゆるダイシング、即ちストリップ26を個々 のフューズに分割する作業に臨む。このダイシング作業では、ダイヤモンドカッ ターその他が使用され、ストリップ26を平行面61(図12)に沿って個々の 薄膜状表面実装型フューズ60(図13)に切断する。切断は電極21の切り欠 き23を二等分するように行われる。この点に関して、電極21の金属層が切り 欠き23の領域から除去されていることが容易に判るであろう。即ち、電極の無 い切り欠き領域23を通じて切断を行えば、作業がより容易になる。更に、ダイ シング作業の際に、切断部に沿って金属層の捲くれが発生し、これが電極の一部 をなす金属層にまで及び、間隙領域に入って間隙の幅W2を減少させることがあ る。切り欠き23において切断を行うことにより、かかる問題やその他の問題を 軽減させることができる。切り欠き23を更にパッド34、36の方に延長した り、切り欠き23の隅部19を丸くしたりしてもよい。 この切断作業はによって、本発明の薄膜型保護装置60(図13)の製造が完 了する。 前記特長を組み合わせることによって、ESD/SMD装置アセ ンブリが製造され、該アセンブリは、電極と間隙のサイズと形状並びにポリマー 43の組成を調整することによって、改善されたトリッガー電圧及びクランプ電 圧の制御を行うことが可能となる。成層プロセスと写真平版プロセスでの寸法制 御と電極並びにポリマー材料43の適正な選択とによって、確実なトリッガー電 圧並びにクランプ電圧を得ることができる。しかし、本発明は、その精神又は要 旨から逸脱することなく、他の態様をとり得ることを理解すべきである。したが って、上述の実施例はあくまでも例示に過ぎず、本発明はその細部に限定される ものではない。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1996年12月16日 【補正内容】 【図1】 【図2】 【図3】 【図4】 【図5】 【図6】 【図7】 【図8】 【図9】 【図10】 【図11】 【図12】 【図13】 【図14】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,S Z,UG),UA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD ,RU,TJ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ ,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CZ, DE,DK,EE,ES,FI,GB,GE,HU,I S,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LK,LR ,LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN, MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,S D,SE,SG,SI,SK,TJ,TM,TR,TT ,UA,UG,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.基体キャリアと、 第1の導電性金属の層で形成され、間隙によって分離されている、前記基体の 表面に設けられた一対の電極と、 前記電極の間の間隙に形成された電圧可変ポリマー材料、とを具えた薄膜状表 面実装型回路保護装置。 2.前記第1導電性金属は、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミ、又はそれら の合金を含む群から選択される請求項1記載の表面実装型回路保護装置。 3.更に、PC基板に接続されるように構成された一対の端子パッドを具え、 前記第1導電性金属の層が該一対の端子パッドの一部を形成している請求項1記 載の表面実装型回路保護装置。 4.前記電極の前記第1導電性金属の層と前記パッドの一部とが、一つの連続 層になっている請求項3記載の表面実装型回路保護装置。 5.前記電極が、前記回路保護装置の実質的に幅方向に延在している請求項1 記載の表面実装型回路保護装置。 6.基体と、端子パッドと、間に間隙を形成して互いに分離されている電極と を具えた第1のサブアセンブリと、 前記間隙に形成された電圧可変ポリマー材料を有する第2のサブアセンブリ、 とを具えた薄膜状表面実装型回路保護装置。 7.更に、第3のサブアセンブリを具え、該第3サブアセンブリは前記電圧可 変ポリマー材料と電極の上に重なって、これを衝撃と酸化から保護している保護 層を含む請求項6記載の表面実装型回路保護装置。 8.前記保護層がポリマー材料で形成されている請求項7記載の 表面実装型回路保護装置。 9.前記基体がFR−4エポキシ又はポリイミドで作られている請求項6記載 の表面実装型回路保護装置。 10.前記保護層が透明で無色である請求項7記載の表面実装型回路保護装置 。 11.前記保護層が透明で色付きである請求項7記載の表面実装型回路保護装 置。 12.基体の上面に一対の電極と一対の端子パッドとを同時に形成することを 含む薄膜状表面実装型回路保護装置の製造方法。 13.更に、基体の側面と底面の上に前記電極と電気的に導通する端子パッド を形成することを含み、前記パッドは前記表面実装型保護装置を接続するための ものである請求項12記載の方法。 14.前記電極と前記端子パッドとが蒸着によって成層される請求項12記載 の方法。 15.前記電極が電気化学的に形成される請求項12記載の方法。 16.基体の上面に間隙によって互いに分離された一対の電極を有し、該間隙 内に電圧可変ポリマー材料の層が形成されている薄膜状表面実装型回路保護装置 を保護する方法であって、前記電極、電圧可変ポリマー材料、間隙の上に保護層 を設けることを含む方法。
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