JPH11354664A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH11354664A
JPH11354664A JP15508498A JP15508498A JPH11354664A JP H11354664 A JPH11354664 A JP H11354664A JP 15508498 A JP15508498 A JP 15508498A JP 15508498 A JP15508498 A JP 15508498A JP H11354664 A JPH11354664 A JP H11354664A
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JP
Japan
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interposer
chip
semiconductor device
reinforcing member
back surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP15508498A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Kurita
英之 栗田
Hiroyuki Hishinuma
啓之 菱沼
Masahiro Fukuda
正博 福田
Akira Tsutsumi
章 堤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Sony Chemicals Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an interposer from being warped at the projecting part thereof at low cost without requiring resin sealing through injection molding even when the interposer projects from the circumferential fringe of an IC chip and solder bumps are provided on the rear surface at the projecting part. SOLUTION: An IC chip 2 having surface area smaller than that of an interposer 1 is mounted on the surface of the interposer 1 and a plurality of metal bumps 3 for mounting a mother board are formed on the rear surface of the interposer 1. A reinforcing member 4 for preventing deformation of the interposer 1 is provided on the surface thereof projecting from the circumferential fringe of the IC chip 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップがチッ
プサイズでパッケージングされた半導体装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor device in which an IC chip is packaged in a chip size.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の実装面積を縮小するため
に、ICチップをそのほぼ同じ大きさでパッケージング
した様々のタイプのチップサイズパッケージ(CSP)
が広く用いられるようになっている。
2. Description of the Related Art In order to reduce the mounting area of a semiconductor device, various types of chip size packages (CSP) in which IC chips are packaged in substantially the same size.
Has become widely used.

【0003】CSPには様々なタイプのものがあるが
(NIKKEI MICRODEVICES,50(1
998)参照)、ICチップを搭載する基板としてポリ
イミドフィルム等の柔軟な有機基板(インターポーザ
ー)を使用したものが、薄型化、軽量化の点から汎用さ
れている。
There are various types of CSPs (NIKKEI MICRODEVICES, 50 (1)
998)), and a substrate using a flexible organic substrate (interposer) such as a polyimide film as a substrate on which an IC chip is mounted is widely used in terms of reduction in thickness and weight.

【0004】このようなCSPは、例えば図5に示すよ
うに、裏面にハンダバンプ51が設けられたICチップ
52が、裏面にハンダバンプ53が設けられたインター
ポーザー54の表面に搭載された構造を有する。そし
て、ICチップ52とインターポーザー54とは、それ
らの間にアンダーフィル(封止樹脂)55を流し込み、
硬化させることにより接着されている。
Such a CSP has a structure in which, for example, as shown in FIG. 5, an IC chip 52 provided with solder bumps 51 on the back surface is mounted on the surface of an interposer 54 provided with solder bumps 53 on the back surface. . Then, the underfill (sealing resin) 55 is poured between the IC chip 52 and the interposer 54,
Bonded by curing.

【0005】また、このようなCSPにおいては、ハン
ダバンプ53は、ICチップ52の外縁の外側にはみ出
さないようにインターポーザー54の裏面に設けられて
いる。
In such a CSP, the solder bumps 53 are provided on the back surface of the interposer 54 so as not to protrude outside the outer edge of the IC chip 52.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年のCS
Pの高密度化に伴い、インターポーザーの裏面のハンダ
バンプの数が増大している。そのため隣接するハンダバ
ンプの間に所定の間隔を維持するために、インターポー
ザーをICチップの周縁からはみ出させ、そのはみ出し
た部分の裏面にハンダバンプを設ける場合がある。
However, in recent years, CS
As the density of P increases, the number of solder bumps on the back surface of the interposer increases. Therefore, in order to maintain a predetermined interval between adjacent solder bumps, the interposer may protrude from the periphery of the IC chip, and a solder bump may be provided on the back surface of the protruding portion.

【0007】しかしながら、ポリイミドフィルム等の柔
軟な有機基板からなるインターポーザー54は、図6に
示すように、アンダーフィル55の硬化時の収縮によ
り、インターポーザー54のICチップ52の周縁から
はみ出た部分54aが反り返り、外側のバンプ53aが
所定の位置からずれるという問題がある。このため、C
SPのマザーボードへのリフロー法等による実装が事実
上できなくなる。
However, the interposer 54 made of a flexible organic substrate such as a polyimide film, as shown in FIG. 6, has a portion protruding from the periphery of the IC chip 52 of the interposer 54 due to shrinkage during curing of the underfill 55. There is a problem that the outer bump 53a is displaced from a predetermined position. Therefore, C
It becomes virtually impossible to mount the SP on the motherboard by the reflow method or the like.

【0008】また、このようなインターポーザーの反り
返りを防止するために、ICチップ全体をインターポー
ザー共々、インジェクションモールド法により樹脂封止
することも考えられるが、非常に高価な金型が必要にな
り、製造コストを低減させることの障害となる。
Further, in order to prevent such warpage of the interposer, it is conceivable to seal the entire IC chip together with the interposer with a resin by an injection molding method, but an extremely expensive mold is required. This is an obstacle to reducing the manufacturing cost.

【0009】本発明は、以上のような従来の技術の課題
を解決しようとするものであり、インターポーザーをI
Cチップの周縁からはみ出させ、そのはみ出した部分の
裏面にハンダバンプを設けた場合であっても、インダー
ポーザーのはみ出し部の反り返りを、インジェクション
モールド法により樹脂封止することなく、低コストで防
止することを目的とする。
An object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above.
Even if a solder bump is provided on the back surface of the protruding portion by protruding from the peripheral edge of the C chip, warpage of the protruding portion of the inner poser is prevented at low cost without resin sealing by the injection molding method. The purpose is to:

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、ICチッ
プの周縁からはみ出したインターポーザーの表面に、イ
ンターポーザーの変形を防止するための補強部材を設け
ることにより、上述の目的を達成できることを見出し、
本発明を完成させるに至った。
The present inventors can achieve the above object by providing a reinforcing member for preventing deformation of the interposer on the surface of the interposer protruding from the periphery of the IC chip. Heading,
The present invention has been completed.

【0011】即ち、本発明は、インターポーザーの表面
に、それよりも表面積の小さいICチップが搭載され、
該インターポーザーの裏面にマザーボード実装用の複数
の金属バンプが形成されている半導体装置において、I
Cチップの周縁からはみ出したインターポーザーの表面
に、インターポーザーの変形を防止するための補強部材
が設けられていることを特徴とする半導体装置を提供す
る。
That is, according to the present invention, an IC chip having a smaller surface area is mounted on the surface of an interposer,
In a semiconductor device in which a plurality of metal bumps for mounting a motherboard are formed on the back surface of the interposer,
A semiconductor device is provided, wherein a reinforcing member for preventing deformation of the interposer is provided on a surface of the interposer protruding from a peripheral edge of the C chip.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の実施
態様を、図面を参照しながら詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the semiconductor device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0013】本発明の半導体装置は、図1(同図(a)
平面図;同図(b)x−x断面図;同図(c)斜視図)
に示すように、インターポーザー1の表面に、それより
も表面積の小さいICチップ2が搭載され、インターポ
ーザー1の裏面にマザーボード(図示せず)実装用の複
数の金属バンプ3が形成されている構造を有する。ここ
で、ICチップ2の周縁全周に亘ってはみ出したインタ
ーポーザー1aの表面に、インターポーザー1の変形を
防止するための補強部材4を設ける。このため、インタ
ーポーザー1とICチップ2とを、それらの間に充填し
たアンダーフィル5を硬化させて接着した場合でも、イ
ンターポーザー1aの反り返り等の変形を防止すること
ができる。従って、本発明の半導体装置は、図1のよう
に、ICチップ2の周縁からはみ出たインターポーザー
1aの裏面にハンダボール等の金属バンプ3aを設けた
場合であっても、マザーボードに精度よく実装すること
ができる。
The semiconductor device of the present invention is shown in FIG.
(Plan view; FIG. (B) Cross-sectional view at xx; FIG. (C) Perspective view)
As shown in FIG. 1, an IC chip 2 having a smaller surface area is mounted on the surface of the interposer 1, and a plurality of metal bumps 3 for mounting a motherboard (not shown) are formed on the back surface of the interposer 1. Having a structure. Here, a reinforcing member 4 for preventing deformation of the interposer 1 is provided on the surface of the interposer 1a protruding over the entire periphery of the IC chip 2. For this reason, even when the interposer 1 and the IC chip 2 are bonded by curing the underfill 5 filled therebetween, deformation such as warpage of the interposer 1a can be prevented. Therefore, the semiconductor device of the present invention can be accurately mounted on the motherboard even when the metal bumps 3a such as solder balls are provided on the back surface of the interposer 1a protruding from the periphery of the IC chip 2 as shown in FIG. can do.

【0014】なお、補強部材4は、高価な金型を必要と
するインジェクションモールド法を利用することなく、
ポリイミドフィルム等の加工性の良好な有機樹脂フィル
ムを適宜加工し、インターポーザー1に貼り付けること
により形成できるので、低コストでパッケージングが可
能となる。
The reinforcing member 4 can be formed without using an injection molding method requiring an expensive mold.
Since it can be formed by appropriately processing an organic resin film having good processability such as a polyimide film and attaching the film to the interposer 1, packaging can be performed at low cost.

【0015】図1の半導体装置は、ICチップ2の周縁
全周に亘ってインターポーザー1がはみ出し、そのはみ
出したインターポーザー1aの表面に環状の枠として補
強部材4が設けられた例であるが、図2に示すように、
ICチップ2の一辺だけにインターポーザー1がはみ出
している場合には、そのはみ出したインターポーザー1
aの表面上に例えばライン状の補強部材4を設けること
ができる。
The semiconductor device shown in FIG. 1 is an example in which the interposer 1 protrudes over the entire periphery of the IC chip 2 and the reinforcing member 4 is provided as an annular frame on the surface of the protruded interposer 1a. , As shown in FIG.
If the interposer 1 protrudes only on one side of the IC chip 2, the protruding interposer 1
For example, a linear reinforcing member 4 can be provided on the surface of a.

【0016】なお、図3に示すように、インターポーザ
ー1の変形を防止できることを前提に、ICチップ2を
囲む環状の枠である補強部材4の一部が不連続となって
いてもよい。不連続部4aの存在は、例えば半導体装置
の上下左右方向の確認に役立つ。
As shown in FIG. 3, on the premise that deformation of the interposer 1 can be prevented, a part of the reinforcing member 4 which is an annular frame surrounding the IC chip 2 may be discontinuous. The presence of the discontinuous portion 4a is useful for confirming, for example, the vertical and horizontal directions of the semiconductor device.

【0017】また、ICチップ2とインターポーザー1
との電気的接合は、図1の場合、ICチップ2の裏面に
設けたハンダパンプなどの金属バンプ2aとインターポ
ーザー1の表面ランド1bとのバンプ接合により行って
いるが、ICチップ表面の端子とインターポーザーのラ
ンドとの間のワイヤボンディング接合(図示せず)によ
り、あるいはICチップの裏面に設けたランドとインタ
ーポーザーの表面ランドとの間の異方性導電接着フィル
ムによる異方性接着接合により行うことができる。特
に、ICチップとインターポーザーとの間のアライメン
ト精度が比較的厳密ではない異方性導電接着フィルムに
よる接合が好ましい。
The IC chip 2 and the interposer 1
In the case of FIG. 1, the electrical connection is made by bump bonding between a metal bump 2a such as a solder pump provided on the back surface of the IC chip 2 and the surface land 1b of the interposer 1. By wire bonding bonding (not shown) between the lands of the interposer or by anisotropic bonding between the lands provided on the back surface of the IC chip and the front lands of the interposer by an anisotropic conductive bonding film. It can be carried out. In particular, it is preferable to use an anisotropic conductive adhesive film in which the alignment accuracy between the IC chip and the interposer is not relatively strict.

【0018】また、インターポーザーの表面ランドと裏
面の金属バンプとの導通も、スルーホール等の公知の手
法により接続可能である。
Further, the conduction between the front surface land of the interposer and the metal bump on the rear surface can be connected by a known method such as a through hole.

【0019】本発明の半導体装置においては、ICチッ
プの周縁からはみ出したインターポーザーの表面に、イ
ンターポーザーの変形を防止するための補強部材を設け
ること以外の他の発明の構成、例えば各構成要素の材
質、形状、大きさ等については、公知の半導体装置の対
応する構成要素と同様の構成を採用することができる。
In the semiconductor device of the present invention, other than the provision of a reinforcing member for preventing deformation of the interposer on the surface of the interposer protruding from the peripheral edge of the IC chip, for example, each constituent element As for the material, shape, size, etc. of the semiconductor device, the same configuration as the corresponding component of the known semiconductor device can be adopted.

【0020】本発明の半導体装置は、例えば図4に示す
ように製造することができる。
The semiconductor device of the present invention can be manufactured, for example, as shown in FIG.

【0021】先ず、回路41aが形成されたインターポ
ーザー(例えばポリイミド基板)41(図4(a))
に、ICチップが搭載される部分に相当する開口部42
が設けられた厚さ50〜75μm程度のポリイミドフィ
ルム等からなる補強部材シート43(図4(b))を、
接着剤(例えば、SAFW40(東洋紡社製))44を
介してラミネート(ラミネート条件例 = 120℃,
0.5m/min)する(図4(c))。
First, an interposer (eg, a polyimide substrate) 41 on which a circuit 41a is formed (FIG. 4A)
An opening 42 corresponding to a portion where an IC chip is mounted.
A reinforcing member sheet 43 (FIG. 4B) made of a polyimide film or the like having a thickness of about 50 to 75 μm provided with
Laminating via an adhesive (for example, SAFW40 (manufactured by Toyobo)) 44 (example of laminating conditions = 120 ° C.,
0.5 m / min) (FIG. 4C).

【0022】次に、接着剤のキュアリング(プレキュア
条件例 = 80℃,2時間: アフターキュア条件例
= 150℃、1時間)を行う。
Next, curing of the adhesive (example of pre-curing conditions = 80 ° C., 2 hours: example of after-curing conditions)
= 150 ° C, 1 hour).

【0023】次に、異方性導電フィルム等を介してIC
チップ45を補強部材シート43の開口部42内のイン
ターポーザー41上に搭載する(図4(d))。
Next, an IC is provided via an anisotropic conductive film or the like.
The chip 45 is mounted on the interposer 41 in the opening 42 of the reinforcing member sheet 43 (FIG. 4D).

【0024】次に、ICチップ45の周縁からはみ出し
たインターポーザー41の裏面に、ハンダボール等の金
属バンプ46を常法に従って形成する(図4(e))。
Next, metal bumps 46 such as solder balls are formed on the back surface of the interposer 41 protruding from the periphery of the IC chip 45 in accordance with a conventional method (FIG. 4E).

【0025】最後に、個々の半導体装置に常法に従って
ダイシングして切り分ける。これにより、補強部材47
がICチップ45の周囲に環状に設けられた半導体装置
が製造できる(図4(f))。
Finally, the individual semiconductor devices are diced and separated according to a conventional method. Thereby, the reinforcing member 47
Can be manufactured in a ring shape around the IC chip 45 (FIG. 4F).

【0026】以上説明した本発明の半導体装置は、イン
ターポーザーをICチップの周縁からはみ出させ、その
はみ出した部分の裏面にハンダバンプを設けた場合であ
っても、インダーポーザーのはみ出し部の反り返りを、
インジェクションモールド法により樹脂封止することな
く、低コストで防止することができる。
In the semiconductor device of the present invention described above, even if the interposer protrudes from the periphery of the IC chip and a solder bump is provided on the back surface of the protruding portion, the warpage of the protruding portion of the inner poser is reduced.
This can be prevented at low cost without resin sealing by the injection molding method.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明によれば、インターポーザーをI
Cチップの周縁からはみ出させ、そのはみ出した部分の
裏面にハンダバンプを設けた半導体装置であっても、イ
ンダーポーザーのはみ出し部の反り返りを、インジェク
ションモールド法により樹脂封止することなく、低コス
トで防止することができる。
According to the invention, the interposer is
Even in a semiconductor device that protrudes from the periphery of the C chip and has a solder bump on the back surface of the protruding portion, the warpage of the protruding portion of the inner poser can be prevented at low cost without resin sealing by the injection molding method. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体装置の上面図(同図(a))、
x−x断面図(同図(b))及び斜視図(同図(c))
である。
FIG. 1 is a top view (FIG. 1A) of a semiconductor device of the present invention;
xx sectional view (FIG. 2 (b)) and perspective view (FIG. 2 (c))
It is.

【図2】本発明の半導体装置の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a semiconductor device of the present invention.

【図3】本発明の半導体装置の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a semiconductor device of the present invention.

【図4】本発明の半導体装置の製造工程図である。FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the semiconductor device of the present invention.

【図5】従来のチップサイズパッケージの断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional chip size package.

【図6】従来のチップサイズパッケージの問題点の説明
図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a problem of a conventional chip size package.

【符号の説明】 1 インターポーザー、2 ICチップ、3 金属バン
プ、4 補強部材、5アンダーフィル
[Description of Signs] 1 interposer, 2 IC chip, 3 metal bump, 4 reinforcing member, 5 underfill

フロントページの続き (72)発明者 堤 章 栃木県鹿沼市さつき町12−3 ソニーケミ カル株式会社内Continued on the front page (72) Inventor Akira Tsutsumi 12-3 Satsukicho, Kanuma City, Tochigi Prefecture Sony Chemical Corporation

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 インターポーザーの表面に、それよりも
表面積の小さいICチップが搭載され、該インターポー
ザーの裏面にマザーボード実装用の複数の金属バンプが
形成されている半導体装置において、ICチップの周縁
からはみ出したインターポーザーの表面に、インターポ
ーザーの変形を防止するための補強部材が設けられてい
ることを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device in which an IC chip having a smaller surface area is mounted on a surface of an interposer and a plurality of metal bumps for mounting a motherboard are formed on a back surface of the interposer. A semiconductor device, wherein a reinforcing member for preventing deformation of an interposer is provided on a surface of the interposer protruding from the semiconductor device.
【請求項2】 インターポーザーとICチップとが、ア
ンダーフィルにより接着されている請求項1記載の半導
体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the interposer and the IC chip are bonded by underfill.
【請求項3】 ICチップの周縁からはみ出したインタ
ーポーザーの裏面に、複数の金属バンプの少なくとも一
部の金属バンプが配設されている請求項1又は2記載の
半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein at least a part of the plurality of metal bumps is disposed on a back surface of the interposer protruding from a peripheral edge of the IC chip.
【請求項4】 ICチップの周縁全周に亘ってインター
ポーザーがはみ出している請求項1〜3のいずれかに記
載の半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the interposer protrudes over the entire periphery of the IC chip.
【請求項5】 補強部材が、ICチップを囲む環状の枠
である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the reinforcing member is an annular frame surrounding the IC chip.
【請求項6】 ICチップを囲む環状の枠である補強部
材の一部が不連続となっている請求項5記載の半導体装
置。
6. The semiconductor device according to claim 5, wherein a part of the reinforcing member, which is an annular frame surrounding the IC chip, is discontinuous.
【請求項7】 金属バンプがハンダボールである請求項
1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
7. The semiconductor device according to claim 1, wherein the metal bump is a solder ball.
【請求項8】 補強部材がポリイミドフィルムから形成
されたものである請求項1〜7のいずれかに記載の半導
体装置。
8. The semiconductor device according to claim 1, wherein the reinforcing member is formed from a polyimide film.
JP15508498A 1998-06-03 1998-06-03 Semiconductor device Pending JPH11354664A (en)

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Cited By (3)

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