JPH11351828A - リード検査方法及びリード検査装置 - Google Patents
リード検査方法及びリード検査装置Info
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- JPH11351828A JPH11351828A JP16913098A JP16913098A JPH11351828A JP H11351828 A JPH11351828 A JP H11351828A JP 16913098 A JP16913098 A JP 16913098A JP 16913098 A JP16913098 A JP 16913098A JP H11351828 A JPH11351828 A JP H11351828A
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 57
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 25
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置におけるリードの浮き沈み検査の
信頼性が向上するリード検査方法及びリード検査装置を
提供する。 【解決手段】 出荷時に半導体装置１が収容される搬送
用容器５２を、事前に透光性を有する合成樹脂により形
成しておく。搬送用容器５２の下方に２台のＣＣＤカメ
ラ１４，１５を設置し、搬送用容器５２の底部５２ａを
介して互いに異なる撮像方向イ，ロから半導体装置１を
撮影する。２台のＣＣＤカメラ１４，１５が撮像した２
種類の画像に基づき、画像処理装置によって、各リード
３先端の垂直方向の座標位置を幾何学的に計算し、リー
ド３の浮き沈み量を測定する。出荷状態での検査を行う
ことができる。
信頼性が向上するリード検査方法及びリード検査装置を
提供する。 【解決手段】 出荷時に半導体装置１が収容される搬送
用容器５２を、事前に透光性を有する合成樹脂により形
成しておく。搬送用容器５２の下方に２台のＣＣＤカメ
ラ１４，１５を設置し、搬送用容器５２の底部５２ａを
介して互いに異なる撮像方向イ，ロから半導体装置１を
撮影する。２台のＣＣＤカメラ１４，１５が撮像した２
種類の画像に基づき、画像処理装置によって、各リード
３先端の垂直方向の座標位置を幾何学的に計算し、リー
ド３の浮き沈み量を測定する。出荷状態での検査を行う
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ等の半導体装
置におけるリードの浮き沈みを検査するリード検査方法
及びリード検査装置に関する。
置におけるリードの浮き沈みを検査するリード検査方法
及びリード検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パッケージ側面にリードが延出す
るＩＣ等の半導体装置は、その製造後に、所定の搬送用
容器に収容された状態で出荷されている。かかる搬送用
容器には、例えば図５に示したように、硬質の合成樹脂
により上面が開口した函体状に形成されたトレイ型容器
５１がある。かかるトレイ型容器５１は、図示した半導
体装置１のようにパッケージ２の全側面に多数のリード
３が延出するものに用いられている。
るＩＣ等の半導体装置は、その製造後に、所定の搬送用
容器に収容された状態で出荷されている。かかる搬送用
容器には、例えば図５に示したように、硬質の合成樹脂
により上面が開口した函体状に形成されたトレイ型容器
５１がある。かかるトレイ型容器５１は、図示した半導
体装置１のようにパッケージ２の全側面に多数のリード
３が延出するものに用いられている。
【０００３】また、図６に示したものはエンボステープ
型容器５２である。エンボステープ型容器５２は、合成
樹脂製のテープ材にその長さ方向に一定間隔で収容凹部
５３がエンボス形成されたものであって、図示した半導
体装置１のようにパッケージ２の二側面（又は一側面）
に少数のリード３が延出するものに用いられている。な
お、エンボステープ型容器５２は、全体として適度の可
撓性を有しており、各収容凹部５３に半導体装置１を収
容した後、一連の収容凹部５３の開口部をテープで封止
した後リール等に巻取ることが可能となっている。
型容器５２である。エンボステープ型容器５２は、合成
樹脂製のテープ材にその長さ方向に一定間隔で収容凹部
５３がエンボス形成されたものであって、図示した半導
体装置１のようにパッケージ２の二側面（又は一側面）
に少数のリード３が延出するものに用いられている。な
お、エンボステープ型容器５２は、全体として適度の可
撓性を有しており、各収容凹部５３に半導体装置１を収
容した後、一連の収容凹部５３の開口部をテープで封止
した後リール等に巻取ることが可能となっている。
【０００４】一方、前述したような半導体装置１にあっ
ては、その出荷前にリード３の浮き沈み検査が行われて
いる。かかる浮き沈み（コプラナリティともいう）は、
半導体装置１を基板等に実装するときハンダ付け不良の
原因となるため、その検査が重要であるとともに高い検
査精度が求められている。
ては、その出荷前にリード３の浮き沈み検査が行われて
いる。かかる浮き沈み（コプラナリティともいう）は、
半導体装置１を基板等に実装するときハンダ付け不良の
原因となるため、その検査が重要であるとともに高い検
査精度が求められている。
【０００５】また、リード３の浮き沈み検査には、一般
に画像処理技術が用いられているが、半導体装置１の平
面画像データのみに基づく検査では高い検査精度を得る
ことが難しい。このためリード３の浮き沈み検査は、以
下のようにして行われている。すなわち、図７に示すよ
うに、半導体装置１を所定の検査ステージ５５上に載置
し、半導体装置１のリード３の延出部分を水平方向から
カメラ５６で撮像する。そして、撮像した画像（図８参
照）から各リード３の先端下部の位置Ｙを計測し、浮き
沈みを検査する。
に画像処理技術が用いられているが、半導体装置１の平
面画像データのみに基づく検査では高い検査精度を得る
ことが難しい。このためリード３の浮き沈み検査は、以
下のようにして行われている。すなわち、図７に示すよ
うに、半導体装置１を所定の検査ステージ５５上に載置
し、半導体装置１のリード３の延出部分を水平方向から
カメラ５６で撮像する。そして、撮像した画像（図８参
照）から各リード３の先端下部の位置Ｙを計測し、浮き
沈みを検査する。
【０００６】また、図９に示すように、半導体装置１を
スリガラス５７上に載置し、上方に設けた複数の照明
Ａ，Ｂを順次切換点灯することにより、異なる方向の観
察光Ｌａ，Ｌｂによりリード３の延出部分を順次照明す
る（図１０参照）。このときスリガラス５７に写ったリ
ード３の先端部３ａの影をスリガラス５７の下方より個
別に撮像し、双方の影の位置Ｋａ，Ｋｂの移動量から浮
き沈み量を演算する。
スリガラス５７上に載置し、上方に設けた複数の照明
Ａ，Ｂを順次切換点灯することにより、異なる方向の観
察光Ｌａ，Ｌｂによりリード３の延出部分を順次照明す
る（図１０参照）。このときスリガラス５７に写ったリ
ード３の先端部３ａの影をスリガラス５７の下方より個
別に撮像し、双方の影の位置Ｋａ，Ｋｂの移動量から浮
き沈み量を演算する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の検査方法にあっては、半導体装置１を所定の検査
ステージ５６やスリガラス５７上に載置することにより
行われていたことから、検査後には、半導体装置１を前
述したような搬送用容器に収容する工程が存在してい
る。つまり、出荷状態での最終検査とはなっていなかっ
た。
従来の検査方法にあっては、半導体装置１を所定の検査
ステージ５６やスリガラス５７上に載置することにより
行われていたことから、検査後には、半導体装置１を前
述したような搬送用容器に収容する工程が存在してい
る。つまり、出荷状態での最終検査とはなっていなかっ
た。
【０００８】こうしたことから、例えば検査後の半導体
装置１を検査ステージ５６等から搬送用容器に収容する
とき、例えば半導体装置１のハンドリング時にリード３
が曲がったとしても、そうした製品がそのまま出荷され
てしまう場合もあり、検査の信頼性を低下させる要因と
なっていた。
装置１を検査ステージ５６等から搬送用容器に収容する
とき、例えば半導体装置１のハンドリング時にリード３
が曲がったとしても、そうした製品がそのまま出荷され
てしまう場合もあり、検査の信頼性を低下させる要因と
なっていた。
【０００９】本発明は、かかる従来の課題に鑑みてなさ
れたものであり、半導体装置におけるリードの浮き沈み
検査の信頼性が向上するリード検査方法及びリード検査
装置を提供することを目的とする。
れたものであり、半導体装置におけるリードの浮き沈み
検査の信頼性が向上するリード検査方法及びリード検査
装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に請求項１の発明にあっては、半導体装置におけるリー
ドの浮き沈みを検査するリード検査方法において、出荷
時に前記半導体装置が収容される搬送用容器の所定部位
に、予め前記リードが認識可能な透光性を確保してお
き、前記半導体装置を前記搬送用容器に収容する第１の
工程と、第１の撮像方向から前記所定部位を介して撮像
された前記リードの第１の画像と、前記第１の撮像方向
とは異なる第２の撮像方向から撮像された前記リードの
第２の画像とを取得する第２の工程と、前記第１の画像
及び前記第２の画像に基づき前記リードの浮き沈み量を
取得する第３の工程とを備えている。
に請求項１の発明にあっては、半導体装置におけるリー
ドの浮き沈みを検査するリード検査方法において、出荷
時に前記半導体装置が収容される搬送用容器の所定部位
に、予め前記リードが認識可能な透光性を確保してお
き、前記半導体装置を前記搬送用容器に収容する第１の
工程と、第１の撮像方向から前記所定部位を介して撮像
された前記リードの第１の画像と、前記第１の撮像方向
とは異なる第２の撮像方向から撮像された前記リードの
第２の画像とを取得する第２の工程と、前記第１の画像
及び前記第２の画像に基づき前記リードの浮き沈み量を
取得する第３の工程とを備えている。
【００１１】かかる方法においては、半導体装置を出荷
時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの浮き沈み
量を取得するようにしたことから、出荷状態での検査と
なる。しかも、リードの浮き沈み量を互いに異なる撮像
方向から撮像された複数の画像に基づき取得することか
ら、高い検査精度が得られる。また、第１の撮像方向と
第２の撮像方向を大きく変える、つまり第１の画像と第
２の画像との撮像角度の違いを大きくすることができ、
極めて高い検査精度が得られる。
時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの浮き沈み
量を取得するようにしたことから、出荷状態での検査と
なる。しかも、リードの浮き沈み量を互いに異なる撮像
方向から撮像された複数の画像に基づき取得することか
ら、高い検査精度が得られる。また、第１の撮像方向と
第２の撮像方向を大きく変える、つまり第１の画像と第
２の画像との撮像角度の違いを大きくすることができ、
極めて高い検査精度が得られる。
【００１２】また、請求項２の発明にあっては、前記第
２の画像を前記半導体装置の表面側垂直上方から撮像し
た画像とした。かかる方法においては、前記第２の画像
に基づきリードの浮き沈み量を取得するのと同時にリー
ドの長さ、パッケージ表面のの傷やボイド検査、パッケ
ージ表面の文字品質検査等の他の検査の情報をも取得す
ることが可能となる。
２の画像を前記半導体装置の表面側垂直上方から撮像し
た画像とした。かかる方法においては、前記第２の画像
に基づきリードの浮き沈み量を取得するのと同時にリー
ドの長さ、パッケージ表面のの傷やボイド検査、パッケ
ージ表面の文字品質検査等の他の検査の情報をも取得す
ることが可能となる。
【００１３】また、請求項３の発明にあっては、前記所
定部位が前記搬送用容器の底部に設けられている。かか
る方法においては、半導体装置が搬送容器の内部に収容
された状態においては、一般にリードが搬送用容器の底
部に当接することから、第１の画像におけるリードの輪
郭をより鮮明なものとすることができる。
定部位が前記搬送用容器の底部に設けられている。かか
る方法においては、半導体装置が搬送容器の内部に収容
された状態においては、一般にリードが搬送用容器の底
部に当接することから、第１の画像におけるリードの輪
郭をより鮮明なものとすることができる。
【００１４】また、請求項４の発明にあっては、半導体
装置におけるリードの浮き沈みを検査するリード検査装
置において、前記半導体装置が収容されるとともに前記
リードが認識可能な透光性が所定部位に確保された搬送
用容器を支持する支持手段と、この支持手段に支持され
た前記搬送用容器に収容されている半導体装置における
リードの第１の画像を、第１の撮像方向から前記所定部
位を介して撮像する第１の撮像手段と、前記支持手段に
支持された前記搬送用容器に収容されている半導体装置
におけるリードの第２の画像を、前記第１の撮像方向と
は異なる第２の撮像方向から撮像する第２の撮像手段
と、前記リードの前記第１の画像及び前記第２の画像に
基づき前記リードの浮き沈み量を取得する画像処理手段
とを備えたものとした。
装置におけるリードの浮き沈みを検査するリード検査装
置において、前記半導体装置が収容されるとともに前記
リードが認識可能な透光性が所定部位に確保された搬送
用容器を支持する支持手段と、この支持手段に支持され
た前記搬送用容器に収容されている半導体装置における
リードの第１の画像を、第１の撮像方向から前記所定部
位を介して撮像する第１の撮像手段と、前記支持手段に
支持された前記搬送用容器に収容されている半導体装置
におけるリードの第２の画像を、前記第１の撮像方向と
は異なる第２の撮像方向から撮像する第２の撮像手段
と、前記リードの前記第１の画像及び前記第２の画像に
基づき前記リードの浮き沈み量を取得する画像処理手段
とを備えたものとした。
【００１５】かかる構成においては、半導体装置を出荷
時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの浮き沈み
量を取得することができる。
時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの浮き沈み
量を取得することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
にしたがって説明する。図１及び図２は、図６に示した
エンボステープ型容器５２に収容された状態で出荷され
る半導体装置１の検査ラインを示す模式図である。
にしたがって説明する。図１及び図２は、図６に示した
エンボステープ型容器５２に収容された状態で出荷され
る半導体装置１の検査ラインを示す模式図である。
【００１７】この検査ラインでは、一連の収容凹部５３
のそれぞれに半導体装置１が事前に収容された状態のエ
ンボステープ型容器５２が搬送レール１１に支持されて
いる（図２参照）。エンボステープ型容器５２の一方の
側部には、図６に示すように送り穴５４が一定間隔で設
けられており、図示しない送り装置が前記送り穴５４を
用いてエンボステープ型容器５２を所定の搬送方向（図
１の矢示Ａ方向）に随時送るようになっている。
のそれぞれに半導体装置１が事前に収容された状態のエ
ンボステープ型容器５２が搬送レール１１に支持されて
いる（図２参照）。エンボステープ型容器５２の一方の
側部には、図６に示すように送り穴５４が一定間隔で設
けられており、図示しない送り装置が前記送り穴５４を
用いてエンボステープ型容器５２を所定の搬送方向（図
１の矢示Ａ方向）に随時送るようになっている。
【００１８】エンボステープ型容器５２は、透光性を有
する合成樹脂によって収容凹部５３を形成する部分の厚
みが薄くなるよう形成したものであって、収容凹部５３
に収容された半導体装置１がエンボステープ型容器５２
を介して外部から十分に認識可能となっている。
する合成樹脂によって収容凹部５３を形成する部分の厚
みが薄くなるよう形成したものであって、収容凹部５３
に収容された半導体装置１がエンボステープ型容器５２
を介して外部から十分に認識可能となっている。
【００１９】また、前記搬送レール１１の途中に検査地
点が設定されており、検査地点に該当する部分は、エン
ボステープ型容器５２を支持するとともに収容凹部５３
の下方側に位置して観察窓１２が開口する支持部材１３
によって構成されている。観察窓１２の下方には第１の
ＣＣＤカメラ１４と第２のＣＣＤカメラ１５が配設され
ている。第１のＣＣＤカメラ１４は搬送レール１１の下
流側に位置する第１の撮像方向イから、また第２のＣＣ
Ｄカメラ１５は搬送レール１１の上流側に位置する第２
の撮像方向ロから、それぞれエンボステープ型容器５２
の底部５２ａを介して半導体装置１を撮影するものであ
る。
点が設定されており、検査地点に該当する部分は、エン
ボステープ型容器５２を支持するとともに収容凹部５３
の下方側に位置して観察窓１２が開口する支持部材１３
によって構成されている。観察窓１２の下方には第１の
ＣＣＤカメラ１４と第２のＣＣＤカメラ１５が配設され
ている。第１のＣＣＤカメラ１４は搬送レール１１の下
流側に位置する第１の撮像方向イから、また第２のＣＣ
Ｄカメラ１５は搬送レール１１の上流側に位置する第２
の撮像方向ロから、それぞれエンボステープ型容器５２
の底部５２ａを介して半導体装置１を撮影するものであ
る。
【００２０】また、第１及び第２のＣＣＤカメラ１４，
１５は本発明の撮像手段であって、画像処理装置１６に
接続されている。画像処理装置１６は、従来技術で既説
したリード３の浮き沈み検査に用いられているものと同
等の機能を備えたものであって、ＣＰＵや画像処理プロ
セッサ等を有しており、第１及び第２のＣＣＤカメラ１
４，１５によって得られた画像データに基づき、予め記
憶されたプログラムに従い各種の画像処理及びデータ演
算を行う。主として前記支持部材１３と、第１及び第２
のＣＣＤカメラ１４，１５、画像処理装置１６、及び半
導体装置１の前述した撮影に必要とする光を提供する図
示しない照明装置によって本発明のリード検査装置が構
成される。なお、前記照明装置は、前記搬送レール１１
の上下方向の双方またはいずれか一方に設けておけばよ
い。
１５は本発明の撮像手段であって、画像処理装置１６に
接続されている。画像処理装置１６は、従来技術で既説
したリード３の浮き沈み検査に用いられているものと同
等の機能を備えたものであって、ＣＰＵや画像処理プロ
セッサ等を有しており、第１及び第２のＣＣＤカメラ１
４，１５によって得られた画像データに基づき、予め記
憶されたプログラムに従い各種の画像処理及びデータ演
算を行う。主として前記支持部材１３と、第１及び第２
のＣＣＤカメラ１４，１５、画像処理装置１６、及び半
導体装置１の前述した撮影に必要とする光を提供する図
示しない照明装置によって本発明のリード検査装置が構
成される。なお、前記照明装置は、前記搬送レール１１
の上下方向の双方またはいずれか一方に設けておけばよ
い。
【００２１】また、前記搬送レール１１の側方部には、
前記画像処理装置１６が出力する排除信号に応じて、検
査地点に位置した半導体装置１をエンボステープ型容器
５２から取り出すとともに、別途用意されている他の半
導体装置１を代わりに収容する移載動作を行うハンドリ
ング装置１７を配設する。
前記画像処理装置１６が出力する排除信号に応じて、検
査地点に位置した半導体装置１をエンボステープ型容器
５２から取り出すとともに、別途用意されている他の半
導体装置１を代わりに収容する移載動作を行うハンドリ
ング装置１７を配設する。
【００２２】そして、前述した検査ラインでは、図１に
示したように各収容凹部５３に半導体装置１が収納され
たエンボステープ型容器５２を間欠的に移動させる一
方、搬送レール１１の検査地点に位置した半導体装置１
の画像を、エンボステープ型容器５２の底部５２ａを介
して第１及び第２のＣＣＤカメラ１４，１５によって撮
像する。すなわち、第１のＣＣＤカメラ１４によって第
１の画像を撮像し、第２のＣＣＤカメラ１５によって第
２の画像を撮像する。図３（ａ）に、任意のリード３ａ
に浮き沈みがあった場合における第１の画像２１を、図
３（ｂ）に、その場合における第２の画像２２の例を示
す。
示したように各収容凹部５３に半導体装置１が収納され
たエンボステープ型容器５２を間欠的に移動させる一
方、搬送レール１１の検査地点に位置した半導体装置１
の画像を、エンボステープ型容器５２の底部５２ａを介
して第１及び第２のＣＣＤカメラ１４，１５によって撮
像する。すなわち、第１のＣＣＤカメラ１４によって第
１の画像を撮像し、第２のＣＣＤカメラ１５によって第
２の画像を撮像する。図３（ａ）に、任意のリード３ａ
に浮き沈みがあった場合における第１の画像２１を、図
３（ｂ）に、その場合における第２の画像２２の例を示
す。
【００２３】引き続き、画像処理装置１６により第１の
画像２１と第２の画像２２とに基づき各リード３の浮き
沈み量を演算させる。かかる演算は、双方の画像２１，
２２の各々について、各々の画像上での各リード３の先
端座標位置を求め、その値と、第１及び第２のＣＣＤカ
メラ１４，１５の位置、及び撮像方向（撮像角度）か
ら、各リード３先端の３次元空間座標上での位置（Ｘ
値、Ｙ値、Ｚ値）を三角測量の原理により演算すること
により行う。
画像２１と第２の画像２２とに基づき各リード３の浮き
沈み量を演算させる。かかる演算は、双方の画像２１，
２２の各々について、各々の画像上での各リード３の先
端座標位置を求め、その値と、第１及び第２のＣＣＤカ
メラ１４，１５の位置、及び撮像方向（撮像角度）か
ら、各リード３先端の３次元空間座標上での位置（Ｘ
値、Ｙ値、Ｚ値）を三角測量の原理により演算すること
により行う。
【００２４】次に、いずれかのリード３の先端の浮き沈
み量が所定の基準を満たさない場合には、画像処理装置
１６から排除信号を出力させ、前記ハンドリング装置１
７によって、収容凹部５３内の半導体装置１を取り出し
他の半導体装置１と交換させる。引き続き、交換した半
導体装置１に対して再度各リード３の浮き沈み量を測定
し、浮き沈み量が所定の基準を満たしていれば、画像処
理装置１６から図示しない送り装置に送り信号を出力さ
せる。これによりエンボステープ型容器５２を移動させ
て、次の半導体装置１を検査地点に移動させ、以後、上
記と同様の処理を繰返し行わせる。
み量が所定の基準を満たさない場合には、画像処理装置
１６から排除信号を出力させ、前記ハンドリング装置１
７によって、収容凹部５３内の半導体装置１を取り出し
他の半導体装置１と交換させる。引き続き、交換した半
導体装置１に対して再度各リード３の浮き沈み量を測定
し、浮き沈み量が所定の基準を満たしていれば、画像処
理装置１６から図示しない送り装置に送り信号を出力さ
せる。これによりエンボステープ型容器５２を移動させ
て、次の半導体装置１を検査地点に移動させ、以後、上
記と同様の処理を繰返し行わせる。
【００２５】そして、検査地点の下流側においては、一
連の収容凹部５３の開口部をテープで封止しながらリー
ル等に順次巻取らせる。
連の収容凹部５３の開口部をテープで封止しながらリー
ル等に順次巻取らせる。
【００２６】したがって、実施の形態によれば、半導体
装置１におけるリード３浮き沈み検査を出荷状態で行う
こととなることから、従来のように、検査後にリード３
が曲がるなどの不具合が発生することが防止でき、検査
の信頼性が向上する。しかも、リード３の浮き沈み量
を、互いに異なる撮像方向から撮像された第１の画像
（２１）と第２の画像（２２）とに基づき測定すること
により、高い検査精度が得られる。さらには、第１の画
像（２１）と第２の画像（２２）とをエンボステープ型
容器５２の底部５２ａを介して撮像するため、エンボス
テープ型容器５２の縦壁部５２ｂに視線を遮られること
なく、例えば双方の画像を半導体装置１の表面側上方か
ら撮像する場合と比べて、第１及び第２のＣＣＤカメラ
１４，１５の配置位置の自由度が広い。このため、第１
の画像（２１）と第２の画像（２２）との撮像角度の違
いを大きく設定することができ、極めて高い検査精度が
得られる。
装置１におけるリード３浮き沈み検査を出荷状態で行う
こととなることから、従来のように、検査後にリード３
が曲がるなどの不具合が発生することが防止でき、検査
の信頼性が向上する。しかも、リード３の浮き沈み量
を、互いに異なる撮像方向から撮像された第１の画像
（２１）と第２の画像（２２）とに基づき測定すること
により、高い検査精度が得られる。さらには、第１の画
像（２１）と第２の画像（２２）とをエンボステープ型
容器５２の底部５２ａを介して撮像するため、エンボス
テープ型容器５２の縦壁部５２ｂに視線を遮られること
なく、例えば双方の画像を半導体装置１の表面側上方か
ら撮像する場合と比べて、第１及び第２のＣＣＤカメラ
１４，１５の配置位置の自由度が広い。このため、第１
の画像（２１）と第２の画像（２２）との撮像角度の違
いを大きく設定することができ、極めて高い検査精度が
得られる。
【００２７】なお、本実施の形態においては、半導体装
置１が、リード３がエンボステープ型容器５２の幅方向
に位置するように収容されている場合を示したが、それ
と異なる向きで半導体装置１がエンボステープ型容器５
２に収容されている場合であっても、支障なく検査がで
きる。
置１が、リード３がエンボステープ型容器５２の幅方向
に位置するように収容されている場合を示したが、それ
と異なる向きで半導体装置１がエンボステープ型容器５
２に収容されている場合であっても、支障なく検査がで
きる。
【００２８】一方、図４は本発明の他の実施の形態を示
す図である。すなわち本実施の形態においては、前述し
た第２のＣＣＤカメラ１５を検査地点の上方に配置し、
第２のＣＣＤカメラ１５により撮像される第２の撮像画
像を半導体装置１の表面側垂直上方から撮像した画像と
したものである。
す図である。すなわち本実施の形態においては、前述し
た第２のＣＣＤカメラ１５を検査地点の上方に配置し、
第２のＣＣＤカメラ１５により撮像される第２の撮像画
像を半導体装置１の表面側垂直上方から撮像した画像と
したものである。
【００２９】かかる構成においても、前述した実施の形
態と同様の理由により、リード３の浮き沈み検査の信頼
性が向上する。また、第２のＣＣＤカメラ１５の撮像方
向ハが第１のＣＣＤカメラ１４の撮像方向イと異なり、
しかも第１の画像をテープ型容器５２の底部５２ａを介
して撮像するため、第１の撮像画像と第２の撮像画像と
の撮像角度の違いを大きく設定することができ、極めて
高い検査精度が得られる。また、これに加えて、リード
の浮き沈み検査時には第２の撮像画像から、リード３の
長さや、パッケージ２上面の文字品質や、傷・ボイドの
有無等の他の検査情報をも取得することができる。よっ
て、リード３の浮き沈み検査だけでなく、半導体装置１
における他の外観検査を一括して行うことができ、半導
体装置１の検査能率が向上する。
態と同様の理由により、リード３の浮き沈み検査の信頼
性が向上する。また、第２のＣＣＤカメラ１５の撮像方
向ハが第１のＣＣＤカメラ１４の撮像方向イと異なり、
しかも第１の画像をテープ型容器５２の底部５２ａを介
して撮像するため、第１の撮像画像と第２の撮像画像と
の撮像角度の違いを大きく設定することができ、極めて
高い検査精度が得られる。また、これに加えて、リード
の浮き沈み検査時には第２の撮像画像から、リード３の
長さや、パッケージ２上面の文字品質や、傷・ボイドの
有無等の他の検査情報をも取得することができる。よっ
て、リード３の浮き沈み検査だけでなく、半導体装置１
における他の外観検査を一括して行うことができ、半導
体装置１の検査能率が向上する。
【００３０】また、本実施の形態においては、エンボス
テープ型容器５２の底部５２ａに透光性が確保されると
ともに、底部５２ａを介して第１の画像を撮像するよう
にしている。ここで、一般にリード３はエンボステープ
型容器５２の底部５２ａ当接することから、第１の画像
におけるリード３の輪郭がより鮮明であり、従って、リ
ードの浮き沈み検査の精度が、より一層向上する。
テープ型容器５２の底部５２ａに透光性が確保されると
ともに、底部５２ａを介して第１の画像を撮像するよう
にしている。ここで、一般にリード３はエンボステープ
型容器５２の底部５２ａ当接することから、第１の画像
におけるリード３の輪郭がより鮮明であり、従って、リ
ードの浮き沈み検査の精度が、より一層向上する。
【００３１】また、本実施の形態においては、出荷時に
半導体装置１が収容される搬送用容器としてエンボステ
ープ型容器５２を使用する場合について説明したが、例
えば図５に示したトレイ型容器５１を透光性を有する合
成樹脂によって形成しておき、それを使用するようにし
てもよい。なお、いずれの搬送用容器を用いる場合で
も、前述した画像処理に使用する画像が得られる程度に
リード３の認識が可能であれば、搬送用容器は無色透明
である必要は全くない。
半導体装置１が収容される搬送用容器としてエンボステ
ープ型容器５２を使用する場合について説明したが、例
えば図５に示したトレイ型容器５１を透光性を有する合
成樹脂によって形成しておき、それを使用するようにし
てもよい。なお、いずれの搬送用容器を用いる場合で
も、前述した画像処理に使用する画像が得られる程度に
リード３の認識が可能であれば、搬送用容器は無色透明
である必要は全くない。
【００３２】また、エンボステープ型容器５２の底部５
２ａを介して第１の画像を撮像するようにしたが、例え
ばリード３がエンボステープ型容器５２の幅方向に位置
するように半導体装置１が収容されている場合には、エ
ンボステープ型容器５２の縦壁部５２ｂを介して第１の
画像を撮像し、それを用いてリード３の浮き沈み量を測
定することも可能である。
２ａを介して第１の画像を撮像するようにしたが、例え
ばリード３がエンボステープ型容器５２の幅方向に位置
するように半導体装置１が収容されている場合には、エ
ンボステープ型容器５２の縦壁部５２ｂを介して第１の
画像を撮像し、それを用いてリード３の浮き沈み量を測
定することも可能である。
【００３３】また、第１の画像と第２の画像とを２台の
ＣＣＤカメラ１４，１５によって個別に撮像する場合を
示したが、ミラーやプリズム等の光学部材を用いること
により、１台のＣＣＤカメラで第１の画像と第２の画像
とを撮像するようにしてもよい。すなわち本発明におけ
る第１及び第２の撮像手段を１台の１台のＣＣＤカメラ
で実現させてもよい。無論、そうした場合等において
は、リード３の浮き沈み量の測定に用いる第１の画像と
第２の画像との双方またはいずれか一方をリード３部分
のみの画像としても構わない。
ＣＣＤカメラ１４，１５によって個別に撮像する場合を
示したが、ミラーやプリズム等の光学部材を用いること
により、１台のＣＣＤカメラで第１の画像と第２の画像
とを撮像するようにしてもよい。すなわち本発明におけ
る第１及び第２の撮像手段を１台の１台のＣＣＤカメラ
で実現させてもよい。無論、そうした場合等において
は、リード３の浮き沈み量の測定に用いる第１の画像と
第２の画像との双方またはいずれか一方をリード３部分
のみの画像としても構わない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように請求項１の方法によ
れば、半導体装置を出荷時の搬送容器の内部に収容した
状態でリードの浮き沈み量を取得し、基準を満たさなも
のを搬送容器から排除するようにし、出荷状態での検査
となるようにした。このため検査後にリードが曲がるな
どの不具合が発生することが防止できる。しかも、リー
ドの浮き沈み量を互いに異なる撮像方向から撮像された
複数の画像に基づき取得することによって極めて高い検
査精度が得られるようにした。
れば、半導体装置を出荷時の搬送容器の内部に収容した
状態でリードの浮き沈み量を取得し、基準を満たさなも
のを搬送容器から排除するようにし、出荷状態での検査
となるようにした。このため検査後にリードが曲がるな
どの不具合が発生することが防止できる。しかも、リー
ドの浮き沈み量を互いに異なる撮像方向から撮像された
複数の画像に基づき取得することによって極めて高い検
査精度が得られるようにした。
【００３５】よって、極めて高い検査精度を確保しつつ
半導体装置におけるリードの浮き沈み検査の信頼性を向
上させることができる。
半導体装置におけるリードの浮き沈み検査の信頼性を向
上させることができる。
【００３６】また、請求項２の方法によれば、リードの
浮き沈み検査時に、リードの長さ、パッケージ表面のの
傷やボイド検査、パッケージ表面の文字品質検査等の他
の検査の情報をも取得ことが可能となるようにした。よ
って、半導体装置の外観検査を一括して行うことがで
き、半導体装置の検査能率が向上する。
浮き沈み検査時に、リードの長さ、パッケージ表面のの
傷やボイド検査、パッケージ表面の文字品質検査等の他
の検査の情報をも取得ことが可能となるようにした。よ
って、半導体装置の外観検査を一括して行うことがで
き、半導体装置の検査能率が向上する。
【００３７】また、請求項３の方法によれば、リードの
浮き沈み量の取得に使用する第１の画像におけるリード
の輪郭をより鮮明なものとすることができるようにし
た。よって、リードの浮き沈み検査の精度を、より一層
向上させることができる。
浮き沈み量の取得に使用する第１の画像におけるリード
の輪郭をより鮮明なものとすることができるようにし
た。よって、リードの浮き沈み検査の精度を、より一層
向上させることができる。
【００３８】また、請求項４の装置によれば、半導体装
置を出荷時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの
浮き沈み量を取得することができ、出荷状態でのリード
の浮き沈み検査を行うことが可能となる。
置を出荷時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの
浮き沈み量を取得することができ、出荷状態でのリード
の浮き沈み検査を行うことが可能となる。
【００３９】
【図１】本発明の一実施の形態を示す、半導体装置の搬
送方向とカメラの配置を示す模式図である。
送方向とカメラの配置を示す模式図である。
【図２】同実施の形態を示す半導体装置の搬送方向から
見たカメラの配置を示す模式図である。
見たカメラの配置を示す模式図である。
【図３】本実施の形態で撮像される第１の画像と第２の
画像の一例を示す図である。
画像の一例を示す図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す、図１に対応す
る模式図である。
る模式図である。
【図５】半導体装置が収容されたトレイ型容器を示す平
面図である。
面図である。
【図６】半導体装置が収容されたエンボステープ型容器
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図７】従来技術を示す説明図である。
【図８】同検査方法において撮像される画像を示す図で
ある。
ある。
【図９】他の従来技術を示す説明図である。
【図１０】図９のＣ部拡大図である。
１ 半導体装置 ２ パッケージ ３ リード １３ 支持部材 １４ 第１のＣＣＤカメラ １５ 第２のＣＣＤカメラ １６ 画像処理装置 ２１ 第１の画像 ２２ 第２の画像 ５１ トレイ型容器 ５２ エンボステープ型容器 ５２ａ 底部
【手続補正書】
【提出日】平成１０年７月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ等の半導体装
置におけるリードの浮き沈みを検査するリード検査方法
及びリード検査装置に関する。
置におけるリードの浮き沈みを検査するリード検査方法
及びリード検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パッケージ側面にリードが延出す
るＩＣ等の半導体装置は、その製造後に、所定の搬送用
容器に収容された状態で出荷されている。かかる搬送用
容器には、例えば図５に示したように、硬質の合成樹脂
により上面が開口した函体状に形成されたトレイ型容器
５１がある。かかるトレイ型容器５１は、図示した半導
体装置１のようにパッケージ２の全側面に多数のリード
３が延出するものに用いられている。
るＩＣ等の半導体装置は、その製造後に、所定の搬送用
容器に収容された状態で出荷されている。かかる搬送用
容器には、例えば図５に示したように、硬質の合成樹脂
により上面が開口した函体状に形成されたトレイ型容器
５１がある。かかるトレイ型容器５１は、図示した半導
体装置１のようにパッケージ２の全側面に多数のリード
３が延出するものに用いられている。
【０００３】また、図６に示したものはエンボステープ
型容器５２である。エンボステープ型容器５２は、合成
樹脂製のテープ材にその長さ方向に一定間隔で収容凹部
５３がエンボス形成されたものであって、図示した半導
体装置１のようにパッケージ２の二側面（又は一側面）
に少数のリード３が延出するものに用いられている。な
お、エンボステープ型容器５２は、全体として適度の可
撓性を有しており、各収容凹部５３に半導体装置１を収
容した後、一連の収容凹部５３の開口部をテープで封止
した後リール等に巻取ることが可能となっている。
型容器５２である。エンボステープ型容器５２は、合成
樹脂製のテープ材にその長さ方向に一定間隔で収容凹部
５３がエンボス形成されたものであって、図示した半導
体装置１のようにパッケージ２の二側面（又は一側面）
に少数のリード３が延出するものに用いられている。な
お、エンボステープ型容器５２は、全体として適度の可
撓性を有しており、各収容凹部５３に半導体装置１を収
容した後、一連の収容凹部５３の開口部をテープで封止
した後リール等に巻取ることが可能となっている。
【０００４】一方、前述したような半導体装置１にあっ
ては、その出荷前にリード３の浮き沈み検査が行われて
いる。かかる浮き沈み（コプラナリティともいう）は、
半導体装置１を基板等に実装するときハンダ付け不良の
原因となるため、その検査が重要であるとともに高い検
査精度が求められている。
ては、その出荷前にリード３の浮き沈み検査が行われて
いる。かかる浮き沈み（コプラナリティともいう）は、
半導体装置１を基板等に実装するときハンダ付け不良の
原因となるため、その検査が重要であるとともに高い検
査精度が求められている。
【０００５】また、リード３の浮き沈み検査には、一般
に画像処理技術が用いられているが、半導体装置１の平
面画像データのみに基づく検査では高い検査精度を得る
ことが難しい。このためリード３の浮き沈み検査は、以
下のようにして行われている。すなわち、図７に示すよ
うに、半導体装置１を所定の検査ステージ５５上に載置
し、半導体装置１のリード３の延出部分を水平方向から
カメラ５６で撮像する。そして、撮像した画像（図８参
照）から各リード３の先端下部の位置Ｙを計測し、浮き
沈みを検査する。
に画像処理技術が用いられているが、半導体装置１の平
面画像データのみに基づく検査では高い検査精度を得る
ことが難しい。このためリード３の浮き沈み検査は、以
下のようにして行われている。すなわち、図７に示すよ
うに、半導体装置１を所定の検査ステージ５５上に載置
し、半導体装置１のリード３の延出部分を水平方向から
カメラ５６で撮像する。そして、撮像した画像（図８参
照）から各リード３の先端下部の位置Ｙを計測し、浮き
沈みを検査する。
【０００６】また、図９に示すように、半導体装置１を
スリガラス５７上に載置し、上方に設けた複数の照明
Ａ，Ｂを順次切換点灯することにより、異なる方向の観
察光Ｌａ，Ｌｂによりリード３の延出部分を順次照明す
る（図１０参照）。このときスリガラス５７に写ったリ
ード３の先端部３ａの影をスリガラス５７の下方より個
別に撮像し、双方の影の位置Ｋａ，Ｋｂの移動量から浮
き沈み量を演算する。
スリガラス５７上に載置し、上方に設けた複数の照明
Ａ，Ｂを順次切換点灯することにより、異なる方向の観
察光Ｌａ，Ｌｂによりリード３の延出部分を順次照明す
る（図１０参照）。このときスリガラス５７に写ったリ
ード３の先端部３ａの影をスリガラス５７の下方より個
別に撮像し、双方の影の位置Ｋａ，Ｋｂの移動量から浮
き沈み量を演算する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の検査方法にあっては、半導体装置１を所定の検査
ステージ５５やスリガラス５７上に載置することにより
行われていたことから、検査後には、半導体装置１を前
述したような搬送用容器に収容する工程が存在してい
る。つまり、出荷状態での最終検査とはなっていなかっ
た。
従来の検査方法にあっては、半導体装置１を所定の検査
ステージ５５やスリガラス５７上に載置することにより
行われていたことから、検査後には、半導体装置１を前
述したような搬送用容器に収容する工程が存在してい
る。つまり、出荷状態での最終検査とはなっていなかっ
た。
【０００８】こうしたことから、例えば検査後の半導体
装置１を検査ステージ５５等から搬送用容器に収容する
とき、例えば半導体装置１のハンドリング時にリード３
が曲がったとしても、そうした製品がそのまま出荷され
てしまう場合もあり、検査の信頼性を低下させる要因と
なっていた。
装置１を検査ステージ５５等から搬送用容器に収容する
とき、例えば半導体装置１のハンドリング時にリード３
が曲がったとしても、そうした製品がそのまま出荷され
てしまう場合もあり、検査の信頼性を低下させる要因と
なっていた。
【０００９】本発明は、かかる従来の課題に鑑みてなさ
れたものであり、半導体装置におけるリードの浮き沈み
検査の信頼性が向上するリード検査方法及びリード検査
装置を提供することを目的とする。
れたものであり、半導体装置におけるリードの浮き沈み
検査の信頼性が向上するリード検査方法及びリード検査
装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に請求項１の発明にあっては、半導体装置におけるリー
ドの浮き沈みを検査するリード検査方法において、出荷
時に前記半導体装置が収容される搬送用容器の所定部位
に、予め前記リードが認識可能な透光性を確保してお
き、前記半導体装置を前記搬送用容器に収容する第１の
工程と、第１の撮像方向から前記所定部位を介して撮像
された前記リードの第１の画像と、前記第１の撮像方向
とは異なる第２の撮像方向から撮像された前記リードの
第２の画像とを取得する第２の工程と、前記第１の画像
及び前記第２の画像に基づき前記リードの浮き沈み量を
取得する第３の工程とを備えている。
に請求項１の発明にあっては、半導体装置におけるリー
ドの浮き沈みを検査するリード検査方法において、出荷
時に前記半導体装置が収容される搬送用容器の所定部位
に、予め前記リードが認識可能な透光性を確保してお
き、前記半導体装置を前記搬送用容器に収容する第１の
工程と、第１の撮像方向から前記所定部位を介して撮像
された前記リードの第１の画像と、前記第１の撮像方向
とは異なる第２の撮像方向から撮像された前記リードの
第２の画像とを取得する第２の工程と、前記第１の画像
及び前記第２の画像に基づき前記リードの浮き沈み量を
取得する第３の工程とを備えている。
【００１１】かかる方法においては、半導体装置を出荷
時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの浮き沈み
量を取得するようにしたことから、出荷状態での検査と
なる。しかも、リードの浮き沈み量を互いに異なる撮像
方向から撮像された複数の画像に基づき取得することか
ら、高い検査精度が得られる。また、第１の撮像方向と
第２の撮像方向を大きく変える、つまり第１の画像と第
２の画像との撮像角度の違いを大きくすることができ、
極めて高い検査精度が得られる。
時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの浮き沈み
量を取得するようにしたことから、出荷状態での検査と
なる。しかも、リードの浮き沈み量を互いに異なる撮像
方向から撮像された複数の画像に基づき取得することか
ら、高い検査精度が得られる。また、第１の撮像方向と
第２の撮像方向を大きく変える、つまり第１の画像と第
２の画像との撮像角度の違いを大きくすることができ、
極めて高い検査精度が得られる。
【００１２】また、請求項２の発明にあっては、前記第
２の画像を前記半導体装置の表面側垂直上方から撮像し
た画像とした。かかる方法においては、前記第２の画像
に基づきリードの浮き沈み量を取得するのと同時にリー
ドの長さ、パッケージ表面の傷やボイド検査、パッケー
ジ表面の文字品質検査等の他の検査の情報をも取得する
ことが可能となる。
２の画像を前記半導体装置の表面側垂直上方から撮像し
た画像とした。かかる方法においては、前記第２の画像
に基づきリードの浮き沈み量を取得するのと同時にリー
ドの長さ、パッケージ表面の傷やボイド検査、パッケー
ジ表面の文字品質検査等の他の検査の情報をも取得する
ことが可能となる。
【００１３】また、請求項３の発明にあっては、前記所
定部位が前記搬送用容器の底部に設けられている。かか
る方法においては、半導体装置が搬送容器の内部に収容
された状態においては、一般にリードが搬送用容器の底
部に当接することから、第１の画像におけるリードの輪
郭をより鮮明なものとすることができる。
定部位が前記搬送用容器の底部に設けられている。かか
る方法においては、半導体装置が搬送容器の内部に収容
された状態においては、一般にリードが搬送用容器の底
部に当接することから、第１の画像におけるリードの輪
郭をより鮮明なものとすることができる。
【００１４】また、請求項４の発明にあっては、半導体
装置におけるリードの浮き沈みを検査するリード検査装
置において、前記半導体装置が収容されるとともに前記
リードが認識可能な透光性が所定部位に確保された搬送
用容器を支持する支持手段と、この支持手段に支持され
た前記搬送用容器に収容されている半導体装置における
リードの第１の画像を、第１の撮像方向から前記所定部
位を介して撮像する第１の撮像手段と、前記支持手段に
支持された前記搬送用容器に収容されている半導体装置
におけるリードの第２の画像を、前記第１の撮像方向と
は異なる第２の撮像方向から撮像する第２の撮像手段
と、前記リードの前記第１の画像及び前記第２の画像に
基づき前記リードの浮き沈み量を取得する画像処理手段
とを備えたものとした。
装置におけるリードの浮き沈みを検査するリード検査装
置において、前記半導体装置が収容されるとともに前記
リードが認識可能な透光性が所定部位に確保された搬送
用容器を支持する支持手段と、この支持手段に支持され
た前記搬送用容器に収容されている半導体装置における
リードの第１の画像を、第１の撮像方向から前記所定部
位を介して撮像する第１の撮像手段と、前記支持手段に
支持された前記搬送用容器に収容されている半導体装置
におけるリードの第２の画像を、前記第１の撮像方向と
は異なる第２の撮像方向から撮像する第２の撮像手段
と、前記リードの前記第１の画像及び前記第２の画像に
基づき前記リードの浮き沈み量を取得する画像処理手段
とを備えたものとした。
【００１５】かかる構成においては、半導体装置を出荷
時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの浮き沈み
量を取得することができる。
時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの浮き沈み
量を取得することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
にしたがって説明する。図１及び図２は、図６に示した
エンボステープ型容器５２に収容された状態で出荷され
る半導体装置１の検査ラインを示す模式図である。
にしたがって説明する。図１及び図２は、図６に示した
エンボステープ型容器５２に収容された状態で出荷され
る半導体装置１の検査ラインを示す模式図である。
【００１７】この検査ラインでは、一連の収容凹部５３
のそれぞれに半導体装置１が事前に収容された状態のエ
ンボステープ型容器５２が搬送レール１１に支持されて
いる（図２参照）。エンボステープ型容器５２の一方の
側部には、図６に示すように送り穴５４が一定間隔で設
けられており、図示しない送り装置が前記送り穴５４を
用いてエンボステープ型容器５２を所定の搬送方向（図
１の矢示Ａ方向）に随時送るようになっている。
のそれぞれに半導体装置１が事前に収容された状態のエ
ンボステープ型容器５２が搬送レール１１に支持されて
いる（図２参照）。エンボステープ型容器５２の一方の
側部には、図６に示すように送り穴５４が一定間隔で設
けられており、図示しない送り装置が前記送り穴５４を
用いてエンボステープ型容器５２を所定の搬送方向（図
１の矢示Ａ方向）に随時送るようになっている。
【００１８】エンボステープ型容器５２は、透光性を有
する合成樹脂によって収容凹部５３を形成する部分の厚
みが薄くなるよう形成したものであって、収容凹部５３
に収容された半導体装置１がエンボステープ型容器５２
を介して外部から十分に認識可能となっている。
する合成樹脂によって収容凹部５３を形成する部分の厚
みが薄くなるよう形成したものであって、収容凹部５３
に収容された半導体装置１がエンボステープ型容器５２
を介して外部から十分に認識可能となっている。
【００１９】また、前記搬送レール１１の途中に検査地
点が設定されており、検査地点に該当する部分は、エン
ボステープ型容器５２を支持するとともに収容凹部５３
の下方側に位置して観察窓１２が開口する支持部材１３
によって構成されている。観察窓１２の下方には第１の
ＣＣＤカメラ１４と第２のＣＣＤカメラ１５が配設され
ている。第１のＣＣＤカメラ１４は搬送レール１１の上
流側に位置する第１の撮像方向イから、また第２のＣＣ
Ｄカメラ１５は搬送レール１１の下流側に位置する第２
の撮像方向ロから、それぞれエンボステープ型容器５２
の底部５２ａを介して半導体装置１を撮影するものであ
る。
点が設定されており、検査地点に該当する部分は、エン
ボステープ型容器５２を支持するとともに収容凹部５３
の下方側に位置して観察窓１２が開口する支持部材１３
によって構成されている。観察窓１２の下方には第１の
ＣＣＤカメラ１４と第２のＣＣＤカメラ１５が配設され
ている。第１のＣＣＤカメラ１４は搬送レール１１の上
流側に位置する第１の撮像方向イから、また第２のＣＣ
Ｄカメラ１５は搬送レール１１の下流側に位置する第２
の撮像方向ロから、それぞれエンボステープ型容器５２
の底部５２ａを介して半導体装置１を撮影するものであ
る。
【００２０】また、第１及び第２のＣＣＤカメラ１４，
１５は本発明の撮像手段であって、画像処理装置１６に
接続されている。画像処理装置１６は、従来技術で既説
したリード３の浮き沈み検査に用いられているものと同
等の機能を備えたものであって、ＣＰＵや画像処理プロ
セッサ等を有しており、第１及び第２のＣＣＤカメラ１
４，１５によって得られた画像データに基づき、予め記
憶されたプログラムに従い各種の画像処理及びデータ演
算を行う。主として前記支持部材１３と、第１及び第２
のＣＣＤカメラ１４，１５、画像処理装置１６、及び半
導体装置１の前述した撮影に必要とする光を提供する図
示しない照明装置によって本発明のリード検査装置が構
成される。なお、前記照明装置は、前記搬送レール１１
の上下方向の双方またはいずれか一方に設けておけばよ
い。
１５は本発明の撮像手段であって、画像処理装置１６に
接続されている。画像処理装置１６は、従来技術で既説
したリード３の浮き沈み検査に用いられているものと同
等の機能を備えたものであって、ＣＰＵや画像処理プロ
セッサ等を有しており、第１及び第２のＣＣＤカメラ１
４，１５によって得られた画像データに基づき、予め記
憶されたプログラムに従い各種の画像処理及びデータ演
算を行う。主として前記支持部材１３と、第１及び第２
のＣＣＤカメラ１４，１５、画像処理装置１６、及び半
導体装置１の前述した撮影に必要とする光を提供する図
示しない照明装置によって本発明のリード検査装置が構
成される。なお、前記照明装置は、前記搬送レール１１
の上下方向の双方またはいずれか一方に設けておけばよ
い。
【００２１】また、前記搬送レール１１の側方部には、
前記画像処理装置１６が出力する排除信号に応じて、検
査地点に位置した半導体装置１をエンボステープ型容器
５２から取り出すとともに、別途用意されている他の半
導体装置１を代わりに収容する移載動作を行うハンドリ
ング装置１７を配設する。
前記画像処理装置１６が出力する排除信号に応じて、検
査地点に位置した半導体装置１をエンボステープ型容器
５２から取り出すとともに、別途用意されている他の半
導体装置１を代わりに収容する移載動作を行うハンドリ
ング装置１７を配設する。
【００２２】そして、前述した検査ラインでは、図１に
示したように各収容凹部５３に半導体装置１が収納され
たエンボステープ型容器５２を間欠的に移動させる一
方、搬送レール１１の検査地点に位置した半導体装置１
の画像を、エンボステープ型容器５２の底部５２ａを介
して第１及び第２のＣＣＤカメラ１４，１５によって撮
像する。すなわち、第１のＣＣＤカメラ１４によって第
１の画像を撮像し、第２のＣＣＤカメラ１５によって第
２の画像を撮像する。図３（ａ）に、任意のリード３ａ
に浮き沈みがあった場合における第１の画像２１を、図
３（ｂ）に、その場合における第２の画像２２の例を示
す。
示したように各収容凹部５３に半導体装置１が収納され
たエンボステープ型容器５２を間欠的に移動させる一
方、搬送レール１１の検査地点に位置した半導体装置１
の画像を、エンボステープ型容器５２の底部５２ａを介
して第１及び第２のＣＣＤカメラ１４，１５によって撮
像する。すなわち、第１のＣＣＤカメラ１４によって第
１の画像を撮像し、第２のＣＣＤカメラ１５によって第
２の画像を撮像する。図３（ａ）に、任意のリード３ａ
に浮き沈みがあった場合における第１の画像２１を、図
３（ｂ）に、その場合における第２の画像２２の例を示
す。
【００２３】引き続き、画像処理装置１６により第１の
画像２１と第２の画像２２とに基づき各リード３の浮き
沈み量を演算させる。かかる演算は、双方の画像２１，
２２の各々について、各々の画像上での各リード３の先
端座標位置を求め、その値と、第１及び第２のＣＣＤカ
メラ１４，１５の位置、及び撮像方向（撮像角度）か
ら、各リード３先端の３次元空間座標上での位置（Ｘ
値、Ｙ値、Ｚ値）を三角測量の原理により演算すること
により行う。
画像２１と第２の画像２２とに基づき各リード３の浮き
沈み量を演算させる。かかる演算は、双方の画像２１，
２２の各々について、各々の画像上での各リード３の先
端座標位置を求め、その値と、第１及び第２のＣＣＤカ
メラ１４，１５の位置、及び撮像方向（撮像角度）か
ら、各リード３先端の３次元空間座標上での位置（Ｘ
値、Ｙ値、Ｚ値）を三角測量の原理により演算すること
により行う。
【００２４】次に、いずれかのリード３の先端の浮き沈
み量が所定の基準を満たさない場合には、画像処理装置
１６から排除信号を出力させ、前記ハンドリング装置１
７によって、収容凹部５３内の半導体装置１を取り出し
他の半導体装置１と交換させる。引き続き、交換した半
導体装置１に対して再度各リード３の浮き沈み量を測定
し、浮き沈み量が所定の基準を満たしていれば、画像処
理装置１６から図示しない送り装置に送り信号を出力さ
せる。これによりエンボステープ型容器５２を移動させ
て、次の半導体装置１を検査地点に移動させ、以後、上
記と同様の処理を繰返し行わせる。
み量が所定の基準を満たさない場合には、画像処理装置
１６から排除信号を出力させ、前記ハンドリング装置１
７によって、収容凹部５３内の半導体装置１を取り出し
他の半導体装置１と交換させる。引き続き、交換した半
導体装置１に対して再度各リード３の浮き沈み量を測定
し、浮き沈み量が所定の基準を満たしていれば、画像処
理装置１６から図示しない送り装置に送り信号を出力さ
せる。これによりエンボステープ型容器５２を移動させ
て、次の半導体装置１を検査地点に移動させ、以後、上
記と同様の処理を繰返し行わせる。
【００２５】そして、検査地点の下流側においては、一
連の収容凹部５３の開口部をテープで封止しながらリー
ル等に順次巻取らせる。
連の収容凹部５３の開口部をテープで封止しながらリー
ル等に順次巻取らせる。
【００２６】したがって、実施の形態によれば、半導体
装置１におけるリード３浮き沈み検査を出荷状態で行う
こととなることから、従来のように、検査後にリード３
が曲がるなどの不具合が発生することが防止でき、検査
の信頼性が向上する。しかも、リード３の浮き沈み量
を、互いに異なる撮像方向から撮像された第１の画像
（２１）と第２の画像（２２）とに基づき測定すること
により、高い検査精度が得られる。さらには、第１の画
像（２１）と第２の画像（２２）とをエンボステープ型
容器５２の底部５２ａを介して撮像するため、エンボス
テープ型容器５２の縦壁部５２ｂに視線を遮られること
なく、例えば双方の画像を半導体装置１の表面側上方か
ら撮像する場合と比べて、第１及び第２のＣＣＤカメラ
１４，１５の配置位置の自由度が広い。このため、第１
の画像（２１）と第２の画像（２２）との撮像角度の違
いを大きく設定することができ、極めて高い検査精度が
得られる。
装置１におけるリード３浮き沈み検査を出荷状態で行う
こととなることから、従来のように、検査後にリード３
が曲がるなどの不具合が発生することが防止でき、検査
の信頼性が向上する。しかも、リード３の浮き沈み量
を、互いに異なる撮像方向から撮像された第１の画像
（２１）と第２の画像（２２）とに基づき測定すること
により、高い検査精度が得られる。さらには、第１の画
像（２１）と第２の画像（２２）とをエンボステープ型
容器５２の底部５２ａを介して撮像するため、エンボス
テープ型容器５２の縦壁部５２ｂに視線を遮られること
なく、例えば双方の画像を半導体装置１の表面側上方か
ら撮像する場合と比べて、第１及び第２のＣＣＤカメラ
１４，１５の配置位置の自由度が広い。このため、第１
の画像（２１）と第２の画像（２２）との撮像角度の違
いを大きく設定することができ、極めて高い検査精度が
得られる。
【００２７】なお、本実施の形態においては、半導体装
置１が、リード３がエンボステープ型容器５２の幅方向
に位置するように収容されている場合を示したが、それ
と異なる向きで半導体装置１がエンボステープ型容器５
２に収容されている場合であっても、支障なく検査がで
きる。
置１が、リード３がエンボステープ型容器５２の幅方向
に位置するように収容されている場合を示したが、それ
と異なる向きで半導体装置１がエンボステープ型容器５
２に収容されている場合であっても、支障なく検査がで
きる。
【００２８】一方、図４は本発明の他の実施の形態を示
す図である。すなわち本実施の形態においては、前述し
た第２のＣＣＤカメラ１５を検査地点の上方に配置し、
第２のＣＣＤカメラ１５により撮像される第２の撮像画
像を半導体装置１の表面側垂直上方から撮像した画像と
したものである。
す図である。すなわち本実施の形態においては、前述し
た第２のＣＣＤカメラ１５を検査地点の上方に配置し、
第２のＣＣＤカメラ１５により撮像される第２の撮像画
像を半導体装置１の表面側垂直上方から撮像した画像と
したものである。
【００２９】かかる構成においても、前述した実施の形
態と同様の理由により、リード３の浮き沈み検査の信頼
性が向上する。また、第２のＣＣＤカメラ１５の撮像方
向ハが第１のＣＣＤカメラ１４の撮像方向イと異なり、
しかも第１の画像をテープ型容器５２の底部５２ａを介
して撮像するため、第１の撮像画像と第２の撮像画像と
の撮像角度の違いを大きく設定することができ、極めて
高い検査精度が得られる。また、これに加えて、リード
の浮き沈み検査時には第２の撮像画像から、リード３の
長さや、パッケージ２上面の文字品質や、傷・ボイドの
有無等の他の検査情報をも取得することができる。よっ
て、リード３の浮き沈み検査だけでなく、半導体装置１
における他の外観検査を一括して行うことができ、半導
体装置１の検査能率が向上する。
態と同様の理由により、リード３の浮き沈み検査の信頼
性が向上する。また、第２のＣＣＤカメラ１５の撮像方
向ハが第１のＣＣＤカメラ１４の撮像方向イと異なり、
しかも第１の画像をテープ型容器５２の底部５２ａを介
して撮像するため、第１の撮像画像と第２の撮像画像と
の撮像角度の違いを大きく設定することができ、極めて
高い検査精度が得られる。また、これに加えて、リード
の浮き沈み検査時には第２の撮像画像から、リード３の
長さや、パッケージ２上面の文字品質や、傷・ボイドの
有無等の他の検査情報をも取得することができる。よっ
て、リード３の浮き沈み検査だけでなく、半導体装置１
における他の外観検査を一括して行うことができ、半導
体装置１の検査能率が向上する。
【００３０】また、本実施の形態においては、エンボス
テープ型容器５２の底部５２ａに透光性が確保されると
ともに、底部５２ａを介して第１の画像を撮像するよう
にしている。ここで、一般にリード３はエンボステープ
型容器５２の底部５２ａ当接することから、第１の画像
におけるリード３の輪郭がより鮮明であり、従って、リ
ードの浮き沈み検査の精度が、より一層向上する。
テープ型容器５２の底部５２ａに透光性が確保されると
ともに、底部５２ａを介して第１の画像を撮像するよう
にしている。ここで、一般にリード３はエンボステープ
型容器５２の底部５２ａ当接することから、第１の画像
におけるリード３の輪郭がより鮮明であり、従って、リ
ードの浮き沈み検査の精度が、より一層向上する。
【００３１】また、本実施の形態においては、出荷時に
半導体装置１が収容される搬送用容器としてエンボステ
ープ型容器５２を使用する場合について説明したが、例
えば図５に示したトレイ型容器５１を透光性を有する合
成樹脂によって形成しておき、それを使用するようにし
てもよい。なお、いずれの搬送用容器を用いる場合で
も、前述した画像処理に使用する画像が得られる程度に
リード３の認識が可能であれば、搬送用容器は無色透明
である必要は全くない。
半導体装置１が収容される搬送用容器としてエンボステ
ープ型容器５２を使用する場合について説明したが、例
えば図５に示したトレイ型容器５１を透光性を有する合
成樹脂によって形成しておき、それを使用するようにし
てもよい。なお、いずれの搬送用容器を用いる場合で
も、前述した画像処理に使用する画像が得られる程度に
リード３の認識が可能であれば、搬送用容器は無色透明
である必要は全くない。
【００３２】また、エンボステープ型容器５２の底部５
２ａを介して第１の画像を撮像するようにしたが、例え
ばリード３がエンボステープ型容器５２の幅方向に位置
するように半導体装置１が収容されている場合には、エ
ンボステープ型容器５２の縦壁部５２ｂを介して第１の
画像を撮像し、それを用いてリード３の浮き沈み量を測
定することも可能である。
２ａを介して第１の画像を撮像するようにしたが、例え
ばリード３がエンボステープ型容器５２の幅方向に位置
するように半導体装置１が収容されている場合には、エ
ンボステープ型容器５２の縦壁部５２ｂを介して第１の
画像を撮像し、それを用いてリード３の浮き沈み量を測
定することも可能である。
【００３３】また、第１の画像と第２の画像とを２台の
ＣＣＤカメラ１４，１５によって個別に撮像する場合を
示したが、ミラーやプリズム等の光学部材を用いること
により、１台のＣＣＤカメラで第１の画像と第２の画像
とを撮像するようにしてもよい。すなわち本発明におけ
る第１及び第２の撮像手段を１台のＣＣＤカメラで実現
させてもよい。無論、そうした場合等においては、リー
ド３の浮き沈み量の測定に用いる第１の画像と第２の画
像との双方またはいずれか一方をリード３部分のみの画
像としても構わない。
ＣＣＤカメラ１４，１５によって個別に撮像する場合を
示したが、ミラーやプリズム等の光学部材を用いること
により、１台のＣＣＤカメラで第１の画像と第２の画像
とを撮像するようにしてもよい。すなわち本発明におけ
る第１及び第２の撮像手段を１台のＣＣＤカメラで実現
させてもよい。無論、そうした場合等においては、リー
ド３の浮き沈み量の測定に用いる第１の画像と第２の画
像との双方またはいずれか一方をリード３部分のみの画
像としても構わない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように請求項１の方法によ
れば、半導体装置を出荷時の搬送容器の内部に収容した
状態でリードの浮き沈み量を取得し、基準を満たさない
ものを搬送容器から排除するようにし、出荷状態での検
査となるようにした。このため検査後にリードが曲がる
などの不具合が発生することが防止できる。しかも、リ
ードの浮き沈み量を互いに異なる撮像方向から撮像され
た複数の画像に基づき取得することによって極めて高い
検査精度が得られるようにした。
れば、半導体装置を出荷時の搬送容器の内部に収容した
状態でリードの浮き沈み量を取得し、基準を満たさない
ものを搬送容器から排除するようにし、出荷状態での検
査となるようにした。このため検査後にリードが曲がる
などの不具合が発生することが防止できる。しかも、リ
ードの浮き沈み量を互いに異なる撮像方向から撮像され
た複数の画像に基づき取得することによって極めて高い
検査精度が得られるようにした。
【００３５】よって、極めて高い検査精度を確保しつつ
半導体装置におけるリードの浮き沈み検査の信頼性を向
上させることができる。
半導体装置におけるリードの浮き沈み検査の信頼性を向
上させることができる。
【００３６】また、請求項２の方法によれば、リードの
浮き沈み検査時に、リードの長さ、パッケージ表面の傷
やボイド検査、パッケージ表面の文字品質検査等の他の
検査の情報をも取得ことが可能となるようにした。よっ
て、半導体装置の外観検査を一括して行うことができ、
半導体装置の検査能率が向上する。
浮き沈み検査時に、リードの長さ、パッケージ表面の傷
やボイド検査、パッケージ表面の文字品質検査等の他の
検査の情報をも取得ことが可能となるようにした。よっ
て、半導体装置の外観検査を一括して行うことができ、
半導体装置の検査能率が向上する。
【００３７】また、請求項３の方法によれば、リードの
浮き沈み量の取得に使用する第１の画像におけるリード
の輪郭をより鮮明なものとすることができるようにし
た。よって、リードの浮き沈み検査の精度を、より一層
向上させることができる。
浮き沈み量の取得に使用する第１の画像におけるリード
の輪郭をより鮮明なものとすることができるようにし
た。よって、リードの浮き沈み検査の精度を、より一層
向上させることができる。
【００３８】また、請求項４の装置によれば、半導体装
置を出荷時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの
浮き沈み量を取得することができ、出荷状態でのリード
の浮き沈み検査を行うことが可能となる。
置を出荷時の搬送容器の内部に収容した状態でリードの
浮き沈み量を取得することができ、出荷状態でのリード
の浮き沈み検査を行うことが可能となる。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置におけるリードの浮き沈みを
検査するリード検査方法において、 出荷時に前記半導体装置が収容される搬送用容器の所定
部位に、予め前記リードが認識可能な透光性を確保して
おき、前記半導体装置を前記搬送用容器に収容する第１
の工程と、 第１の撮像方向から前記所定部位を介して撮像された前
記リードの第１の画像と、前記第１の撮像方向とは異な
る第２の撮像方向から撮像された前記リードの第２の画
像とを取得する第２の工程と、 前記第１の画像及び前記第２の画像に基づき前記リード
の浮き沈み量を取得する第３の工程とを備えたことを特
徴とするリード検査方法。 - 【請求項２】 前記第２の画像を前記半導体装置の表面
側垂直上方から撮像した画像としたことを特徴とする請
求項１記載のリード検査方法。 - 【請求項３】 前記所定部位が前記搬送用容器の底部に
設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の
リード検査方法。 - 【請求項４】 半導体装置におけるリードの浮き沈みを
検査するリード検査装置において、 前記半導体装置が収容されるとともに前記リードが認識
可能な透光性が所定部位に確保された搬送用容器を支持
する支持手段と、 この支持手段に支持された前記搬送用容器に収容されて
いる半導体装置におけるリードの第１の画像を、第１の
撮像方向から前記所定部位を介して撮像する第１の撮像
手段と、 前記支持手段に支持された前記搬送用容器に収容されて
いる半導体装置におけるリードの第２の画像を、前記第
１の撮像方向とは異なる第２の撮像方向から撮像する第
２の撮像手段とを備えたことを特徴とするリード検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16913098A JPH11351828A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | リード検査方法及びリード検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16913098A JPH11351828A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | リード検査方法及びリード検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11351828A true JPH11351828A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15880846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16913098A Pending JPH11351828A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | リード検査方法及びリード検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11351828A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020007985A (ko) * | 2000-07-19 | 2002-01-29 | 후지야마 겐지 | 전자부품의 검사방법 및 전자부품 조립장치 |
| JP6411599B1 (ja) * | 2017-08-24 | 2018-10-24 | Ckd株式会社 | ブリスター包装機 |
| JP2019039925A (ja) * | 2018-09-25 | 2019-03-14 | Ckd株式会社 | 外観検査装置及びブリスター包装機 |
| JP2020128880A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 株式会社東芝 | 半導体検査システム及び半導体検査装置 |
| JP7209919B1 (ja) * | 2022-07-25 | 2023-01-20 | 三菱電機株式会社 | 物品の外観検査方法 |
-
1998
- 1998-06-03 JP JP16913098A patent/JPH11351828A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020007985A (ko) * | 2000-07-19 | 2002-01-29 | 후지야마 겐지 | 전자부품의 검사방법 및 전자부품 조립장치 |
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| WO2019038985A1 (ja) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | Ckd株式会社 | 外観検査装置及びブリスター包装機 |
| JP2019039760A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | Ckd株式会社 | ブリスター包装機 |
| KR20200043978A (ko) * | 2017-08-24 | 2020-04-28 | 시케이디 가부시키가이샤 | 외관 검사 장치 및 블리스터 포장기 |
| EP3674695A4 (en) * | 2017-08-24 | 2021-06-02 | CKD Corporation | APPEARANCE INSPECTION DEVICE AND BLISTER PACKAGING MACHINE |
| US11237115B2 (en) | 2017-08-24 | 2022-02-01 | Ckd Corporation | Appearance inspection device and blister packaging machine |
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| JP7209919B1 (ja) * | 2022-07-25 | 2023-01-20 | 三菱電機株式会社 | 物品の外観検査方法 |
| WO2024023888A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | 三菱電機株式会社 | 物品の外観検査方法 |
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