JPH11333856A - Manufacture of molding tool for resin board - Google Patents

Manufacture of molding tool for resin board

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JPH11333856A
JPH11333856A JP11076839A JP7683999A JPH11333856A JP H11333856 A JPH11333856 A JP H11333856A JP 11076839 A JP11076839 A JP 11076839A JP 7683999 A JP7683999 A JP 7683999A JP H11333856 A JPH11333856 A JP H11333856A
Authority
JP
Japan
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mold
resin
father
substrate
mother
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP11076839A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Seiji Morita
成二 森田
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH11333856A publication Critical patent/JPH11333856A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To mass-produce sons of little skin roughness from one matrix by a method wherein a first molding tool made of metal is prepared, a second molding tool made of resin is formed of the first molding tool and a third molding tool made of metal is formed of the second molding tool. SOLUTION: A matrix II is obtained by exposing and developing a photoresist 2 of a synthetic silica board 1 and by removing the remaining resist. An Ni plating layer 3 is formed on the surface of the matrix II and exfoliated from the matrix II and thereby a father is obtained. Then, a resin liquid is dropped on the father with the indentation up and pressed by a glass disk 5 so that the resin liquid being viscous be expanded evenly on the whole surface of the father. Next, ultraviolet rays are cast through the glass disk 5 to cure the resin liquid and thereby a mother having a two-layer structure of a hard resin layer 4 and the glass disk 5 is obtained. A son 6 is manufactured from this mother being exfoliated, by the same manufacturing method as that for the father. A free son 6 is obtained by exfoliating that son 6 from the mother. A protective coat is provided on the indented surface of the son 6 and then the surface is ground to have a uniform thickness.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、成形型の製造方法
及び樹脂基板の製造方法に関する。成形型は、微細な凹
凸を持つ樹脂基板の成形に使用される。このような樹脂
基板は、光ディスク、磁気ディスク又はハードディスク
その他の用途に使用される。
The present invention relates to a method for manufacturing a molding die and a method for manufacturing a resin substrate. The molding die is used for molding a resin substrate having fine irregularities. Such a resin substrate is used for an optical disk, a magnetic disk, a hard disk, and other uses.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ディスク、ハードディスク等の情報記
録媒体は、大きな容量の情報を記録することができ、か
つ、高速でアクセス、再生、記録及び(場合により消
去)することができる。このため、これらの媒体は、C
D(compact disc) 、LD(laser disc) 、DVD(dig
ital video disc, digital versatile disc)等と呼ば
れ、音楽や映像ソフト、ゲームソフト等を収納する媒体
として使われ、その需要が増大している。コンピュータ
のメモリーとしても、これらの媒体は使用され、その需
要が増大している。光ディスクやハードディスクは、マ
ルチメディア時代のメインメモリ−として大きく発展す
ると期待されている。
2. Description of the Related Art An information recording medium such as an optical disk or a hard disk can record a large amount of information and can access, reproduce, record, and (in some cases, erase) at high speed. Therefore, these media are C
D (compact disc), LD (laser disc), DVD (dig
It is used as a medium for storing music, video software, game software, and the like, and its demand is increasing. These media are also used as computer memories, and their demand is increasing. Optical disks and hard disks are expected to greatly develop as main memories in the multimedia age.

【0003】光ディスクについて言えば、記録層の有無
及びその種類により、(1)再生専用タイプ(CD、L
D、CD−ROM、photo-CD、DVD−ROM、再生
専用型MD等)、(2)一度だけ記録可能なライトワン
スタイプ write-once type(CD─R、DVD−R、D
VD−WO等) 、(3)記録した後、消去することがで
き、何度でも書き替え可能な(rewritable)タイプ(光
磁気ディスク magneto-optical disk 、相変化(phase-
change)型ディスク、MD、CD−E、DVD−RA
M、DVD−RW等) がある。更に、将来使用される媒
体として、高密度のHD−DVDも提唱されている。
In the case of an optical disk, (1) a read-only type (CD, L
D, CD-ROM, photo-CD, DVD-ROM, read-only type MD, etc.) (2) Write-once type (CD @ R, DVD-R, D
VD-WO, etc.), (3) rewritable type that can be erased after recording and can be rewritten many times (magneto-optical disk, phase change
change) type disc, MD, CD-E, DVD-RA
M, DVD-RW, etc.). Furthermore, a high-density HD-DVD has been proposed as a medium to be used in the future.

【0004】これらの光ディスクを製造する工程は、ま
ず、樹脂基板を原料樹脂で成形するところから始まる。
最初にスタンパーと呼ばれる成形型が用意される。この
成形型に原料樹脂(例えば、ポリカーボネート、アクリ
ル樹脂、ポリスチレン等)を加熱流動化した後、押しつ
けることにより、樹脂基板が成形(製造)される。成形
方法は、加圧成形の他、ほとんどは射出成形である。
[0004] The process of manufacturing these optical disks starts with molding a resin substrate with a raw material resin.
First, a mold called a stamper is prepared. A resin substrate is molded (manufactured) by heating and fluidizing a raw material resin (for example, polycarbonate, acrylic resin, polystyrene, or the like) into the molding die and pressing the resin. The molding method is injection molding in addition to pressure molding.

【0005】樹脂基板を製造する理由は、基板表面に細
かな凹凸が必要であるからである。凹凸のある基板を大
量に短時間で製造するには、樹脂成形しかない。凹凸の
種類は、(1)情報単位を表すピットpit や(2)記録
ヘッド(ピックアップ)のトラッキングのためのガイド
溝 guide groove である。ピットや溝は、円形の基板上
に同心円状又は渦巻き状に設けられる。半径方向に見た
とき、溝と溝との間はランドlandと呼ばれる。当初、ラ
ンドをトラックとして、そこに記録するランド記録方式
であった。逆に溝に記録するグルーブ記録方式もある。
The reason why a resin substrate is manufactured is that fine irregularities are required on the substrate surface. The only way to produce a large number of irregular substrates in a short time is through resin molding. The types of unevenness are (1) a pit pit representing an information unit and (2) a guide groove for tracking of a recording head (pickup). The pits and grooves are provided concentrically or spirally on a circular substrate. When viewed in the radial direction, the space between the grooves is called a land. Initially, the land recording method used a land as a track and recorded there. Conversely, there is also a groove recording method for recording in grooves.

【0006】記録密度の向上のため、溝にもランドにも
記録するランド/溝記録方式が開発された。この場合、
両者がトラックであり、溝の幅とランドの幅はほぼ等し
い。但し、理由があって他方を意図的に広くする場合も
ある。光は裏面(平滑な面)から基板に入射させる。基
板側から見て奥にある方をランドと呼び、手前にある方
を溝と呼ぶ。
In order to improve the recording density, a land / groove recording method for recording data on both grooves and lands has been developed. in this case,
Both are tracks, and the width of the groove is almost equal to the width of the land. However, the other may be intentionally widened for a reason. Light is incident on the substrate from the back surface (smooth surface). When viewed from the substrate side, the back side is called a land, and the front side is called a groove.

【0007】溝、ランド及びピットの幅は、密度記録の
向上に伴い、例えば、1μm以下、0.8μm以下、
0.7μm以下、0.6μm以下、0.5μm以下、
0.4μm以下、0.3μm以下と狭くなってきてい
る。溝、ランド及びピットの深さも、高密度記録に伴
い、例えば、40nm以上、50nm以上、80nm以
上、100nm以上、120nm以上、130nm以
上、150nm以上、180nm以上、200nm以
上、220nm以上、250nm以上と深くなって来て
いる。
The widths of the grooves, lands and pits are, for example, 1 μm or less, 0.8 μm or less, as the density recording is improved.
0.7 μm or less, 0.6 μm or less, 0.5 μm or less,
It has become narrower than 0.4 μm and 0.3 μm. The depths of the grooves, lands and pits are also increased with high-density recording, for example, 40 nm or more, 50 nm or more, 80 nm or more, 100 nm or more, 120 nm or more, 130 nm or more, 150 nm or more, 180 nm or more, 200 nm or more, 220 nm or more, 250 nm or more. It is getting deeper.

【0008】幅が狭くなったり、深さが深くなると、つ
まり、高精度になると、樹脂基板の成形はますます難し
くなり、良品の歩留りは低下する。なお、成形された樹
脂基板の上には、最終の製品に応じて、反射層や記録
層、保護層等を形成する。また、ハードディスクは、通
常、アルミニウム基板又はガラス基板に磁気記録層を形
成したものである。記録は磁気ヘッドで実施される。高
密度化に伴い、記録層の表面は極めて平滑である。その
ため、磁気ヘッドが相対的に停止すると、ヘッドと記録
層が密着して離れなくなる現象が発生する。これを避け
るめた、ハードディスクには、磁気ヘッドを相対的に停
止したとき、これを置くガレージ領域(CSS領域=co
ntact stop and start)を設けてある。この領域の表面
は、レーザーテクスチャーlaser texture によりわざわ
ざ凹凸に仕上げてある。凹凸により密着が防止される。
また、高密度化に伴い、ヘッドのトラッキングが困難に
なる。そこで、光ディスクと同じように、ディスクに溝
を設けることが提案されている。このように、凹凸や溝
が要求されることから、ディスクの生産性を上げるた
め、樹脂基板が提案されている。ハードディスクにおい
ても、樹脂基板を用い、基板の成形時に凹凸や溝を形成
するのである。樹脂基板は軽いと言う利点もある。
When the width becomes narrow or the depth becomes deep, that is, when the precision becomes high, the molding of the resin substrate becomes more and more difficult, and the yield of non-defective products decreases. Note that a reflective layer, a recording layer, a protective layer, and the like are formed on the molded resin substrate according to the final product. In addition, the hard disk usually has a magnetic recording layer formed on an aluminum substrate or a glass substrate. Recording is performed with a magnetic head. As the density increases, the surface of the recording layer becomes extremely smooth. Therefore, when the magnetic head stops relatively, a phenomenon occurs in which the head and the recording layer come into close contact and cannot be separated. To avoid this, the hard disk has a garage area (CSS area = co
ntact stop and start). The surface of this region is botherged with a laser texture. The unevenness prevents adhesion.
In addition, with high density, tracking of the head becomes difficult. Therefore, it has been proposed to provide a groove in the disk, as in the case of the optical disk. Since unevenness and grooves are required as described above, a resin substrate has been proposed to increase the productivity of the disk. Even in a hard disk, a resin substrate is used, and irregularities and grooves are formed when the substrate is molded. The resin substrate also has the advantage of being light.

【0009】従来、成形型は一般に以下のようなプロセ
スで製造されている(図3の(B)参照、(A)は本発
明の実施例2である)。古い先行技術としては、米国特
許第4,211,617(対応日本特許=公告S59−
16332)がある。まず、光学的面精度にまで研磨さ
れたガラス基板(1)を用意する。この基板を洗浄した
あと、密着性を改良するプライマー(例えば、シランカ
ップリング剤silane-coupling agent) を塗布する。そ
れからフォトレジストphotoresist をスピンコートし、
プリベ−クpre-bakeする。(図3の(B1) 参照)フォト
レジストはポジ型(光が照射された部分が現像で除去さ
れるタイプ)が多く使用されている。次にレ−ザービ−
ムレコ−ダ laser-beam-recorder又はレーザーカッティ
ング装置 laser cutting machine を使って、ピット
や溝のパタ−ンに従ってフォトレジストを露光する。一
般に、レーザービームの径がピットや溝の幅を決める。
一般に、ピットや溝の深さはフォトレジストの厚さが決
める。
Conventionally, a molding die is generally manufactured by the following process (see FIG. 3B, and FIG. 3A is a second embodiment of the present invention). As an old prior art, US Pat. No. 4,211,617 (corresponding Japanese patent = publication S59-
16332). First, a glass substrate (1) polished to optical surface accuracy is prepared. After washing the substrate, a primer (for example, a silane-coupling agent) for improving adhesion is applied. Then spin coat photoresist photoresist,
Pre-bake. (Refer to (B1) of FIG. 3) As a photoresist, a positive type (a type in which a portion irradiated with light is removed by development) is often used. Next, laser
The photoresist is exposed according to the pattern of the pits and grooves using a laser-beam-recorder or a laser cutting machine. Generally, the diameter of a laser beam determines the width of a pit or groove.
Generally, the depth of the pits and grooves is determined by the thickness of the photoresist.

【0010】次に現像処理するとガラス板表面にピット
やグルーブのパターンを持ったレジストパターンresist
patternが得られる。現像の後、場合により、レジスト
パターンは、80〜120℃で20〜60分のポストベ
ークpost-bake を受ける。ポストベークをした場合に
は、レジストパターンが室温まで冷えるのを待つ。約1
0時間待つ。この様子は図3の(B2) に示される。
[0010] Next, when developed, a resist pattern resist having a pit or groove pattern on the surface of the glass plate.
The pattern is obtained. After development, the resist pattern optionally undergoes a post-bake at 80-120 ° C for 20-60 minutes. If post-baking is performed, wait for the resist pattern to cool to room temperature. About 1
Wait 0 hours. This is shown in FIG. 3 (B2).

【0011】レジストパターンは、原盤(MASTER SUBSTR
ATE or MASTER)と呼ばれる。本明細書ではこの原盤を原
盤Iと言う。原盤Iは、前記米国特許のFig.4のレプリ
カreprica 46に相当する。例えば、CD用のレジスト
パターンを製造する場合を考える。この場合、露光が完
了するのに74分かかる。ポストベークをした場合に
は、結局、原盤Iを完成させるのに、約10時間以上か
かる。
The resist pattern is a master (MASTER SUBSTR)
ATE or MASTER). In this specification, this master is referred to as master I. Master I corresponds to the replica replica 46 of FIG. For example, consider a case where a resist pattern for a CD is manufactured. In this case, it takes 74 minutes to complete the exposure. In the case of post-baking, it takes about 10 hours or more to complete the master I after all.

【0012】加えて、レ−ザービ−ムレコ−ダ又はレー
ザーカッティング装置は1台約2億円と高価である。そ
のため、原盤Iは高価であり、かつ、大量生産が難し
い。次に原盤は導電化処理される。導電化処理は、一般
にスパッタリング(乾式)で、あるいは、場合により、
無電解メッキ(湿式)で行われる。導電化処理された原
盤Iの上にメッキ層が厚く形成される。メッキ層は一般
にニッケル(Ni)である。導電層とNiメッキ層の2
層構造体が目的とする第1成形型である。この様子は図
3の(B3) に示される。この第1成形型はファザー(FAT
HER) と呼ばれる。実際には、ファザーをレジストパタ
ーン(原盤)から剥がすことで、自由なファザーが得ら
れる。この様子は図3の(B4) に示される。ファザー
は、前記米国特許のFig.6のマザーメンバー(mather me
mber )52に相当する。
In addition, a laser beam recorder or a laser cutting device is expensive at about 200 million yen per unit. Therefore, the master I is expensive and mass production is difficult. Next, the master is subjected to a conductive treatment. The conductive treatment is generally performed by sputtering (dry method), or in some cases,
It is performed by electroless plating (wet method). A thick plating layer is formed on the master I that has been made conductive. The plating layer is generally nickel (Ni). 2 of conductive layer and Ni plating layer
The layer structure is the intended first mold. This is shown in FIG. 3 (B3). This first mold is a father (FAT
HER). Actually, a free father can be obtained by peeling the father from the resist pattern (master). This is shown in FIG. 3 (B4). Father is a mother member of FIG.
mber) 52.

【0013】ファザーは一般に200〜300μmと薄
いので、剥がすときに注意する。剥がしたとき、レジス
トの一部がファザー上に残るのでアセトン等の溶剤で溶
解除去する。仮にレジストが残っていると、凹凸を崩す
ので、レジストは確実に除去する。剥がしたとき、レジ
ストパターンは破損するので、1枚の原盤から1枚のフ
ァザーのみが得られる。
The father is generally as thin as 200 to 300 μm, so care is taken when peeling it. When the resist is peeled off, a part of the resist remains on the father. Therefore, the resist is dissolved and removed with a solvent such as acetone. If the resist remains, the unevenness is broken, so that the resist is surely removed. When peeled, the resist pattern is damaged, so that only one father is obtained from one master.

【0014】レジストを除去した後、ファザーの凹凸面
を保護コートで覆う。そして、裏面を研磨する。ファザ
ーの中心穴を打ち抜き、また、外径の外の不要な部分を
打ち落とす。これによりドーナツ状のファザーが完成す
る。こうして完成したファザーは、極めて正確な凹凸パ
ターンを有する。そして、それは高価である。高価な理
由は、(1)原盤Iが高価なことと、(2)1枚の原盤
から1枚のファザーしか得られないからである。
After removing the resist, the uneven surface of the father is covered with a protective coat. Then, the back surface is polished. The center hole of the father is punched out, and unnecessary parts outside the outer diameter are shot down. This completes the donut-shaped father. The father thus completed has a very accurate concavo-convex pattern. And it is expensive. The reason for the high cost is that (1) the master I is expensive and (2) only one father can be obtained from one master.

【0015】ファザーは、そのまま樹脂成形のための成
形型に使用することができる。むしろ、DVD─RA
M、MD、HD─DVDその他の高密度記録媒体(溝幅
0.8μm以下)の場合には、極めて高精度な凹凸パタ
ーンが要求されるので、ファザーがそのまま射出成形に
使用される。しかし、既述の通り、ファザーは極めて高
価である。そこで、ファザーを原盤の代わりに用い、同
様にNi電鋳を行い、複製(第2成形型)を得る。この
様子は図3の(B5) に示される。この第2成形型はマザ
ー (MATHER) と呼ばれる。実際には、マザーをファザー
から剥がすことで、自由なマザーが得られる。この様子
は図3の(B6) に示される。マザーは、前記米国特許の
Fig.8のサブマスター(submaster) 60に相当する。
The father can be used as it is in a mold for resin molding. Rather, DVD @ RA
In the case of M, MD, HD @ DVD and other high-density recording media (groove width 0.8 μm or less), a very high-precision uneven pattern is required. However, as mentioned, fathers are extremely expensive. Therefore, the father is used in place of the master and Ni electroforming is performed in the same manner to obtain a duplicate (second molding die). This is shown in FIG. 3 (B5). This second mold is called a mother (MATHER). In fact, a free mother can be obtained by removing the mother from the father. This is shown in FIG. 3 (B6). Mother states that
This corresponds to the submaster 60 in FIG.

【0016】マザーの剥離を容易にするため、電鋳の前
にファザーは表面処理される。処理には重クロム酸カリ
ウム溶液、過マンガン酸カリウム溶液等が用いられる。
この処理はパッシベーション(passivation )と呼ばれ
る。マザーをファザーから剥がすときにファザーが少し
破損されるので、何度も繰り返しファザーを使用するこ
とはできない。せいぜい2〜3回である。そのため1枚
のファザーから2〜3枚のマザーしか得られない。マザ
ーがそのまま射出成形用に使用されることもある。
To facilitate the removal of the mother, the father is surface-treated before electroforming. For the treatment, a potassium dichromate solution, a potassium permanganate solution, or the like is used.
This process is called passivation. The father cannot be used over and over again because the father is slightly damaged when the mother is peeled from the father. At most 2-3 times. Therefore, only two or three mothers can be obtained from one father. The mother may be used as it is for injection molding.

【0017】更に複製を増やすため又は凹凸を反転させ
るため、マザーを原盤の代わりに用い、同様にNi電鋳
を行い、複製(第3成形型)を得る。図3の(B7) にこ
の様子が示される。第3成形型はサン(息子 SON) と呼
ばれる。実際には、サンをマザーから剥がすことで、自
由なサンが得られる。この様子は図3の(B8) に示され
る。サンは、前記米国特許のFig.9のスタンパーメンバ
ー(stamper member)70に相当する。
In order to further increase the number of copies or invert the concavities and convexities, a mother is used in place of the master and Ni electroforming is performed in the same manner to obtain a copy (third mold). This is shown in FIG. 3 (B7). The third mold is called Sun (son SON). In fact, peeling off the sun from the mother gives you a free sun. This is shown in FIG. 3 (B8). Sun corresponds to the stamper member 70 in FIG.

【0018】サンの剥離を容易にするため、電鋳の前に
マザーをパッシベーションする。この場合にも、サンを
マザーから剥がすときにマザーが破損されるので、何度
も繰り返しマザーを使用することはできない。せいぜい
2〜3回である。そのため1枚のマザーから2〜3枚の
サンしか得られない。結局、高価な1枚のファザーから
2×2〜3×3=4〜9枚のサンが得られるに過ぎな
い。
To facilitate the peeling of the sun, the mother is passivated before electroforming. Also in this case, the mother cannot be used again and again because the mother is damaged when the sun is peeled from the mother. At most 2-3 times. Therefore, only two or three suns can be obtained from one mother. After all, only 2 × 2 × 3 × 3 = 4 to 9 suns can be obtained from one expensive father.

【0019】通常はサン(場合よりファザー又はマザ
ー)を用いて、射出成形法により、大量に樹脂基板が成
形される。この基板は光ディスクやハードディスク等の
情報記録媒体の素材として使われる。1枚のサンから約
2万〜3万枚の樹脂基板を成形することができる。しか
し、それ以上は、サンが破損し、使用できない。仮に使
用しても、樹脂基板の品質が低下する。
Usually, a large number of resin substrates are molded by injection molding using a sun (father or mother, depending on the case). This substrate is used as a material of an information recording medium such as an optical disk or a hard disk. About 20,000 to 30,000 resin substrates can be formed from one sun. But beyond that, the sun is broken and unusable. Even if used, the quality of the resin substrate deteriorates.

【0020】情報記録媒体は、エンドユーザーに対し今
や1枚数百円(CD−Rの場合)で売られ、益々、低価
格のものが要求されている。これに伴い、サンも安価に
大量に供給することが求められている。
Information recording media are now sold to end users for one hundred yen (in the case of CD-R), and increasingly low-cost media are being demanded. Along with this, Sun is also required to be supplied in large quantities at low cost.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】極めて高精度な凹凸パ
ターンが要求される場合には、ファザーが使用され、そ
のため、高価であると言う問題点Aがあった。価格を下
げるため、サンを複製しても、複製はまだ少ない(4〜
9枚)。そのため、サンはまだまだ高価である(問題点
B)。そのほか、大量生産も困難である(問題点C)。
In the case where a highly accurate concave and convex pattern is required, there is a problem A that a father is used, which is expensive. To reduce the price, even if Sun is duplicated, the number is still small (4 to
9). Therefore, Sun is still expensive (Problem B). In addition, mass production is also difficult (problem C).

【0022】仮に価格を下げるため、1枚のファザーか
ら大量のマザーを製造したり、1枚のマザーから大量の
サンを製造することも提案された。しかし、そうする
と、得られた大量のマザー及びサンは、高い精度を有し
ない(問題点D)。また、同種のファザーが多数必要に
なり、多数のファザーを製造した場合、どうしてもファ
ザーの間で微妙な違いがでる(問題点E)。この微妙な
違いをここでは個性と呼ぶ。個性のため、ファザーを交
換するごとに、射出成形の成形条件(例えば、金型温
度、射出圧力)を微妙に調整する必要がある。同様にマ
ザー同士の間及びサン同士の間でも調整が必要である。
ファザーとマザーとの間でも、マザーとサンとの間で
も、ファザーとサンとの間でも調整が必要である(問題
点E)。射出成形業者は、調整時間が基板の生産性を落
とすので個性を大変に嫌っている(問題F)。
In order to lower the price, it has been proposed to manufacture a large number of mothers from one father or a large number of suns from one mother. However, then, the obtained large amounts of mother and sun do not have high accuracy (problem D). In addition, a large number of similar fathers are required, and when a large number of fathers are manufactured, a subtle difference inevitably occurs between the fathers (problem E). This subtle difference is called personality here. Due to the individuality, it is necessary to finely adjust the molding conditions (eg, mold temperature, injection pressure) of the injection molding every time the father is replaced. Similarly, an adjustment is required between mothers and between suns.
Adjustment is required between the father and the mother, between the mother and the sun, and between the father and the sun (problem E). Injection molding companies are very reluctant to personalize, since the adjustment time reduces the productivity of the substrate (Problem F).

【0023】本発明の目的は、これらの問題点の1つ又
は2つ以上を解決又は軽減することにある。
It is an object of the present invention to overcome or mitigate one or more of these problems.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】このため、本発明は、第
1に、「金属製の第1成形型を用意する工程と、前記第
1成形型から樹脂製の第2成形型を成形する工程と、前
記第2成形型から金属製の第3成形型を成形する工程と
からなることを特徴とする樹脂基板用成形型の製造方法
(第1発明)」を提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention firstly provides a process for preparing a first metal mold and forming a second resin mold from the first mold. And a step of forming a third metal mold from the second mold. A method for manufacturing a resin substrate mold (first invention).

【0025】また、本発明は、「前記第1成形型が、
『所定のレジストパターンを用い、電鋳法で製造された
もの(原盤I)』であることを特徴とする第1発明の方
法(第2発明)」を提供する。本発明は、更に、「前記
第1成形型が、『所定の凹凸パターンを有するセラミッ
クス型を用い、電鋳法で製造されたもの(原盤II)』で
あることを特徴とする第1発明の方法(第3発明)」を
提供する。
Further, the present invention provides a method wherein the first molding die is
A method of the first invention (second invention), characterized by being "a product produced by an electroforming method using a predetermined resist pattern (master I)". The present invention is further characterized in that the first mold is "a ceramic mold having a predetermined concavo-convex pattern and manufactured by an electroforming method (master II)". Method (third invention) ".

【0026】本発明は、更に、「前記セラミックス型
が、『所定のレジストパターンの形成されたセラミック
ス基板をエッチングした後、残留した前記レジストを除
去して製造されたもの』であることを特徴とする第3発
明の方法(第4発明)」を提供する。本発明は、更に、
「前記セラミックスが、石英であることを特徴とする第
3又は第4発明の方法(第5発明)」を提供する。
The present invention is further characterized in that the ceramic mold is "manufactured by etching a ceramic substrate on which a predetermined resist pattern is formed, and then removing the remaining resist." Of the third invention (fourth invention). " The present invention further provides:
"The method according to the third or fourth invention, wherein the ceramic is quartz (fifth invention)" is provided.

【0027】本発明は、更に、「前記第1成形型を繰り
返し使用することで前記第2工程を繰り返し、これによ
り複数の第2成形型を成形することを特徴とする第1発
明の方法(第6発明)」を提供する。本発明は、更に、
「同じ前記第1成形型を繰り返し使用することで前記第
2工程を繰り返し、これにより20枚以上の第2成形型
を成形することを特徴とする第1発明の方法(第7発
明)」を提供する。
The present invention further provides a method according to the first invention, characterized in that the second step is repeated by repeatedly using the first molding die to thereby form a plurality of second molding dies ( 6th invention) ". The present invention further provides:
"The method of the first invention (the seventh invention) characterized in that the second step is repeated by repeatedly using the same first molding die, thereby forming 20 or more second molding dies." provide.

【0028】本発明は、更に、「前記第1成形型の表面
粗さRa が10nm以下であり、第2成形型の表面粗さ
Ra も10nm以下であることを特徴とする第1発明の
方法(第8発明)」を提供する。本発明は、更に、「前
記第2成形型の表面粗さRa が10nm以下であり、第
3成形型の表面粗さRa も10nm以下であることを特
徴とする第1発明の方法(第9発明)」を提供する。
The present invention further provides a method according to the first invention, wherein the first mold has a surface roughness Ra of 10 nm or less, and the second mold has a surface roughness Ra of 10 nm or less. (Eighth invention) ". The present invention further provides a method according to the first invention, wherein the second mold has a surface roughness Ra of 10 nm or less, and the third mold has a surface roughness Ra of 10 nm or less (the ninth method). Invention)].

【0029】本発明は、更に、「前記第1成形型の表面
粗さRa が1nm以下であり、第2成形型の表面粗さR
a も1nm以下であることを特徴とする第1発明の方法
(第10発明)」を提供する。本発明は、更に、「前記第
2成形型の表面粗さRa が1nm以下であり、第3成形
型の表面粗さRa も1nm以下であることを特徴とする
第1発明の方法(第11発明)」を提供する。
According to the present invention, there is further provided a method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: "the first mold has a surface roughness Ra of 1 nm or less;
a is also 1 nm or less, the method of the first invention (10th invention) "is provided. The present invention further provides a method according to the first invention, characterized in that the second mold has a surface roughness Ra of 1 nm or less, and the third mold has a surface roughness Ra of 1 nm or less (11th invention). Invention)].

【0030】本発明は、更に、「前記第2成形型を構成
する樹脂が、熱硬化性樹脂であることを特徴とする第1
発明の方法(第12発明)」を提供する。本発明は、更
に、「前記熱硬化性樹脂が、放射線硬化型の樹脂であ
り、前記第2成形型が放射線の照射により硬化した樹脂
から構成されていることを特徴とする第12発明の方法
(第13発明)」を提供する。
According to the present invention, there is further provided a liquid crystal display device comprising: the first molding die, wherein the resin constituting the second molding die is a thermosetting resin.
Method of the Invention (Twelfth Invention) ". The present invention further provides a method according to a twelfth invention, wherein the thermosetting resin is a radiation-curable resin, and the second mold is made of a resin cured by irradiation with radiation. (A thirteenth invention).

【0031】本発明は、更に、「前記第2成形型を構成
する樹脂が、前記第1成形型及び/又は前記第3成形型
に付着しない樹脂であることを特徴とする第1発明又は
第12発明又は第13発明の方法(第14発明)」を提供す
る。本発明は、更に、「その成形型が情報記録媒体用の
樹脂基板を成形するための型であることを特徴とする第
1〜第14発明の方法(第15発明)」を提供する。
The present invention further provides a method according to the first or second aspect, wherein the resin constituting the second mold is a resin that does not adhere to the first mold and / or the third mold. The method of the twelfth or thirteenth invention (the fourteenth invention) "is provided. The present invention further provides "the method of the first to fourteenth inventions (fifteenth invention), wherein the molding die is a mold for molding a resin substrate for an information recording medium".

【0032】本発明は、更に、「第1〜第14発明の方法
で製造された成形型を用いて原料樹脂から射出成形法に
より情報記録媒体用の樹脂基板を製造する方法(第16発
明)」を提供する。本発明は、更に、「金属製の第1成
形型を用意する工程と、第1成形型から樹脂製の第2成
形型を成形する工程とからなることを特徴とする樹脂製
成形型の製造方法(第17発明)」を提供する。
The present invention further provides a method for producing a resin substrate for an information recording medium from a raw material resin by an injection molding method using a molding die produced by the method of the first to fourteenth inventions (a sixteenth invention). "I will provide a. The present invention further provides a method for manufacturing a resin-made mold, comprising: a step of preparing a first metal-made mold; and a step of molding a second resin-made mold from the first mold. Method (17th invention) ".

【0033】本発明は、更に、「表面粗さRa が1nm
以下の金属製第3成形型(第18発明)」を提供する。本
発明は、更に、「表面粗さRa が0.5nm以下の金属
製第3成形型(第19発明)」を提供する。本発明は、更
に、「表面のうねり(waviness)Wa が1nm以下の金属
製第3成形型(第20発明)」を提供する。
According to the present invention, further, “surface roughness Ra is 1 nm
The following third metal mold (the eighteenth invention) is provided. The present invention further provides "a third metal mold having a surface roughness Ra of 0.5 nm or less (a nineteenth invention)." The present invention further provides a "third metal mold (twentieth invention) having a surface waviness Wa of 1 nm or less".

【0034】本発明は、更に、「表面のうねり(wavines
s)Wa が1nm以下の金属製第3成形型(第20発明)」
を提供する。本発明は、更に、「有効直径が50〜13
0mmの樹脂基板であって、表面のうねりWaが1nm
以下の成形された樹脂基板(第21発明)」を提供する。
The present invention further provides a method of “wavines
s) Third metal mold having Wa of 1 nm or less (20th invention) "
I will provide a. The present invention further provides an “effective diameter of 50 to 13
0 mm resin substrate, surface waviness Wa is 1 nm
The following molded resin substrate (the twenty-first invention) is provided.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下に実施の形態を説明するが、
これは本発明を限定するものではない。本発明では原盤
(MASTER)には大きく分けてI型とII型がある。両者を総
称して「原盤」と言うこともある。 〔原盤I(MASTER I) 〕まず、基板substrate を用意
する。一般的に基板は円板状であるが、円板状に限定さ
れるものではなく角形でもよい。基板材料としては主に
ソ−ダライムガラス(青板ガラス) 、アルミノシリケ−
トガラス( 白板ガラス) 、無アルカリガラス、低膨張化
ガラス、結晶化ガラス等のガラス材料やセラミックス材
料等が用いられる、セラミックス材料としては、溶融石
英、合成石英等の石英、Siでも良い。場合によって
は、基板材料はAl、Fe、Cu等の金属でも良い。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments will be described below.
This is not a limitation of the present invention. In the present invention, the master
(MASTER) is roughly classified into type I and type II. Both are sometimes referred to collectively as "masters". [Master I] First, a substrate substrate is prepared. Generally, the substrate has a disk shape, but is not limited to a disk shape, and may be a square shape. Substrate materials mainly include soda lime glass (blue plate glass), aluminosilicate
Glass materials such as glass (white plate glass), alkali-free glass, low expansion glass, crystallized glass, and ceramic materials are used. The ceramic material may be quartz such as fused quartz or synthetic quartz, or Si. In some cases, the substrate material may be a metal such as Al, Fe, or Cu.

【0036】基板の表面は、高精度な表面精度(平滑
面) を得るため精密に研磨される。基板表面に表面層を
形成しても良い。表面層の材料としては、(1) SiO2
のよう板表面に表面層を形成しても良い。表面層の材料
としては、(1) SiO2 のようなSi酸化物、(2) Si
3 4 のようなのSi窒化物、(3) TiSi2 のような
のSi金属化合物、または(4) Ti,Al,Cu,C
r,Ta,Au,Ag,Pt等の金属、あるいは(5) T
iO2 ,TiN,Al2 3 ,AlN,TaO2 ,Ta
2 5 ,Ta3 4 等の金属酸化物や金属窒化物が挙げ
られる。表面層は、基板表面を酸化又は窒化することで
形成してもよい。多くの場合、表面層は、薄膜の積層技
術(例えば、真空蒸着、スパッタリング)により形成さ
れる。その場合に、表面層は、前記材料を2種以上組み
合わせて積層した多層構造からできていてもよい。ま
た、表面層は、平滑性を向上させるためにCMP(chem
ical mechanical polishing)やその他の手法で精密研磨
しても良い。
The surface of the substrate is precisely polished to obtain a high-precision surface accuracy (smooth surface). A surface layer may be formed on the substrate surface. As the material of the surface layer, (1) SiO2
A surface layer may be formed on the plate surface as described above. As the material of the surface layer, (1) Si oxide such as SiO 2 , (2) Si oxide
Si nitride such as 3 N 4 , (3) Si metal compound such as TiSi 2 , or (4) Ti, Al, Cu, C
metals such as r, Ta, Au, Ag, Pt, or (5) T
iO 2 , TiN, Al 2 O 3 , AlN, TaO 2 , Ta
Examples include metal oxides and metal nitrides such as 2 O 5 and Ta 3 N 4 . The surface layer may be formed by oxidizing or nitriding the substrate surface. In many cases, the surface layer is formed by a thin film laminating technique (eg, vacuum deposition, sputtering). In that case, the surface layer may have a multilayer structure in which two or more of the above materials are combined and laminated. The surface layer is formed by CMP (chem.
ical mechanical polishing) or other methods.

【0037】次に基板表面にフォトレジストを塗布す
る。一般には、フォトレジストの塗布の前に、基板にシ
ランカップリング剤のようなのプライマーprimerを塗布
する。プライマーは、基板とフォトレジストとの密着性
を向上させる。しかし、表面層にCr、TiN等が存在
する場合、プライマーは必要ないこともある。そして、
フォトレジストをスピンコートのような方法で塗布す
る。一般にフォトレジストの厚さがピットや溝の深さを
決定する。
Next, a photoresist is applied to the surface of the substrate. Generally, a primer primer such as a silane coupling agent is applied to the substrate before applying the photoresist. The primer improves the adhesion between the substrate and the photoresist. However, when Cr, TiN, or the like is present in the surface layer, a primer may not be necessary. And
A photoresist is applied by a method such as spin coating. Generally, the thickness of the photoresist determines the depth of the pits and grooves.

【0038】溝、ランド及びピットの幅は、密度記録の
向上に伴い、例えば、1μm以下、0.8μm以下、
0.7μm以下、0.6μm以下、0.5μm以下、
0.4μm以下、0.3μm以下と狭くなってきてい
る。溝、ランド及びピットの深さも、密度記録の向上に
伴い、例えば、40nm以上、50nm以上、80nm
以上、100nm以上、120nm以上、130nm以
上、150nm以上、180nm以上、200nm以
上、220nm以上、250nm以上と深くなって来て
いる。
The widths of the grooves, lands and pits are, for example, 1 μm or less, 0.8 μm or less, as the density recording is improved.
0.7 μm or less, 0.6 μm or less, 0.5 μm or less,
It has become narrower than 0.4 μm and 0.3 μm. The depths of the grooves, lands and pits are also increased, for example, by 40 nm or more, 50 nm or more,
As described above, the depth has increased to 100 nm or more, 120 nm or more, 130 nm or more, 150 nm or more, 180 nm or more, 200 nm or more, 220 nm or more, and 250 nm or more.

【0039】フォトレジスト塗布後に、レジスト感度の
調整のために低い温度でプリベ−クを行う。その後、レ
−ザビ−ムレコ−ダを使ってピットや溝その他のパタ−
ンに沿ってレ−ザビ−ムをレジストに照射する。これに
よりレジストを露光する。次いで、露光したレジストを
現像液に浸して現像する。現像液は、例えばリン酸ナト
リウム、リン酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム等の無機アルカリ溶液である。無機に代えて有機
アルカリ溶液も使用することができる。フォトレジスト
がポジ型の場合、露光した部分が現像液に溶ける。ネガ
型の場合、露光しなかった部分が現像液に溶ける。その
後、超純水でレジストを洗浄する。溶けた部分では、下
地の基板が露出している。
After the photoresist is applied, a pre-bake is performed at a low temperature to adjust the resist sensitivity. Then, use a laser beam recorder to record pits, grooves and other patterns.
The resist is irradiated with a laser beam along the pattern. This exposes the resist. Next, the exposed resist is immersed in a developer and developed. The developer is an inorganic alkali solution such as sodium phosphate, potassium phosphate, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like. An organic alkali solution can be used instead of inorganic. If the photoresist is positive, the exposed portions dissolve in the developer. In the case of the negative type, the unexposed portions dissolve in the developer. Thereafter, the resist is washed with ultrapure water. In the melted portion, the underlying substrate is exposed.

【0040】こうして、表面にフォトレジストのパタ−
ンを有する基板が得られる。このような基板を、本明細
書では、基板を含めてレジストパタ−ンと呼ぶ。このレ
ジストパタ−ンが原盤Iである。原盤は、現像の後、や
や高い温度でポストベ−クpost-bake してもよい。ポス
トベ−クにより、形成される溝やピットの側壁角度が急
峻になる場合もある。また、レジストのエッチング抵抗
性を向上させることができる。更に、ポストベ−クはレ
ジストと基板との密着性を向上させることもできる。ポ
ストベ−クは、レジスト表面の硬度を上げる場合もあ
る。硬度が上がれば、この後に導電膜を形成するとき
や、その上に更に電鋳法でメッキ層を形成するときに、
レジストはそれらに耐えることができる。
Thus, the photoresist pattern is formed on the surface.
A substrate having a pattern is obtained. In the present specification, such a substrate is referred to as a resist pattern including the substrate. This resist pattern is the master I. The master may be post-baked at a slightly higher temperature after development. In some cases, the post-baking makes the angle of the side wall of the formed groove or pit sharp. Further, the etching resistance of the resist can be improved. Further, the post bake can also improve the adhesion between the resist and the substrate. Post baking may increase the hardness of the resist surface. If the hardness increases, when forming a conductive film thereafter, or when further forming a plating layer by electroforming on it,
Resist can withstand them.

【0041】第3成形型(サン)を用いて樹脂基板を射
出成形する場合、(1)溝やピットの側壁角度は傾斜し
ているか、(2)側壁形状が丸みを帯びている方が、転
写性や離型性が良い場合がある。 〔原盤II( MASTER II)〕まず、原盤I(レジストパタ
−ン)を用意する。このレジストの一部では基板が露出
しているので、この露出部分をエッチングして基板に凹
部を設けるのである。この凹部パターンはレジストのパ
タ−ンと同一である。
When a resin substrate is injection-molded using a third mold (sun), it is preferable that (1) the side wall angle of the groove or pit is inclined, or (2) the side wall shape is rounded. The transferability and the releasability may be good. [Master II] First, a master I (resist pattern) is prepared. Since the substrate is exposed in a part of the resist, the exposed portion is etched to provide a concave portion in the substrate. This concave pattern is the same as the pattern of the resist.

【0042】エッチング方法は湿式(wet process)でも
よいが、乾式(dry process)が好ましい。乾式エッチン
グの中で、とりわけ反応性イオンエッチング(RIE)
が有効である。他に、マグネトロンRIE、ECR(電
子サイクロトロン・レゾナンス)、ICP(誘導結合型
プラズマ)、ヘリコン波等を用いたエッチングも使用可
能である。RIEは、通常の低プラズマ密度(1010
/cm3 程度以下)のプロセスでも良い。しかし、エッ
チング部分の肌荒れや側壁の肌荒れを低減するには、高
プラズマ密度(1011個/cm3 程度以上)のプロセス
が好ましい。後者には、ICP、ヘリコン波を用いるR
IEが含まれる。後者はパターンが更に微細になった場
合に効果的である。
The etching method may be a wet process, but a dry process is preferred. Among dry etching, especially reactive ion etching (RIE)
Is valid. In addition, etching using magnetron RIE, ECR (Electron Cyclotron Resonance), ICP (Inductively Coupled Plasma), helicon wave, or the like can be used. The RIE may be a normal low plasma density (about 10 10 / cm 3 or less) process. However, in order to reduce the roughness of the etched portion and the roughness of the side wall, a process with a high plasma density (about 10 11 cells / cm 3 or more) is preferable. ICP, R using helicon wave
IE. The latter is effective when the pattern becomes finer.

【0043】乾式エッチング(dry etching)を使えば、
ピットの前端及び後端の側壁角度を急峻にすることがで
きる。そのため、光ディスクの再生信号ジッタ(jitter)
が低減される。セラミックス型(原盤II)の方が、レジ
ストパターン(原盤I)に比べ、ピットや溝の側壁が荒
れていない。乾式エッチングであれば、エッチングの後
も、凹部の底面や側壁の表面粗さは極めて小さい。乾式
エッチングは、急峻な側壁角度を有する凹部を形成する
こともできる。乾式に限らず、エッチングは、より深い
凹部を形成することができる。凹部が深いことや、凹部
の側壁角度が急峻なことは、様々な利点を光ディスクに
もたらす。利点には、ノイズ低減や隣接トラック間の光
学的クロストークcross-talk、熱的クロスト−クtherma
l cross-talk(=クロスクレーズ cross-erase) の低減
がある。
With dry etching,
The sidewall angles at the front end and the rear end of the pit can be made steep. Therefore, the reproduction signal jitter (jitter) of the optical disc
Is reduced. The ceramic type (master II) has less rough pits and groove side walls than the resist pattern (master I). In the case of dry etching, the surface roughness of the bottom surface and the side wall of the concave portion is extremely small even after the etching. Dry etching can also form recesses with steep sidewall angles. The etching is not limited to the dry method, and the etching can form a deeper concave portion. The fact that the recess is deep and the sidewall angle of the recess is steep brings various advantages to the optical disc. Benefits include noise reduction, optical cross-talk between adjacent tracks, and thermal cross-talk.
l There is a reduction in cross-talk (= cross-erase).

【0044】表面層を有する基板を使用した場合、表面
層だけをエッチングしてもよい。この場合には、仮に表
面層とその下地である基板との材質が異なれば、エッチ
ング速度も異なるので、エッチングの終点を揃えること
ができると言う利点がもたらされる。この場合には、表
面層の厚さが溝やその他の深さを決定する。エッチング
の後、残留したレジストを除去する。除去は酸素プラズ
マによる乾式エッチング(アッシング) で可能である。
あるいは、残留したレジストを「濃い酸性溶液(例え
ば、濃硫酸や濃硝酸)を加熱したもの」の中に浸すこと
で、除去が可能である。その溶液中に過酸化水素水を添
加することは効果的である。こうしてレジストを除去し
た後、超純水等で基板表面を洗浄する。
When a substrate having a surface layer is used, only the surface layer may be etched. In this case, if the material of the surface layer and that of the substrate as the base are different, the etching rate is also different, so that there is an advantage that the end points of the etching can be aligned. In this case, the thickness of the surface layer determines the grooves and other depths. After the etching, the remaining resist is removed. Removal is possible by dry etching (ashing) using oxygen plasma.
Alternatively, the remaining resist can be removed by immersing it in “a heated solution of a concentrated acidic solution (for example, concentrated sulfuric acid or concentrated nitric acid)”. It is effective to add aqueous hydrogen peroxide to the solution. After removing the resist in this manner, the substrate surface is washed with ultrapure water or the like.

【0045】これにより、ピットや溝などに相当する凹
部を有する基板が得られる。この基板こそ原盤IIであ
る。基板材料は特にセラミックスが好ましい。何故な
ら、セラミックスは表面(肌)が大変に滑らかであるか
らである。つまり、セラミックスの表面粗さRaは極め
て小さい(Ra≦10nm、場合によりRa≦10
m)。このことは、光ディスクを製造した場合、光ディ
スクのノイズを低くする。そこで、セラミックスを讃
え、本明細書では、原盤IIをセラミックス型と呼ぶこと
がある。
As a result, a substrate having concave portions corresponding to pits and grooves can be obtained. This substrate is the master disk II. The substrate material is particularly preferably ceramics. This is because ceramics have a very smooth surface (skin). That is, the surface roughness Ra of the ceramic is extremely small (Ra ≦ 10 nm, and in some cases, Ra ≦ 10 nm).
m). This lowers the noise of the optical disk when the optical disk is manufactured. Therefore, in honor of ceramics, the master disk II may be referred to as a ceramic mold in this specification.

【0046】〔第1成形型(ファザー)〕まず、原盤を
用意する。ファザーは原盤をメッキすること(厚膜法)
により製造する。メッキ層がファザーとなる。メッキに
は乾式と湿式がある。湿式には、無電解メッキと電解メ
ッキがある。乾式は真空薄膜形成技術と呼ばれる。真空
薄膜形成技術には、真空蒸着、イオンプレ−ティング、
スパッタリング等がある。第1の方法は乾式と無電解メ
ッキを含む。第2の方法は電解メッキである。メッキは
第1の方法又は第2の方法により行われる。
[First Mold (Father)] First, a master is prepared. Father plating the master (thick film method)
It is manufactured by The plating layer becomes the father. Plating includes dry and wet plating. Wet methods include electroless plating and electrolytic plating. The dry method is called a vacuum thin film forming technique. Vacuum deposition, ion plating,
There are sputtering and the like. The first method involves dry and electroless plating. The second method is electrolytic plating. The plating is performed by the first method or the second method.

【0047】第2の方法(電解メッキ)は電鋳electro-
forming とも呼ばれる。電鋳は短時間で厚いメッキ層を
形成することができる。電鋳を行なう場合、原盤が導電
性を持たないので、最初に原盤表面に薄い(一般に約5
0〜100nm)金属層を形成する。金属層は導電層と
呼ばれ、この形成を導電化処理と呼ぶ。導電化処理は第
1の方法によって行われる。金属はNi(ニッケル)が
好ましく、それ以外にAu、Pt、Pd、Ag、Ti、
Ta、Cr等がある。その他導電率の高い金属やその金
属化合物が使用可能である。また、金属にリンを含有さ
せてもよい。金属として、Niを使用する場合、予めN
iに近いか又は等しい熱膨張係数を有する他の金属や金
属化合物を第2プライマー層として形成しておいてもよ
い。その第2プライマー層の上に導電層を形成するので
ある。第2プライマー層は、電鋳時または終了後に「電
鋳層が応力で歪む現象」を軽減することができる。この
現象は、場合によりピットや溝等の凹部を破壊する。第
2プライマー層は、場合によって、ファザーが完成した
後、除去される。
The second method (electrolytic plating) uses electroforming.
Also called forming. Electroforming can form a thick plating layer in a short time. In the case of electroforming, since the master has no conductivity, a thin surface (generally, about 5
(0-100 nm) Metal layer is formed. The metal layer is called a conductive layer, and this formation is called a conductive treatment. The conductive treatment is performed by the first method. The metal is preferably Ni (nickel), and in addition, Au, Pt, Pd, Ag, Ti,
There are Ta, Cr and the like. In addition, metals having high conductivity and metal compounds thereof can be used. Further, the metal may contain phosphorus. When using Ni as the metal, N
Another metal or metal compound having a thermal expansion coefficient close to or equal to i may be formed as the second primer layer. A conductive layer is formed on the second primer layer. The second primer layer can reduce "a phenomenon in which the electroformed layer is distorted by stress" during or after the electroforming. This phenomenon sometimes destroys concave portions such as pits and grooves. The second primer layer is optionally removed after the father is completed.

【0048】その後、導電層が形成された原盤は、電鋳
を行うためメッキ浴に浸される。メッキ浴には、多くの
場合、スルファミン酸ニッケル溶液が使用される。電鋳
を行うと導電層の上にNiメッキ層が形成される。この
Niメッキ層がファザー(第1成形型)である。Niに
代えて、他の金属を使用することもできる。あるいは、
Niに他の金属例えばTiや元素例えばP(燐)を混ぜ
てもよい。Tiを混ぜれば、比較的強固で耐久性の良好
な型が得られる。Pを混ぜれば、表面硬度が高い型を得
ることができるかもしれない。導電層、その上のメッキ
層又はその両方をNi−PやTi−P、Ni−Ti−P
等の合金で構成すれば、高硬度で高耐久性のファザーを
得ることが可能である。
Thereafter, the master on which the conductive layer is formed is immersed in a plating bath for electroforming. For the plating bath, a nickel sulfamate solution is often used. When electroforming is performed, a Ni plating layer is formed on the conductive layer. This Ni plating layer is a father (first molding die). Other metals can be used instead of Ni. Or,
Ni may be mixed with another metal such as Ti or an element such as P (phosphorus). If Ti is mixed, a mold that is relatively strong and has good durability can be obtained. If P is mixed, a mold having a high surface hardness may be obtained. Ni-P, Ti-P, Ni-Ti-P
By using such an alloy, it is possible to obtain a high hardness and high durability father.

【0049】また、Niメッキ層の単層ではなく、Ni
メッキ層に加えて他のメッキ層(例えば、銀や銅、クロ
ムのような金属又はそれらの合金)を積層した多層構造
でも良い。場合によっては、電鋳も用いることなしに、
第1の方法(乾式又は無電解メッキ法)により、金属製
のファザー(第1成形型)を製造することも可能であ
る。乾式はメッキ液の廃液処理の問題がない。乾式の中
でもイオンプレ−ティングは特に低い表面粗さを有する
型を与えることができる。
Also, instead of a single Ni plating layer, Ni
A multilayer structure in which another plating layer (for example, a metal such as silver, copper, or chromium, or an alloy thereof) is stacked in addition to the plating layer may be used. In some cases, without using electroforming,
It is also possible to manufacture a metal father (first molding die) by the first method (dry or electroless plating method). The dry method has no problem of treating the plating solution waste liquid. Of the dry processes, ion plating can give molds with particularly low surface roughness.

【0050】形成されるメッキ層の厚さが約100μm
を越えると、原盤の凹凸は表面に現れなくなる。即ち、
外から見た場合、メッキ層の表面は平になっている。メ
ッキ層の厚さが約200〜約600μm(一般には約2
50〜約300μm)になったら、メッキを止める。こ
れでファザーが完成する。ファザー(第1成形型)は完
成した直後は、原盤の上に付着しているので、ファザー
を原盤から剥がす。ファザーは薄い金属膜の状態なの
で、剥がすのに注意を要する。剥がした後、ファザー表
面にレジスト、プライマーその他の汚れが付着している
可能性があるので、ファザーを洗浄する。洗浄には、
(1)有機溶剤や超純水を用いた湿式や、(2)アッシ
ング、プラズマ処理、UV照射、オゾン洗浄等の乾式が
ある。
The thickness of the formed plating layer is about 100 μm
Is exceeded, the irregularities of the master no longer appear on the surface. That is,
When viewed from the outside, the surface of the plating layer is flat. The thickness of the plating layer is about 200 to about 600 μm (generally about 2 to
When the thickness reaches 50 to about 300 μm, the plating is stopped. This completes the father. Immediately after completion of the father (first molding die), the father is peeled off from the master because it is attached to the master. Since the father is a thin metal film, care must be taken to remove it. After peeling, the father is washed because there is a possibility that a resist, a primer and other stains are attached to the surface of the father. For cleaning,
There are (1) a wet type using an organic solvent or ultrapure water, and (2) a dry type such as ashing, plasma treatment, UV irradiation, ozone cleaning and the like.

【0051】なお、ここまでのプロセスは、米国特許
5,673,250(対応日本特許=公開 Koukai H8
−22621)の第11欄第56行〜第12欄第39行
及びFIG.9にもいくらか説明されている。 〔第2成形型(マザー)〕簡単に言えば、マザーは次の
ように作られる。ファザーの凹凸面に柔らかい樹脂を押
し付け、その後、樹脂を固化harden又は硬化cureさせ
る。固化又は硬化した樹脂は、ファザーの凹凸を転写し
ており、ファザーから剥がす。剥がされた樹脂がマザー
又は第2成形型(複製型)である。つまり、マザーは樹
脂製である。これが本発明の特徴の一つである。この点
で、先行技術の金属製のマザーと異なる。
The process up to this point is described in US Pat. No. 5,673,250 (corresponding Japanese patent = public Koukai H8).
-22621), column 11, line 56 to column 12, line 39 and FIG. 9 also provides some explanation. [Second Mold (Mother)] In brief, the mother is made as follows. A soft resin is pressed against the uneven surface of the father, and then the resin is hardened or cured. The solidified or cured resin has transferred the irregularities of the father and is peeled off from the father. The peeled resin is a mother or a second mold (duplicate mold). That is, the mother is made of resin. This is one of the features of the present invention. In this respect, it differs from prior art metal mothers.

【0052】先行技術と大きく異なる点は、1つのファ
ザーからマザーを製造した後、ファザーは繰り返し何度
でも再使用可能なことである。先行技術では、ファザー
はせいぜい3回再使用できるに過ぎない。本発明なら、
10000回以上再使用できる。更に異なる点は、1つ
のファザーから製造される複数のマザーが、マザー間で
比較して個性がない。つまり、それらのマザーは、全く
同一物(クローン)であることである。そのため、それ
ぞれのマザーを使って、それぞれ金属製のサン(第3成
形型)を製造した場合、得られたサンは互いにクローン
になる。
A major difference from the prior art is that after a mother is manufactured from one father, the father can be reused many times. In the prior art, the father can be reused at most three times. With the present invention,
Can be reused 10,000 times or more. Another difference is that a plurality of mothers manufactured from one father have no personality compared with each other. That is, their mothers are exactly the same (clone). Therefore, when a metal sun (third molding die) is manufactured using each mother, the obtained suns are clones of each other.

【0053】ファザーに押しつける時の樹脂は、転写性
の高い樹脂が好ましい。粘度が低いものや流動性が高い
ものは転写性が一般に高い。粘度を低くするには、
(1)加熱して軟化させる方法がある。この場合は樹脂
を冷やせば、固化する。 あるいは、(2)樹脂に溶剤
を混ぜてもよ。この場合は、溶剤を揮発させれば、樹脂
は固化する。また、(3)低分子量の樹脂又はプレポリ
マーprepolymer又は樹脂原料は、低粘度である。極端に
は、液状である。これらに溶剤を混ぜてもよい。溶剤を
混ぜれば、更に低粘度になる。この場合には、マザーの
表面でそれらの高分子化(例えば、硬化cure)を進めれ
ば、固体の樹脂(高分子量の樹脂)が生成する。生成し
た樹脂はマザーの凹凸を転写している。
The resin used for pressing against the father is preferably a resin having high transferability. Those having low viscosity and high fluidity generally have high transferability. To lower the viscosity,
(1) There is a method of softening by heating. In this case, if the resin is cooled, it solidifies. Alternatively, (2) a solvent may be mixed with the resin. In this case, if the solvent is volatilized, the resin solidifies. Further, (3) the low molecular weight resin or prepolymer prepolymer or resin raw material has low viscosity. Extremely liquid. These may be mixed with a solvent. If the solvent is mixed, the viscosity becomes even lower. In this case, a solid resin (high-molecular-weight resin) is generated if the polymerization (for example, curing) of the mother surface is advanced. The generated resin transfers the unevenness of the mother.

【0054】特に(3)の方法が好ましい。(3)の方
法で高分子化を進める手段は、(a)加熱又は(b) 放射線
照射である。あるいは、(c) 2つの樹脂液を混合し、放
置するだけで互いに反応し高分子化する手段もある。
放射線としては、イオンビーム、電子線、紫外線、遠紫
外線、レーザー光線、X線、シンクロトロン放射線等が
挙げられる。なかでも、紫外線が取扱い易いだろう。
Particularly, the method (3) is preferred. The means for promoting the polymerization by the method (3) is (a) heating or (b) irradiation. Alternatively, there is also a means (c) in which two resin liquids are mixed and reacted with each other simply by being left alone to polymerize.
Examples of the radiation include an ion beam, an electron beam, ultraviolet light, far ultraviolet light, a laser beam, X-ray, and synchrotron radiation. Above all, ultraviolet light would be easy to handle.

【0055】好ましい方法を説明する。ファザーが薄い
(一般に250〜300μm程度)ため、平面性が悪
い。そこで、まずファザーを平面性の高い基板で裏打ち
することが好ましい。基板は金属又はガラスである。金
属としては、例えば、鉄、銅、真鍮、アルミニウム、ス
テンレス、青銅等がある。基板の厚さは1〜20mm程
度である。基板は接着剤でファザーに接着する。
A preferred method will be described. Since the father is thin (generally about 250 to 300 μm), the flatness is poor. Therefore, it is preferable to first back the father with a highly planar substrate. The substrate is metal or glass. Examples of the metal include iron, copper, brass, aluminum, stainless steel, and bronze. The thickness of the substrate is about 1 to 20 mm. The substrate is bonded to the father with an adhesive.

【0056】ファザーを凹凸面を上に向けて置く。上か
ら低粘度の放射線硬化可能な樹脂液を垂らす。泡が入ら
ないように樹脂液の上に透明板(一般にガラス板)を置
く。透明板を通じて放射線を照射して樹脂を硬化させ
る。硬化した樹脂を透明板と共にファザーから剥離す
る。こうして硬化樹脂と透明板の2層からなるマザーが
得られる。
The father is placed with the uneven surface facing upward. A low-viscosity radiation-curable resin liquid is dropped from above. A transparent plate (generally a glass plate) is placed on the resin solution so that bubbles do not enter. Radiation is irradiated through the transparent plate to cure the resin. The cured resin is peeled off from the father together with the transparent plate. In this way, a mother having two layers of a cured resin and a transparent plate is obtained.

【0057】透明板としてのガラス板の厚さは、0.6
mm以上、好ましくは約4mm〜約10mmである。ガ
ラス板の表面粗さは、原盤の基板に比べて低くて良い。
表面粗さRaは5nm〜1μmでよい。ガラス板に代え
て、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリオレフィ
ン、アクリル樹脂等の樹脂も使用可能である。ガラス板
を使用する場合、予め洗浄を行った後、樹脂との接着性
を向上させる第3プライマーを塗布してもよい。塗布し
た後、加熱bakeすることが好ましい。第3プライマーの
例はシランカップリング剤である。
The thickness of the glass plate as the transparent plate is 0.6
mm or more, preferably about 4 mm to about 10 mm. The surface roughness of the glass plate may be lower than that of the master substrate.
The surface roughness Ra may be from 5 nm to 1 μm. Instead of a glass plate, resins such as polycarbonate, polystyrene, polyolefin, and acrylic resin can be used. When a glass plate is used, after washing in advance, a third primer for improving the adhesion to the resin may be applied. After application, it is preferable to bake by heating. An example of the third primer is a silane coupling agent.

【0058】シランカップリング剤としては、例えばビ
ニルシラン、アクリルシラン、エポキシシラン、アミノ
シラン等がある。ビニルシランとしてはビニルトリクロ
ルシラン、ビニルトリス( β−メトキシエトキシ) シラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
ラン等があり、アクリルシランとしては、γ−メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン等があり、エポキシ
シランとしてはβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)
エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
チルジエトキシシラン等があり、アミノシランとしては
N−β( アミノエチル) γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、N−β( アミノエチル) γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン等がある。その他、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキ
シシラン等も使用される。
Examples of the silane coupling agent include vinyl silane, acrylic silane, epoxy silane, amino silane and the like. Examples of vinylsilane include vinyltrichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, and the like.Acrylic silanes include γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and epoxy silane. β- (3,4 epoxycyclohexyl)
There are ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethyldiethoxysilane and the like, and as aminosilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (Aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane and the like. In addition, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane and the like are also used.

【0059】その他のプライマーの例は、シラン(例え
ば、クロロシラン、アルコキシシラン)やシラザンや特
殊シリル化剤である。これらのプライマーは2種以上混
合して使用しても良い。プライマーは、トルエン、キシ
レン、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール等の溶媒で希釈して使用しても良い。マ
ザーの樹脂としては、例えば、以下のようなものが使用
可能である。大別すると(1)熱可塑性樹脂と(2)熱
硬化性樹脂がある。
Examples of other primers are silane (eg, chlorosilane, alkoxysilane), silazane and special silylating agents. These primers may be used as a mixture of two or more. The primer may be used after being diluted with a solvent such as toluene, xylene, ethyl alcohol, methyl alcohol, or isopropyl alcohol. For example, the following resins can be used as the mother resin. When roughly classified, there are (1) a thermoplastic resin and (2) a thermosetting resin.

【0060】(1)熱可塑性樹脂:ポリカーボネート、
ポリスチレン、スチレン系ポリマーアロイ、ポリオレフ
ィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、アモルファスポ
リオレフィン、アクリル樹脂(例えば、ポリメチルメタ
クリレ−ト系) 、ポリ塩化ビニール、熱可塑性ポリウレ
タン、ポリエステル、ナイロンなど。
(1) Thermoplastic resin: polycarbonate,
Polystyrene, styrene polymer alloy, polyolefin, polyethylene, polypropylene, amorphous polyolefin, acrylic resin (for example, polymethyl methacrylate), polyvinyl chloride, thermoplastic polyurethane, polyester, nylon, etc.

【0061】(2)熱硬化性樹脂:熱硬化性ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、不飽和アクリル樹脂、アクリルウレ
タン樹脂、不飽和ポリエステル、ジエチレングリコール
ビスアリルカーボネート樹脂など。主成分として、ウレ
タン化ポリ(メタ) アクリレートやポリカーボネートジ
(メタ) アクリレート、アセタールグリコールジアクリ
レートを含む樹脂液を硬化させた樹脂も好ましい。
(2) Thermosetting resin: thermosetting polyurethane, epoxy resin, unsaturated acrylic resin, acrylic urethane resin, unsaturated polyester, diethylene glycol bisallyl carbonate resin and the like. A resin obtained by curing a resin liquid containing a urethane-containing poly (meth) acrylate, polycarbonate di (meth) acrylate, or acetal glycol diacrylate as a main component is also preferable.

【0062】熱硬化性樹脂の場合は、ファザーに接触さ
せる時は低分子量の樹脂液が使用される。その樹脂液に
は、硬化触媒又は硬化剤を含めてもよい。紫外線で硬化
させる場合には、硬化触媒として、光増感剤が使用され
る。光増感剤の代表的なものとしてはアセトフェノン
系、ベンゾインアルキルエーテル系、プロピオフェノン
系、ケトン系、アントラキノン系、チオキサントン系が
挙げられる。複数種を混合して使用してもよい。特にケ
トン系の1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
等が転写性能、離型性能、品質安定性の面で有用であ
る。紫外線で硬化する樹脂は特に紫外線硬化型(curabl
e)樹脂と呼ばれる。これらの樹脂はマザーとして好まし
い。
In the case of a thermosetting resin, a low molecular weight resin liquid is used when the thermosetting resin is brought into contact with the father. The resin liquid may include a curing catalyst or a curing agent. When curing with ultraviolet light, a photosensitizer is used as a curing catalyst. Representative photosensitizers include acetophenones, benzoin alkyl ethers, propiophenones, ketones, anthraquinones, and thioxanthones. A plurality of types may be mixed and used. In particular, ketone-based 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and the like are useful in terms of transfer performance, release performance, and quality stability. UV curable resins are especially UV curable (curabl
e) Called resin. These resins are preferred as mothers.

【0063】特にマザーを剥離する時、ファザーやサン
に付着しない樹脂が好ましい。後の電鋳工程やイオンプ
レーティング工程における静電気対策のために、帯電防
止剤を樹脂液に混合してもよい。あるいは、マザーが完
成した後に、薄い帯電防止層(例えば、Pt層)を形成
しても良い。このような対策は、焼け焦げ、変形、剥
離、ゴミ付着等の問題を防止する。また、マザーの厚さ
をより均一にする上でも、これらの対策は有効かもしれ
ない。
Particularly, when the mother is peeled off, a resin which does not adhere to the father or the sun is preferable. An antistatic agent may be mixed with the resin solution for measures against static electricity in the subsequent electroforming step or ion plating step. Alternatively, a thin antistatic layer (for example, a Pt layer) may be formed after the mother is completed. Such measures prevent problems such as scorching, deformation, peeling, and dust adhesion. Also, these measures may be effective in making the thickness of the mother more uniform.

【0064】予め裏打ちがない場合、ファザーからマザ
ーを剥離する前に、ファザーは薄いので、ファザーを金
属板で裏打ちすることが好ましい。鉄、銅、真鍮、アル
ミニウム、ステンレス、青銅等の金属板をファザーの裏
面に接着する。そうすると、ファザーからマザーを剥離
し易い。剥離されたマザーは、肌荒れがない。ファザー
の表面粗さRa が10nm以下の場合、マザーの表面粗
さRa も10nm以下となる。ファザーの表面粗さRa
が1nm以下の場合は、マザーの表面粗さRa も1nm
以下となる。これが本発明の特徴の一つである。
If there is no backing in advance, it is preferable to back the father with a metal plate before the mother is separated from the father, since the father is thin. A metal plate of iron, copper, brass, aluminum, stainless steel, bronze, etc. is bonded to the back of the father. Then, the mother is easily separated from the father. The peeled mother has no rough skin. When the father has a surface roughness Ra of 10 nm or less, the mother has a surface roughness Ra of 10 nm or less. Father's surface roughness Ra
Is less than 1 nm, the surface roughness Ra of the mother is also 1 nm.
It is as follows. This is one of the features of the present invention.

【0065】剥離された後のファザーは、再びマザーを
製造するために使うことができる。本発明は、ファザー
を繰り返し使うことが特徴の一つである。実施例2では
ファザーは1000回使われた。本発明者の推測では、
ファザーは10000回以上繰り返し使用することがで
きる。これは、マザーが樹脂でできているため、剥離時
にファザーを損傷すること(特に肌を荒らすこと)がな
いためと推測される。損傷がないので、10000回以
上繰り返し使用されても、製造された10000枚以上
のマザーは、互いに個性ない(又は個性が極めて似てい
る)。それ故、それらのマザーはクローンに例えられよ
う。
The separated father can be used again for manufacturing a mother. One of the features of the present invention is that the father is used repeatedly. In Example 2, the father was used 1000 times. The inventor's guess is that
The father can be used repeatedly 10,000 times or more. This is presumed to be because the mother is made of a resin and does not damage the father at the time of peeling (particularly does not roughen the skin). Since there is no damage, even if used repeatedly 10,000 times or more, the manufactured 10,000 or more mothers have no personality (or very similar personality) to each other. Therefore, their mothers could be compared to clones.

【0066】そして、高価なファザーに比べれば、マザ
ーはずっと安価に速く製造される。 〔第3成形型(サン)〕サンはファザーと同じく金属製
である。サンの製造方法は、ファザーと同じである。そ
の場合、原盤に代えてマザーが使用される。サンはマザ
ーをメッキすることにより製造される。ただし、マザー
の上にいきなり導電化処理しメッキするのではなく、そ
の前に、1〜20Åのフォトレジストを塗布してもよ
い。その後で導電化処理し、そしてメッキするのであ
る。こうすると、RaやWaが多少改良される。これ以
上は、第1成形型(ファザー)の説明を見て欲しい。こ
こでは省く。
And, compared to expensive fathers, mothers are much cheaper and faster to manufacture. [Third Mold (Sun)] The sun is made of metal like the father. Sun is manufactured in the same manner as Father. In that case, a mother is used instead of the master. Sun is manufactured by plating mother. However, instead of conducting the conductive treatment and plating immediately on the mother, a 1-20 ° photoresist may be applied before the plating. After that, it is made conductive and plated. By doing so, Ra and Wa are somewhat improved. For more details, please see the explanation of the first mold (father). I omit it here.

【0067】サンはマザー上で完成するので、完成した
後、マザーから剥離する。剥離後、マザーは100回以
上繰り返し使用可能である。サンの平面性を高めるため
に、(1)サンの剥離前又は(2)剥離後に、サンの裏
面を機械的に研磨する。(2)剥離後に研磨する場合
は、サンの凹凸面を保護するため、マザーから剥離後、
サンの凹凸面に保護コートを施す。保護コートは、剥離
可能型の保護塗料を塗布し、乾燥させることによって形
成される。
Since the sun is completed on the mother, it is separated from the mother after completion. After peeling, the mother can be used repeatedly 100 times or more. In order to enhance the flatness of the sun, the back surface of the sun is mechanically polished (1) before the peeling of the sun or (2) after the peeling. (2) When polishing after peeling, to protect the uneven surface of the sun, after peeling from the mother,
A protective coat is applied to the uneven surface of the sun. The protective coat is formed by applying a peelable protective paint and drying.

【0068】いずれにせよ、マザーから剥離され、か
つ、研磨されたサンは、サンの中心付近を機械的に打ち
抜く。サンの外径も同様に打ち抜く。これでドーナツ状
のサンが仕上がる。これでサンは出荷が可能となる。本
発明の特徴であるが、剥離後のサンの肌荒れが小さい。
そのため、マザーの表面粗さRaがで10nm以下の場
合、サンの表面粗さRa も10nm以下となる。マザー
の表面粗さがRaで1nm以下の場合、サンの表面粗さ
Ra も1nm以下となる。これが本発明の特徴の一つで
ある。本発明によれば、場合により、Ra で0.5nm
以下(RMSで0.3nm以下)の表面粗さを有するサ
ンも製造可能である。更に、より良好な条件を選択すれ
ば、Raで0.3nm以下(RMSで0.2nm以下又
は0.1nm以下) のサンも提供可能である。
In any case, the sun peeled from the mother and polished mechanically punches near the center of the sun. The outer diameter of Sun is also punched out. This completes the donut-shaped sun. This allows Sun to ship. As a feature of the present invention, the roughness of the sun after peeling is small.
Therefore, when the mother has a surface roughness Ra of 10 nm or less, the sun has a surface roughness Ra of 10 nm or less. When the surface roughness Ra of the mother is 1 nm or less, the surface roughness Ra of the sun also becomes 1 nm or less. This is one of the features of the present invention. According to the invention, optionally, Ra is 0.5 nm.
Sun having a surface roughness of not more than 0.3 nm (RMS not more than 0.3 nm) can also be produced. Further, if better conditions are selected, a sun having a Ra of 0.3 nm or less (RMS of 0.2 nm or less or 0.1 nm or less) can be provided.

【0069】マザーがクローンであることから、1つの
ファザーから製造されたサンもクロンーである。極端に
言えば、サンはファザーともクローンの関係にある。高
価なファザーから多数の安価なサンが製造される。樹脂
基板が仮に百万枚必要な場合、約50枚のサンが必要と
なる。何故なら、1枚のサンは約2万〜3万枚で損傷
し、使えなくなるからである。50枚のサンを用意する
場合、先行技術では、50÷9=6枚のファザーが必要
である。何故ならば、1枚のファザーからせいぜい9枚
のサン(兄弟のサン)が得られるに過ぎないからであ
る。本発明では、1枚のファザーから10000枚以上
のマザーが得られる。従って、1枚のマザーから1枚の
サンを製造したとしても、1枚のファザーから1000
0枚のサン(クローンのサン)が得られるので、1枚の
ファザーがあれば、十分である。
Since the mother is a clone, the sun produced from one father is also a clone. At the extreme, Sun is also a clone of Father. Many expensive suns are made from expensive fathers. If one million resin substrates are required, about 50 suns are required. This is because one sun is damaged in about 20,000 to 30,000 pieces and cannot be used. When preparing 50 suns, the prior art requires 50 ÷ 9 = 6 fathers. This is because a single father can get at most nine suns (brother's suns). In the present invention, 10,000 or more mothers can be obtained from one father. Therefore, even if one sun is manufactured from one mother, 1000 sun is manufactured from one father.
Since zero suns (clone suns) are obtained, one father is sufficient.

【0070】なお、RIEで製造された原盤IIを使用し
た場合、サンの肌荒れが少なく、特に高品質のサンが製
造される。 〔識別〕このように多くのサンを区別するのは困難であ
る。そこで、サンの所定位置に刻印してもよい。位置
は、例えば信号領域がサンの半径22mm〜59mmで
あれば、それ以外の部分(例えば、半径20mm〜21
mmの部分)である。刻印は、単なる溝grooveや凹部又
はピットでもよい。刻印は、数字や記号でもよい。細か
い凹部の集合により、目で見た場合、文字や数字、記号
を表しているものが好ましい。刻印は、レーザー加工、
スタンピング加工、プレス加工によって行われる。ま
た、刃物、やすり、研磨テープ等で直接サンに傷を付け
ることにより刻印してもよい。
When the master II manufactured by RIE is used, the roughness of the sun is small, and a high quality sun is particularly manufactured. [Identification] It is difficult to distinguish such many suns. Therefore, the sun may be stamped at a predetermined position. The position is, for example, if the signal area has a sun radius of 22 mm to 59 mm, the other part (for example, a radius of 20 mm to 21 mm).
mm portion). The inscription may be a simple groove, a recess, or a pit. The inscription may be a number or a symbol. It is preferable that a set of fine concave portions represent characters, numbers, and symbols when viewed with the eyes. The engraving is laser processing,
It is performed by stamping and pressing. Alternatively, the sun may be directly engraved with a blade, a file, a polishing tape, or the like to scratch the sun.

【0071】刻印は、原盤やファザー、マザーに行って
もよい。これらの刻印は樹脂基板に転写されるので、樹
脂基板を見れば、どの型が使用されたか判る。刻印は、
樹脂基板の品質管理に利用される。 〔樹脂基板の成形〕サンを用いて、サン表面の凹凸を転
写する方法で、樹脂基板が製造(成形)される。成形方
法は、射出、プレス、注型などがある。なかでも、射出
成形法が高い生産性を持つ。
The engraving may be performed on the master, father, and mother. Since these inscriptions are transferred to the resin substrate, it is possible to know which type was used by looking at the resin substrate. The stamp is
Used for quality control of resin substrates. [Molding of Resin Substrate] A resin substrate is manufactured (molded) by a method of transferring irregularities on the surface of a sun using a sun. The molding method includes injection, pressing, casting, and the like. In particular, the injection molding method has high productivity.

【0072】樹脂基板に使用される樹脂は、一般に熱可
塑性樹脂(特に比較的硬い樹脂)である。その例として
は、ポリカーボネート、ポリスチレン、スチレン系ポリ
マーアロイ、アクリル樹脂(例えば、ポリメチルメタク
リレ−ト系) 、ポリ塩化ビニール、ポリエステル、ナイ
ロン、エチレン−酢酸ビニル樹脂、アモルファス・ポリ
オレフィンなどがある。しかし、場合により熱硬化性樹
脂も使用可能である。その例としては、エポキシ樹脂、
熱硬化性ポリウレタン、不飽和アクリル樹脂、不飽和ポ
リエステル、ジエチレングリコールビスアリルカーボネ
ート樹脂などがある。樹脂基板の成形は先行技術と同じ
なので、これ以上説明しない。
The resin used for the resin substrate is generally a thermoplastic resin (particularly a relatively hard resin). Examples thereof include polycarbonate, polystyrene, styrene-based polymer alloy, acrylic resin (for example, polymethyl methacrylate), polyvinyl chloride, polyester, nylon, ethylene-vinyl acetate resin, and amorphous polyolefin. However, a thermosetting resin can be used in some cases. Examples include epoxy resins,
Examples include thermosetting polyurethane, unsaturated acrylic resin, unsaturated polyester, and diethylene glycol bisallyl carbonate resin. The molding of the resin substrate is the same as in the prior art, and will not be described further.

【0073】次に実施例を示す。ここでは、RaとWa
の値は、Wyko Corp. 社の"TOPO-SYSTEM" で測定した。
Next, examples will be described. Here, Ra and Wa
The value of was measured by "TOPO-SYSTEM" of Wyko Corp.

【0074】[0074]

【実施例1】本実施例を図1を引用して説明する。 〔原盤II〕まず、基板材料として合成石英板を2枚用意
した。これらの板をそれぞれ外径185mm、内径20
mm、厚み6mmのドーナツ状円板に加工し、基板
(1)とした。その後、基板表面をそれぞれ表面粗さ:
Ra=1nm以下に精密研磨した。洗浄後、基板表面に
「プライマーとしてのヘキサメチルジシラザン」とフォ
トレジストを順にスピンコートした。プリベ−クする
と、厚さ約200nmのフォトレジスト層(2)がそれ
ぞれの基板(1)上に形成された。このフォトレジスト
(2)が形成された基板(1)が、図1の(1)に示さ
れる。
Embodiment 1 This embodiment will be described with reference to FIG. [Master II] First, two synthetic quartz plates were prepared as substrate materials. These plates have an outer diameter of 185 mm and an inner diameter of 20 mm.
It was processed into a donut-shaped disc having a thickness of 6 mm and a thickness of 6 mm to obtain a substrate (1). Then, the surface of the substrate is each surface roughness:
Precision polishing was performed to Ra = 1 nm or less. After washing, "hexamethyldisilazane as a primer" and a photoresist were sequentially spin-coated on the substrate surface. Upon prebaking, a photoresist layer (2) having a thickness of about 200 nm was formed on each substrate (1). The substrate (1) on which the photoresist (2) is formed is shown in (1) of FIG.

【0075】次にレ−ザーカッティング装置を用いて、
第1の基板上のフォトレジストを露光した。露光のパタ
ーンは、書き換え可能型MD(ミニディスク) フォ−マ
ットに従って、(a)ウオッブル(wobble)ガイド溝パタ
−ン及び(b)TOC(tableof contents) パタ−ンと
なるプリピットprepits である。トラックピッチは、
1.6μm、溝幅は1.2μm、溝のウォッブル(wobb
le)振幅は約30〜40nm、TOCパターンにおける
プリピット(prepit)幅は約0.4μmとした。
Next, using a laser cutting device,
The photoresist on the first substrate was exposed. The pattern of exposure is pre-pit prepits which become (a) a wobble guide groove pattern and (b) a TOC (table of contents) pattern according to a rewritable MD (mini-disc) format. The track pitch is
1.6 μm, groove width 1.2 μm, groove wobble (wobb
le) The amplitude was about 30 to 40 nm, and the prepit width in the TOC pattern was about 0.4 μm.

【0076】第2の基板上のフォトレジストには、別の
パターンを露光した。パターンは、4.7Gbyte/side
のDVD−RAMフォーマットに従って、(a)シング
ルスパイラル・ランド/溝と(b)アドレス・ピットで
ある。トラックピッチは0.58μm( “ランド/溝”
フォーマットなので、溝ピッチは、その2倍で1.16
μm)である。溝幅は約0.58μmである。アドレス
部分のピット幅は約0.3μm、ウォッブル振幅は約1
0〜20nmである。
Another pattern was exposed on the photoresist on the second substrate. The pattern is 4.7 Gbyte / side
(A) Single spiral land / groove and (b) address pit in accordance with the DVD-RAM format. Track pitch 0.58μm (“land / groove”
Because of the format, the groove pitch is 1.16
μm). The groove width is about 0.58 μm. The pit width of the address part is about 0.3 μm, and the wobble amplitude is about 1
0 to 20 nm.

【0077】露光を終えた2枚の基板上のレジストを、
それぞれ無機アルカリ現像液で現像した。レジスト表面
をスピン洗浄し、その後、120℃で30分ポストベー
クした。これによりレジストパターン(2)が形成され
た。この様子は図1の(2)に示される。基板を反応性
イオンエッチング(RIE)装置内に入れ、ドライエッ
チングを行った。この様子は図1の(3)に示される。
After exposing the resist on the two substrates,
Each was developed with an inorganic alkali developer. The resist surface was spin-cleaned and then post-baked at 120 ° C. for 30 minutes. As a result, a resist pattern (2) was formed. This situation is shown in FIG. The substrate was placed in a reactive ion etching (RIE) apparatus and dry-etched. This situation is shown in (3) of FIG.

【0078】残ったレジストを除去し、洗浄すると、原
盤IIが得られた。これらの原盤IIは石英基板(1)に直
接にパターンが食刻されたものである。この様子は、図
1の(4)に示される。第1の原盤II(MDフォーマッ
ト)は、ピット及び溝深さが約65nmであった。第2
の原盤II(DVD−RAMフォーマット)は、ピット及
び溝深さは約140nmであった。
The remaining resist was removed and the substrate was washed to obtain Master II. These masters II have a pattern directly etched on a quartz substrate (1). This situation is shown in (4) of FIG. The first master II (MD format) had a pit and groove depth of about 65 nm. Second
The master II (DVD-RAM format) had a pit and groove depth of about 140 nm.

【0079】これらの原盤IIは、RIEプロセスで製造
されたので、溝の側壁、ピットの側壁及びピット前後の
エッジがいずれも非常にシャープであった。このこと
は、光ディスクに次の(a)〜(f)の利点をもたら
す。(a)ウォッブル信号の再生が正確である。(b)
CNRが向上する。(c)クロスイレーズ及びクロスト
ークが低くなる。(e)書き込み、読み取りの各信号の
ドロップアウトも非常に少なくなる。また、ピットの底
及び側壁の表面粗さ、溝の底及び側壁の表面粗さが非常
に小さいために、ノイズが小さくなる。
Since these masters II were manufactured by the RIE process, the side walls of the grooves, the side walls of the pits, and the edges before and after the pits were all very sharp. This brings the following advantages (a) to (f) to the optical disc. (A) The reproduction of the wobble signal is accurate. (B)
CNR is improved. (C) Cross erase and crosstalk are reduced. (E) Dropout of each of the write and read signals is very small. Further, since the surface roughness of the bottom and side walls of the pit and the surface roughness of the bottom and side walls of the groove are very small, noise is reduced.

【0080】〔ファザー〕第1の原盤IIをスパッタリン
グ装置にセットし、表面に厚さ約50〜70nmのNi
層(導電層)を付着depositionさせた。これにより導電
化処理を終えた。原盤IIの凹凸が深い場合は、RF放電
下でスパッタリングすることが好ましい。RF放電下で
は、原盤IIの帯電による悪影響(例えばスパッタリング
速度ムラ)を受け難くなる。そこで本実施例では、RF
放電(電力:400W)下でスパッタリングを実施し
た。もう一つの原盤IIの上にも同様に導電層を形成させ
た。
[Father] The first master disk II was set in a sputtering apparatus, and a surface of about 50 to 70 nm thick Ni
The layer (conductive layer) was deposited. Thus, the conductive treatment was completed. When the master II has deep irregularities, it is preferable to perform sputtering under RF discharge. Under the RF discharge, it is difficult to receive an adverse effect (for example, uneven sputtering speed) due to the charging of the master II. Therefore, in this embodiment, the RF
Sputtering was performed under discharge (power: 400 W). A conductive layer was similarly formed on another master II.

【0081】Ni層が厚いと、後でNiメッキ層が剥が
れる場合がある。その場合には、Ni層(導電層)の厚
さを10nm〜40nm程度に薄くする。次に原盤IIを
スルファミン酸ニッケルを溶かしたメッキ浴に入れた。
浴の温度は約45〜55℃にした。そして、通電するこ
とによりNi電鋳を開始した。開始時は、電流密度を低
くし、徐々に電流密度を上げた。電鋳は、得られたNi
メッキ層(3)の厚さが293μmになったとき止め
た。
If the Ni layer is thick, the Ni plating layer may come off later. In that case, the thickness of the Ni layer (conductive layer) is reduced to about 10 nm to 40 nm. Next, the master II was placed in a plating bath in which nickel sulfamate was dissolved.
The bath temperature was about 45-55 ° C. Then, by energizing, Ni electroforming was started. At the start, the current density was lowered and gradually increased. The electroforming is performed using the obtained Ni
It stopped when the thickness of the plating layer (3) became 293 μm.

【0082】第2の原盤IIについても同様にNiメッキ
層(3)を形成した。主にこのメッキ(3)がファザー
を構成する。この様子は図1の(5)に示される。ファ
ザー(3)をそれぞれ原盤IIから剥した。剥したファザ
ーは図1の(6)に示される。ファザー(3)の表面粗
さRaは1nm以下であった。ファザーの凹凸面に保護
塗料として商品名:クリンコ−トS(ファインケミカル
ジャパン社製)をスピンコート法により塗布した。塗
布した後、塗膜を約10時間自然乾燥させた。これによ
り凹凸面は保護コートで覆われた。ファザーの裏面を研
磨した後、その内径と外径を打ち抜いて落とした。こう
して、ドーナツ状のファザー2枚が仕上がった。いずれ
のファザーも仕上がるのに約13時間を要した。
The Ni plating layer (3) was similarly formed on the second master II. This plating (3) mainly constitutes a father. This situation is shown in FIG. The father (3) was peeled off from the master II. The peeled father is shown in FIG. 1 (6). The surface roughness Ra of the father (3) was 1 nm or less. The protective coating was coated on the uneven surface of the father with KLINCOAT S (manufactured by Fine Chemical Japan) by spin coating. After application, the coating was allowed to air dry for about 10 hours. As a result, the uneven surface was covered with the protective coat. After polishing the back of the father, the inside diameter and outside diameter were punched out and dropped. Thus, two donut-shaped fathers were completed. Each father took about 13 hours to finish.

【0083】ファザーを剥がした後の原盤IIは損傷を受
けていない。そこで、各々の原盤IIを洗浄した後、再
び、本工程を実施して、2枚目のファザーを各々作成し
た。こうして、合計2×2=4枚のファザーを得た。フ
ァザーの裏面に、エポキシ接着剤でステンレス基板を接
着した(不図示)。これによりファザーの平面性が向上
する。
Master II after peeling off the father is not damaged. Then, after each master II was washed, this step was performed again to prepare second fathers. Thus, a total of 2 × 2 = 4 fathers were obtained. A stainless steel substrate was bonded to the back of the father with an epoxy adhesive (not shown). This improves the flatness of the father.

【0084】〔マザー〕紫外線硬化型樹脂液を用意す
る。この樹脂液は、 化学構造式1のアセタールグリコールジアクリレート
を70部、 化学構造式2と化学構造式3の混合物であるウレタン
アクリレートを30部、そして、 1−ヒドロキシシクロヘキシシクロヘキシルフェニル
ケトン( 商品名:イルガキュア−184;チバ・ガイギ
ー(株)製) を3部混合することで調製された。 化学構造式1
[Mother] An ultraviolet curable resin liquid is prepared. This resin liquid contains 70 parts of acetal glycol diacrylate of Chemical Formula 1, 30 parts of urethane acrylate which is a mixture of Chemical Formulas 2 and 3, and 1-hydroxycyclohexycyclohexyl phenyl ketone (trade name). : Irgacure-184; Ciba-Geigy Co., Ltd.). Chemical structural formula 1

【0085】[0085]

【化1】 化学構造式2Embedded image Chemical structural formula 2

【0086】[0086]

【化2】 化学構造式3Embedded image Chemical structural formula 3

【0087】[0087]

【化3】 樹脂液としては、熱や光の吸収特性、離型性、耐光性、
耐久性、硬度を考えると、色数(APHA)が30〜5
0、屈折率が25℃で1.4〜1.8程度のものが好ま
しい。本実施例では、離型性及び後の電鋳を複数回数行
なうことを考えて、色数40、屈折率1.47〜1.4
8の樹脂液を用いた。
Embedded image As a resin liquid, heat and light absorption properties, mold release properties, light resistance,
Considering durability and hardness, the number of colors (APHA) is 30 to 5
0 and a refractive index of about 1.4 to 1.8 at 25 ° C. are preferable. In the present embodiment, in consideration of the releasability and the subsequent electroforming performed a plurality of times, the number of colors is 40, and the refractive index is 1.47 to 1.4.
The resin solution No. 8 was used.

【0088】樹脂液の比重は、25℃で0.8〜1.3
程度、粘度は25℃で10〜4800CPS程度のもの
が転写性の点で好ましい。本実施例では、マザーの複製
時間の短縮化及び混入する泡の低減を目的として、比重
が1.08程度、粘度が4500〜4780CPS程度
の樹脂液を用いた。粘度は、低分子量の成分を用いるこ
とで可能である。つまり、ウレタンアクリレート(化学
構造式2及び3)の分子量は、1000〜2000程度
と大きいので、別の低分子量の成分を用いれば粘度を低
くすることができる。
The specific gravity of the resin liquid is 0.8 to 1.3 at 25 ° C.
And a viscosity of about 10 to 4800 CPS at 25 ° C. are preferable from the viewpoint of transferability. In this example, a resin liquid having a specific gravity of about 1.08 and a viscosity of about 4500 to 4780 CPS was used for the purpose of shortening the mother duplication time and reducing the amount of bubbles to be mixed. Viscosity can be achieved by using low molecular weight components. That is, since the molecular weight of urethane acrylate (Chemical Structural Formulas 2 and 3) is as large as about 1,000 to 2,000, the viscosity can be reduced by using another low molecular weight component.

【0089】別に、外径200mm、内径10mm、厚
み6mmの青板ガラス円板を用意した。そして、円板を
洗浄し、表面にプライマーであるシランカップリング剤
塗布した。シランカップリング剤は、γ−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン( 化学構造式4参照) を
溶媒(トルエン)に溶かして、2%程度の溶液としたも
のである。塗布法はスピンシャワー法である。塗布後、
120℃でベ−クbakeした。
Separately, a blue glass disc having an outer diameter of 200 mm, an inner diameter of 10 mm, and a thickness of 6 mm was prepared. Then, the disc was washed, and a silane coupling agent as a primer was applied to the surface. The silane coupling agent is obtained by dissolving γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane (see Chemical formula 4) in a solvent (toluene) to obtain a solution of about 2%. The application method is a spin shower method. After application,
Bake at 120 ° C.

【0090】化学構造式4Chemical structural formula 4

【0091】[0091]

【化4】 そして、凹凸面を上にしたファザーの上に樹脂液を垂ら
した。上からガラス円板を押しつけ、樹脂液を円板とフ
ァザーでサンドイッチした。このとき、樹脂液に泡が入
らないように注意した。更にガラス円板(5)を加圧し
て粘彫な樹脂液をファザ−表面全体に均一に押し拡げ
た。
Embedded image Then, the resin liquid was dropped on the father having the uneven surface facing upward. A glass disk was pressed from above, and the resin solution was sandwiched between the disk and the father. At this time, care was taken to prevent bubbles from entering the resin solution. Further, the glass disk (5) was pressed to uniformly spread the viscous resin liquid over the entire surface of the fuzzer.

【0092】ガラス円板を通して、樹脂液に水銀ランプ
からの紫外線を5〜60秒程照射する。これにより樹脂
液は硬化し硬い樹脂層(4)が生成した。ここでは樹脂
層(4)とガラス円板(5)の2層構造物がマザーであ
る。この様子は図1の(7)に示される。次にマザーを
ファザーから剥離した。剥離は両者を損傷しないように
注意深く実施した。他の3枚のファザーについても同様
に処理し、それぞれマザーを製造した。いずれのマザー
の表面粗さRaも、1nm以下であった。
The resin liquid is irradiated with ultraviolet rays from a mercury lamp for about 5 to 60 seconds through a glass disk. As a result, the resin liquid was cured to form a hard resin layer (4). Here, the two-layer structure of the resin layer (4) and the glass disk (5) is the mother. This situation is shown in FIG. Next, the mother was peeled from the father. Peeling was performed carefully so as not to damage both. The other three fathers were treated in the same manner to produce mothers. The surface roughness Ra of each mother was 1 nm or less.

【0093】剥離した後に残されたファザーは、損傷し
ていないので繰り返し使用可能である。驚くべきこと
に、ファザーには樹脂が付着しておらず、残存樹脂の除
去は不要であった。そこで、再び、そのままファザーを
使用してマザーを製造した。ファザーは繰り返し100
0回使用した。その結果、1枚の原盤IIから2×100
0=2000枚(2種合計で4000枚)のマザーが製
造された。この様子は図1の(8)に示される。
The father left after peeling is undamaged and can be used repeatedly. Surprisingly, no resin was attached to the father and no removal of residual resin was necessary. Therefore, the mother was again manufactured using the father as it was. Father repeats 100
Used 0 times. As a result, 2 × 100 from one master II
0 = 2000 mothers (4000 mothers in total) were manufactured. This situation is shown in (8) of FIG.

【0094】マザーの製造時間は短く、ここでは15〜
60分で1枚が製造された。 〔サン〕各マザーからそれぞれサンを製造した。製造方
法は、上記のファザーと同じである。但し、原盤IIの代
わりにマザーを使用した。図1の(9)に示すように、
製造直後は、サン(6)はマザーの上にある。そこで、
サンをマザーから剥離すると、図1の(10)に示す自由
なサン(6)が得られる。
The production time of the mother is short.
One sheet was produced in 60 minutes. [Sun] Sun was manufactured from each mother. The manufacturing method is the same as that of the above-mentioned father. However, a mother was used instead of Master II. As shown in FIG. 1 (9),
Immediately after manufacture, Sun (6) is on the mother. Therefore,
When the sun is peeled from the mother, a free sun (6) shown in (10) of FIG. 1 is obtained.

【0095】サンの凹凸面に保護コートを施した後、裏
面を研磨して、均一な厚さを得た。そして、サンの内径
と外径を打ち抜き、仕上げた。こうして、Niサンが完
成した。サンの厚みは293μmであった。サンの表面
粗さRa及びうねりWaは1nm以下であった。サンを
剥した後のマザーは、損傷しておらず、マザーは100
回以上繰り返し使用可能であった。驚くべきことに、マ
ザーには樹脂が付着しておらず、残存樹脂の除去は不要
であった。しかし、ここでは繰り返し使用は止めた。
After a protective coat was applied to the uneven surface of the sun, the back surface was polished to obtain a uniform thickness. Then, the inner and outer diameters of the sun were punched out and finished. Thus, Ni sun was completed. The thickness of the sun was 293 μm. The surface roughness Ra and undulation Wa of the sun were 1 nm or less. The mother after sun peeling is undamaged and the mother is 100
It could be used more than once. Surprisingly, no resin was attached to the mother, and removal of the residual resin was unnecessary. However, repeated use was stopped here.

【0096】各マザーより各1枚のサンを複製したの
で、1種2000枚、2種合計4000枚のサンが得ら
れた。これらのファザー及びこれらのサンをそれぞれ順
に「専用の再生装置」にセットして、その再生信号をチ
ェックした。信号の種類は、トラッキング信号、ノイ
ズ、ウォブル信号、アドレス信号、欠陥数である。その
結果、信号の品質は、ファザーからの再生信号と同等で
あった。また、2000枚のサンからの再生信号も互い
に同等であった。
Since one sheet of each sun was duplicated from each mother, 2,000 pieces of one kind and 4,000 pieces of two kinds in total were obtained. These fathers and these suns were sequentially set in a “dedicated playback device”, and the playback signals were checked. The types of signals are a tracking signal, a noise, a wobble signal, an address signal, and the number of defects. As a result, the quality of the signal was equal to that of the reproduced signal from the father. Also, the reproduced signals from the 2,000 suns were equivalent to each other.

【0097】先行技術では、1種2000枚のサンを製
造するのに、2000枚〜223枚(=2000枚÷3
÷3)の原盤IIが必要になる。原盤IIは非常に高価であ
るので、結局、先行技術のサンは高価なものとなる。そ
れに対して、本実施例では、高価な原盤IIが1枚で済む
のでサンは安価である。1種2000枚のサンについ
て、それぞれ射出成形機にセットし、試みに樹脂基板を
成形した。成形条件は変えずに成形することができた。
そのため、1種2000枚のサンは個性がなくクローン
と呼ぶことができる。
In the prior art, 2,000 to 223 sheets (= 2000 sheets / 3
÷ 3) Master disk II is required. Master II is very expensive, and in the end, prior art Suns are expensive. On the other hand, in this embodiment, Sun is inexpensive because only one expensive master II is required. About 2,000 suns of each type, each was set in an injection molding machine, and a resin substrate was experimentally molded. The molding could be performed without changing the molding conditions.
For this reason, 2,000 suns of one type have no personality and can be called clones.

【0098】[0098]

【実施例2】本実施例を図2を引用して説明する。 〔原盤I〕まず、基板材料として青板ガラスを2枚用意
した。これらの板をそれぞれ外径200mm、内径10
mm、厚み6mmのドーナツ状円板に加工し、基板
(1)とした。その後、基板表面を表面粗さRaが1n
m以下になるまで精密に研磨した。洗浄後、基板表面に
「プライマーとしてのヘキサメチルジシラザン」とフォ
トレジストを順にスピンコートした。 プリベ−クする
と、第1の基板(1)では、厚さ約70nm(MD
用)、第2の基板(1)では厚さ約145nm(DVD
用)のフォトレジスト層(2)が形成された。フォトレ
ジスト(2)が形成された基板(1)が、図2の(1)
に示される。
Embodiment 2 This embodiment will be described with reference to FIG. [Master I] First, two blue glass sheets were prepared as substrate materials. Each of these plates has an outer diameter of 200 mm and an inner diameter of 10 mm.
It was processed into a donut-shaped disc having a thickness of 6 mm and a thickness of 6 mm to obtain a substrate (1). Then, the substrate surface is made to have a surface roughness Ra of 1 n.
m or less. After washing, "hexamethyldisilazane as a primer" and a photoresist were sequentially spin-coated on the substrate surface. When prebaked, the first substrate (1) has a thickness of about 70 nm (MD
About 145 nm for the second substrate (1) (DVD
The photoresist layer (2) was formed. The substrate (1) on which the photoresist (2) has been formed is shown in FIG.
Is shown in

【0099】次にレ−ザーカッティング装置を用いて、
フォトレジストを露光した。露光パターンは、第1の基
板については実施例1のMDフォ−マットと同じで、第
2の基板については、実施例1のDVD−RAMフォ−
マットと同じである。露光後、各レジストを実施例1と
同様に現像した。これにより図2の(2)に示すレジス
トパターン(原盤I)が得られた。レジスト層の厚さ
は、現像でやや薄くなり、第1の基板では、約65nm
(MD用)、第2の基板では、約140nm(DVD
用)であった。
Next, using a laser cutting device,
The photoresist was exposed. The exposure pattern of the first substrate is the same as the MD format of the first embodiment, and the exposure pattern of the second substrate is the DVD-RAM format of the first embodiment.
Same as mat. After exposure, each resist was developed as in Example 1. As a result, a resist pattern (master I) shown in (2) of FIG. 2 was obtained. The thickness of the resist layer is slightly reduced by development, and is about 65 nm on the first substrate.
(For MD), about 140 nm (DVD
For).

【0100】ここでは、フォトレジスト材料として「残
存率が95%以上のもの」を使ったので、溝の側壁、ピ
ット側壁及びピット前後エッジがいずれもシャープに形
成された。そのため、ウォッブル信号の再生が正確であ
る。また、CNRの向上、クロスイレーズcross-erase
の減少及びクロストークcross-talkの減少がもたらされ
る。書き込み信号及び読み取り信号のドロップアウトも
少なくなった。溝の底及び側壁の表面粗さ、ピットの底
及び側壁の表面粗さがそれぞれ小さいため、ノイズが小
さくなった。
In this case, since “residual material having a residual ratio of 95% or more” was used as the photoresist material, the side wall of the groove, the side wall of the pit, and the pit front and rear edges were all sharply formed. Therefore, the reproduction of the wobble signal is accurate. In addition, improvement of CNR, cross-erase
And a reduction in cross-talk. The dropout of the write signal and the read signal is also reduced. Since the surface roughness of the bottom and the side wall of the groove and the surface roughness of the bottom and the side wall of the pit were small, noise was reduced.

【0101】〔ファザー〕原盤IIの代わりに原盤Iを用
い、実施例1の〔ファザー〕と同様にして、ファザーを
製造した(図2の(3)参照)。原盤Iからファザー
(3)を剥がした(図2の(4)参照)後、アセトン等
の有機溶剤で表面の残留レジストを洗い落とした。その
後、ファザーをスピン洗浄した。ファザーの凹凸面に商
品名:シリテクトSILITECTO (エース産業 ACE INDUSTR
IALS Co.社製) をスピンコートした。こうして保護され
たファザー裏面を研磨した。ファザーの形を整えるた
め、内径16mm、外径170mmのドーナツ状に切断
した。ファザーの厚みは293μmであった。
[Father] A father was manufactured in the same manner as in [Father] of Example 1 except that the master I was used instead of the master II (see (3) in FIG. 2). After the father (3) was peeled off from the master I (see (4) in FIG. 2), the remaining resist on the surface was washed away with an organic solvent such as acetone. Thereafter, the father was spin-cleaned. Product name: Siritect SILITECTO (ace industry ACE INDUSTR)
IALS Co.) was spin-coated. The backside of the protected father was polished in this manner. In order to adjust the shape of the father, it was cut into a donut shape having an inner diameter of 16 mm and an outer diameter of 170 mm. The thickness of the father was 293 μm.

【0102】原盤Iが2枚(2種)あったので、2枚の
ファザーが得られた。これらのファザーの裏面に実施例
1と同様にステンレス基板を接着した(不図示)。 〔マザー〕実施例1と同様にファザーから樹脂製マザー
を製造(複製)した。マザーを剥離した後のファザーに
は損傷がなかった。驚くべきことに、ファザーには樹脂
が付着しておらず、残存樹脂の除去は不要であった。そ
こで、そのまま、ファザーを繰り返し使用した。繰り返
しは1000回行い、1枚のファザーから1000枚の
マザーを製造した。この様子は図2の(5)、(6)に
示される。これらの1000枚のマザーは全く同一の凹
凸信号を持っているはずである。
Since there were two masters I (two types), two fathers were obtained. A stainless steel substrate was bonded to the back of these fathers in the same manner as in Example 1 (not shown). [Mother] In the same manner as in Example 1, a resin mother was manufactured (replicated) from a father. The father after the mother was peeled was not damaged. Surprisingly, no resin was attached to the father and no removal of residual resin was necessary. Therefore, the father was repeatedly used as it was. The repetition was performed 1,000 times, and 1000 mothers were manufactured from one father. This situation is shown in (5) and (6) of FIG. These 1000 mothers should have exactly the same uneven signal.

【0103】別の凹凸信号を持っている第2のファザー
からも同様に1000枚のマザーを複製した。これらの
1000枚のマザーは全く同一の凹凸信号を持っている
はずである。 〔サン〕実施例1と同様に樹脂製マザーからNiサンを
製造(複製)した。Niサンの厚さは293μmであっ
た。Niサンを剥離した後のマザーに損傷はなかった。
驚くべきことに、マザーには樹脂が付着しておらず、残
存樹脂の除去は不要であった。そこで、そのまま、マザ
ーを繰り返し使用した。繰り返しは10回行い、1枚の
マザーから10枚のNi製サンを製造した。この様子
は、図2の(7)、(8)に示される。サンの表面粗さ
Ra及びうねりWaは1nm以下であった。
Similarly, 1000 mothers were duplicated from the second father having another uneven signal. These 1000 mothers should have exactly the same uneven signal. [Sun] Ni sun was manufactured (replicated) from a resin mother in the same manner as in Example 1. The thickness of the Ni sun was 293 μm. The mother after peeling off the Ni sun was not damaged.
Surprisingly, no resin was attached to the mother, and removal of the residual resin was unnecessary. Therefore, the mother was repeatedly used as it was. The repetition was performed ten times, and ten Ni-made suns were manufactured from one mother. This situation is shown in (7) and (8) of FIG. The surface roughness Ra and undulation Wa of the sun were 1 nm or less.

【0104】第1のマザー(MDフォ−マット)100
0枚からそれぞれ10枚のNi製サンを製造した。これ
で合計10×1000=10000枚のサンを得た。こ
れらの10000枚のサンは全く同一の凹凸信号を持っ
ており、かつ、個性がない。従って、10000枚のサ
ンはクローンに例えられる。第2のマザー(DVD−R
AMフォ−マット)は、第1のマザーと別の信号を持っ
ている。第2のマザー1000枚からそれぞれ10枚の
Ni製サンを製造した。これで合計10×1000=1
0000枚のサンを得た。これらの10000枚のサン
は全く同一の凹凸信号を持っており、かつ、個性がな
い。従って、10000枚のサンはクローンに例えられ
る。
First Mother (MD Format) 100
From 0 sheets, 10 sheets each made of Ni were manufactured. In this way, a total of 10.times.1000 = 10000 suns were obtained. These 10,000 suns have exactly the same uneven signal and have no personality. Therefore, 10,000 suns are likened to clones. Second mother (DVD-R
AM format) has a different signal from the first mother. Ten Ni suns were manufactured from each of the second 1000 mothers. This gives a total of 10 × 1000 = 1
0000 suns were obtained. These 10,000 suns have exactly the same uneven signal and have no personality. Therefore, 10,000 suns are likened to clones.

【0105】これらのファザー及びこれらのサンをそれ
ぞれ順に「専用の再生装置」にセットし、再生信号をチ
ェックした。信号の種類は、トラッキング信号、ノイ
ズ、ウォブル信号、アドレス信号、欠陥数である。その
結果、信号の品質は、ファザーからの再生信号と同等で
あった。また、10000枚のサンからの再生信号は互
いに同等であった。
These fathers and their suns were set in the “dedicated reproducing device” in order, and the reproduced signals were checked. The types of signals are a tracking signal, a noise, a wobble signal, an address signal, and the number of defects. As a result, the quality of the signal was equal to that of the reproduced signal from the father. The reproduced signals from 10,000 suns were equivalent to each other.

【0106】1種10000枚のサンについて、それぞ
れ射出成形機にセットし、試みに樹脂基板を成形した。
成形条件は変えずに成形することができた。そのため、
1種10000枚のサンは個性がなくクローンと呼ばれ
る。
Each of 10,000 types of suns was set in an injection molding machine, and a resin substrate was molded in an attempt.
The molding could be performed without changing the molding conditions. for that reason,
10,000 suns of a single species have no personality and are called clones.

【0107】[0107]

【実施例3】射出成形機として、住友重機械工業株式会
社(Sumitomo Heavy Industries, Ltd. )製の商品名
「SD30」を用意した。樹脂基板用の樹脂として、帝
人株式会社製のポリカーボネート・商品名「AD550
3」を用意し、上記成形機に供給可能にセットした。
Example 3 As an injection molding machine, a product name "SD30" manufactured by Sumitomo Heavy Industries, Ltd. was prepared. As resin for the resin substrate, polycarbonate manufactured by Teijin Limited, trade name "AD550"
3 "was prepared and set so that it could be supplied to the molding machine.

【0108】実施例2(DVD─RAMフォーマット)
で製造された10000枚の第3成形型(サン)の中か
ら、無作為に10枚(第1サン〜第10サンと呼ぶ)を
選びだした。第1サンを上記成形機にセットした。金型
温度を125℃、樹脂温度を340℃、射出圧力を30
t、サイクルタイムを12秒の成形条件で樹脂基板を成
形した。基板の厚さは0.6mmである。2時間で60
0枚の樹脂基板(DVD─RAMフォーマット・φ=1
20mm)が製造された。
Embodiment 2 (DVD @ RAM format)
Out of the 10,000 third molding dies (suns) manufactured in step (1), ten were randomly selected (referred to as first to tenth suns). The first sun was set on the molding machine. Mold temperature 125 ° C, resin temperature 340 ° C, injection pressure 30
At t, the resin substrate was molded under molding conditions with a cycle time of 12 seconds. The thickness of the substrate is 0.6 mm. 60 in 2 hours
0 resin substrates (DVD─RAM format, φ = 1
20 mm).

【0109】その後、第1サンを上記成形機から外し、
第2サンをセットし、同様に600枚の樹脂基板を製造
した。このとき、サンを変えても成形条件は変えなかっ
た。同様に第3〜第10サンを使用して樹脂基板を製造
した。結局、600×10=6000枚の樹脂基板を得
た。各サンから成形した樹脂基板の中から任意の2枚を
選びだした。つまり、合計で2×10=20枚の樹脂基
板を選びだした。そして、これらの20枚の樹脂基板に
ついて、電子顕微鏡(HR−SEM)及び原子間力顕微
鏡(AFM)で溝形状及びピット形状を観察した。
Thereafter, the first sun is removed from the molding machine,
The second sun was set, and 600 resin substrates were similarly manufactured. At this time, the molding conditions were not changed even when the sun was changed. Similarly, a resin substrate was manufactured using the third to tenth suns. As a result, 600 × 10 = 6000 resin substrates were obtained. Arbitrary two substrates were selected from the resin substrates molded from each sun. That is, a total of 2 × 10 = 20 resin substrates were selected. The groove shape and the pit shape of these 20 resin substrates were observed with an electron microscope (HR-SEM) and an atomic force microscope (AFM).

【0110】ここで、形状とは、頂部の幅、底部の幅、
深さ及び側壁の傾きの4種を言う。その結果、20枚の
樹脂基板のどの基板についても、同じ溝形状及びピット
形状を有することが判った。更にこれらの樹脂基板につ
いて、ソリ(tilt (or warp))と複屈折を測定した。その
結果、ソリはどの基板についても±0.3度(degree)以
内に収まっていた。複屈折は、どの基板についても50
nm以内に収まっていた。また、表面のうねりWaにつ
いて測定したところ、1nm以下であった。更に、どの
基板も「くもりcloud 」がなかった。
Here, the shape means the width of the top, the width of the bottom,
It refers to four types of depth and inclination of the side wall. As a result, it was found that any of the 20 resin substrates had the same groove shape and pit shape. Further, sludge (or warp) and birefringence of these resin substrates were measured. As a result, the warpage was within ± 0.3 degrees for all substrates. Birefringence is 50 for any substrate
within nm. Further, when the surface undulation Wa was measured, it was 1 nm or less. Furthermore, none of the substrates had a "cloudy cloud".

【0111】[0111]

【比較例1】実施例2と同様にして10個の原盤I(D
VD−RAMフォーマット)を製造した。このとき、製
造条件は全く変えなかった。そして、各原盤Iから実施
例2と同様にしてファザー10枚を製造した。このとき
も製造条件は全く変えなかった。
Comparative Example 1 Ten masters I (D
VD-RAM format). At this time, the manufacturing conditions were not changed at all. Then, 10 fathers were manufactured from each master I in the same manner as in Example 2. At this time, the manufacturing conditions were not changed at all.

【0112】得られたファザー10枚をそれぞれ実施例
2のサンと同じ外径及び同じ内径に打ち抜いた。これら
のファザー10枚は、経験に基づけば個性を持つ。打ち
抜いたファザー10枚をサンの代わりに用いて実施例3
を繰り返した。このとき、ファザーを変えても成形条件
は変えずに樹脂基板を600枚成形した。得られた基板
から任意に600枚を選びだし、それらのソリ(tilt)と
複屈折を測定した。その結果、ソリが±0.3度(degre
e)以内に収まっていた基板を良品として、良品率は40
%であった。複屈折が50nm以内に収まっていた基板
を良品として、良品率は50%であった。ソリ、複屈折
の両方とも良品な基板を最良品として、最良品率は20
%であった。
The obtained 10 fathers were punched into the same outer diameter and the same inner diameter as the sun of Example 2, respectively. These ten fathers have individuality based on experience. Example 3 using ten punched fathers instead of sun
Was repeated. At this time, 600 resin substrates were molded without changing the molding conditions even if the father was changed. From the obtained substrates, 600 were arbitrarily selected, and their tilt and birefringence were measured. As a result, the warp is ± 0.3 degrees (degre
e) A non-defective substrate within the range of 40
%Met. A non-defective substrate having a birefringence within 50 nm was regarded as a non-defective product, and the non-defective ratio was 50%. A good substrate is the best product for both warpage and birefringence, and the best product rate is 20
%Met.

【0113】そこで、今度は成形条件をいろいろに変え
て樹脂基板を成形した。こうした施行錯誤を繰り返し
て、最良品率が100%となる条件を見いだした。見い
だすまでに6時間を要した。なお、5%の基板は「くも
り」があった。「くもり」のある基板は不良品として廃
棄した。
Therefore, a resin substrate was molded under various molding conditions. By repeating the above trial and error, we found the conditions for the best product rate to be 100%. It took six hours to find. In addition, 5% of the substrates had "cloudiness". Substrates with "cloudiness" were discarded as defective.

【0114】各ファザー(10枚)から成形された最良
品を任意に2枚(但し、「くもり」のないもの)選ん
だ。選んだ基板について、電子顕微鏡(HR−SEM)
及び原子間力顕微鏡(AFM)で溝形状及びピット形状
を観察した。その結果、20枚の樹脂基板のどの基板に
ついても、同じ溝形状及び同じピット形状を有するもの
は一組もなかった。しかも、成形条件が異なるために、
ランドの角が丸みを帯びている基板や、ランドの端に小
さな突起(角)を持つ基板が少なからずあった。
Two best products (without "cloudiness") were arbitrarily selected from the best molded products from each father (10). Electron microscope (HR-SEM) for the selected substrate
The groove shape and the pit shape were observed with an atomic force microscope (AFM). As a result, none of the twenty resin substrates had the same groove shape and the same pit shape. Moreover, because the molding conditions are different,
There were not a few substrates with rounded corners of the lands and substrates with small protrusions (corners) at the ends of the lands.

【0115】[0115]

【発明の効果】本発明によれば、1枚の原盤からサン
(第3成形型)が安価に大量に製造される。しかも、そ
れらのサンは肌荒れが少ない。サンの表面粗さは原盤と
(ほとんど)同一である。先行技術では、どうしてもサ
ンの表面粗さは原盤より劣る。そのため、本発明のサン
を用いれば、高レベルに評価される樹脂基板(例えば、
光ディスク)の製造が可能である。評価項目には、ウォ
ブル・フォーマット信号のノイズ、変調度、ジッタ、エ
ラーレート、クロストーク(cross-talk)、クロック安定
性、ファイン・クロック・マーク品質がある。
According to the present invention, sun (third molding die) can be mass-produced inexpensively from one master. And those suns are less rough. The surface roughness of the sun is (almost) the same as the master. In the prior art, the surface roughness of the sun is inferior to the master. Therefore, if the sun of the present invention is used, a resin substrate evaluated at a high level (for example,
Optical disc) can be manufactured. The evaluation items include noise, modulation degree, jitter, error rate, cross-talk, clock stability, and fine clock mark quality of the wobble format signal.

【0116】従って、本発明のサンは、「ウォブル信号
を持つ光ディスク、例えば、CD─R、CD−RW、M
D、DVD−ROM、DVD−R、DVD−RAM、D
VD−RW等」の樹脂基板を成形するのに有用である。
本発明の製法に従って製造された複数のサンは、互いに
クローンと呼ばれる程に個性がない。そのため、射出成
形機にサンをセットして樹脂基板を成形するとき、サン
ごとに成形条件を変える必要がない。成形条件として
は、金型温度、樹脂温度、射出圧力、サイクルタイムな
どである。先行技術では、成形条件を変えないと、同一
の転写形状、反り、複屈折率等を持つ樹脂基板が得られ
ない。しかし、成形条件を変えるのはなかなか面倒であ
り、成形業者はそれを嫌う。それに対し、本発明のサン
(複数)を使うとき、その面倒がない。
Accordingly, the Sun of the present invention describes an optical disk having a wobble signal, for example, CD @ R, CD-RW, M
D, DVD-ROM, DVD-R, DVD-RAM, D
VD-RW, etc. "
The plurality of suns manufactured according to the method of the present invention have no personality so much as to be called clones. Therefore, when the resin substrate is molded by setting the sun in the injection molding machine, it is not necessary to change the molding conditions for each sun. Molding conditions include mold temperature, resin temperature, injection pressure, cycle time, and the like. In the prior art, a resin substrate having the same transfer shape, warpage, birefringence, and the like cannot be obtained unless the molding conditions are changed. However, it is quite troublesome to change the molding conditions, and molding companies dislike it. In contrast, when using the sun (s) of the present invention, there is no trouble.

【0117】射出成形の成形条件を微妙に調整しても、
成形された樹脂基板に「くもり」と当業者が呼ぶ模様が
でることがある。その模様の部分は、鏡面のような反射
がなく、美観を損ねる。それに加えて、高精度が要求さ
れる樹脂基板では、くもりは不良品を意味する。本発明
のサンは、くもりを発生させることがない。先行技術で
は、Niマザーからサンを剥がした後、サンに異物が付
着していることが多い。この異物は洗浄でも容易に落ち
ないようである。異物の原因は、本発明者の推測によれ
ば、サンの剥離を容易にするためNiマザーに施したパ
ッシベーションにある。パッシベーションに用いた重ク
ロム酸カリや過マンガン酸カリがNiマザー表面に残留
する。これらの物質がサンと反応してサンに付着するよ
うである。このことは、NiファザーからNiマザーを
複製するときも生じるだろう。このためかどうか正確に
は判らないが、先行技術のマザー及びサンは肌が荒れて
いる。
Even if the molding conditions for injection molding are finely adjusted,
A pattern called "cloudy" by those skilled in the art may appear on the molded resin substrate. The portion of the pattern does not have a reflection like a mirror surface, and the appearance is impaired. In addition, in the case of a resin substrate that requires high precision, cloudiness means a defective product. The sun of the present invention does not cause fogging. In the prior art, foreign matters often adhere to the sun after the sun is peeled off the Ni mother. This foreign material does not seem to fall off easily by washing. According to the inventor's guess, the cause of the foreign matter is the passivation applied to the Ni mother to facilitate the peeling of the sun. Potassium dichromate and potassium permanganate used for passivation remain on the Ni mother surface. These materials appear to react with and adhere to the sun. This will also occur when replicating a Ni mother from a Ni father. Although it is not known exactly for this reason, prior art mothers and suns have rough skin.

【0118】本発明では、パッシベーションが必要ない
ので、異物がマザーやサンに付着しない。ファザー、マ
ザー及びサンの清浄化も容易である。本明細書では、樹
脂基板が光ディスクに使用される場合を詳しく説明した
が、樹脂基板は他の用途に使用されるものでもよい。微
細な凹凸を持つどんな樹脂基板も本発明のサンを用い成
形することができる。そのような樹脂基板には、例え
ば、磁気ディスク(ハードディスク)用基板、光カード
用基板、液晶デバイス用基板、半導体デバイス用基板、
プリンターの部品用基板、情報記録/再生装置の部品用
基板、パーソナルコンピュータの部品用基板、自動車の
部品用基板、光学部品自体(例えば、ゾーンプレート、
非球面レンズ、回折格子、ホログラム板、フォトマス
ク、レティクル)又はその基板、エンコーダ部品用の基
板等がある。
In the present invention, since no passivation is required, foreign matter does not adhere to the mother or the sun. It is easy to clean the father, mother and sun. In this specification, the case where the resin substrate is used for an optical disk has been described in detail, but the resin substrate may be used for other purposes. Any resin substrate having fine irregularities can be formed using the sun of the present invention. Examples of such a resin substrate include a substrate for a magnetic disk (hard disk), a substrate for an optical card, a substrate for a liquid crystal device, a substrate for a semiconductor device,
Substrates for printer components, components for information recording / reproducing devices, components for personal computers, components for automobiles, optical components themselves (for example, zone plates,
Aspherical lenses, diffraction gratings, hologram plates, photomasks, reticles) or their substrates, substrates for encoder components, and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施例1(原盤II)にかかるプロセ
スチャートである。
FIG. 1 is a process chart according to Example 1 (master II) of the present invention.

【図2】 本発明の実施例2(原盤I)にかかるプロセ
スチャートである。
FIG. 2 is a process chart according to Example 2 (master I) of the present invention.

【図3】 本発明の実施例2(原盤I)と先行技術を比
較するプロセスチャートである。
FIG. 3 is a process chart comparing Example 2 (master I) of the present invention with the prior art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・基板(ガラス、石英) 2・・・フォトレジスト 3・・・ファザー(第1成形型) 4・・・樹脂 4b・・Ni製マザー(第2成形型) 5・・・基板(ガラス) 6・・・サン(第3成形型) 図1の(4)・・・原盤II 図2の(2)・・・原盤I 図1の(8)・・・樹脂製マザー(第2成形型) 図2の(6)・・・樹脂製マザー(第2成形型) 図3の(6A)・・・樹脂製マザー(第2成形型) 以上 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate (glass, quartz) 2 ... Photoresist 3 ... Father (1st molding type) 4 ... Resin 4b ... Ni mother (2nd molding type) 5 ... Substrate ( 6) Sun (third mold) Fig. 1 (4) ... master II Fig. 2 (2) ... master I Fig. 1 (8) ... resin mother (second) (Molding die) FIG. 2 (6): Resin mother (second molding die) FIG. 3 (6A): Resin mother (second molding die)

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属製の第1成形型を用意する工程と、
前記第1成形型から樹脂製の第2成形型を成形する工程
と、前記第2成形型から金属製の第3成形型を成形する
工程とからなることを特徴とする樹脂基板用成形型の製
造方法。
1. A step of preparing a first mold made of metal,
A step of molding a second mold made of resin from the first mold and a step of molding a third mold made of metal from the second mold. Production method.
【請求項2】 前記第1成形型が、「所定のレジストパ
ターンを用い、電鋳法で製造されたもの」であることを
特徴とする請求項1記載の方法。
2. The method according to claim 1, wherein the first mold is “manufactured by an electroforming method using a predetermined resist pattern”.
【請求項3】 前記第1成形型が、「所定の凹凸パター
ンを有するセラミックス型を用い、電鋳法で製造された
もの」であることを特徴とする請求項1記載の方法。
3. The method according to claim 1, wherein the first molding die is “manufactured by an electroforming method using a ceramic mold having a predetermined concavo-convex pattern”.
【請求項4】 前記セラミックス型が、「所定のレジス
トパターンの形成されたセラミックス基板をエッチング
した後、残留した前記レジストを除去して製造されたも
の」であることを特徴とする請求項3記載の方法。
4. The ceramic mold according to claim 3, wherein said ceramics mold is formed by etching a ceramic substrate on which a predetermined resist pattern is formed and then removing the remaining resist. the method of.
【請求項5】 前記セラミックスが、石英であることを
特徴とする請求項3又は4記載の方法。
5. The method according to claim 3, wherein the ceramic is quartz.
【請求項6】 前記第1成形型を繰り返し使用すること
で前記第2工程を繰り返し、これにより複数の第2成形
型を成形することを特徴とする請求項1記載の方法。
6. The method according to claim 1, wherein the second step is repeated by repeatedly using the first mold, thereby forming a plurality of second molds.
【請求項7】 同じ前記第1成形型を繰り返し使用する
ことで前記第2工程を繰り返し、これにより20枚以上
の第2成形型を成形することを特徴とする請求項1記載
の方法。
7. The method according to claim 1, wherein the second step is repeated by repeatedly using the same first mold, thereby forming 20 or more second molds.
【請求項8】 前記第1成形型の表面粗さRa が10n
m以下であり、第2成形型の表面粗さRa も10nm以
下であることを特徴とする請求項1記載の方法。
8. The surface roughness Ra of the first mold is 10n.
2. The method according to claim 1, wherein the surface roughness Ra of the second mold is 10 nm or less.
【請求項9】 前記第2成形型の表面粗さRa が10n
m以下であり、第3成形型の表面粗さRa も10nm以
下であることを特徴とする請求項1記載の方法。
9. The surface roughness Ra of the second mold is 10n.
2. The method according to claim 1, wherein the surface roughness Ra of the third mold is 10 nm or less.
【請求項10】 前記第1成形型の表面粗さRa が1nm
以下であり、第2成形型の表面粗さRa も1nm以下で
あることを特徴とする請求項1記載の方法。
10. The first mold having a surface roughness Ra of 1 nm.
The method according to claim 1, wherein the surface roughness Ra of the second mold is 1 nm or less.
【請求項11】 前記第2成形型の表面粗さRa が1nm
以下であり、第3成形型の表面粗さRa も1nm以下で
あることを特徴とする請求項1記載の方法。
11. The surface roughness Ra of the second mold is 1 nm.
The method according to claim 1, wherein the surface roughness Ra of the third mold is 1 nm or less.
【請求項12】 前記第2成形型を構成する樹脂が、熱硬
化性樹脂であることを特徴とする請求項1記載の方法。
12. The method according to claim 1, wherein the resin forming the second mold is a thermosetting resin.
【請求項13】 前記熱硬化性樹脂が、放射線硬化型の樹
脂であり、前記第2成形型が放射線の照射により硬化し
た樹脂から構成されていることを特徴とする請求項12記
載の方法。
13. The method according to claim 12, wherein the thermosetting resin is a radiation-curable resin, and the second mold is made of a resin cured by irradiation with radiation.
【請求項14】 前記第2成形型を構成する樹脂が、前記
第1成形型及び/又は前記第3成形型に付着しない樹脂
であることを特徴とする請求項1又は12又は13記載の方
法。
14. The method according to claim 1, wherein the resin forming the second mold is a resin that does not adhere to the first mold and / or the third mold. .
【請求項15】 その成形型が情報記録媒体用の樹脂基板
を成形するための型であることを特徴とする請求項1〜
14記載の方法。
15. The mold according to claim 1, wherein the mold is a mold for molding a resin substrate for an information recording medium.
14. The method according to 14.
【請求項16】 請求項1〜14記載の方法で製造された成
形型を用いて原料樹脂から射出成形法により情報記録媒
体用の樹脂基板を製造する方法。
16. A method for producing a resin substrate for an information recording medium from a raw material resin by an injection molding method using a molding die produced by the method according to claim 1.
【請求項17】 金属製の第1成形型を用意する工程と、
第1成形型から樹脂製の第2成形型を成形する工程とか
らなることを特徴とする樹脂製成形型の製造方法。
17. A step of preparing a first mold made of metal,
Forming a second resin mold from the first mold. A method of manufacturing a resin mold.
【請求項18】 表面粗さRa が1nm以下の金属製第3
成形型。
18. A metal third metal having a surface roughness Ra of 1 nm or less.
Mold.
【請求項19】 表面粗さRa が0.5nm以下の金属製
第3成形型。
19. A third metal mold having a surface roughness Ra of 0.5 nm or less.
【請求項20】 有効直径が50〜130mmの金属製第
3成形型であって、表面のうねりWa が1nm以下の金
属製第3成形型。
20. A metal third mold having an effective diameter of 50 to 130 mm, wherein the surface waviness Wa is 1 nm or less.
【請求項21】 有効直径が50〜130mmの樹脂基板
であって、表面のうねりWa が1nm以下の成形された
樹脂基板。
21. A molded resin substrate having an effective diameter of 50 to 130 mm and a surface waviness Wa of 1 nm or less.
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