JPH11320684A - Pretreatment method for cleaning base surface before application of dry film resist - Google Patents

Pretreatment method for cleaning base surface before application of dry film resist

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JPH11320684A
JPH11320684A JP15366098A JP15366098A JPH11320684A JP H11320684 A JPH11320684 A JP H11320684A JP 15366098 A JP15366098 A JP 15366098A JP 15366098 A JP15366098 A JP 15366098A JP H11320684 A JPH11320684 A JP H11320684A
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JP
Japan
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substrate
base
dry
film
cleaning
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Pending
Application number
JP15366098A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
E Haslow Randy
イー.ハスロー ランディ
G Hutchins Donald
ジー.ハッチンズ ドナルド
D Freeburg Michael
ディー.フリーバーグ マイケル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WL Gore and Associates Inc
Original Assignee
WL Gore and Associates Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To impart adhesive properties to a gap between a dry film photoresist and a base by cleaning the base with an alkaline soap solution for a short time and next plasma-etching the base prior to laminating a dry photoresist film on the surface of the base. SOLUTION: A base is cleaned and a dry photoresist film is laminated on the base. Cleaning the base includes the plasma-etching of the base. An early cleaning step is known widely and for example, includes various pretreatments e.g. cleaning the base with an alkaline soap solution. The plasma-etching can be performed by setting a pressure at 200-500 mm and an electric power at 1,000-about 500 W with the use of O2 , N2 , argon and a small quantity of CF4 . After plasma-etching, the surface of the base is finished, a dry photoresist is applied and the film is laminated under heat and pressure.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路パッケー
ジや回路ボードの製造に際するドライフィルムのフォト
レジストの使用における改良に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to improvements in the use of dry film photoresist in the manufacture of integrated circuit packages and circuit boards.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】フォト
レジストは、集積回路パッケージや回路ボードの製造に
おいて広範囲に使用される。例えば、ビアを作成するた
め、銅層を有する基板にフォトレジスト層が施され、フ
ォトレジストが感光・現像され、ビアが形成されるべき
箇所のみ未感光フォトレジストが除去される。同様に、
ある回路形成プロセスは、メッキされるべきでない領域
をマスキングするためにフォトレジスト材料を利用する
メッキプロセスである。液体フォトレジストとドライシ
ートフォトレジストの双方が公知であり、当業者に一様
に使用される。
2. Description of the Related Art Photoresists are widely used in the manufacture of integrated circuit packages and circuit boards. For example, to create a via, a photoresist layer is applied to a substrate having a copper layer, the photoresist is exposed and developed, and the unexposed photoresist is removed only where vias are to be formed. Similarly,
One circuit formation process is a plating process that utilizes a photoresist material to mask areas that should not be plated. Both liquid and dry sheet photoresists are known and commonly used by those skilled in the art.

【0003】液体フォトレジストは、使用することと基
板を極めて均一にコーティングすることが容易である。
ドライフォトレジストは、ドライフィルム材料をロール
から転がして取り出し、そのフィルムを基板上に供給
し、ドライフィルムを基板に接着させるためにそれらを
一緒にニップローラーの間に通すことによって施され
る。
[0003] Liquid photoresists are easy to use and to coat the substrate very uniformly.
Dry photoresist is applied by rolling off the dry film material from a roll, feeding the film onto a substrate, and passing them together between nip rollers to adhere the dry film to the substrate.

【0004】感光・現像の後のフィルムの下の領域が不
注意にメッキされないように、ドライフィルムフォトレ
ジストと基板の間の高い接着性が望まれる。また、例え
ば、水分の不都合な浸透などの基板に有害な種々の物質
の望ましくない浸透を防ぐため、フィルムと基板の間の
接着性が良好なことが望ましい。本発明の目的は、基板
をクリーニングし、ドライフィルムフォトレジストと基
板の間に接着を与えるために、基板の前処理を提供する
ことである。
[0004] A high adhesion between the dry film photoresist and the substrate is desired so that the areas under the film after exposure and development are not inadvertently plated. Also, good adhesion between the film and the substrate is desirable to prevent unwanted penetration of various materials harmful to the substrate, such as, for example, unwanted penetration of moisture. It is an object of the present invention to provide a pretreatment of a substrate to clean the substrate and to provide adhesion between the dry film photoresist and the substrate.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段及び発明の効果】本発明
は、ドライフォトレジストフィルムを提供し、そのフィ
ルムを基板上に供給し、そのフィルムをその基板上にラ
ミネートすることを含む、基板上にドライフォトレジス
ト層をラミネートするための改良されたプロセスに関す
るものであり、その改良は、ラミネートする前に、基板
が、アルカリ性石鹸溶液(alkaline soapy solution)で
短期のクリーニングをし、次いでプラズマエッチングす
ることによってクリーニングされる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a dry photoresist film, comprising providing the film on a substrate and laminating the film on the substrate. An improved process for laminating a dry photoresist layer involves improving the substrate prior to laminating with a brief cleaning with an alkaline soapy solution and then plasma etching. Will be cleaned by

【0006】プリント回路の製造において、選択的メッ
キレジスト又は選択的エッチングレジストとして作用す
る有機レジストを使用することが知られている。有機レ
ジストの所望パターンは、適切なパターンのマスキング
を介して基板にレジスト組成物を選択的に施すことによ
り、又は光結像によって得ることができる。後者におい
て、光活性レジスト組成物は層として基板に施され、次
いでマスクを介して適当な波長の活性化照射に曝され
る。光活性組成物は、ポジ型(positive-working)又はネ
ガ型(negative-working)であることができ、組成物の以
降の現像が、状況により、露光のネガ又はポジに対応す
る有機レジストのパターンを基板上に残存させることが
できる。
In the manufacture of printed circuits, it is known to use organic resists that act as selective plating resists or selective etching resists. The desired pattern of the organic resist can be obtained by selectively applying the resist composition to the substrate via appropriate pattern masking, or by photoimaging. In the latter, the photoactive resist composition is applied to the substrate as a layer, and then exposed to a suitable wavelength of activating radiation through a mask. The photoactive composition can be positive-working (negative-working) or negative-working (negative-working), with subsequent development of the composition, depending on the circumstances, the pattern of organic resist corresponding to the negative or positive of exposure Can be left on the substrate.

【0007】本発明に至る前は、基板は、それから汚染
物質を除去するため、化学的マイクロエッチング及び/
又は機械的磨耗によって予めクリーニングされていた。
また、ドライフィルムフォトレジストも公知であり、ド
ライフィルムフォトレジストを基板に施す方法である。
一般に、ドライフィルムレジストは、レジストロールラ
ミネーターによって基板に施される。
Prior to the present invention, the substrate was subjected to chemical microetching and / or to remove contaminants therefrom.
Or, it was previously cleaned by mechanical abrasion.
A dry film photoresist is also known, and is a method of applying a dry film photoresist to a substrate.
Generally, a dry film resist is applied to a substrate by a resist roll laminator.

【0008】本方法は、a)基板をクリーニングし、
b)ドライフォトレジストフィルムを提供し、c)ドラ
イフォトレジストフィルムを基板にラミネートする、各
工程を含み、基板のクリーニングは、基板のプラズマエ
ッチングをさらに含む。任意な公知のドライフォトレジ
ストフィルムが本発明に有用であろうと考えられる。な
お、フィルムがラミネートされる基板の性質は、本発明
の範囲を限定するものではない。
The method comprises the steps of: a) cleaning a substrate;
b) providing a dry photoresist film; c) laminating the dry photoresist film to the substrate, wherein cleaning the substrate further comprises plasma etching the substrate. It is contemplated that any known dry photoresist film will be useful in the present invention. The nature of the substrate on which the film is laminated does not limit the scope of the present invention.

【0009】プラズマに関し、プラズマの性質や特定の
エッチング技術はそれ程重要であるとは思われない。有
用であって、ドライフォトレジストフィルムに容易且つ
効率的に結合する満足できるクリーニングされた表面を
提供することができるであろう、いくつかの公知のプラ
ズマエッチング技術がある。また、初期の洗浄工程は広
く知られており、例えば、アルカリ性石鹸溶液で基板を
洗浄するなど、種々の前処理が使用可能である。
With respect to plasma, the nature of the plasma and the particular etching technique do not appear to be very important. There are several known plasma etching techniques that will be useful and will provide a satisfactory cleaned surface that will bond easily and efficiently to the dry photoresist film. The initial cleaning step is widely known, and various pretreatments such as cleaning the substrate with an alkaline soap solution can be used.

【0010】プラズマエッチングは、200〜500ミ
リトールの圧力と1000ワット〜約5000ワットの
パワー設定で、O2 、N2 、アルゴン、及び少量のCF
4 を用いて実施可能である。当業者は、用途に応じて適
切なパワーと設定を容易に確定することができる。プラ
ズマエッチングの後、基板表面が仕上げられ、ドライフ
ォトレジストが施され、熱と圧力の下でラミネートされ
る。これは、レジストロールラミネーター又は任意の他
の適切な装置を用い、基板と施されたドライフォトレジ
ストをニップローラーに通すことによって達成される。
[0010] Plasma etching is performed at O 2 , N 2 , argon, and a small amount of CF at a pressure of 200-500 mTorr and a power setting of 1000 Watts to about 5000 Watts.
4 can be implemented. One skilled in the art can easily determine the appropriate power and settings for the application. After plasma etching, the substrate surface is finished, dry photoresist is applied, and laminated under heat and pressure. This is accomplished by passing the substrate and the applied dry photoresist through a nip roller using a resist roll laminator or any other suitable device.

【0011】本発明においては任意の適切な誘電体材料
が使用されることができ、例えば、限定されるものでは
ないが、ポリイミドとポリイミドのラミネート、エポキ
シ樹脂、他の樹脂材料と組み合わされたエポキシ樹脂、
有機材料を単独で又はフィラーと組み合わせた上記の任
意のものが挙げられる。好ましい誘電体材料にはフルオ
ロポリマーマトリックスが挙げられ、ここでフルオロポ
リマーは、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、
ePTFE若しくはコポリマー、又は配合物であること
ができる。適切なフルオロポリマーには、限定されるも
のではないが、ポリテトラフルオロエチレン又は延伸膨
張ポリテトラフルオロエチレン(接着剤とフィラーの混
合物を含んでも含まなくてもよい)が挙げられる。
[0011] Any suitable dielectric material may be used in the present invention, including, but not limited to, polyimide-to-polyimide laminates, epoxy resins, epoxy resins combined with other resin materials. resin,
Any of the above mentioned organic materials alone or in combination with fillers may be mentioned. Preferred dielectric materials include a fluoropolymer matrix, wherein the fluoropolymer is polytetrafluoroethylene (PTFE),
It can be ePTFE or a copolymer, or a blend. Suitable fluoropolymers include, but are not limited to, polytetrafluoroethylene or expanded polytetrafluoroethylene, which may or may not include a mixture of adhesive and filler.

【0012】好ましい材料には、W.L.Gore a
nd Associates社から入手可能なSpee
dboard(登録商標)結合層が挙げられ、例えば、
ポリテトラフルオロエチレンマトリックスの中にシアネ
ートエステル樹脂を含む不織材料のプリプレグであるS
peedboard(登録商標)Cがある。Speed
board(登録商標)Cは、1MHz〜10GHzに
おいて2.6〜2.7の誘電率(Dk)、1MHz〜1
0GHzにおいて0.004の誘電正接、1000V/
ミルを上回る耐電圧、220℃のガラス転移点
(Tg )、66〜68重量%の樹脂分を有し、いろいろ
な厚さで入手可能である。また、延伸膨張PTFEマト
リックスの中に多機能エポキシ接着剤を含む不織材料の
プリプレグであるSpeedboard(登録商標)N
プリプレグも使用可能である。Speedboard
(登録商標)Nは、1MHzにおいて3.0の誘電率
(Dk)、1MHzにおいて0.02の誘電正接、90
0V/ミルを上回る耐電圧、140℃のガラス転移点
(Tg )、66〜68重量%の樹脂分を有し、いろいろ
な厚さで入手可能である。
Preferred materials include: L. Gore a
Speech available from nd Associates
dboard® tie layer, for example,
S, a non-woven material prepreg containing a cyanate ester resin in a polytetrafluoroethylene matrix
There is speedboard® C. Speed
board (registered trademark) C has a dielectric constant (Dk) of 2.6 to 2.7 at 1 MHz to 10 GHz, and a dielectric constant (Dk) of 1 MHz to 1 GHz.
At 0 GHz, a dielectric loss tangent of 0.004, 1000 V /
It has a withstand voltage above the mill, a glass transition temperature (T g ) of 220 ° C., a resin content of 66-68% by weight, and is available in various thicknesses. Speedboard® N, a non-woven prepreg containing a multifunctional epoxy adhesive in an expanded PTFE matrix.
Prepreg can also be used. Speedboard
®N has a dielectric constant (Dk) of 3.0 at 1 MHz, a dielectric tangent of 0.02 at 1 MHz, 90
It has a withstand voltage greater than 0 V / mil, a glass transition point (T g ) of 140 ° C., a resin content of 66-68% by weight and is available in various thicknesses.

【0013】もう1つの適切な誘導体は、図1の延伸膨
張PTFEマトリックスであり、これは、シアネートエ
ステル配合物、エポキシ配合物、ビス−トリアジン配合
物、及びポリ(ビス−マレイミド)樹脂の少なくとも2
種の混合物を含む。例えば、ワニス溶液は、5.95ポ
ンドのM−30(チバガイギー社)、4.07ポンドの
RSL1462(シェルレジンズ社)、4.57ポンド
の2,4,6-トリブロモフェニルを末端とするテトラブロモ
ビスフェノールAカーボネートオリゴマー(BC−5
8)(グレートレークス社)、136gのビスフェノー
ルA(アルドリッチ社)、23.4gのIrganox
1010、ミネラルスピリット中のMnHEX−CEM
の10%溶液の18.1g、及び8.40kgのMEK
を混合することによって調製した。本ワニス溶液をさら
に希釈して20重量%と53.8重量%の2つの別な浴
にした。2つのワニス溶液を別な含浸浴に注ぎ入れ、e
PTFEウエブを、それぞれの含浸浴の中を一方から直
ちに他方へと連続的に通過させた。均一性を確保するよ
うに、ワニスを絶えず攪拌した。次いで含浸されたウェ
ブを直ちに加熱オーブンの中を通し、全ての又は殆ど全
ての溶媒を除去し、接着剤を部分的に硬化させ、ロール
上に回収した。ePTFEウェブは、例えば、25μ
m、40μmのような任意の所望の厚さであることがで
きる。25μmの厚さの材料は、約0.9gの質量と、
単位面積あたり約11.2〜13.8g/m2 の重さを
有する。
Another suitable derivative is the expanded PTFE matrix of FIG. 1, which comprises at least two of a cyanate ester formulation, an epoxy formulation, a bis-triazine formulation, and a poly (bis-maleimide) resin.
Contains a mixture of seeds. For example, the varnish solution may contain 5.95 pounds of M-30 (Ciba Geigy), 4.07 pounds of RSL1462 (Shell Resins), and 4.57 pounds of 2,4,6-tribromophenyl terminated tetra. Bromobisphenol A carbonate oligomer (BC-5
8) (Great Lakes), 136 g of bisphenol A (Aldrich), 23.4 g of Irganox
1010, MnHEX-CEM in mineral spirits
18.1 g of a 10% solution of and 8.40 kg of MEK
Was prepared by mixing The varnish solution was further diluted into two separate baths of 20% and 53.8% by weight. Pour the two varnish solutions into separate impregnation baths and e
The PTFE web was continuously passed through each impregnation bath from one immediately to the other. The varnish was constantly stirred to ensure uniformity. The impregnated web was then immediately passed through a heating oven to remove all or almost all solvent, partially cure the adhesive, and collect on a roll. ePTFE web is, for example, 25μ
m, can be any desired thickness, such as 40 μm. A 25 μm thick material has a mass of about 0.9 g,
It has a weight of about 11.2 to 13.8 g / m 2 per unit area.

【0014】誘電体材料の別な部類は、多孔質マトリッ
クス系が吸収又は含浸された接着剤・フィラー混合物を
含むものである。多孔質マトリックスは、基材の最初の
空隙体積の結果として多量のフィラーと熱硬化性又は熱
可塑性接着剤が含められ、加熱されて接着剤を部分硬化
し、B段階の複合材料を形成する不織基材である。基材
は、米国特許第3953566号、同第4482516
号の多孔質延伸膨張ポリテトラフルオロエチレン材料の
ようなフルオロポリマーを含み、これらの特許はそれぞ
れ本願でも参考にして取り入れられている。望ましく
は、平均流量気孔サイズ(MFPS)は、最大粒子サイ
ズの約2〜5倍以上であるべきであり、フィラーのそれ
の約2.4倍を上回る平均流量気孔サイズが特に好まし
い。ここで、平均流量気孔サイズの平均粒子サイズに対
する比を1.4を上回るように選択することによって適
切な複合材料が調製され得ることも、本発明の範囲の中
に含まれる。また、平均粒子サイズに対する最小気孔サ
イズの比が少なくとも0.8を上回る、又は最大粒子サ
イズに対する最小気孔サイズの比が少なくとも0.4を
上回るとき、許容できる複合材料が調製可能である。平
均流量気孔サイズの粒子サイズに対する比はMicro
trak(登録商標)型式FRAの粒子分析装置を用い
て測定可能である。
Another class of dielectric materials are those in which the porous matrix system contains an adhesive / filler mixture that has been absorbed or impregnated. The porous matrix contains a large amount of filler and a thermosetting or thermoplastic adhesive as a result of the initial void volume of the substrate and is heated to partially cure the adhesive and form a B-stage composite. It is a woven base material. Substrates are disclosed in U.S. Pat. Nos. 3,953,566 and 4,482,516.
No. 4,867,045, including a fluoropolymer such as the porous expanded polytetrafluoroethylene material of each of the above patents, each of which is incorporated herein by reference. Desirably, the average flow pore size (MFPS) should be at least about 2-5 times the maximum particle size, with average flow pore sizes greater than about 2.4 times that of the filler being particularly preferred. It is also within the scope of the present invention that suitable composites can be prepared by selecting the ratio of average flow pore size to average particle size to be greater than 1.4. Also, acceptable composites can be prepared when the ratio of minimum pore size to average particle size is at least greater than 0.8, or when the ratio of minimum pore size to maximum particle size is greater than at least 0.4. The ratio of average flow pore size to particle size is Micro
It can be measured using a trak® type FRA particle analyzer.

【0015】あるいは、相対的な気孔と粒子のサイズを
測定するための別なメカニズムが、最小気孔サイズが最
大粒子サイズの約1.4倍以上であるとして計算される
こともできる。延伸膨張フルオロポリマー基材の他に、
多孔質延伸膨張ポリオレフィンの例えば超高分子量(U
HMW)ポリエチレン、延伸膨張ポリプロピレン、ペー
スト押出と、犠牲フィラー、多孔質の無機又は有機フォ
ーム、又は微細多孔質セルロースアセテートを混和する
ことによって調製されたポリテトラフルオロエチレンが
使用されることもできる。
Alternatively, another mechanism for measuring relative pore and particle sizes can be calculated assuming that the minimum pore size is at least about 1.4 times the maximum particle size. In addition to the expanded fluoropolymer substrate,
For example, ultra-high molecular weight (U)
Polytetrafluoroethylene prepared by blending HMW) polyethylene, expanded polypropylene, paste extrusion and sacrificial filler, porous inorganic or organic foam, or microporous cellulose acetate can also be used.

【0016】多孔質基材は、少なくとも30%、好まし
くは少なくとも50%、最も好ましくは少なくとも70
%の初期空隙体積を有し、空隙の中に熱硬化性又は熱可
塑性接着剤樹脂と微粒子フィラーのペーストの含浸を容
易にし、同時に全体的な複合材料の脆性を防ぐための融
通性のある強化を提供すると共に粒子を安定させる。フ
ィラーは、Microtrak(登録商標)型式FRA
の粒子分析装置で分析した場合、粒子の集合を含み、ヒ
ストグラムによって最大粒子サイズ、最小粒子サイズ、
及び平均粒子サイズを表示する。
[0016] The porous substrate is at least 30%, preferably at least 50%, most preferably at least 70%.
% Initial void volume, which facilitates the impregnation of thermoset or thermoplastic adhesive resin and particulate filler paste in the voids, while at the same time providing flexible reinforcement to prevent overall composite brittleness And stabilize the particles. Filler is Microtrak® model FRA
When analyzed with a particle analyzer of the, contains a set of particles, the maximum particle size, minimum particle size,
And the average particle size.

【0017】接着剤に混和されるべき適切なフィラーに
は、限定されるものではないが、BaTiO3 、SiO
2 、Al2 3 、ZnO、ZrO2 、TiO2 、沈降し
たゾルゲルセラミックの例えばシリカ、チタニア、及び
アルミナ、非伝導性炭素(カーボンブラック)、及びこ
れらの混合物が挙げられる。特に好ましいフィラーはS
iO2 、ZrO2 、TiO2 そのもの、又はこれらと非
伝導性炭素との組み合わせである。最も好ましいフィラ
ーは、米国特許第4705762号に教示の蒸気金属燃
焼プロセスによって製造されたフィラーであり、限定さ
れるものではないが、例えば、本質的に充実、即ち中空
球でなく、均一な表面曲率と高度な球形性を有する、ケ
イ素、チタン、アルミニウムから得られるシリカ、チタ
ニア、アルミナの粒子である。
Suitable fillers to be incorporated into the adhesive include, but are not limited to, BaTiO 3 , SiO
2 , Al 2 O 3 , ZnO, ZrO 2 , TiO 2 , precipitated sol-gel ceramics such as silica, titania, and alumina, non-conductive carbon (carbon black), and mixtures thereof. A particularly preferred filler is S
iO 2 , ZrO 2 , TiO 2 itself, or a combination of these with non-conductive carbon. The most preferred fillers are those made by the steam metal combustion process taught in U.S. Pat. No. 4,705,762 and include, but are not limited to, for example, essentially solid, ie, not hollow spheres, but uniform surface curvature. And silica, titania, and alumina particles obtained from silicon, titanium, and aluminum, which have a high degree of sphericity.

【0018】フィラーは、シリル化剤によって及び/又
はカップリング剤使用によるような接着剤マトリックス
に反応する薬剤を使用することによってフィラーを疎水
性にする周知の技術により処理されることができる。適
切なカップリング剤には、シラン、チタネート、ジルコ
ネート、及びアルミネートが挙げられる。適切なシリル
化剤には、限定されるものではないが、官能性シリル化
剤、シラザン、シラノール、シロキサンを挙げることが
できる。適切なシラザンには、限定されるものではない
が、ヘキサメチルジシラザン(Huls H730)と
ヘキサメチルシクロトリシラザン、シリルアミドの例え
ばビス(トリメチルシリル)アセトアミド(Huls
B2500)、シリルユリアの例えばトリメチルシリル
ユリア、及びシリルイミダゾールの例えばトリメチルシ
リルイミダゾールが挙げられる。
The filler can be treated by well-known techniques to render the filler hydrophobic by using an agent that reacts with the adhesive matrix, such as by a silylating agent and / or by using a coupling agent. Suitable coupling agents include silanes, titanates, zirconates, and aluminates. Suitable silylating agents include, but are not limited to, functional silylating agents, silazanes, silanols, siloxanes. Suitable silazanes include, but are not limited to, hexamethyldisilazane (Huls H730), hexamethylcyclotrisilazane, and silylamides such as bis (trimethylsilyl) acetamide (Huls H730).
B2500), silyl ureas such as trimethylsilyl urea, and silylimidazoles such as trimethylsilylimidazole.

【0019】チタネートカップリング剤は、テトラアル
キル型、モノアルコキシ型、配位型、キレート型、第4
塩型、ネオアルコキシ型、シクロヘテロ原子型によって
例示される。好ましいチタネートには、テトラアルキル
チタネート、Tyzor(登録商標)TOT〔テトラキ
ス(2- エチル- ヘキシル)チタネート〕、Tyzor
(登録商標)TPT〔テトライソプロピルチタネー
ト〕、キレート化チタネート、Tyzor(登録商標)
GBA〔チタンアセチルアセチルアセトネート〕、Ty
zor(登録商標)DC〔チタンエチルアセトアセトネ
ート〕、Tyzor(登録商標)CLA(デュポン社の
所有)、モノアルコキシ(Ken−React(登録商
標)KRTTS)、Ken−React(登録商標)、
KR55テトラ(2,2- ジアリロキシメチル)ブチル、ジ
(ジトリデシル)ホスフィットチタネート、LICA
(登録商標)38ネオペンチル(ジアリル)オキシ、及
びトリ(ジオクチル)ピロ- ホスフェートチタネートが
挙げられる。
Titanate coupling agents include tetraalkyl type, monoalkoxy type, coordination type, chelate type, and quaternary type.
Illustrated by salt type, neoalkoxy type, cyclohetero atom type. Preferred titanates include tetraalkyl titanates, Tyzor® TOT [tetrakis (2-ethyl-hexyl) titanate], Tyzor
(Registered trademark) TPT [tetraisopropyl titanate], chelated titanate, Tyzor (registered trademark)
GBA [titanium acetylacetylacetonate], Ty
zor (registered trademark) DC [titanium ethyl acetoacetonate], Tyzor (registered trademark) CLA (owned by DuPont), monoalkoxy (Ken-React (registered trademark) KRTTS), Ken-React (registered trademark),
KR55 tetra (2,2-diaryloxymethyl) butyl, di (ditridecyl) phosphite titanate, LICA
® 38 neopentyl (diallyl) oxy, and tri (dioctyl) pyro-phosphate titanate.

【0020】適切なジルコネートは、Kenrichカ
タログの22頁に詳しく記載されている任意のジルコネ
ートであり、とりわけKZ55- テトラ(2,2- ジアリロ
キシメチル)ブチル、ジ(ジトリデシル)ホスフィット
ジルコネート、NZ−01−ネオペンチル(ジアリル)
オキシ、トリネオデカノイルジルコネート、NZ−09
−ネオペンチル(ジアリル)オキシ、トリ(ドデシル)
ベンゼン- スルホニルジルコネートが挙げられる。
Suitable zirconates are any zirconates described in detail on page 22 of the Kenrich catalog, in particular KZ55-tetra (2,2-diaryloxymethyl) butyl, di (ditridecyl) phosphite zirconate, NZ-01-neopentyl (diallyl)
Oxy, trineodecanoyl zirconate, NZ-09
-Neopentyl (diallyl) oxy, tri (dodecyl)
Benzene-sulfonyl zirconate.

【0021】本発明に使用可能なアルミネートには、限
定されるものではないが、Kenrich(登録商
標)、ジイソブチル(オレイル)アセトアセチルアルミ
ネート(KA301)、ジイソプロピル(オレイル)ア
セトアセチルアルミネート(KA322)、及びKA4
89が挙げられる。上記の他に、例えば、ジビニルベン
ゼンやジビニルピリジンような架橋したビニルポリマ
ー、又は最初に非常に高い希釈率(MEK中の0.1〜
1.0%の溶液)で施される開示された任意の熱硬化性
マトリックス接着剤のサイジングのようなある種のポリ
マーが使用可能である。また、ジクミルペルオキシドの
ようなある種の有機過酸化物がフィラーと反応されるこ
ともできる。
The aluminates that can be used in the present invention include, but are not limited to, Kenrich®, diisobutyl (oleyl) acetoacetylaluminate (KA301), diisopropyl (oleyl) acetoacetylaluminate (KA322). ) And KA4
89. Other than the above, for example, crosslinked vinyl polymers such as divinylbenzene and divinylpyridine, or initially very high dilution rates (0.1-0.1 in MEK)
Certain polymers, such as the sizing of any of the disclosed thermoset matrix adhesives applied at 1.0% solution) can be used. Also, certain organic peroxides such as dicumyl peroxide can be reacted with the filler.

【0022】接着剤そのものは熱硬化性又は熱可塑性で
よく、ポリグリシジルエーテル、ポリシアヌレート、ポ
リイソシアネート、ビス- ドリアジン樹脂、ポリ(ビス
- マレイミド)、ノルボルネンを末端とするポリイミ
ド、ポリノルボルネン、アセチレンを末端とするポリイ
ミド、ポリブタジエン及びその官能化コポリマー、環状
オレフィンポリシクロブテン、ポリシロキサン、ポリシ
スクワロキサン(polysisqualoxane)、官能化ポリフェ
ニレンエーテル、ポリアクリレート、ノボラックポリマ
ーとそのコポリマー、フルオロポリマーとそのコポリマ
ー、メラミンポリマーとそのコポリマー、ポリ(ビスフ
ェニルシクロブタン)、及びこれらの配合物又はプレポ
リマーを挙げることができる。上記の接着剤は、難燃性
や高められた靱性を付与するように、それらを相互に配
合されることもでき、又は別なポリマーや添加剤を配合
されることもできると理解すべきである。
The adhesive itself may be thermosetting or thermoplastic, and may be polyglycidyl ether, polycyanurate, polyisocyanate, bis-driadin resin, poly (bis
-Maleimides), norbornene-terminated polyimides, polynorbornenes, acetylene-terminated polyimides, polybutadienes and their functionalized copolymers, cyclic olefins polycyclobutene, polysiloxanes, polycisqualoxane, functionalized polyphenylene ethers, Mention may be made of polyacrylates, novolak polymers and copolymers thereof, fluoropolymers and copolymers thereof, melamine polymers and copolymers thereof, poly (bisphenylcyclobutane), and blends or prepolymers thereof. It should be understood that the above-mentioned adhesives can be blended with each other or with other polymers or additives to provide flame retardancy and enhanced toughness. is there.

【0023】本願において、平均流量気孔サイズと最小
気孔サイズは、それらの値を直接提示するCoulte
r(登録商標)ポロメロターII(英国のLutonに
あるコールターエレクトロニクス社)を用いて測定し
た。平均粒子サイズと最大粒子サイズは、Microt
rak(登録商標)型式FRAの光散乱粒子サイズ分析
装置の型番FRA(米国ペンシルバニア州のノースウェ
ールズにあるLeeds& Northupのマイクロ
トラック部門)を用いて測定した。平均粒子サイズ(A
PS)は、粒子の50%がそれよりも大きい値と定義さ
れる。最大粒子サイズ(LPS)は、Microtra
k(登録商標)のヒストグラムで最大の検出可能な粒子
と定義される。あるいは、最大粒子サイズは、Micr
otrak(登録商標)型式FRAの粒子分析装置が1
00%の粒子が通過したと測定したときの最小点で定義
される。
In the present application, the average flow pore size and the minimum pore size are defined as the value of Coulte, which directly presents these values.
Measurements were made using an r® Poromerota II (Coulter Electronics, Luton, UK). Average particle size and maximum particle size
The measurements were made using a light scattering particle size analyzer model number FRA (Leads & Northup, North Wales, Pa., USA, Microtrack Division) of the Rak.RTM. type FRA. Average particle size (A
PS) is defined as the value at which 50% of the particles are greater. Maximum particle size (LPS) is
Defined as the largest detectable particle in the k® histogram. Alternatively, the maximum particle size is Micr
One particle analyzer of the otrak (registered trademark) type FRA
It is defined as the minimum point when it is determined that 00% of the particles have passed.

【0024】一般に、接着剤とフィラーの誘電体の調製
方法は、(a) 潤滑されて押出されたプレフォームを、小
さな粒子と接着剤が空隙又は気孔体積の中に自由に流れ
込むことを可能にするのに十分な微細構造まで伸長する
ことによって、ポリテトラフルオロエチレンシートを延
伸膨張する、(b) 例えば熱硬化性又は熱可塑性材料のポ
リマーとフィラーからペーストを作成する、(c) 浸漬、
コーティング、圧力供給によって、延伸膨張ポリテトラ
フルオロエチレンのような高度に多孔質の足場の中に接
着剤とフィラーのペーストを吸収させることを含む。
In general, the method of preparing the adhesive and filler dielectric comprises: (a) allowing the lubricated and extruded preform to allow the small particles and the adhesive to flow freely into the void or pore volume; Stretching the polytetrafluoroethylene sheet by stretching to a microstructure sufficient to: (b) make a paste from a polymer and filler of, for example, a thermoset or thermoplastic material, (c) dipping,
Coating, which involves absorbing adhesive and filler paste into a highly porous scaffold such as expanded polytetrafluoroethylene by pressure delivery.

【0025】本発明のフィラー入り接着剤フィルムを調
製するため、微粒子状フィラーは、微細に分散された混
合物を提供するように、溶媒又は水溶液又は溶融接着剤
の中に混入される。微粒子状のフィラーは、通常サイズ
が40μm未満であり、好ましくは、1〜10μmの平
均粒子サイズを有する。ポリテトラフルオロエチレンの
結節とフィブリルの構造の平均気孔サイズは、微粒子の
十分な侵入を可能にするのに十分大きい必要がある。
To prepare the filled adhesive film of the present invention, the particulate filler is incorporated into a solvent or aqueous solution or molten adhesive to provide a finely dispersed mixture. The particulate filler usually has a size of less than 40 μm, and preferably has an average particle size of 1 to 10 μm. The average pore size of the polytetrafluoroethylene nodule and fibril structures must be large enough to allow sufficient penetration of the microparticles.

【0026】表1は、基材の平均流量気孔サイズ(MF
PS)と粒子サイズの関係の効果を示す。平均流量気孔
サイズ(MFPS)の最大粒子サイズに対する比が1.
4以下であると、劣った結果が見られる。この場合、均
一な複合材料が観察されず、フィラー粒子の殆どは、微
細多孔質の基材に均一には侵入しない。平均流量気孔サ
イズ(MFPS)の最大粒子サイズに対する比が約2.
0を上回ると、均一な複合材料が得られる。また、平均
流量気孔サイズの最大粒子サイズに対する比が大きい
程、均一な分散系が微細多孔質基材の中に入り込む相対
的な割合が高いことが観察される。
Table 1 shows the average flow pore size (MF) of the substrate.
7 shows the effect of the relationship between PS) and particle size. The ratio of average flow pore size (MFPS) to maximum particle size is 1.
Below 4 results in inferior results. In this case, no uniform composite material is observed, and most of the filler particles do not uniformly penetrate the microporous substrate. The ratio of mean flow pore size (MFPS) to maximum particle size is about 2.
Above 0, a homogeneous composite is obtained. It is also observed that the greater the ratio of average flow pore size to maximum particle size, the higher the relative proportion of the uniform dispersion entering the microporous substrate.

【0027】[0027]

【表1】 [Table 1]

【0028】[0028]

【実施例】例1 281.6gのTiO2 (TI Pure R−90
0、デュポン社)を、MEK中の難燃化されたジシアン
アミド/2-メチルイミダゾール触媒のビスフェノールA
を基剤とするポリグリシジルエーテル(Nelco N
−4002−5,ネルコ社)の20重量%溶液中に混ぜ
入れることによって微細な分散系を調製した。均一性を
保証するため、この分散系を絶えず攪拌した。次いで延
伸膨張PTFEの小片をこの樹脂混合物の中に浸した。
可撓性のある複合材料を得るため、このウェブを張力下
で165℃にて1分間乾燥した。このようにして得られ
た部分硬化した接着剤複合材料は、57重量%のTiO
2 、13重量%のPTFE、及び30重量%のエポキシ
接着剤を含んだ。この接着剤シートの数層を銅箔の間に
配置し、真空を利用した液圧プレスにより225℃の温
度で90分間600psiでプレスし、次いで圧力下で
冷却した。これにより19.0の誘電率を有する銅ラミ
ネートが得られ、100μm(0.0039インチ
(3.9ミル))の誘電体ラミネート厚さの平均層厚さ
において、280℃のハンダ衝撃に30秒間耐えた。 例2 フェニルトリメトキシシラン(04330、Huls/
Petrarch)で前処理した386gのSiO
2 (HW−11−89,Harbison Walke
r社)を、200gのビスマレイミドトリアジン樹脂
(BT206OBJ、三菱ガス化学社)と388gのM
EKのマンガン触媒溶液に混ぜ入れることによって微細
な分散系を調製した。均一性を保証するため、この分散
系を絶えず攪拌した。次いで厚さ0.0002インチの
延伸膨張PTFEの小片をこの樹脂混合物の中に浸し、
取り出し、次いで可撓性のある複合材料を得るため、張
力下で165℃にて1分間乾燥した。このプリプレグの
数層を銅箔の間に配置し、真空を利用した液圧プレスに
より225℃の温度で250psiで90分間プレス
し、次いで圧力下で冷却した。このようにして得られた
この生成した誘電体は、53重量%のSiO2 、5重量
%のPTFE、及び42重量%の接着剤を含み、銅に対
する良好な接着性、3.3の誘電率(10GHz)、及
び0.005の誘電正接(10GHz)を示した。 例3 274.7gのビスマレイミドトリアジン樹脂(BT2
060BJ、三菱ガス化学社)と485gのMEKのマ
ンガン触媒溶液の中に483gのSiO2 (HW−11
−89)を混ぜ入れることによって微細な分散系を調製
した。均一性を保証するため、この分散系を絶えず攪拌
した。次いで厚さ0.0002インチの延伸膨張PTF
Eの小片をこの樹脂混合物の中に浸し、取り出し、次い
で可撓性のある複合材料を得るため、張力下で165℃
にて1分間乾燥した。このプリプレグの数層を銅箔の間
に配置し、真空を利用した液圧プレスにより225℃の
温度で90分間にわたって250psiでプレスし、次
いで圧力下で冷却した。このようにして得られた生成し
た誘電体は、57重量%のSiO2 、4重量%のPTF
E、及び39重量%の接着剤を含み、銅に対する良好な
接着性、3.2の誘電率(10GHz)、及び0.00
5の誘電正接(10GHz)を示した。 例4 15.44kgのTiO2 粉末(TI Pure R−
900、デュポン社)を、3.30kgのビスマレイミ
ドトリアジン樹脂(BT206OBH、三菱ガス化学
社)と15.38kgのMEKのマンガン触媒溶液の中
に混ぜ入れることによって微細な分散系を調製した。こ
の分散系を、均一性を保証するように絶えず攪拌した。
TiO2 を充填した厚さ0.0004インチの延伸膨張
PTFE(TiO2 の充填率が40%であって膜を最後
に圧縮しなかった以外は、モルチマーの米国特許第49
85296号の教示にしたがって充填した)の小片を、
次いでこの樹脂混合物の中に浸し、取り出し、次いで可
撓性のある複合材料を得るため、張力下で165℃にて
1分間乾燥した。このようにして得られた部分硬化した
接着剤複合材料は、70重量%のTiO2 、9重量%の
PTFE、及び21重量%の接着剤を含んだ。このプリ
プレグの数層を銅箔の間に配置し、真空を利用した液圧
プレスにより220℃の温度で500psiにて90分
間プレスし、次いで圧力下で冷却した。この得られた誘
電体は、銅に対する良好な接着性、10.0の誘電率、
及び0.008の誘電正接を示した。 例5 7.35kgのSiO2 (ADMATECHS SO−
E2、タツモリLTD)に7.35kgのMEKと7
3.5gのカップリング剤、即ち、3-グリシジルオキシ
プロピルトリメトキシシラン(Dynasylan G
LYMO(Petrach Systems))を混合
することによって微細分散系を調製した。SO−E2
は、メーカーによると0.4〜0.6μmの粒子直径、
4〜8m2 /gの比表面積、0.2〜0.4g/cc
(ルース)の嵩密度を有する高い球形性のシリカと説明
されている。
EXAMPLE 1 281.6 g of TiO 2 (TI Pure R-90)
0, DuPont) with the flame retarded dicyanamide / 2-methylimidazole catalyzed bisphenol A in MEK
Based on polyglycidyl ether (Nelco N
-4002-5 (Nelco) in a 20% by weight solution to prepare a fine dispersion. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. A small piece of expanded PTFE was then dipped into the resin mixture.
The web was dried at 165 ° C. for 1 minute under tension to obtain a flexible composite. The partially cured adhesive composite obtained in this way has a TiO content of 57% by weight.
2 , containing 13% by weight PTFE, and 30% by weight epoxy adhesive. Several layers of this adhesive sheet were placed between copper foils and pressed at 600 psi for 90 minutes at a temperature of 225 ° C. by a hydraulic press using vacuum, then cooled under pressure. This resulted in a copper laminate having a dielectric constant of 19.0, which was subjected to a 280 ° C. solder impact for 30 seconds at an average layer thickness of 100 μm (0.0039 inch (3.9 mil)) dielectric laminate thickness. I endured. Example 2 Phenyltrimethoxysilane (04330, Huls /
Petrarch) 386 g SiO
2 (HW-11-89, Harbison Walke
r) with 200 g of bismaleimide triazine resin (BT206OBJ, Mitsubishi Gas Chemical Company) and 388 g of M
A fine dispersion was prepared by mixing in a manganese catalyst solution of EK. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. A 0.0002 inch thick piece of expanded PTFE is then dipped into the resin mixture,
Removed and then dried under tension at 165 ° C. for 1 minute to obtain a flexible composite. Several layers of this prepreg were placed between copper foils and pressed by a hydraulic press using vacuum at a temperature of 225 ° C. at 250 psi for 90 minutes and then cooled under pressure. The resulting dielectric thus obtained contains 53% by weight of SiO 2 , 5% by weight of PTFE, and 42% by weight of adhesive, has good adhesion to copper, a dielectric constant of 3.3 (10 GHz) and a dielectric loss tangent (10 GHz) of 0.005. Example 3 274.7 g of bismaleimide triazine resin (BT2
060BJ, Mitsubishi Gas Chemical Co.) and 485g of MEK of 483g in manganese catalyst solution SiO 2 (HW-11
-89) to give a fine dispersion. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. Then a 0.0002 inch thick expanded PTF
A piece of E was dipped into this resin mixture, removed, and then 165 ° C. under tension to obtain a flexible composite.
For 1 minute. Several layers of this prepreg were placed between copper foils, pressed at 250 psi for 90 minutes at a temperature of 225 ° C. by a hydraulic press using vacuum, and then cooled under pressure. The resulting dielectric thus obtained comprises 57% by weight of SiO 2 , 4% by weight of PTF
E, and 39% by weight adhesive, good adhesion to copper, a dielectric constant of 3.2 (10 GHz), and 0.00
A dielectric loss tangent of 5 (10 GHz) was shown. Example 4 15.44 kg of TiO 2 powder (TI Pure R-
900, DuPont) into a manganese catalyst solution of 3.30 kg of bismaleimide triazine resin (BT206OBH, Mitsubishi Gas Chemical) and 15.38 kg of MEK to prepare a fine dispersion. The dispersion was constantly agitated to ensure homogeneity.
Except that expanded PTFE (TiO 2 filling rate of thickness 0.0004 inches filled with TiO 2 was not compressed at the end of a the membrane is 40%, the U.S. Patent of Moruchima 49
(Filled according to the teachings of No. 85296)
It was then dipped into the resin mixture, removed, and then dried under tension at 165 ° C. for 1 minute to obtain a flexible composite. The partially cured adhesive composite thus produced comprised contained 70 wt% of TiO 2, 9% by weight of PTFE, and 21 wt% of the adhesive. Several layers of this prepreg were placed between copper foils and pressed in a hydraulic press using vacuum at a temperature of 220 ° C. at 500 psi for 90 minutes and then cooled under pressure. The resulting dielectric has good adhesion to copper, a dielectric constant of 10.0,
And a dielectric tangent of 0.008. Example 5 7.35kg of SiO 2 (ADMATECHS SO-
E2, Tsutsumori LTD) with 7.35kg MEK and 7
3.5 g of coupling agent, namely 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane (Dynasylan G
A fine dispersion was prepared by mixing LYMO (Petrach Systems). SO-E2
Has a particle diameter of 0.4-0.6 μm according to the manufacturer,
Specific surface area of 4 to 8 m 2 / g, 0.2 to 0.4 g / cc
It is described as a highly spherical silica having a (loose) bulk density.

【0029】この分散系に、メチルエチルケトン(ME
K)中のシアン化フェノール樹脂のプリマセットPT−
30(ロンザ社)の50重量%溶液の932g、MEK
中のRSL1462(シェルレジンズ社(CAS#25
068−38−6))の50重量%溶液の896g、M
EK中のBC−58(グレートレークス社)の50重量
%溶液の380g、MEK中のビスフェノールA(アル
ドリッチ社)の50%溶液の54g、12.6gのイル
ガノックス1010(チバガイギー社)、マンガン-2-
エチルヘキサノエート(Mn HEX−CEM(OMG
社))の0.6%溶液の3.1g、及び2.40kgの
MEKを添加した。この分散系を、約1〜3ガロン/分
の速度で約20分間にわたってMisonics連続フ
ローセルによる超音波攪拌に供した。このようにして得
られた微細分散系を、固形分11.9重量%の全浴濃度
(overall bath concentration)までさらに希釈した。
In this dispersion, methyl ethyl ketone (ME
Primerset PT- of cyanated phenolic resin in K)
30 (Lonza), 932 g of a 50% by weight solution, MEK
RSL1462 (Shell Resins (CAS # 25)
896-38-6)), 896 g of a 50% by weight solution of
380 g of a 50% by weight solution of BC-58 (Great Lakes) in EK, 54 g of a 50% solution of bisphenol A (Aldrich) in MEK, 12.6 g of Irganox 1010 (Ciba Geigy), manganese- 2-
Ethyl hexanoate (Mn HEX-CEM (OMG
3.1 g of a 0.6% solution of the above) and 2.40 kg of MEK were added. The dispersion was subjected to ultrasonic agitation with a Misonics continuous flow cell at a rate of about 1-3 gal / min for about 20 minutes. The fine dispersion thus obtained was subjected to a total bath concentration of 11.9% by weight of solids.
(overall bath concentration).

【0030】この微細分散系を含浸浴に注ぎ入れた。図
2の結節とフィブリルの構造と次の特性を有する延伸膨
張ポリテトラフルオロエチレンのウェブが使用された。
This fine dispersion was poured into an impregnation bath. An expanded polytetrafluoroethylene web having the knot and fibril structure of FIG. 2 and the following properties was used.

【0031】[0031]

【表2】 [Table 2]

【0032】フレージャー数は、評価される材料の空気
透過率に関係する。空気透過率は、空気の流れの測定の
ために約6平方インチの円形領域に設けられたガスケッ
ト付固定具にウェブを締めつけることによって測定され
る。上流側は、乾燥圧縮空気の供給源に直列の流量計に
接続された。サンプル固定具の下流側は大気に開放され
た。テストは、サンプルの上流側に水柱0.5インチの
圧力を加え、直列の流量計(流量計に接続されたボール
浮遊式ローターメーター)を通過する空気の流量を記録
することによって行われる。
The Frazier number is related to the air permeability of the material being evaluated. Air permeability is measured by tightening the web to a gasket fixture provided in a circular area of about 6 square inches for air flow measurement. The upstream side was connected to a flow meter in series with a supply of dry compressed air. The downstream side of the sample fixture was open to the atmosphere. The test is performed by applying a pressure of 0.5 inch of water to the upstream side of the sample and recording the flow of air through a series flow meter (ball-floating rotor meter connected to the flow meter).

【0033】ボール破裂強度は、破壊の最大値を測定す
ることによってサンプルの相対的な強度を評価するテス
トである。ウェブは、2枚のプレートの間に締めつけら
れながら、直径1インチのボールで攻撃される。Cha
tillonフォースゲージボール破裂試験を使用し
た。媒体が測定装置にぴんと張って配置され、破裂プロ
ーブのボールに接触するようにウェブを持ち上げること
によって圧力が加えられる。破断時の圧力が記録され
る。
Ball rupture strength is a test that evaluates the relative strength of a sample by measuring the maximum value of rupture. The web is attacked with a 1 inch diameter ball, clamped between two plates. Cha
A tillon force gauge ball burst test was used. The media is placed taut on the measuring device and pressure is applied by lifting the web to contact the ball of the rupture probe. The pressure at break is recorded.

【0034】上記のウェブは、均一性を保証するため、
3フィート/分又は約3フィート/分の速度で常時攪拌
した含浸浴の中を通した。含浸されたウェブは、溶媒の
全て又は殆どを除去するため直ちに加熱オーブンを通過
させ、ロール上に回収する。このプリプレグの数層を銅
箔の間に配置し、真空を利用した液圧プレスで220℃
の温度で90分間にわたって200psiでプレスし、
次いで圧力下で冷却した。得られた誘電体は、銅に対す
る良好な接着性、3.0の誘電率(10GHz)、及び
0.0085の誘電正接(10GHz)を示した。
The above-mentioned web is to ensure uniformity,
It was passed through a constantly stirred impregnation bath at a rate of 3 feet / minute or about 3 feet / minute. The impregnated web is immediately passed through a heating oven to remove all or most of the solvent and collected on a roll. Several layers of this prepreg are placed between copper foils and 220 ° C. in a hydraulic press using vacuum.
Press at 200 psi for 90 minutes at a temperature of
It was then cooled under pressure. The resulting dielectric exhibited good adhesion to copper, a dielectric constant of 3.0 (10 GHz), and a dielectric loss tangent (10 GHz) of 0.0085.

【0035】例2と例5で使用した粒子状フィラーの物
理的特性を下記に比較する。
The physical properties of the particulate fillers used in Examples 2 and 5 are compared below.

【0036】[0036]

【表3】 [Table 3]

【0037】例6 溶融ケイ素の蒸気燃焼によって調製したSiO2 を主成
分とするフィラーと接着剤の含浸された混合物を含む延
伸膨張ポリテトラフルオロエチレン(ePTFE)マト
リックスを次のようにして調製した。最初に2つの前駆
体混合物を調製した。1つは、例5に類似のシラン処理
シリカを含むスラリーの形態であり、もう1つは、樹脂
と他の成分の触媒添加されていない配合物とした。 −混合物I− シリカスラリーは、MEK中の例5のSO−E2シリカ
の50/50配合物であり、本シリカは、シリカの1重
量%に等しいシランのコーティングを含んだ。5ガロン
の容器に17.5ポンドのMEKと79gのシランを添
加し、MEK中のシランの均一な分散を保証するよう
に、2つの成分を混合した。次いで例5のシリカの1
7.5ポンドを添加した。MEK・シリカ・シラン混合
物の2つの5ガロン容器を反応器に加え、その内容物、
即ちスラリーを、約1時間にわたって超音波分散器によ
って再循環させ、存在し得る全てのシリカ凝集物を破壊
した。超音波攪拌を終え、内容物を連続的に混合しなが
ら、反応器の内容物を約1時間約80℃に加熱した。次
いで反応した混合物を10ガロンの容器に移した。 −混合物II− 所望の樹脂配合物の生成物は、約60%の固形分を含有
する触媒添加されていない樹脂配合物を含むMEKを基
剤とした混合物(接着剤)であり、その固形分は、正確
には、41.2%のPT−30シアン化フェノール樹
脂、39.5%のRSL1462エポキシ樹脂、16.
7%のBC58難燃剤、1.5%のIrganox10
10安定剤、及び1%のビスフェノールA共触媒の混合
物であり、%はいずれも重量基準である。
EXAMPLE 6 An expanded polytetrafluoroethylene (ePTFE) matrix containing an impregnated mixture of SiO 2 -based filler and adhesive prepared by steam combustion of molten silicon was prepared as follows. First, two precursor mixtures were prepared. One was in the form of a slurry containing silanized silica similar to Example 5, and the other was an uncatalyzed blend of resin and other components. -Mixture I-The silica slurry was a 50/50 blend of the SO-E2 silica of Example 5 in MEK, the silica containing a coating of silane equal to 1% by weight of the silica. To a 5 gallon container was added 17.5 pounds of MEK and 79 g of silane, and the two components were mixed to ensure uniform distribution of the silane in the MEK. Then one of the silicas of Example 5
7.5 pounds were added. Add two 5 gallon containers of the MEK / silica / silane mixture to the reactor and add the contents,
That is, the slurry was recirculated by an ultrasonic disperser for about one hour to destroy any silica agglomerates that may be present. The ultrasonic agitation was terminated and the reactor contents were heated to about 80 ° C. for about 1 hour while continuously mixing the contents. The reacted mixture was then transferred to a 10 gallon container. -Mixture II- The product of the desired resin formulation is a MEK-based mixture (adhesive) comprising an uncatalyzed resin formulation containing about 60% solids, Is precisely 41.2% PT-30 cyanated phenolic resin, 39.5% RSL1462 epoxy resin, 16.
7% BC58 flame retardant, 1.5% Irganox 10
A mixture of 10 stabilizers and 1% bisphenol A cocatalyst, all percentages are by weight.

【0038】10ガロンの容器の中に14.8ポンドの
PT−30と15〜20ポンドのMEKを添加し、PT
−30を完全に溶媒和するように激しく攪拌した。次い
で6ポンドのBC58を秤量し、MEK/PT−30の
溶液に添加し、BC58を溶媒和するために激しく攪拌
した。安定剤の244.5gのIrganox101
0、及びビスフェノールAの163gを添加した。10
ガロンの容器を再度秤量し、14.22ポンドのRSL
1462を添加した。追加のMEKを添加し、混合物の
重量を60ポンドにした。次いで約1〜2時間にわたっ
て、又は固体成分を完全に溶かすのに必要なだけ長くそ
の内容物を激しく攪拌した。
In a 10 gallon container, add 14.8 pounds of PT-30 and 15-20 pounds of MEK and add
-30 was stirred vigorously to completely solvate. Six pounds of BC58 was then weighed and added to the MEK / PT-30 solution and stirred vigorously to solvate BC58. 244.5 g of Irganox 101 as stabilizer
0 and 163 g of bisphenol A were added. 10
Reweigh the gallon container and weigh 14.22 pounds RSL
1462 was added. Additional MEK was added to bring the mixture to a weight of 60 pounds. The contents were then vigorously stirred for about 1-2 hours or as long as necessary to completely dissolve the solid components.

【0039】所望の生成物は、シランで処理したシリ
カ、触媒添加されていない樹脂配合物、及びMEKの混
合物であり、その固形分の68重量%がシリカであり、
全固形分は混合物の5〜50重量%である。正確な固形
分濃度は実験ごとに変わり、一部は含浸される膜によっ
て決まる。触媒レベルは、PT−30とRSL1462
の合計に対して10ppmである。
The desired product is a mixture of silane treated silica, an uncatalyzed resin formulation, and MEK, of which 68% by weight of solids is silica;
Total solids is 5-50% by weight of the mixture. The exact solids concentration will vary from experiment to experiment, and will depend in part on the membrane being impregnated. Catalyst levels were PT-30 and RSL1462.
Is 10 ppm with respect to the sum of

【0040】混合物IとIIの固形分を、前駆体の正確
性を実証するため、及び生じた全ての溶媒の飛散を補償
するために測定した。次いで混合物Iを10ガロンの容
器に添加し、12ポンドの固体分、例えば、23.48
ポンドの混合物I中の51.5%の固形分を得た。次い
で混合物IIをその容器に添加し、5.64ポンドの固
体分、例えば、9.46ポンドの混合物II中の59.
6%の固形分を得た。マンガン触媒溶液(ミネラルスピ
リット中の0.6%)の3.45gを混合物Iと混合物
IIの混合物に添加し、十分に混合し、高い固形分の混
合物を作成した。
The solids content of Mixtures I and II were measured to verify the accuracy of the precursor and to compensate for any solvent splatter that occurred. Mixture I is then added to a 10 gallon container and has 12 pounds of solids, for example, 23.48.
51.5% solids in pounds of Mixture I was obtained. Mixture II was then added to the vessel and 5.64 pounds of solids, for example, 59.46 pounds of 9.46 pounds of mixture II.
6% solids were obtained. 3.45 g of manganese catalyst solution (0.6% in mineral spirits) was added to the mixture of Mixture I and Mixture II and mixed well to make a high solids mixture.

【0041】その高固形分の混合物に十分なMEKを添
加して63ポンドの全重量にすることによって、ePT
FEマトリックスを含浸するための固形分28%の混合
物の浴混合物を調製した。次に、ePTFEマトリック
スをこの浴混合物で含浸し、誘電体材料を作成した。 例7 26.8gのファーネフブラック(ニュージャージ州の
リッジフィールドパークにあるデグッサ社より入手のS
pecial Schwarz 100)、及び79g
のカップリング剤(Dynaslan GLYMO C
AS #2530−83−8、3-グリシジルオキシプロ
ピル- トリメトキシシラン(Petrach Syst
ems))を混合することによって微細分散系を調製し
た。この分散系を1分間にわたって超音波攪拌に供し、
次いで予め超音波攪拌しておいた17.5ポンドのME
K中の17.5ポンドのSiO2(SO−E2)の攪拌中
の分散系に添加した。一定の頂部からの混合をしながら
最終的な分散系を加熱して1分間の還流を行い、次いで
これを室温まで放冷した。
By adding sufficient MEK to the high solids mixture to a total weight of 63 pounds, the ePT
A bath mixture of a 28% solids mixture was prepared for impregnating the FE matrix. Next, an ePTFE matrix was impregnated with the bath mixture to create a dielectric material. Example 7 26.8 g Furneff Black (S obtained from Degussa, Ridgefield Park, NJ)
special Schwarz 100), and 79 g
Coupling agent (Dynaslan GLYMO C)
AS # 2530-83-8, 3-glycidyloxypropyl-trimethoxysilane (Petrach Syst)
ems)) to prepare a fine dispersion. This dispersion is subjected to ultrasonic stirring for 1 minute,
Then 17.5 pounds of ME previously ultrasonically stirred.
It was added to the dispersion during stirring 17.5 pounds SiO 2 (SO-E2) in K. The final dispersion was heated to reflux for one minute with constant top mixing, and then allowed to cool to room temperature.

【0042】これとは別に、MEK中のプリマセットP
T−30の57.5重量%混合物の3413g、MEK
中のRSL1462の76.8重量%混合物の2456
g、MEK中のBC58(グレートレークス社)の5
3.2重量%溶液の1495g、MEK中のビスフェノ
ールA(アルドリッチ社)の23.9重量%溶液の20
0g、71.5gのIrganox1010、ミネラル
スピリット中のMn HEX−CEM(OMG社)の
0.6重量%溶液の3.21g、及び2.40kgのM
EKを加えることによって接着剤ワニスを調製した。
Separately, Primaset P in MEK
3413 g of a 57.5% by weight mixture of T-30, MEK
Of a 76.8% by weight mixture of RSL1462 in
g, 5 of BC58 (Great Lakes) in MEK
1495 g of a 3.2 wt% solution, 20 of a 23.9 wt% solution of bisphenol A (Aldrich) in MEK
0 g, 71.5 g of Irganox 1010, 3.21 g of a 0.6 wt% solution of Mn HEX-CEM (OMG) in mineral spirits, and 2.40 kg of M
An adhesive varnish was prepared by adding EK.

【0043】別な容器の中に、上記の分散系の3739
g、及び0.0233gのファーネスブラック(ニュー
ジャージ州のリッジフィールドパークにあるデグッサ社
より入手のSpecial Schwarz 10
0)、1328gの上記の接着剤ワニス、及び38.3
ポンドのMEKを添加した。この混合物を含浸浴に注ぎ
入れ、3フィート/分又は約3フィート/分の速度でe
PTFEウェブを含浸浴の中に通した。均一性を保証す
るため、この分散系を絶えず攪拌した。含浸されたウェ
ブは、溶媒の全て又は殆どを除去するために直ちに加熱
オーブンを通過させ、ロール上に回収した。
In a separate container, 3739 of the above dispersion
g and 0.0233 g of furnace black (Special Schwarz 10 from Degussa, Ridgefield Park, NJ)
0), 1328 g of the above adhesive varnish, and 38.3
Pounds of MEK were added. Pour the mixture into the impregnation bath and e at a rate of 3 feet / minute or about 3 feet / minute.
The PTFE web was passed through the impregnation bath. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. The impregnated web was immediately passed through a heating oven to remove all or most of the solvent and collected on rolls.

【0044】このプリプレグの数層を銅箔の間に配置
し、真空を利用した液圧プレスで200℃の温度で90
分間にわたって200psiでプレスし加圧下に冷却し
た。得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性を示し
た。 例8 MEK中のプリマセットPT−30(PMN P−88
−1591)の57.5重量%溶液の3413g、ME
K中のRSL1462の76.8重量%溶液の2456
g、MEK中のBC−58(グレートレークス社)の5
3.2重量%溶液の1495g、MEK中のビスフェノ
ールA(アルドリッチ社)の23.9重量%溶液の20
0g、71.5gのイルガノックス1010、ミネラル
スピリット中のMn HEX−CEM(OMG社)の
0.6重量%溶液の3.21g、及び2.40kgのM
EKを加えることによって接着剤ワニスを調製した。
Several layers of this prepreg are placed between copper foils and pressed at 200 ° C. by a hydraulic press using vacuum.
Pressed at 200 psi for minutes and cooled under pressure. The resulting dielectric exhibited good adhesion to copper. Example 8 Primaset PT-30 in MEK (PMN P-88
3413 g of a 57.5% by weight solution of
2456 of a 76.8% by weight solution of RSL1462 in K
g, 5 of BC-58 (Great Lakes) in MEK
1495 g of a 3.2 wt% solution, 20 of a 23.9 wt% solution of bisphenol A (Aldrich) in MEK
0 g, 71.5 g Irganox 1010, 3.21 g of a 0.6 wt% solution of Mn HEX-CEM (OMG) in mineral spirits, and 2.40 kg M
An adhesive varnish was prepared by adding EK.

【0045】別な容器の中に、上記の接着剤ワニスの1
328gを、42.3ポンドのMEK、6.40gのフ
ァーネスブラック(ニュージャージ州のリッジフィール
ドパークにあるデグッサ社より入手のSpecial
Schwarz 100)、及び1860.9gのSi
2(SO−E2)と共に加えた。この混合物を含浸浴に
注ぎ入れ、3フィート/分又は約3フィート/分の速度
でePTFEウェブを含浸浴の中を通した。均一性を保
証するため、この分散系を絶えず攪拌した。含浸された
ウェブは、溶媒の全て又は殆どを除去するため直ちに加
熱オーブンを通過させ、ロール上に回収した。
In a separate container, place one of the above adhesive varnishes
328 g of 42.3 pounds of MEK, 6.40 g of furnace black (Special available from Degussa, Ridgefield Park, NJ)
Schwarz 100), and 1860.9 g of Si
O was added along with 2 (SO-E2). The mixture was poured into the impregnation bath and the ePTFE web was passed through the impregnation bath at a rate of 3 feet / minute or about 3 feet / minute. The dispersion was constantly stirred to ensure homogeneity. The impregnated web was immediately passed through a heating oven to remove all or most of the solvent and collected on rolls.

【0046】このプリプレグの数層を銅箔の間に配置
し、真空を利用した液圧プレスで220℃の温度で90
分間にわたって200psiでプレスし加圧下に冷却し
た。得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性を示し
た。当業者には、以上説明した本発明に、本発明の思想
と範囲から逸脱することなく種々の変更や置換がなされ
得ることが理解されるであろう。したがって、本発明
は、例示によって説明したものであり、それらに限定さ
れるものではないことが理解される。
Several layers of this prepreg are placed between copper foils and pressed at 220 ° C. by a hydraulic press utilizing vacuum.
Pressed at 200 psi for minutes and cooled under pressure. The resulting dielectric exhibited good adhesion to copper. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and substitutions can be made to the present invention described above without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, it is understood that the present invention has been described by way of example and not limitation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に用いた誘電体材料の調製に使用した延
伸膨張ポリテトラフルオロエチレン(ePTFE)材料
の走査型電子顕微鏡写真である。
FIG. 1 is a scanning electron micrograph of an expanded polytetrafluoroethylene (ePTFE) material used for preparing a dielectric material used in the present invention.

【図2】本発明に用いた誘電体材料の調製に使用した延
伸膨張ポリテトラフルオロエチレン(ePTFE)材料
の走査型電子顕微鏡写真である。
FIG. 2 is a scanning electron micrograph of an expanded polytetrafluoroethylene (ePTFE) material used for preparing a dielectric material used in the present invention.

フロントページの続き (72)発明者 ドナルド ジー.ハッチンズ アメリカ合衆国,ウィスコンシン 54701, オー クレール,オリオール ドライブ 8336 (72)発明者 マイケル ディー.フリーバーグ アメリカ合衆国,ウィスコンシン 54730, コルファックス,エイトハンドレッドアン ドテンス アベニュ イー9891Continuation of the front page (72) Inventor Donald G. Hutchins United States, Wisconsin 54701, Oakrail, Oriole Drive 8336 (72) Inventor Michael Dee. Freeburg, United States, Wisconsin 54730, Colfax, Eight Hundred And Dentence Avenue E 9891

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 a)ドライフォトレジストフィルムを提
供し、b)基板上にそのドライフィルムを配置し、c)
基板にそのドライフィルムをラミネートする、ことを含
み、ラミネートする前に、ラミネートされるべき基板表
面をクリーニングし、次いでその表面をプラズマエッチ
ングする、基板上にドライフォトレジストフィルムをラ
ミネートする方法。
1. a) providing a dry photoresist film; b) disposing the dry film on a substrate;
Laminating a dry photoresist film on a substrate, comprising, before laminating, cleaning the surface of the substrate to be laminated and then plasma etching the surface.
【請求項2】 ラミネーションが圧力と熱の下で行われ
る請求項1に記載の方法。
2. The method according to claim 1, wherein the lamination is performed under pressure and heat.
【請求項3】 ラミネーションが、ニップローラーアセ
ンブリに基板とドライレジストフィルムを送り込むこと
によって行われる請求項1に記載の方法。
3. The method of claim 1, wherein the lamination is performed by feeding the substrate and the dry resist film into a nip roller assembly.
【請求項4】 ドライフィルムレジストが、レジストロ
ールラミネーターによって基板に施される請求項1に記
載の方法。
4. The method of claim 1, wherein the dry film resist is applied to the substrate by a resist roll laminator.
【請求項5】 クリーニングが、基板から汚染物質を除
去するための予備クリーニングである請求項1に記載の
方法。
5. The method of claim 1, wherein the cleaning is a pre-clean to remove contaminants from the substrate.
【請求項6】 予備クリーニングが、アルカリ性石鹸溶
液を用いた洗いである請求項1に記載の方法。
6. The method according to claim 1, wherein the preliminary cleaning is a washing using an alkaline soap solution.
JP15366098A 1998-05-20 1998-05-20 Pretreatment method for cleaning base surface before application of dry film resist Pending JPH11320684A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8187923B2 (en) * 2006-01-30 2012-05-29 International Business Machines Corporation Laser release process for very thin Si-carrier build

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